JPH06148540A - 偏向可能デバイスおよびその製造方法 - Google Patents

偏向可能デバイスおよびその製造方法

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JPH06148540A
JPH06148540A JP4106876A JP10687692A JPH06148540A JP H06148540 A JPH06148540 A JP H06148540A JP 4106876 A JP4106876 A JP 4106876A JP 10687692 A JP10687692 A JP 10687692A JP H06148540 A JPH06148540 A JP H06148540A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 シャッタを上昇または降下させる機械的マイ
クロスイッチを含むデバイスを提供する。 【構成】 このデバイスは、電極３８ａ、３８ｂと、該
電極と下面に垂直シャッタ４０を取付けられた個々に偏
向可能である素子３２との間のギャップと、を有する機
械的マイクロスイッチを含む。前記電極がアドレスされ
た時、前記偏向可能素子３２の運動は前記シャッタを上
昇または降下せしめる。このようなデバイスは、スイッ
チングに使用されうる。導波路におけるそのような使用
の１実施例が、製造方法と共に開示されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、変形可能ミラーデバイ
ス（ＤＭＤ）と実質的に同様な構造に関し、特に、個々
に偏向可能素子を有するデバイスに関する。
【０００２】
【従来の技術】変形可能ミラーデバイス（ＤＭＤ）は、
通常は電極のアレイすなわち配列上に懸架された反射面
から成る。ある場合には、その反射面は薄膜である。い
ま問題にしているＤＭＤの形式は他の種類のもので、そ
の形式は、反射面が個々に制御されうるミラーに分割さ
れ、それぞれのミラーが他のミラーから分離されている
ものである。
【０００３】これらのＤＭＤは通常は、基板上に電極の
アレイを形成し、該電極のアレイを重合体スペーサによ
って被覆し、該スペーサをアクセス孔を形成すべくまた
個々のミラーおよびヒンジを形成すべくパターン化され
た金属によって被覆し、次に前記スペーサ層をエッチン
グ除去して該スペーサの該ミラー金属を支持する部分を
残すことによって製造される。あるＤＭＤ構造において
は、全ての該スペーサ層が除去されて、金属柱がミラー
を支持するのに用いられる。得られた個々のミラーは、
アドレス用電極と、少なくとも１つの支持柱と、該電極
上のエアギャップ上に懸架されたミラーと、から成る。
【０００４】これらのデバイスのいくつかの構造をあげ
ると、片持梁、ねじり梁、および撓み梁の形式のものが
ある。片持梁ＤＭＤは、１辺上において支持されたミラ
ーを有する。このミラーは、運動の自由を許容する単一
の薄いヒンジによって支持体に取付けられている。エア
ギャップ下の電極が電気的にアドレスされると、ミラー
はその電極に静電的に引きつけられ、そのヒンジにおい
て下方へ撓む。ねじり梁ＤＭＤは、ミラーの対向辺上に
ある２つのヒンジによって取付けられている。この形式
のＤＭＤは、通常２つのアドレス電極を有する。一方の
電極がアドレスされると、ミラーはその電極に静電的に
引きつけられ、それによってミラーはアドレスされた電
極が位置する側へ傾けられて、２つのヒンジにより定め
られる中心梁の回りにねじられる。撓み梁ＤＭＤは、４
つの各辺上に１つずつある４つのヒンジを有する。撓み
梁の直下に位置する単一電極がアドレスされると、ミラ
ーはピストン様の運動をなして撓む。
【０００５】これらのデバイスの応用は、プリンタ、表
示装置、スイッチング回路網、およびその他多方面に及
ぶ。ＤＭＤデバイスの構造は、スイッチまたは制御器と
しての多くの可能な応用を有する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的および利
点は自明であり、それらは以下において部分的に現わ
れ、また金属シャッタを上昇または降下せしめる構造を
提供する本発明によって達成される。この構造は、基板
と、電極と、この電極上のエアギャップの上に懸架され
た反射性の金属素子と、から成る。この金属素子には、
垂直構造が取付けられている。電極がアドレスされる
