JP2001221962A - マイクロ電気機械式光学装置 - Google Patents
マイクロ電気機械式光学装置Info
- Publication number
- JP2001221962A JP2001221962A JP2000309805A JP2000309805A JP2001221962A JP 2001221962 A JP2001221962 A JP 2001221962A JP 2000309805 A JP2000309805 A JP 2000309805A JP 2000309805 A JP2000309805 A JP 2000309805A JP 2001221962 A JP2001221962 A JP 2001221962A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical element
- micro
- electro
- substrate
- mechanical
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 164
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 98
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 26
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000005686 electrostatic field Effects 0.000 description 8
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000011160 research Methods 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 208000005647 Mumps Diseases 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 208000010805 mumps infectious disease Diseases 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 2
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
- B81B7/0003—MEMS mechanisms for assembling automatically hinged components, self-assembly devices
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0841—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting element being moved or deformed by electrostatic means
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/085—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by electromagnetic means
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B26/00—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements
- G02B26/08—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light
- G02B26/0816—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements
- G02B26/0833—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD
- G02B26/0866—Optical devices or arrangements for the control of light using movable or deformable optical elements for controlling the direction of light by means of one or more reflecting elements the reflecting element being a micromechanical device, e.g. a MEMS mirror, DMD the reflecting means being moved or deformed by thermal means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/04—Optical MEMS
- B81B2201/045—Optical switches
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/01—Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
- B81B2203/0181—See-saws
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/05—Type of movement
- B81B2203/058—Rotation out of a plane parallel to the substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mechanical Light Control Or Optical Switches (AREA)
- Micromachines (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 縮小された占有面積を有するマイクロ電気機
械式光学装置を提供すること。 【解決手段】 本発明によれば、マイクロ電気機械式
（ＭＥＭ）光学装置が、基板上の生産量を増大するた
め、縮小された占有面積を有する。ＭＥＭ装置は、外縁
を有し、かつ、基板に配置された支持構造体により支持
された光学要素を有する。支持構造体は、光学要素を基
板の上方へ持ち上げる起動位置へ構造体を移動する第一
と第二のビームの対により、基板へ機械的に接続されて
いる。持ち上げられた位置において、光学要素は光学的
信号を偏向するため選択的に傾斜する。ビームが一端に
おいて支持構造体へ、他端において基板へ接続されてお
り、第一と第二ビームの端が光学要素の外縁に接近して
位置するように、配置されている。好適な実施態様にお
いて、光学要素の縁と基板との間の接触面積を減少する
ため、静止摩擦力低減要素が光学要素の外縁にある。
械式光学装置を提供すること。 【解決手段】 本発明によれば、マイクロ電気機械式
（ＭＥＭ）光学装置が、基板上の生産量を増大するた
め、縮小された占有面積を有する。ＭＥＭ装置は、外縁
を有し、かつ、基板に配置された支持構造体により支持
された光学要素を有する。支持構造体は、光学要素を基
板の上方へ持ち上げる起動位置へ構造体を移動する第一
と第二のビームの対により、基板へ機械的に接続されて
いる。持ち上げられた位置において、光学要素は光学的
信号を偏向するため選択的に傾斜する。ビームが一端に
おいて支持構造体へ、他端において基板へ接続されてお
り、第一と第二ビームの端が光学要素の外縁に接近して
位置するように、配置されている。好適な実施態様にお
いて、光学要素の縁と基板との間の接触面積を減少する
ため、静止摩擦力低減要素が光学要素の外縁にある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信装置に関
し、特に、マイクロ電気機械式光学装置に関する。
し、特に、マイクロ電気機械式光学装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信装置は、一般に、多様な光学器
（例えば、光源、光検出器、スイッチ、減衰器、鏡、増
幅器、およびフィルター）からなっている。光学器は、
光通信システムにおいて光信号を伝達する。いくつかの
光学器は、電気機械式光学素子を形成している電気機械
式構造体（例えば、熱作動器）へ接続されている。本開
示に使用されている用語“気機械式構造体”は、電気信
号の制御を受けて機械的に動作する構造体に相当する。
（例えば、光源、光検出器、スイッチ、減衰器、鏡、増
幅器、およびフィルター）からなっている。光学器は、
光通信システムにおいて光信号を伝達する。いくつかの
光学器は、電気機械式光学素子を形成している電気機械
式構造体（例えば、熱作動器）へ接続されている。本開