と、金属素子は撓んで、取付けられた垂直構造をして金
属素子と共に移動せしめる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本デバイスは次のように
して製造される。電極が基板上に形成される。有機重合
体スペーサがそのウェハにコーティングされる。そのス
ペーサはパターン化され、金属によって被覆される。こ
の金属は、パターン化されエッチングされることによっ
てヒンジと、垂直に取付けられた構造を含む可動金属素
子とを形成する。次に、このウェハは分割され、スペー
サレベルは除去されて、金属素子はエアギャップ上にお
いて運動しうるようにされる。
【０００８】
【実施例】ＤＭＤの基本構造は多くの目的に応じて変更
されうる。偏向が簡単なため、それは、金属素子が運動
するのに伴って運動する、金属素子の下面または上面に
取付けられた垂直構造を有する制御可能なシャッタデバ
イスとして作用するのに特に適している。シャッタと呼
ばれるこの垂直構造を形成するためには、ＤＭＤの製造
工程に対してわずかな改変を行なわなくてはならない。
【０００９】工程の流れは図１に示されている。ステッ
プ１０においては、シャッタデバイスが導波路用として
使用されるべきものであるか否かの決定がなされなくて
はならない。そのわけは、導波路用として使用されるも
のである場合には、異なる初期製造工程が必要となるか
らである。もし、そうでない場合には、工程は径路１２
を経てステップ１４へ進む。ステップ１４においては、
シリコンまたはひ化ガリウムである基板上に電極が形成
される。これらの電極はさまざまな方法で形成されうる
が、その１つは、金属層を堆積し、パターン化してエッ
チングする方法である。他の方法としては、ポリシリコ
ンにより電極を形成する方法、電極を拡散または注入す
る方法がある。電極の形成後には、工程はステップ１６
へ進み、そこではウェハに対して重合体スペーサ層のコ
ーティングがなされる。このステップの一部として、ま
たデバイスの形式によって、この重合体は、上部に金属
が堆積された時、支持柱およびシャッタが形成されるよ
うにパターン化されうる。次のステップ１８において
は、金属素子、ヒンジ、およびシャッタが金属層の堆積
によって形成される時に、パターン化およびエッチング
が行なわれる。第１金属層はヒンジのための薄い層であ
る。この層はまた、もし柱が用いられるべき場合なら
ば、柱を形成するための通路と、シャッタのための部分
通路と、をも満たす。この薄い金属層は、次にヒンジを
被覆するようにパターン化される二酸化シリコンにより
被覆される。次に、厚い金属層が形成され二酸化シリコ
ンによってマスクされて、金属素子が形成される。最後
に全構造がエッチングされ、金属素子を画定するために
第２マスクが残された場所以外の全ての場所において厚
い金属が除去される。薄い金属もまた、それが残ってい
る厚い金属の下部と、ヒンジがマスクされている場所と
以外の全ての場所において除去される。シャッタは、金
属素子梁に対してさまざまな異なる配置をとりうる。こ
れらの配置のいくつかをあげれば、垂直、斜め、中心
外、中心上、がある。これらさまざまな配置のいくつか
は、後に検討される。もしこのデバイスが通路を用いて
いれば、ヒンジ／梁金属がそれらを満たし、支持柱を形
成する。ステップ２０において、ウェハは個々のデバイ
スに分割されるが、これはウェハをのこ引きすることに
よって行なわれうる。ウェハの分割後、重合体スペーサ
はステップ２２において除去される。もし金属柱を有す
る構造が所望される場合は、全ての重合体スペーサが除
去される。もし通路がパターン化されていなかったなら
ば、重合体スペーサの一部は、金属素子を支持するため
に残される。これによって、金属素子は、金属素子を金
属素子の電極から分離するエアギャップ上において自由
に運動することが可能となる。最後に、ステップ２３に
おいて、デバイスはパッケージに封入される。
【００１０】とられうる別の径路は、径路２４である。
この径路は、シャッタデバイスが導波路用に用いられる
場合の径路である。この場合には、工程はステップ１０
から径路２４を経てステップ２６へ進む。ステップ２６
においては、導波路のための下部層が基板上に形成され
る。ステップ２８においては導波路コアが形成され、次
にステップ３０においては上部層が形成される。上部導
波路層はパターン化され、導波路コアを横断するギャッ
プがエッチングされる。次に工程はステップ１４へ継続
され、前述のように進行する。出来上がった２つの構造
間の相違は、次のことだけである。第１構造は、基板上
の電極上へ垂下するシャッタを備えたＤＭＤを有する。
第２構造は、電極がアドレスされた時に導波路ギャップ
内へシャッタが入るように垂下する該シャッタを備えた
ＤＭＤを有する。
【００１１】図２ａは、ねじり梁シャッタデバイスの平
面図を示す。金属素子３２は、ヒンジ３６ａおよび３６
ｂによりアドレス電極３８ａおよび３８ｂ上に懸架され
ている。ヒンジ３６ａおよび３６ｂはまた、それぞれ柱
３４ａおよび３４ｂによって支持されている。この例に
おいては、金属シャッタ４０は、導波路４２内のギャッ
プ４４上に垂下しているように示されている。この状態
においては金属素子３２はアドレスされておらず、シャ
ッタ４０は導波路ギャップ４４上に垂下している。図２
ｂにおいて導波路４２によって隠蔽されているアドレス
用電極３８ｂがアドレスされると、金属素子はその電極
へ向かって撓み、図２ｃに示されているようにシャッタ
４０を導波路ギャップ４４内へ降下せしめる。これによ
り、導波路を経てのいかなる光伝送も遮断され、デバイ
スはオン／オフスイッチとして作用する。あるいは、Ｄ
ＭＤシャッタは、シャッタが、アドレスされない状態に
おいて導波路ギャップ内に、すなわちオフ状態にあるよ
うにも製造されうる。この場合には、金属素子のシャッ
タとは反対側の電極３８ａがアドレスされると、金属素
子は他の様式の傾斜をなし、金属素子はシャッタを導波
路ギャップ外へ持ちあげるので、アドレスされた状態に
おいては、光伝導はギャップを超えて行なわれ、すなわ
ちオン状態となる。
【００１２】さらに、このデバイスは、アナログ的にも
動作せしめられうる。シャッタの撓みの距離は、アドレ
ス電極に印加された電圧の量によって制御されうる。こ
のようにして、シャッタは、伝送される光量をアナログ
的に、完全伝送から完全遮断までの任意のレベルに制限
するように部分的にも降下せしめられうる。この方法
は、伝送の減衰がディジタル的、すなわち完全なオンま
たは遮断のみであった、前のアドレス方法とは異なって
いる。
【００１３】図３ａには、ねじり梁シャッタデバイスの
別の実施例が示されている。この配置においては、ヒン
ジ３６ａおよび３６ｂの軸は導波路４２の軸に対して直
角をなしている。シャッタ４０も導波路４２の軸に対し
て直角に延びているが、やはりギャップ４４上に垂下し
ている。図３ｂの平面図は、アドレス用電極３８ｂの位
置を示す。前述の配置におけると同様に、電極３８ｂが
アドレスされると、シャッタは、アドレスされないオン
状態から導波路４２内へ傾き、ギャップ４４を満たして
光伝送を阻止し、オフ状態にする。
【００１４】図４ａは、撓み梁シャッタデバイスを示
す。金属素子３２はギャップ上に対角線的に懸架され、
４つのヒンジによって支持されている。平面図４ｂは、
シャッタ４０が金属素子３２の中心部にあることを示
す。シャッタ４０は、導波路４２内のギャップ４４に対
して垂直に垂下している。アドレス用電極３８は、金属
素子領域の大部分の下を占有して１つだけ存在すること
に注意すべきである。電極３８がアドレスされると、金
属素子はヒンジ４６ａ、４６ｂ、４６ｃ、および４６ｄ
上において降下する。これにより、シャッタ４０は前述
の諸デバイスにおけるようにギャップ４４内に入る。
【００１５】もう１つの実施例は、図５ａに示されてい
る片持梁シャッタデバイスである。ヒンジ３６は、金属
素子３２の１辺のみを支持する。電極は、金属素子領域
の大部分の下を占有する点において、撓み梁のそれに類
似している。図５ｂは、このデバイスの側面図を示す。
片持梁シャッタデバイスもまた、前述の他の諸デバイス
と同様に動作する。
【００１６】図２ａ、図２ｂ、および図２ｃに示された
ねじり梁シャッタ／導波路デバイスの中央における断面
図が図６に示されている。層４８は、基板上に形成され
た下部層である。導波路コア５０は下部層の頂部上にあ
る。そのコア上には上部層５２が存在する。この実施例
においては、アドレス電極３８ａおよび３８ｂは層５２
上に示されている。あるいは、電極は、それらが金属素
子の近くにあって、金属素子が偏向できる限り、他の場
所に配置することもできる。シャッタ４０は、金属素子
４２からギャップ４４内へ垂下する。ギャップを横切る
距離５４は、所望の任意の大きさにパターン化されう
る。ある特定の実施例におけるギャップの幅は１μｍで