示に使用されている用語“気機械式構造体”は、電気信
号の制御を受けて機械的に動作する構造体に相当する。
【０００３】電気機械的構造体の中には、光学素子を所
定の第一位置から所定の第二位置へ移動するものがあ
る。Cowan, William D., et al., "Vertical Thermal A
ctuators for Micro-Opto-Electro-Mechanical System
s", SPIE, Vol. 3226, pp. 137-146(1997) には、この
様な所定の第一位置から所定の第二位置へ光学素子を移
動する有用な電気機械式構造体が記載されている。
定の第一位置から所定の第二位置へ移動するものがあ
る。Cowan, William D., et al., "Vertical Thermal A
ctuators for Micro-Opto-Electro-Mechanical System
s", SPIE, Vol. 3226, pp. 137-146(1997) には、この
様な所定の第一位置から所定の第二位置へ光学素子を移
動する有用な電気機械式構造体が記載されている。
【０００４】Cowan et al., の場合は、電気機械式構造
体は熱作動器である。この熱作動器は、光学鏡へ接続さ
れている。熱作動器と光学鏡は、基板の表面に配置され
ている。熱作動器は二つの可動ビームを有する。各ビー
ムの一端は光学鏡へ接続されている。各ビームの他端は
基板面へ接続されている。
体は熱作動器である。この熱作動器は、光学鏡へ接続さ
れている。熱作動器と光学鏡は、基板の表面に配置され
ている。熱作動器は二つの可動ビームを有する。各ビー
ムの一端は光学鏡へ接続されている。各ビームの他端は
基板面へ接続されている。
【０００５】熱作動器の各ビームは、互いに一つに重ね
合わされた二つの材料の層を有する。重ね合わされた材
料層は、それぞれ、異なる熱膨張係数を有し、各ビーム
のうち最上部の材料層は、他の材料層より大きい熱膨張
係数を有する。
合わされた二つの材料の層を有する。重ね合わされた材
料層は、それぞれ、異なる熱膨張係数を有し、各ビーム
のうち最上部の材料層は、他の材料層より大きい熱膨張
係数を有する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】熱作動器は、ビームへ
送られた電気信号に応答して、機械的に光学鏡を移動す
る。ビームに電気信号が送られると、重ねられた材料層
は加熱される。その後、電気信号が取り去られると、重
ねられた層が冷却する。各ビームの最上層は大きい熱膨
張係数を有するので、最上層は、冷却したとき基底の材
料層より速く収縮する。最上材料層が収縮すると、最上
層は、各ビームの一端とその層へ接続された光学鏡とを
基板面から上方の所定の高さへ持ち上げる。ビームをさ
らに加熱および冷却しても、基板面に対する光学素子の
高さは変わらない。熱作動器それ自体の有用性は、一回
のセットアップまたは位置決め動作に限定される。この
様な一回の動作に限定する問題を解決すべき課題とす
る。
送られた電気信号に応答して、機械的に光学鏡を移動す
る。ビームに電気信号が送られると、重ねられた材料層
は加熱される。その後、電気信号が取り去られると、重
ねられた層が冷却する。各ビームの最上層は大きい熱膨
張係数を有するので、最上層は、冷却したとき基底の材
料層より速く収縮する。最上材料層が収縮すると、最上
層は、各ビームの一端とその層へ接続された光学鏡とを
基板面から上方の所定の高さへ持ち上げる。ビームをさ
らに加熱および冷却しても、基板面に対する光学素子の
高さは変わらない。熱作動器それ自体の有用性は、一回
のセットアップまたは位置決め動作に限定される。この
様な一回の動作に限定する問題を解決すべき課題とす
る。
【０００７】従って、光学素子の運動を制御するに適し
た電気機械式構造体が、引き続いて探求される。
た電気機械式構造体が、引き続いて探求される。
【０００８】
【課題を解決するための手段】小さな占有面積を有する
マイクロ電気機械式（ＭＥＭ）光学装置が開示されてい
る。ＭＥＭ光学素子は、基板上に配置され、外縁を有す
る光学要素を支持する支持構造体を有する。光学要素
は、光学要素に与えられた傾斜量に基づいて選択された
角度に光を偏向する。支持構造体は、第一端において支
持構造体へ接続され、かつ、第二端において基板へ固定
された、第一対と第二対のビームにより支持されてい
る。この対のビームは、各ビームの第一と第二の端が光
学素子に接近して配列されるように、光学素子に対し配
置されている。これにより、ＭＥＭ光学素子を支持する
のに必要な基板面の面積が縮小されている。それなり
に、光学素子の数量が増加された場合の配列は、与えら
れた基板の大きさに形成することが出来る。
マイクロ電気機械式（ＭＥＭ）光学装置が開示されてい
る。ＭＥＭ光学素子は、基板上に配置され、外縁を有す
る光学要素を支持する支持構造体を有する。光学要素
は、光学要素に与えられた傾斜量に基づいて選択された
角度に光を偏向する。支持構造体は、第一端において支
持構造体へ接続され、かつ、第二端において基板へ固定
された、第一対と第二対のビームにより支持されてい
る。この対のビームは、各ビームの第一と第二の端が光
学素子に接近して配列されるように、光学素子に対し配
置されている。これにより、ＭＥＭ光学素子を支持する
のに必要な基板面の面積が縮小されている。それなり
に、光学素子の数量が増加された場合の配列は、与えら
れた基板の大きさに形成することが出来る。
【０００９】好適な実施態様において、各対のビームの
第二端は、互いに接近して配置され、ビームへの起動導
線の効率的電気接続を形成しており、これにより、ビー
ムへの導線を配置するのに必要な基板面積を減少してい
る。
第二端は、互いに接近して配置され、ビームへの起動導
線の効率的電気接続を形成しており、これにより、ビー
ムへの導線を配置するのに必要な基板面積を減少してい
る。
【００１０】他の実施態様において、静止摩擦力を減少
する要素が、光学要素上と、光学要素を支持する内部フ
レーム上とにある。
する要素が、光学要素上と、光学要素を支持する内部フ
レーム上とにある。
【００１１】この静止摩擦減少要素は、基板と内部フレ
ームまたは光学要素のいずれか、または両方との間の接
触領域を小さくするため、光学要素の外縁と内部フレー
ムの外縁に放射状に配置された複数の突起として構成さ
れている。
ームまたは光学要素のいずれか、または両方との間の接
触領域を小さくするため、光学要素の外縁と内部フレー
ムの外縁に放射状に配置された複数の突起として構成さ
れている。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明は、光通信システムにおけ
る使用に適したマイクロ電気機械式光学装置に関する。
図１に関し、マイクロ電気機械式光学装置は、基板面１
３に配置されたマイクロ電気機械式構造体１５と光学素
子１７とからなっている。マイクロ電気機械式構造体１
５は光学素子１７へ接続されている。例えば、マイクロ
電気機械式構造体１５は、スプリング１４により光学素
子１７へ接続されている。
る使用に適したマイクロ電気機械式光学装置に関する。
図１に関し、マイクロ電気機械式光学装置は、基板面１
３に配置されたマイクロ電気機械式構造体１５と光学素
子１７とからなっている。マイクロ電気機械式構造体１
５は光学素子１７へ接続されている。例えば、マイクロ
電気機械式構造体１５は、スプリング１４により光学素
子１７へ接続されている。
【００１３】マイクロ電気機械式構造体１５は、複数の
ビーム１９，２６を有する。ビーム１９の第一端２２
は、基板面１３へヒンジで取り付けられたプレート２０
へ接続されている。ヒンジ取り付けのプレートは、Ｖ字
形の切り込みを有する。ヒンジ取り付けプレート２０
は、係合プレート２５へ接続されている。係合プレート
２５は、光学素子１７へも接続されている。ビーム２６
の第一端は、係合プレート２５へ接続されている。ビー
ム２６の第二端は、基板面１３へ接続されている。組立
されていない場合、ビーム１９，２６、ヒンジ取り付け
プレート２０、および係合プレート２５は、基板面１３
の上に平坦に置かれている。
ビーム１９，２６を有する。ビーム１９の第一端２２
は、基板面１３へヒンジで取り付けられたプレート２０
へ接続されている。ヒンジ取り付けのプレートは、Ｖ字
形の切り込みを有する。ヒンジ取り付けプレート２０
は、係合プレート２５へ接続されている。係合プレート
２５は、光学素子１７へも接続されている。ビーム２６
の第一端は、係合プレート２５へ接続されている。ビー
ム２６の第二端は、基板面１３へ接続されている。組立
されていない場合、ビーム１９，２６、ヒンジ取り付け
プレート２０、および係合プレート２５は、基板面１３
の上に平坦に置かれている。
【００１４】係合プレート２５は、相対する両端に配置
された一組のＶ字形の切り込みを有する。係合プレート
２５の一組の各Ｖ字形切り込みは、ヒンジ取り付けプレ
ート２０のＶ字形切り込みの領域内に配置されている。