ある。コア層５０は、２．５μｍの厚さのＳｉＯ2 の層
の間に挟まれた０．２５μｍの厚さのＳｉ3 Ｎ4 の層か
ら成る。
【００１７】もう１つの可能な構造においては、シャッ
タが金属素子の下部に垂下する代わりに、その上部に配
置される。この実施例は、上述の諸デバイスのいずれへ
も取入れられうる。この別の構造は、ねじり梁の実施例
について図７ｂに示されている。可動金属素子は、上部
にシャッタ構造４０を有する。この実施例においては、
導波路４２の軸は金属素子構造の側方にある。電極３８
ａが電気的にアドレスされると、金属素子はその方向へ
偏向し、シャッタ４０をギャップ４４内へ降下せしめ
る。前述のように、このデバイスもまたアナログ的に動
作せしめることができ、撓みの距離、従って通過光量
は、印加電圧量によって制御されうる。
【００１８】図７ａには、デバイスの上面に取付けられ
たシャッタを有するシャッタデバイスのための工程の流
れが示されている。この流れは、主たる流れの３ステッ
プを除けば、実質的に図１におけるものと同様である。
図７ａにおいて、第１の相違は、ウェハ上にスペーサが
コーティングされるステップ５６に起こる。スペーサ
は、図１におけるように、もし所望ならば柱のための通
路を有するようにパターン化されうる。シャッタのため
の部分的通路はなくすことができる。この実施例におい
ては、シャッタは金属素子の下部から垂下していない。
次の相違は、ヒンジおよび金属素子が形成されるステッ
プ５８において起こる。図１においては、ヒンジ、金属
素子、およびシャッタは、薄い金属層を形成し、それを
マスクし、厚い金属層を形成し、それをマスクし、さら
に全ての該金属をエッチングして形成されえた。この工
程は、シャッタのための部分的通路を第１層が満たさな
いことを除外すれば、図１におけると同様のものであ
る。さらに、このステップにおいては、金属層の最後の
エッチングが行なわれない。ステップ６０が、図１の工
程に対して追加される。このステップは、シャッタがま
だ形成されていないので必要である。ステップ５８にお
いて形成された金属層は、薄い金属と、マスクと、厚い
金属と、もう１つのマスクと、から成る。エッチングは
まだ行なわれていない。ステップ６０においては、もう
１つの金属が、シャッタを形成するために堆積されて、
さらにマスクされる。次に、３層の金属の全てとマスク
とがエッチングされて、シャッタにおいては３層が、金
属素子においては２層が、またヒンジにおいては１層が
残される。それぞれの層の厚さは、最適の構造が形成さ
れるように変化せしめられうる。
【００１９】この構造のスイッチとしての応用は、導波
路におけるスイッチ以外へも拡張されうる。この形式の
デバイスは、多くの他の応用にも用いることができる。
この構造のスイッチング速度および小形性のために、こ
の構造は、現在得られる多くの機械的マイクロスイッチ
よりも優れている。
【００２０】これまでＤＭＤシャッタデバイスの特定の
実施例について説明してきたが、これらの説明は、特許
請求の範囲の記載内容以外の、本発明の範囲に対する制
限として考えられるべきものではない。
【００２１】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）次の各項記載のものを含む偏向可能デバイス。 （ａ）基板。 （ｂ）該基板上に形成された電極。 （ｃ）該電極の次に該基板上に形成された少なくとも１
つの支持構造。 （ｄ）前記電極上の該支持構造に取付けられた可動金属
素子。 （ｅ）前記電極と該金属素子との間のエアギャップ。 （ｆ）該金属素子に取付けられた垂直構造。
【００２２】（２）前記基板がシリコンである、第１項
記載のデバイス。
【００２３】（３）前記基板がひ化ガリウムである、第
１項記載のデバイス。
【００２４】（４）前記電極が金属である、第１項記載
のデバイス。
【００２５】（５）前記電極がポリシリコンである、第
１項記載のデバイス。
【００２６】（６）前記支持構造が金属柱を含む、第１
項記載のデバイス。
【００２７】（７）前記支持構造が有機重合体を含む、
第１項記載のデバイス。
【００２８】（８）前記素子が１つのヒンジによって前
記支持構造に取付けられている、第１項記載のデバイ
ス。
【００２９】（９）前記素子が２つのヒンジによって前
記支持構造に取付けられている、第１項記載のデバイ
ス。
【００３０】（１０）前記素子が４つのヒンジによって
前記支持構造に取付けられている、第１項記載のデバイ