された一組のＶ字形の切り込みを有する。係合プレート
２５の一組の各Ｖ字形切り込みは、ヒンジ取り付けプレ
ート２０のＶ字形切り込みの領域内に配置されている。
【００１５】図２に関し、ビーム１９の第一端２２は、
起動力の付加に応答して、ほぼ円弧状に基板面の上方に
上方向へ持ち上がる。ビーム１９の第一端２２が基板面
の上方へ持ち上がると、ヒンジ取り付けプレート２０を
基板面から回転させる。
起動力の付加に応答して、ほぼ円弧状に基板面の上方に
上方向へ持ち上がる。ビーム１９の第一端２２が基板面
の上方へ持ち上がると、ヒンジ取り付けプレート２０を
基板面から回転させる。
【００１６】ヒンジ取り付けプレート２０が基板面から
回転されると、ビーム２６は、係合プレート２５と光学
素子を基板面の上方へ持ち上げる。係合プレートが基板
面の上方へ持ち上げられると、係合プレート２５の一組
のＶ字形切り込みが、ヒンジ取り付けプレート２０のＶ
字形切り込みへ滑り込む。係合プレート２５が持ち上げ
られると、ヒンジ取り付けプレートが基板面から約９０
度に立つように、係合プレートは、ビーム１９により始
まったヒンジ取り付けプレート２０の回転を完了する。
ヒンジ取り付けプレート２０のＶ字形切り込みの高さ
は、光学素子が持ち上げられる高さを制約し、光学素子
を一定の明確な位置に保持する。
回転されると、ビーム２６は、係合プレート２５と光学
素子を基板面の上方へ持ち上げる。係合プレートが基板
面の上方へ持ち上げられると、係合プレート２５の一組
のＶ字形切り込みが、ヒンジ取り付けプレート２０のＶ
字形切り込みへ滑り込む。係合プレート２５が持ち上げ
られると、ヒンジ取り付けプレートが基板面から約９０
度に立つように、係合プレートは、ビーム１９により始
まったヒンジ取り付けプレート２０の回転を完了する。
ヒンジ取り付けプレート２０のＶ字形切り込みの高さ
は、光学素子が持ち上げられる高さを制約し、光学素子
を一定の明確な位置に保持する。
【００１７】種々の起動力が電気機械式構造体へ加わ
り、ビームの第一端２２を持ち上げる。図３に関し、電
気機械式構造体へ加わる起動力がビームの熱収縮に基づ
いている場合、各ビーム１９，２６は、互いに重ねられ
た二つ以上の材料層３１，３２からなっている。重ねら
れた材料層３１，３２は、それぞれ、異なる熱膨張係数
を有する。
り、ビームの第一端２２を持ち上げる。図３に関し、電
気機械式構造体へ加わる起動力がビームの熱収縮に基づ
いている場合、各ビーム１９，２６は、互いに重ねられ
た二つ以上の材料層３１，３２からなっている。重ねら
れた材料層３１，３２は、それぞれ、異なる熱膨張係数
を有する。
【００１８】一つの実施態様において、各ビーム１９，
２６の最上材料層３１は、他の材料層３２より大きい熱
膨張係数を有する。
２６の最上材料層３１は、他の材料層３２より大きい熱
膨張係数を有する。
【００１９】ビーム１９，２６へ電流を加えると、重ね
られた材料層３１，３２を加熱する。電流が電流源（図
示せず）からビーム１９，２６へ加えられる。図４に関
し、重ねられた材料層３１，３２が加熱されると、それ
らは曲がり、各ビーム１９，２６の第一端とビームに接
続された光学素子（示されていない）を基板面１３から
持ち上げる。各ビームの端が基板面から持ち上がる高さ
は、ビームの長さと、ビームを形成するために使用され
た材料層の組成とに依存する。しかし、各ビーム２６の
端が基板面から持ち上がる高さは、係合プレート２５を
持ち上げ、かつ、ヒンジ取り付けプレートを基板に対し
約９０度回転するに好適にに十分である。
られた材料層３１，３２を加熱する。電流が電流源（図
示せず）からビーム１９，２６へ加えられる。図４に関
し、重ねられた材料層３１，３２が加熱されると、それ
らは曲がり、各ビーム１９，２６の第一端とビームに接
続された光学素子（示されていない）を基板面１３から
持ち上げる。各ビームの端が基板面から持ち上がる高さ
は、ビームの長さと、ビームを形成するために使用され
た材料層の組成とに依存する。しかし、各ビーム２６の
端が基板面から持ち上がる高さは、係合プレート２５を
持ち上げ、かつ、ヒンジ取り付けプレートを基板に対し
約９０度回転するに好適にに十分である。
【００２０】あるいは、電気機械式構造体へ加えられる
起動力が、固有の応力によるビーム収縮に基づいている
場合、図５に示されているように、各ビーム１９，２６
は、基板面上に互いに重ねられた二つ以上の材料層４
１，４２からなっている。最上材料層４１は固有の応力
を有する。最上材料層は応力勾配を有する。底部材料層
４２は犠牲層である。
起動力が、固有の応力によるビーム収縮に基づいている
場合、図５に示されているように、各ビーム１９，２６
は、基板面上に互いに重ねられた二つ以上の材料層４
１，４２からなっている。最上材料層４１は固有の応力
を有する。最上材料層は応力勾配を有する。底部材料層
４２は犠牲層である。
【００２１】犠牲材料層４２が除去されると（例えば、
エッチングにより）、二つ以上の最上層４１は、各ビー
ム１９，２６の第一端と、それへ接続されたヒンジ取り
付けプレート（示されていない）とを、基板面１３から
上方へ持ち上げる。各ビームの端が基板面から持ち上が
る高さは、ビームの長さとビームを形成するために使用
された材料層の組成とに依存する。しかし、各ビーム２
６が基板面から持ち上がる高さは、係合プレート２５を
持ち上げ、かつ、ヒンジ取り付けプレートを基板面に対
し約９０度回転するに好適に十分である。
エッチングにより）、二つ以上の最上層４１は、各ビー
ム１９，２６の第一端と、それへ接続されたヒンジ取り
付けプレート（示されていない）とを、基板面１３から
上方へ持ち上げる。各ビームの端が基板面から持ち上が
る高さは、ビームの長さとビームを形成するために使用
された材料層の組成とに依存する。しかし、各ビーム２
６が基板面から持ち上がる高さは、係合プレート２５を
持ち上げ、かつ、ヒンジ取り付けプレートを基板面に対
し約９０度回転するに好適に十分である。
【００２２】他の適切な起動力には、引っ掻き駆動力と
電磁力がある。示された引っ掻き力による電気機械式構
造体は、Akiyama, T. et al., "A Quantitative Analys
is of Scratch Drive Actuator Using Buckling Motio
n", Proc. 8th IEEE International MEMS Workshop, p
p. 310-315(1995)、および電磁力に基づく電気機械式構
造体は、Busch-Vishniac, I. J., "The Case for Magne
tically Driven Microactuators", Sensors and Actuat
ors A, A33, pp. 207-220(1992)において考察されてい
る。
電磁力がある。示された引っ掻き力による電気機械式構
造体は、Akiyama, T. et al., "A Quantitative Analys
is of Scratch Drive Actuator Using Buckling Motio
n", Proc. 8th IEEE International MEMS Workshop, p
p. 310-315(1995)、および電磁力に基づく電気機械式構
造体は、Busch-Vishniac, I. J., "The Case for Magne
tically Driven Microactuators", Sensors and Actuat
ors A, A33, pp. 207-220(1992)において考察されてい
る。
【００２３】電気機械式構造体１５が光学素子１７を基
板面の上方へ持ち上げた後、持ち上げられた光学素子１
７は、この光学素子１７と基板面１３との間に発生した
静電界に応答して動く。静電界は、光学素子１７と基板
面１３との間にバイアス電圧を印加することにより発生
する。
板面の上方へ持ち上げた後、持ち上げられた光学素子１
７は、この光学素子１７と基板面１３との間に発生した
静電界に応答して動く。静電界は、光学素子１７と基板
面１３との間にバイアス電圧を印加することにより発生
する。
【００２４】図１と２に関し、静電界が光学素子１７と
基板１３（または電極２７）の間に発生すると、この静
電界は、光学素子１７を軸１ー１の回りに回転する。光
学素子１７が軸１ー１の回りを回転する角度は、光学素
子１７と基板１３（または電極２７）との間に発生した
静電界の大きさに依存する。静電界は、加えられたバイ
アス電圧の大きさに依存する。
基板１３（または電極２７）の間に発生すると、この静
電界は、光学素子１７を軸１ー１の回りに回転する。光
学素子１７が軸１ー１の回りを回転する角度は、光学素
子１７と基板１３（または電極２７）との間に発生した
静電界の大きさに依存する。静電界は、加えられたバイ
アス電圧の大きさに依存する。
【００２５】あるいは、光学素子は、ほぼ基板へ向かっ
て偏向するか、または、回転と偏向の両方により動くよ
うに製作することが出来る。この様な運動は、電極２７
の幾何学的配列、および光学素子と係合プレートとの接
続に依存する。
て偏向するか、または、回転と偏向の両方により動くよ
うに製作することが出来る。この様な運動は、電極２７
の幾何学的配列、および光学素子と係合プレートとの接
続に依存する。
【００２６】光学素子と基板のどちらも、バイアス電圧
がそれらに印加されて、静電界を発生するように、好適
に導電性である。光学素子または基板のどちらかが静電
界を発生するには不十分な導電性であるならば、導電性
層（電極）２７，２８が、図１に示された領域に選択的
に形成される。
がそれらに印加されて、静電界を発生するように、好適
に導電性である。光学素子または基板のどちらかが静電
界を発生するには不十分な導電性であるならば、導電性
層（電極）２７，２８が、図１に示された領域に選択的
に形成される。
【００２７】本発明によるマイクロ電気機械式光学素子
は、適切に作成された（例えば、適切なドーピング）基
板を用意することにより製作される。適切な基板の材料
には、シリコン、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、ゲ
ルマニウム、またはインジウム酸化スズ（ＩＴＯ）が被
覆されたガラスがある。
は、適切に作成された（例えば、適切なドーピング）基
板を用意することにより製作される。適切な基板の材料
には、シリコン、ヒ化ガリウム、リン化インジウム、ゲ
ルマニウム、またはインジウム酸化スズ（ＩＴＯ）が被
覆されたガラスがある。
【００２８】複数の材料層が、基板面に平坦な構成で形
成される。適切な材料層の例には、多結晶シリコン、チ
ッ化シリコン、および二酸化シリコンがある。
成される。適切な材料層の例には、多結晶シリコン、チ
ッ化シリコン、および二酸化シリコンがある。
【００２９】複数の材料層の各層が基板に形成された
後、各層は、マイクロ電気機械式構造体と光学素子を形
成するように図形化される。例えば、鏡１７とビーム１
９，２６からなる、図１に示された電気ー光ー機械式装
置は、ＭＣＮＣ ＭＥＭＳテクノロジー アプリケーシ
ョン センターにより作成されたマルチユーザーＭＥＭ
Ｓ法（ＭＵＭＰＳ）、ＭＣＮＣ、リサーチ トライアン
グル パーク、ノースカロライナ州により製作される
（参照 スマート ＭＵＭＰ デザイン ハンドブッ
ク、オペレーション リサーチ グループ作成）。
後、各層は、マイクロ電気機械式構造体と光学素子を形
成するように図形化される。例えば、鏡１７とビーム１
９，２６からなる、図１に示された電気ー光ー機械式装
置は、ＭＣＮＣ ＭＥＭＳテクノロジー アプリケーシ
ョン センターにより作成されたマルチユーザーＭＥＭ
Ｓ法（ＭＵＭＰＳ）、ＭＣＮＣ、リサーチ トライアン
グル パーク、ノースカロライナ州により製作される
（参照 スマート ＭＵＭＰ デザイン ハンドブッ
ク、オペレーション リサーチ グループ作成）。
【００３０】ＭＵＭＰＳ法において、マイクロ電気機械
式構造体と光学素子は、多結晶シリコンの層に形成さ
れ、酸化物の層（例えば、リン化シリコンガラス）が犠
牲層を形成し、チッ化シリコンがマイクロ電気機械式構
造体と光学素子を基板から電気的に絶縁する。マイクロ
電気機械式構造体と光学素子は、ホトリソグラフィの段
階において多結晶シリコン層に形成される。
式構造体と光学素子は、多結晶シリコンの層に形成さ
れ、酸化物の層（例えば、リン化シリコンガラス）が犠
牲層を形成し、チッ化シリコンがマイクロ電気機械式構
造体と光学素子を基板から電気的に絶縁する。マイクロ
電気機械式構造体と光学素子は、ホトリソグラフィの段
階において多結晶シリコン層に形成される。
【００３１】ホトリソグラフィは、一つ以上の多結晶シ
リコンおよびリン化シリコンガラスにホトレジスト（す
なわち、エネルギー感知材）の塗布、適切なマスクでホ
トレジストの露光、および一つ以上の基底多結晶シリコ
ンとリン化シリコンガラスへその後パターン転写を行う
所望エッチングマスクを生成するため、露光されたホト
レジストの現像からなる処理法である。ホトレジストに
形成されたパターンは、エッチング、例えば、反応イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）装置により一つ以上の基底多結
晶シリコンおよびリン化シリコンガラスの層へ転写され
る。
リコンおよびリン化シリコンガラスにホトレジスト（す
なわち、エネルギー感知材）の塗布、適切なマスクでホ
トレジストの露光、および一つ以上の基底多結晶シリコ
ンとリン化シリコンガラスへその後パターン転写を行う
所望エッチングマスクを生成するため、露光されたホト
レジストの現像からなる処理法である。ホトレジストに
形成されたパターンは、エッチング、例えば、反応イオ
ンエッチング（ＲＩＥ）装置により一つ以上の基底多結
晶シリコンおよびリン化シリコンガラスの層へ転写され
る。
【００３２】次の実施例は、本発明による発明の特定の
実施態様を例証するために提示されている。
実施態様を例証するために提示されている。
【００３３】実施例 １ 図１に示された構造体を有するマイクロ電気機械式光学
装置が、ＭＥＭＳテクノロジー アプリケーション セ
ンター、ＭＣＮＣ、リサーチ トライアングルパーク、
ノースカロライナ州、から得られた。マイクロ電気機械
式光学装置はシリコン基板面に配置された。シリコン基
板は、約１〜２オーム／ｃｍの抵抗を有していた。厚さ
６００ｎｍ（ナノメータ）のチッ化シリコン層上に形成
された交互の多結晶シリコン層（ＰＯＬＹ０，ＰＯＬＹ
１，およびＰＯＬＹ２）とリン化シリコンガラス層（Ｏ
Ｘ１とＯＸ２）の平坦な多層構成が、シリコン基板上に
形成された。
装置が、ＭＥＭＳテクノロジー アプリケーション セ
ンター、ＭＣＮＣ、リサーチ トライアングルパーク、
ノースカロライナ州、から得られた。マイクロ電気機械
式光学装置はシリコン基板面に配置された。シリコン基
板は、約１〜２オーム／ｃｍの抵抗を有していた。厚さ
６００ｎｍ（ナノメータ）のチッ化シリコン層上に形成
された交互の多結晶シリコン層（ＰＯＬＹ０，ＰＯＬＹ
１，およびＰＯＬＹ２）とリン化シリコンガラス層（Ｏ
Ｘ１とＯＸ２）の平坦な多層構成が、シリコン基板上に
形成された。
【００３４】多結晶シリコン層ＰＯＬＹ０，ＰＯＬＹ
１，およびＰＯＬＹ２は、それぞれ、厚さが約０．５μ
ｍ（マイクロメータ）、２．０μｍおよび１．５μｍで
あった。リン化シリコンガラス層ＯＸ１とＯＸ２は、そ
れぞれ、厚さが約２μｍと０．７５μｍであった。Ｃｒ
／Ａｕの０．５μｍの層が、ＰＯＬＹ２の層に形成され
た。
１，およびＰＯＬＹ２は、それぞれ、厚さが約０．５μ
ｍ（マイクロメータ）、２．０μｍおよび１．５μｍで
あった。リン化シリコンガラス層ＯＸ１とＯＸ２は、そ
れぞれ、厚さが約２μｍと０．７５μｍであった。Ｃｒ
／Ａｕの０．５μｍの層が、ＰＯＬＹ２の層に形成され
た。
【００３５】チッ化シリコン層、多結晶シリコン層（Ｐ
ＯＬＹ０，ＰＯＬＹ１，およびＰＯＬＹ２）、リン化シ
リコンガラス層（ＯＸ１とＯＸ２）、およびＣｒ／Ａｕ
層が低圧蒸着法によりシリコン基板面に形成された。
ＯＬＹ０，ＰＯＬＹ１，およびＰＯＬＹ２）、リン化シ
リコンガラス層（ＯＸ１とＯＸ２）、およびＣｒ／Ａｕ
層が低圧蒸着法によりシリコン基板面に形成された。
【００３６】図１に関し、電気機械式構造体が１５が、
ホトリソグラフィ法により平坦な多層構成に形成され
た。電気機械式構造体は、基板にヒンジ取り付けられた
プレート２０へ一つの縁においてそれぞれ接続された二
つのビーム１９，２６よりなっていた。ビーム１９は、
それぞれ、幅が約５０μｍで、長さが約３００μｍであ
った。ビーム２６は、幅が約１００μｍで、長さが約５
００μｍであった。これらのビームは、ＰＯＬＹ１，お
よびＰＯＬＹ２層に形成された。ビーム１９，２６は、
また、固有の応力を生成し、それらを曲げ、かつ、構造
体を動かすために、それらのビームに配置されたＣｒ／
Ａｕ層を有していた。
ホトリソグラフィ法により平坦な多層構成に形成され
た。電気機械式構造体は、基板にヒンジ取り付けられた
プレート２０へ一つの縁においてそれぞれ接続された二
つのビーム１９，２６よりなっていた。ビーム１９は、
それぞれ、幅が約５０μｍで、長さが約３００μｍであ
った。ビーム２６は、幅が約１００μｍで、長さが約５
００μｍであった。これらのビームは、ＰＯＬＹ１，お
よびＰＯＬＹ２層に形成された。ビーム１９，２６は、
また、固有の応力を生成し、それらを曲げ、かつ、構造
体を動かすために、それらのビームに配置されたＣｒ／
Ａｕ層を有していた。
【００３７】ヒンジ取り付けプレート２０は、幅が約３
００μｍで、高さが約７０μｍであった。Ｖ字形切り込
みは、切り込み高さが約５０μｍであった。ヒンジ取り
付けプレート２０は、ＰＯＬＹ１，およびＰＯＬＹ２層
に形成された。
００μｍで、高さが約７０μｍであった。Ｖ字形切り込
みは、切り込み高さが約５０μｍであった。ヒンジ取り
付けプレート２０は、ＰＯＬＹ１，およびＰＯＬＹ２層
に形成された。
【００３８】係合プレート２５は、長さが約４００μｍ
で、幅が約１５０μｍであった。各Ｖ字形切り込みは、