ス。
【００３１】（１１）次の各項記載のステップを含む製
造方法。 （ａ）基板上に電極を形成するステップ。 （ｂ）該電極に重合体スペーサをコーティングするステ
ップ。 （ｃ）該スペーサをパターン化するステップ。 （ｄ）該スペーサ上に金属層を形成するステップ。 （ｅ）該金属層をパターン化してヒンジと、金属素子
と、該金属素子の下面に垂直に取付けられた構造とを形
成するステップ。 （ｆ）前記基板を個々のデバイスに分割するステップ。 （ｇ）該デバイスから前記スペーサの一部を除去するス
テップ。 （ｈ）前記個々のデバイスをパッケージに封入するステ
ップ。
【００３２】（１２）前記電極形成ステップが、金属を
堆積し、パターン化し、さらにエッチングする諸ステッ
プを含む、第１１項記載の方法。
【００３３】（１３）前記電極形成ステップが、電極と
して作用する金属を拡散するステップを含む、第１１項
記載の方法。
【００３４】（１４）前記電極形成ステップが、前記電
極をポリシリコンによって形成するステップを含む、第
１１項記載の方法。
【００３５】（１５）前記スペーサ層のパターン化ステ
ップが該スペーサを部分的通路を有するようにパターン
化するステップを含む、第１１項記載の方法。
【００３６】（１６）前記金属層形成ステップが、前記
スペーサ上に金属を堆積するステップを含む、第１１項
記載の方法。
【００３７】（１７）前記金属層形成ステップが、前記
スペーサ上に前記金属を堆積する以前に該スペーサを通
路を有するようにパターン化するステップを含む、第１
１項記載の方法。
【００３８】（１８）前記分割ステップが前記ウェハを
のこ引きするステップを含む、第１１項記載の方法。
【００３９】（１９）前記除去ステップが、実質的に全
ての前記スペーサを除去するステップを含む、第１１項
記載の方法。
【００４０】（２０）前記除去ステップが、前記スペー
サの一部を除去して支持構造として作用する該スペーサ
の部分を残すステップを含む、第１１項記載の方法。
【００４１】（２１）次の各項記載のものを含む偏向可
能デバイス。 （ａ）基板。 （ｂ）該基板上の下部外装。 （ｃ）該下部外装上の導波路コア。 （ｄ）該導波路コア上の上部外装。 （ｅ）金属素子と、該金属素子に取付けられた垂直構造
とを含む可変金属素子構造であって、前記導波路コア上
に懸架され、エアギャップにより該コアから分離されて
いる該変形可能金属素子構造。 （ｆ）前記エアギャップの近くに配置されている、前記
金属素子を電気的にアドレスするための電極。
【００４２】（２２）前記基板がシリコンである、第２
１項記載のデバイス。
【００４３】（２３）前記下部外装が酸化シリコンであ
る、第２１項記載のデバイス。
【００４４】（２４）前記導波路コアが窒化シリコンで
ある、第２１項記載のデバイス。
【００４５】（２５）前記上部外装が酸化シリコンであ
る、第２１項記載のデバイス。
【００４６】（２６）次の各項記載のステップを含む製
造方法。 （ａ）基板上に電極を形成するステップ。 （ｂ）該電極に重合体スペーサをコーティングするステ
ップ。 （ｃ）該スペーサ上に金属層を形成するステップ。 （ｄ）ヒンジと金属素子とを形成するために該金属層を
パターン化するステップ。 （ｅ）前記金属層上に金属シャッタ層を形成するステッ
プ。 （ｆ）該シャッタ層をパターン化するステップ。 （ｇ）該シャッタ層および前記金属層の一部を除去する
ステップ。 （ｈ）前記基板を個々のデバイスに分割するステップ。 （ｉ）前記スペーサの一部を該デバイスから除去するス
テップ。 （ｊ）該個々のデバイスをパッケージに封入するステッ
プ。
【００４７】（２７）前記電極形成ステップが、金属を
堆積し、パターン化し、さらにエッチングする諸ステッ
プを含む、第２６項記載の方法。
【００４８】（２８）前記電極形成ステップが、電極と
して作用する金属を拡散するステップを含む、第２６項
記載の方法。
【００４９】（２９）前記電極形成ステップが、前記電
極をポリシリコンによって形成するステップを含む、第
２６項記載の方法。
【００５０】（３０）前記金属層形成ステップが、前記
スペーサ上に金属を堆積するステップを含む、第２６項
記載の方法。
【００５１】（３１）前記金属層形成ステップが、前記
スペーサ上に前記金属を堆積する以前に該スペーサを通
路を有するようにパターン化するステップを含む、第２
６項記載の方法。
【００５２】（３２）前記金属層の前記パターン化ステ