切り込み高さが約７０μｍであった。係合プレート２５
は、ＰＯＬＹ１，およびＰＯＬＹ２層に形成された。
で、幅が約１５０μｍであった。各Ｖ字形切り込みは、
切り込み高さが約７０μｍであった。係合プレート２５
は、ＰＯＬＹ１，およびＰＯＬＹ２層に形成された。
【００３９】光学素子は、大きさが約３００μｍ×３０
０μｍの鏡であった。光学素子はＰＯＬＹ１、ＰＯＬＹ
２、およびＣｒ／Ａｕの層に形成された。
０μｍの鏡であった。光学素子はＰＯＬＹ１、ＰＯＬＹ
２、およびＣｒ／Ａｕの層に形成された。
【００４０】光学素子の縁は、スプリング１４により係
合プレートへ接続された。スプリングはＰＯＬＹ１層に
のみ形成された。
合プレートへ接続された。スプリングはＰＯＬＹ１層に
のみ形成された。
【００４１】電極２７は長さが約３００μｍ、幅が約２
００μｍであり、ＰＯＬＹ０層により形成された。
００μｍであり、ＰＯＬＹ０層により形成された。
【００４２】上述の各製作段階は、ＭＥＭＳテクノロジ
ー アプリケーション センター、ＭＣＮＣ、リサーチ
トライアングル パーク、ノースカロライナ州、にお
いて行われた。
ー アプリケーション センター、ＭＣＮＣ、リサーチ
トライアングル パーク、ノースカロライナ州、にお
いて行われた。
【００４３】電気機械式構造体がＰＯＬＹ０，ＰＯＬＹ
１，ＰＯＬＹ２、ＯＸ１、ＯＸ２、およびＣｒ／Ａｕ層
に形成された後、電気機械式構造体と光学素子は、リン
化シリコンガラス層を４９％のＨＦの槽内で室温におい
て約１〜２分間エッチングすることにより、シリコン基
板面から取り出された。
１，ＰＯＬＹ２、ＯＸ１、ＯＸ２、およびＣｒ／Ａｕ層
に形成された後、電気機械式構造体と光学素子は、リン
化シリコンガラス層を４９％のＨＦの槽内で室温におい
て約１〜２分間エッチングすることにより、シリコン基
板面から取り出された。
【００４４】次ぎにリン化シリコンガラス層が取り出さ
れると、ビームはヒンジ取り付けプレートを回転して、
係合プレートと光学素子を基板面から持ち上げる。光学
素子は基板面の上方、約５０μｍの高さに持ち上げられ
た。
れると、ビームはヒンジ取り付けプレートを回転して、
係合プレートと光学素子を基板面から持ち上げる。光学
素子は基板面の上方、約５０μｍの高さに持ち上げられ
た。
【００４５】約１００Ｖの電圧が、光学素子と基板面上
のパッド２７との間に印加された。電圧が光学素子とパ
ッド２７との間に印加された後、光学素子が基板面に対
し約５度の角度をなすように、光学素子は軸１ー１（図
１）の回りを軸回転した。
のパッド２７との間に印加された。電圧が光学素子とパ
ッド２７との間に印加された後、光学素子が基板面に対
し約５度の角度をなすように、光学素子は軸１ー１（図
１）の回りを軸回転した。
【００４６】マイクロ電気機械式光学素子１２は、一般
に、共通の基板に大量にまとめて製造され、例えば、多
くの波長を多様なオプチカルファイバおよび素子へ指向
させる波長指定装置に使用される。このような使用のた
めに、例えば、図９に示されているように、多数の素子
１２が基板１３上に配列８０で配置されている。前に考
察したように、各素子１２は、マイクロ電気機械式構造
体１５と光学素子１７からなり、ビーム１９，２６を起
動する電極５０を経て適切な電気信号を送ることによ
り、作動して、移動し、光学素子１７を基板１３から持
ち上げる。次ぎに、スプリング３０と電極５０，５２
は、基板１３を含む平面に対し光学素子１７を傾斜する
ように使用される。このこの状態において、光学素子１
７の配列８０は、例えば、光学素子へ送られた多数信号
のうちの選択された一つの信号から多数チャネルを受信
し、個々の光学素子１７の角度変位および調節により、
各光学的信号を明確に識別されたオプチカルファイバへ
偏向する。
に、共通の基板に大量にまとめて製造され、例えば、多
くの波長を多様なオプチカルファイバおよび素子へ指向
させる波長指定装置に使用される。このような使用のた
めに、例えば、図９に示されているように、多数の素子
１２が基板１３上に配列８０で配置されている。前に考
察したように、各素子１２は、マイクロ電気機械式構造
体１５と光学素子１７からなり、ビーム１９，２６を起
動する電極５０を経て適切な電気信号を送ることによ
り、作動して、移動し、光学素子１７を基板１３から持
ち上げる。次ぎに、スプリング３０と電極５０，５２
は、基板１３を含む平面に対し光学素子１７を傾斜する
ように使用される。このこの状態において、光学素子１
７の配列８０は、例えば、光学素子へ送られた多数信号
のうちの選択された一つの信号から多数チャネルを受信
し、個々の光学素子１７の角度変位および調節により、
各光学的信号を明確に識別されたオプチカルファイバへ
偏向する。
【００４７】図７に関し、構造体１５に支持されたマイ
クロ電気機械式光学装置１２が示されている。構造体１
５は、二組のビーム１９，２６を有し、各ビームはその
各端において対応する組の他のビームに対し異なるプレ
ート２０へ接続されている。例えば、プレート２０ａ
は、その端においてプレート２０ａへ接続されたビーム
１９ａと２６ａにより、光学素子１７を基板１３の面か
ら持ち上げる係合位置へ移動する。同様に、プレート２
０ｂは、それへ接続されたビーム１９ａと２６ｂにより
移動する。残りのビーム端２３は、基板１３へ固定さ
れ、光学素子１７を持ち上げる梃子の力を有する。詳細
に前述したように、ビームは電気信号を送ることによ
り、複数の起動リード線５４により起動される。向上し
た移動性と角度変位または傾斜のために、構造体１５
は、外縁９１を有する内側フレーム１６を有する。フレ
ーム１６は、方向軸Ｘに平行な軸に沿ってフレーム１６
を傾斜するように、スプリング３０によりプレート２０
ａ，２０ｂへ軸回転可能に取り付けられている。もう一
組ののスプリング３２は、方向軸Ｙに平行な軸の回りに
光学素子１７を傾斜するように、光学素子１７を内側フ
レーム１６へ軸回転可能に接続している。
クロ電気機械式光学装置１２が示されている。構造体１
５は、二組のビーム１９，２６を有し、各ビームはその
各端において対応する組の他のビームに対し異なるプレ
ート２０へ接続されている。例えば、プレート２０ａ
は、その端においてプレート２０ａへ接続されたビーム
１９ａと２６ａにより、光学素子１７を基板１３の面か
ら持ち上げる係合位置へ移動する。同様に、プレート２
０ｂは、それへ接続されたビーム１９ａと２６ｂにより
移動する。残りのビーム端２３は、基板１３へ固定さ
れ、光学素子１７を持ち上げる梃子の力を有する。詳細
に前述したように、ビームは電気信号を送ることによ
り、複数の起動リード線５４により起動される。向上し
た移動性と角度変位または傾斜のために、構造体１５
は、外縁９１を有する内側フレーム１６を有する。フレ
ーム１６は、方向軸Ｘに平行な軸に沿ってフレーム１６
を傾斜するように、スプリング３０によりプレート２０
ａ，２０ｂへ軸回転可能に取り付けられている。もう一
組ののスプリング３２は、方向軸Ｙに平行な軸の回りに
光学素子１７を傾斜するように、光学素子１７を内側フ
レーム１６へ軸回転可能に接続している。
【００４８】図９に示されているように、マイクロ電気
機械式光学装置１２の配列が共通基板上に形成される
と、図７に示された装置１２のビームの配列は、基板面
の一定面積が対のビーム１９，２６を収容するために必
要であるので、隣接した装置１２の間の距離を限定す
る。さらに、各対のビームの基板に固定された端２３
が、対象構造体１５に対し相互に離れて端末に配置され
ているので（例えば、ビーム１９ａと１９ｂの端２
３）、同様に、起動リード線５４は末端に離れている。
ビームを起動するため、電気信号が送られるように、リ
ード線５４は集められ、基板の縁へ配置されなければな
らない。この様な配置は、必然的に、基板の１３の縁ま
たはその近くの、信号がこの様なリード線へ送られる位
置へ起動リード線５４の配列を収容するために、基板１
３に形成された空間または配線路１６０，１６２を必要
とする。図９のマイクロ電気機械式光学装置の配列に示
された配線路１６０，１６２は、それぞれ幅ｗとｗ′を
有する四角形の領域として形成されており、配列は四つ
の分離された領域に分割されている。
機械式光学装置１２の配列が共通基板上に形成される
と、図７に示された装置１２のビームの配列は、基板面
の一定面積が対のビーム１９，２６を収容するために必
要であるので、隣接した装置１２の間の距離を限定す
る。さらに、各対のビームの基板に固定された端２３
が、対象構造体１５に対し相互に離れて端末に配置され
ているので（例えば、ビーム１９ａと１９ｂの端２
３）、同様に、起動リード線５４は末端に離れている。
ビームを起動するため、電気信号が送られるように、リ
ード線５４は集められ、基板の縁へ配置されなければな
らない。この様な配置は、必然的に、基板の１３の縁ま
たはその近くの、信号がこの様なリード線へ送られる位
置へ起動リード線５４の配列を収容するために、基板１
３に形成された空間または配線路１６０，１６２を必要
とする。図９のマイクロ電気機械式光学装置の配列に示
された配線路１６０，１６２は、それぞれ幅ｗとｗ′を
有する四角形の領域として形成されており、配列は四つ
の分離された領域に分割されている。
【００４９】ビーム対１９，２６のレイアウトまたは配
列により必要とされる、起動リード線５４の配列を収容
するための配線路１６０，１６２は必要であるが、これ
は、マイクロ電気機械式光学装置１２をさらに支持する
ために使用できる基板面積を減少する。従って、本発明
による他の実施態様によれば、形状合わせのビーム構造
体を有する修正されたマイクロ電気機械式光学装置１１
２が図８に示されている。上述した装置１２と同様な装
置１１２が、基板１１３に形成されており、光学素子１
１７を支持し、これを基板から持ち上げるマイクロ電気
機械式構造体１５０を有する。図示の変形として、光学
素子１１７は、図７の円形または図１の正方形と反対に
楕円形のように示されている。それでも、光学素子１１
７の形状は、すべて、本発明による発明の意図された請
求範囲と概念から外れることなく、使用できることを理
解されなければならない。
列により必要とされる、起動リード線５４の配列を収容
するための配線路１６０，１６２は必要であるが、これ
は、マイクロ電気機械式光学装置１２をさらに支持する
ために使用できる基板面積を減少する。従って、本発明
による他の実施態様によれば、形状合わせのビーム構造
体を有する修正されたマイクロ電気機械式光学装置１１
２が図８に示されている。上述した装置１２と同様な装
置１１２が、基板１１３に形成されており、光学素子１
１７を支持し、これを基板から持ち上げるマイクロ電気
機械式構造体１５０を有する。図示の変形として、光学
素子１１７は、図７の円形または図１の正方形と反対に
楕円形のように示されている。それでも、光学素子１１
７の形状は、すべて、本発明による発明の意図された請
求範囲と概念から外れることなく、使用できることを理
解されなければならない。
【００５０】図７の構造体１５と図８の構造体１１５と
の主要な差異は、ビーム１１９と１２６の形状と配列に
ある。図８の実施態様において、各ビームの両方の端
（すなわち、端１２２，１２３）が光学素子１１７に接
近して位置するように、ビーム１１９と１２６が光学素
子１１７に対し配置されている。言い換えると、両方の
端は光学素子１１７の外縁１９０に接近して配置されて
いる。これは、第一ビームの端だけが光学素子１７の外
縁９０に接近して位置付けられている図７のビームの配
置と反対である。図８の形状合わせビームの配列は、二
組の形状合わせビーム、すなわち、第一組のビーム１１
９ａ，１１９ｂと第二組のビーム１２６ａ，１２６ｂか
らなっており、上述のように、各ビームは、プレートを
回転し、光学素子１１７を持ち上げる各プレート１２０
ａ，１２６ｂの第一端１２２へ接続されている。各組ビ
ームの各ビームの第二端１２３は、基板１１３へ固定さ
れ、光学素子１１７の外縁１９０へ接近して位置付けら
れている。各組（例えば、ビーム１１９ａ，１１９ｂ）
のビームの第二端１２３は、また、示されたように相互
に接近して好適に配置されている。この形状合わせビー
ムの配置は、修正されたマイクロ電気機械式光学装置１
１２の全占有面積または占有した基板の面積を有利に減
少する。
の主要な差異は、ビーム１１９と１２６の形状と配列に
ある。図８の実施態様において、各ビームの両方の端
（すなわち、端１２２，１２３）が光学素子１１７に接
近して位置するように、ビーム１１９と１２６が光学素
子１１７に対し配置されている。言い換えると、両方の
端は光学素子１１７の外縁１９０に接近して配置されて
いる。これは、第一ビームの端だけが光学素子１７の外
縁９０に接近して位置付けられている図７のビームの配
置と反対である。図８の形状合わせビームの配列は、二
組の形状合わせビーム、すなわち、第一組のビーム１１
９ａ，１１９ｂと第二組のビーム１２６ａ，１２６ｂか
らなっており、上述のように、各ビームは、プレートを
回転し、光学素子１１７を持ち上げる各プレート１２０
ａ，１２６ｂの第一端１２２へ接続されている。各組ビ
ームの各ビームの第二端１２３は、基板１１３へ固定さ
れ、光学素子１１７の外縁１９０へ接近して位置付けら
れている。各組（例えば、ビーム１１９ａ，１１９ｂ）
のビームの第二端１２３は、また、示されたように相互
に接近して好適に配置されている。この形状合わせビー
ムの配置は、修正されたマイクロ電気機械式光学装置１
１２の全占有面積または占有した基板の面積を有利に減
少する。
【００５１】図１０に関し、形状合わせマイクロ電気機
械式光学装置の配列が示されている。示されているよう
に、この配列は、図８の形状合わせビーム配置を採用し
ている複数のマイクロ電気機械式光学装置からなってい
る。各組ビーム１１９のビーム端１２３の位置は、個々
の装置１１２と起動リード線１５４の図形化配置の経済
的レイアウトを可能にしている。その結果、図９に示さ
れた配線路１６０は不要となり、隣接するマイクロ電気
機械式光学装置１１２のの間の物理的分離は、図９の配
列の隣接した前記装置のの必要な分離と比較して縮小さ
れる。お分かりのように、これは、単一の基板１１３に
より収容された装置１１２の数の増加を可能にする。
械式光学装置の配列が示されている。示されているよう
に、この配列は、図８の形状合わせビーム配置を採用し
ている複数のマイクロ電気機械式光学装置からなってい
る。各組ビーム１１９のビーム端１２３の位置は、個々
の装置１１２と起動リード線１５４の図形化配置の経済
的レイアウトを可能にしている。その結果、図９に示さ
れた配線路１６０は不要となり、隣接するマイクロ電気
機械式光学装置１１２のの間の物理的分離は、図９の配
列の隣接した前記装置のの必要な分離と比較して縮小さ
れる。お分かりのように、これは、単一の基板１１３に
より収容された装置１１２の数の増加を可能にする。
【００５２】装置１１２の動作中に、信号が一つまたは
両方の対のスプリング１３０，１３２へ送られて、内側
フレーム１１６及びまたは光学要素１１７の傾斜を発生
する。傾斜量は、スプリングへ送られた信号の強さに比
例する。個々の強さの信号により、内側フレーム１１６
の外縁１９１または光学素子の外縁９０は、基板面１１
３と接触するようになる。これが発生すると、光学素子
１１７が基板１１３に対し水平位置へ後方へ動く、すな
わち戻ろうとする時など、基板とフレーム縁９１との
間、または、基板と光学素子縁９０との間の静止摩擦力
または引っ掻き力が、フレームまたは光学要素１１７が
さらに動こうとするのを遅らせるか、妨害する。
両方の対のスプリング１３０，１３２へ送られて、内側
フレーム１１６及びまたは光学要素１１７の傾斜を発生
する。傾斜量は、スプリングへ送られた信号の強さに比
例する。個々の強さの信号により、内側フレーム１１６
の外縁１９１または光学素子の外縁９０は、基板面１１
３と接触するようになる。これが発生すると、光学素子
１１７が基板１１３に対し水平位置へ後方へ動く、すな
わち戻ろうとする時など、基板とフレーム縁９１との
間、または、基板と光学素子縁９０との間の静止摩擦力
または引っ掻き力が、フレームまたは光学要素１１７が
さらに動こうとするのを遅らせるか、妨害する。
【００５３】静止摩擦力の程度または量は、この二つ物
体の間の接触面積に比例することが明らかになった。こ
の発見により、本発明の好適な実施態様は、基板と内側
フレームの外縁及びまたは光学素子１１７との間の接触
面を制限する起伏追従の要素を有する。この特徴が図１
１に示されており、図は光学素子１１７と内側支持部１
１６の断面を示している。示されているように、光学素
子１１７の前縁９０は、素子１１７から外方へ伸長して
いる、複数の放射状に間隔を置いて突起または指２００
からなっている。内側フレーム１１６の前縁もまた、放
射状に配列され、内側フレーム１１６から離れる方向へ
指向した複数の突起からなっている。内側フレーム縁９
１または光学素子縁９０いずれかが基板１１３と接触す
るようになると、接触領域が減少し、基板と突起２００
の先端との間だけに発生する。これは静止摩擦力を最小
にし、マイクロ電気機械式構造体１１５の運動性を高め
る。
体の間の接触面積に比例することが明らかになった。こ
の発見により、本発明の好適な実施態様は、基板と内側
フレームの外縁及びまたは光学素子１１７との間の接触
面を制限する起伏追従の要素を有する。この特徴が図１
１に示されており、図は光学素子１１７と内側支持部１
１６の断面を示している。示されているように、光学素
子１１７の前縁９０は、素子１１７から外方へ伸長して
いる、複数の放射状に間隔を置いて突起または指２００
からなっている。内側フレーム１１６の前縁もまた、放
射状に配列され、内側フレーム１１６から離れる方向へ
指向した複数の突起からなっている。内側フレーム縁９
１または光学素子縁９０いずれかが基板１１３と接触す
るようになると、接触領域が減少し、基板と突起２００
の先端との間だけに発生する。これは静止摩擦力を最小
にし、マイクロ電気機械式構造体１１５の運動性を高め
る。
【００５４】
【図１】マイクロ電気機械式構造体へ接続された光学素