ップが該金属層をマスクするステップを含む、第２６項
記載の方法。
【００５３】（３３）前記金属シャッタ層の前記形成ス
テップが、該シャッタ層を前記金属層上に堆積するステ
ップを含む、第２６項記載の方法。
【００５４】（３４）前記シャッタ層の前記パターン化
ステップが該シャッタ層をマスクするステップを含む、
第２６項記載の方法。
【００５５】（３５）前記シャッタ層および金属層の一
部の前記除去ステップが、該層をエッチングするステッ
プを含む、第２６項記載の方法。
【００５６】（３６）前記分割ステップが前記ウェハを
のこ引きするステップを含む、第２６項記載の方法。
【００５７】（３７）前記除去ステップが、実質的に全
ての前記スペーサを除去するステップを含む、第２６項
記載の方法。
【００５８】（３８）前記除去ステップが、前記スペー
サの一部を除去して支持構造として作用する該スペーサ
の部分を残すステップを含む、第２６項記載の方法。
【００５９】（３９）電極３８ａ、３８ｂと、該電極と
下面に垂直シャッタ４０を取付けられた個々に偏向可能
である素子３２との間のギャップと、を有する機械的マ
イクロスイッチを含むデバイス。前記電極がアドレスさ
れた時、前記偏向可能素子３２の運動は前記シャッタを
上昇または降下せしめる。このようなデバイスは、スイ
ッチングに使用されうる。導波路におけるそのような使
用の１実施例が、製造方法と共に開示されている。
【図面の簡単な説明】
【図１】シャッタデバイスの製造工程の流れ図。
【図２】ａはねじり梁シャッタデバイスの平面図、ｂは
シャッタが上方位置にある時のねじり梁デバイスの側面
図、ｃはシャッタが下方位置にある時のねじり梁デバイ
スの側面図である。
【図３】ａは別のねじり梁シャッタデバイスの側面図、
ｂは別のねじり梁シャッタデバイスの平面図である。
【図４】ａは撓み梁シャッタデバイスの側面図、ｂは撓
み梁シャッタデバイスの平面図である。
【図５】ａは片持梁シャッタデバイスの平面図、ｂは片
持梁シャッタデバイスの側面図である。
【図６】導波路スイッチとしてのシャッタデバイスの断
面図。
【図７】ａは金属シャッタデバイスのための別の製造工
程流れ図、ｂは別のシャッタデバイスの斜視図である。
【符号の説明】
３２ 金属素子 ３４ａ 柱 ３４ｂ 柱 ３６ ヒンジ ３６ａ ヒンジ ３６ｂ ヒンジ ３８ アドレス電極 ３８ａ アドレス電極 ３８ｂ アドレス電極 ４０ 金属シャッタ ４２ 導波路 ４４ 導波路内ギャップ ４６ａ ヒンジ ４６ｂ ヒンジ ４６ｃ ヒンジ ４６ｄ ヒンジ ４８ 下部層 ５０ 導波路コア ５２ 上部層
【手続補正書】
【提出日】平成５年１１月１１日
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正内容】
【図１】
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図７】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 マーク ボイセル アメリカ合衆国テキサス州プラノ，ノース リッジ ドライブ 1400

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 次の各項記載のものを含む、偏向可能デ
    バイス。 （ａ）基板。 （ｂ）該基板上に形成された電極。 （ｃ）該電極の次に該基板上に形成された少なくとも１
    つの支持構造。 （ｄ）前記電極上の該支持構造に取付けられた可動金属
    素子。 （ｅ）前記電極と該金属素子との間のエアギャップ。 （ｆ）該金属素子に取付けられた垂直構造。
  2. 【請求項２】 次の各項記載のステップを含む、偏向可
    能デバイスの製造方法。 （ａ）基板上に電極を形成するステップ。 （ｂ）該電極に重合体スペーサをコーティングするステ
    ップ。 （ｃ）該スペーサをパターン化するステップ。 （ｄ）該スペーサ上に金属層を形成するステップ。 （ｅ）該金属層をパターン化してヒンジと、金属素子
    と、該金属素子の下面に垂直に取付けられた構造とを形
    成するステップ。 （ｆ）前記基板を個々のデバイスに分割するステップ。 （ｇ）該デバイスから前記スペーサの一部を除去するス
    テップ。 （ｈ）前記個々のデバイスをパッケージに封入するステ
    ップ。
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