子を有するその表面に配置された、本発明のマイクロ電
気機械式光学装置を有する基板の平面図。
子を有するその表面に配置された、本発明のマイクロ電
気機械式光学装置を有する基板の平面図。
【図２】光学素子がマイクロ電気機械式構造体により基
板面の上方へ持ち上げられた後の、図１のマイクロ電気
機械式光学装置の側面図。
板面の上方へ持ち上げられた後の、図１のマイクロ電気
機械式光学装置の側面図。
【図３】起動力が加えられる前のビームの一つの外形の
断面図。
断面図。
【図４】起動力が加えられた後の図３のビームの断面
図。
図。
【図５】起動力が加えられる前のビームの別の外形の断
面図。
面図。
【図６】起動力が加えられた後の図５のビームの断面
図。
図。
【図７】本発明によるマイクロ電気機械式光学装置の別
の実施態様の平面図。
の実施態様の平面図。
【図８】本発明によるマイクロ電気機械式光学装置のさ
らに別の実施態様の平面図。
らに別の実施態様の平面図。
【図９】図７の装置で製作された、マイクロ電気機械式
光学装置の配列図。
光学装置の配列図。
【図１０】図８の装置で製作された、マイクロ電気機械
式光学装置の配列図。
式光学装置の配列図。
【図１１】本発明の他の特徴を示す、図８のマイクロ電
気機械式光学装置の部分拡大図。
気機械式光学装置の部分拡大図。
１３ マイクロ電気機械式光学装置 １４ スプリング １５ マイクロ電気機械式構造体 １７ 光学素子 １９，２６ ビーム ２０ ヒンジ取り付けプレート ２２ ビーム１９の端 ２５ 係合プレート ２７，２８ 導電性層（電極） ３１，３２ 重ねられた材料層 ４１，４２ 二つ以上の重ねられた材料層 ３０ スプリング ５０，５２ 電極 ８０ 光学素子の配列 １６ 内側フレーム １９ａ，２６ｂ ビーム ２０ａ，２０ｂ プレート ２３ ビームの基板へ固定された端 ５４，１５４ 起動リード線 ９０，１９０ 光学素子の外縁 ９１，１９１ 内側フレームの外縁 １１２ マイクロ電気機械式光学装置 １１３ 基板 １１５ マイクロ電気機械式構造体 １１６ 内側フレーム １１７ 光学素子 １１９，１１９ａ，１１９ｂ ビーム １２２ ビームの端 １２３ ビームの端 １２６，１２６ａ，１２６ｂ ビーム １３０，１３２ スプリング １５０ マイクロ電気機械式構造体 １６０，１６２ 起動リード線の配線路 ２００ 突起の先端
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 596077259 600 Ｍｏｕｎｔａｉｎ Ａｖｅｎｕｅ, Ｍｕｒｒａｙ Ｈｉｌｌ， Ｎｅｗ Ｊｅ ｒｓｅｙ 07974−0636Ｕ．Ｓ．Ａ. (72)発明者 ブラディミール アナトイエビッチ アメリカ合衆国、07901 ニュージャージ ー、ピスカッタウェイ、ミンディー レー ン 405 (72)発明者 デビッド ジョン ビショップ アメリカ合衆国、07901 ニュージャージ ー、サミット、オーク クノル ロード ７ (72)発明者 クリスチャン エー．ボレ アメリカ合衆国、07060 ニュージャージ ー、ノース プレインフィールド、ウェス ターベルト アベニュー 114、アパート メント 31 (72)発明者 パンディー クリントン ギルス アメリカ合衆国、07981 ニュージャージ ー、ウィッパニー、パーシパニー ロード 114 (72)発明者 フラビオ パルド アメリカ合衆国、07974 ニュージャージ ー、ニュー プロビデンス、コモンウェル ス アベニュー 44
Claims (11)
- 【請求項１】Ａ）表面領域を有する基板と、 Ｂ）光学要素により受光された光学信号を偏向する、外
縁を有する前記光学要素と、 Ｃ）前記基板面上に支持され、前記光学要素へ機械的に
接続され、前記光学要素を静止位置から前記基板面上方
の持ち上げられた位置へ移動するように動作可能なマイ
クロ電気機械式装置にして、前記構造体が第一係合プレ
ートと、運動を前記係合プレートへ伝達し、かつ、前記
光学要素を持ち上げる第一組のビームとを有し、前記プ
レートが前記第一ビーム対の一つのビームの第一端へ接
続され、前記ビーム対の前記ビームの第二端が前記基板
面へ接続され、前記第一と第二端が前記光学素子の前記
外縁へ接近して位置するように、前記ビームが前記基板
上に配置されている前記マイクロ電気機械式構造体と、
からなることを特徴とするマイクロ電気機械式光学装
置。 - 【請求項２】第二係合プレートと、運動を前記第二係合
プレートへ伝達し、前記光学要素を持ち上げる第二ビー
ム対とを含んでおり、 前記第二プレートが前記第二ビーム対の一つのビームの
第一端へ接続され、前記第二ビーム対の前記ビームの第
二端が前記基板面へ接続され、前記第二ビーム対の前記
第一と第二端が前記光学素子の前記外縁へ接近して配置
されるように、前記第二ビーム対の前記ビームが前記基
板面上に配置されていることを特徴とする請求項１に記
載のマイクロ電気機械式光学装置。 - 【請求項３】前記第一ビーム対の前記第二端が相互に接
近して前記基板面上に配置され、前記第二ビーム対の前
記第二端が相互に接近して前記基板上に配置されている
ことを特徴とする請求項２に記載のマイクロ電気機械式
光学装置。 - 【請求項４】前記光学要素の前記外縁が曲げられ、前記
ビーム対の前記ビームが曲げられることを特徴とする請
求項２に記載のマイクロ電気機械式光学装置。 - 【請求項５】さらに、前記光学要素を前記マイクロ電気
機械式構造体と連結する縁を有する内側支持体を含んで
いることを特徴とする請求項１に記載のマイクロ電気機
械式光学装置。 - 【請求項６】さらに、前記光学要素の前記外側縁に配置
された静止摩擦力低減要素を含んでいることを特徴とす
る請求項１に記載のマイクロ電気機械式光学装置。 - 【請求項７】前記静止摩擦力低減要素が、前記光学要素
の前記外側縁から外方へ伸長し、かつ、その回りに放射
状に間隔を置いて配置された複数の突起を含んでいるこ
とを特徴とする請求項６に記載のマイクロ電気機械式光
学装置。 - 【請求項８】さらに、前記光学要素を前記マイクロ電気
機械式構造体と連結する縁を有する内側支持体と、前記
光学要素の前記外側縁に配置された第一静止摩擦力低減
要素と、前記内側支持体の前記外側縁に配置された第二
静止摩擦力低減要素と、を含んでいることを特徴とする
請求項２に記載のマイクロ電気機械式光学装置。 - 【請求項９】Ａ）その面上に配置された光学要素とマイ
クロ電気機械式構造体とを有する基板にして、前記光学
要素が外側縁を有し、光学素子が前記マイクロ電気機械
式構造体により支持され、マイクロ電気機械式構造体
が、起動力に応答して基板面の上方へ光学素子を持ち上
げるように動作可能であり、持ち上げられた光学素子
が、光学素子と基板との間の電界の発生に応答して基板
面に対し移動可能である前記マイクロ電気機械式構造体
と、 Ｂ）前記光学素子と前記前記構造体との間の接触面積を
減少する、前記外側縁に配置された静止摩擦力低減要素
と、を含んでいることを特徴とするマイクロ電気機械式
光学装置。 - 【請求項１０】前記静止摩擦力低減要素が第一静止摩擦
力低減要素を含み、前記装置がさらに、縁を有し、か
つ、前記マイクロ電気機械式構造体と前記光学要素との
間に配置された、前記光学要素を前記マイクロ電気機械
式構造体と連結する内側支持部材と、前記内側支持構造
体の前記縁に配置された、前記内側支持構造体と前記基
板との間の接触面積を減少する第二静止摩擦力低減要素
とを含んでいることを特徴とする請求項９に記載のマイ
クロ電気機械式光学装置。 - 【請求項１１】前記第一と第二静止摩擦力低減要素が、
それぞれ、光学要素の外縁と内側構造体の縁とに配置さ
れ、それらの縁から外方へ伸長している複数の間隔を置
いて配置された突起を含んでいることを特徴とする請求
項１０に記載のマイクロ電気機械式光学装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US09/415178 | 1999-10-08 | ||
| US09/415,178 US6300619B1 (en) | 1997-12-22 | 1999-10-08 | Micro-electro-mechanical optical device |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001221962A true JP2001221962A (ja) | 2001-08-17 |
| JP2001221962A5 JP2001221962A5 (ja) | 2006-08-03 |
| JP4388221B2 JP4388221B2 (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=23644681
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000309805A Expired - Fee Related JP4388221B2 (ja) | 1999-10-08 | 2000-10-10 | マイクロ電気機械式光学装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6300619B1 (ja) |
| EP (1) | EP1093005A3 (ja) |
| JP (1) | JP4388221B2 (ja) |
| CA (1) | CA2322122C (ja) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6706202B1 (en) * | 2000-09-28 | 2004-03-16 | Xerox Corporation | Method for shaped optical MEMS components with stressed thin films |
| US6522801B1 (en) * | 2000-10-10 | 2003-02-18 | Agere Systems Inc. | Micro-electro-optical mechanical device having an implanted dopant included therein and a method of manufacture therefor |
| US6785038B2 (en) * | 2001-01-17 | 2004-08-31 | Optical Coating Laboratory, Inc. | Optical cross-connect with magnetic micro-electro-mechanical actuator cells |
| US20020181069A1 (en) * | 2001-03-30 | 2002-12-05 | Gsi Lumonics Corporation | Free space optical switch |
| US7136547B2 (en) * | 2001-03-30 | 2006-11-14 | Gsi Group Corporation | Method and apparatus for beam deflection |
| US7129601B2 (en) | 2001-03-30 | 2006-10-31 | Gsi Group Corporation | Apparatus for controlled movement of an element |
| US7054851B2 (en) * | 2001-06-25 | 2006-05-30 | Siemens Medical Solutions Health Services Corporation | Communication data format for use in data storage and retrieval |
| US6882455B2 (en) * | 2001-09-19 | 2005-04-19 | Olympus Corporation | Movable structure, and deflection mirror element, optical switch element and shape variable mirror including the movable structure |
| US7426067B1 (en) | 2001-12-17 | 2008-09-16 | Regents Of The University Of Colorado | Atomic layer deposition on micro-mechanical devices |
| US6858911B2 (en) * | 2002-02-21 | 2005-02-22 | Advanced Micriosensors | MEMS actuators |
| US6900510B2 (en) * | 2002-02-21 | 2005-05-31 | Advanced Microsensors | MEMS devices and methods for inhibiting errant motion of MEMS components |
| US6717227B2 (en) | 2002-02-21 | 2004-04-06 | Advanced Microsensors | MEMS devices and methods of manufacture |
| US7135070B2 (en) * | 2002-04-23 | 2006-11-14 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Monolithic stacked/layered crystal-structure-processed mechanical, and combined mechanical and electrical, devices and methods and systems for making |
| JP3846359B2 (ja) * | 2002-05-09 | 2006-11-15 | 株式会社デンソー | 光デバイス |
| KR100431581B1 (ko) * | 2002-05-28 | 2004-05-17 | 한국과학기술원 | 미소거울 구동기 |
| US6975788B2 (en) * | 2002-12-09 | 2005-12-13 | Lucent Technologies, Inc. | Optical switch having combined input/output fiber array |
| US7553686B2 (en) * | 2002-12-17 | 2009-06-30 | The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate | Al2O3 atomic layer deposition to enhance the deposition of hydrophobic or hydrophilic coatings on micro-electromechanical devices |
| WO2004092745A1 (de) * | 2003-04-15 | 2004-10-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e. V. | Mikromechanisches bauelement mit einstellbarer resonanzfrequenz |
| US7212695B2 (en) * | 2003-08-05 | 2007-05-01 | Lucent Technologies Inc. | Variable optical delay line with a large continuous tuning range |
| US20060203195A1 (en) * | 2005-03-10 | 2006-09-14 | Squire Bret C | Integrated ocular examination device |
| US20140341504A1 (en) | 2013-05-16 | 2014-11-20 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Optical cross-connect switch with configurable optical input/output ports |
| US9225458B2 (en) | 2013-12-20 | 2015-12-29 | Alcatel Lucent | Wavelength-selective cross-connect device having a variable number of common ports |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5662771A (en) * | 1994-12-01 | 1997-09-02 | Analog Devices, Inc. | Surface micromachining process |
| DE59607318D1 (de) * | 1995-01-24 | 2001-08-23 | Infineon Technologies Ag | Mikromechanisches bauelement |
| US5658636A (en) * | 1995-01-27 | 1997-08-19 | Carnegie Mellon University | Method to prevent adhesion of micromechanical structures |
| US5867297A (en) * | 1997-02-07 | 1999-02-02 | The Regents Of The University Of California | Apparatus and method for optical scanning with an oscillatory microelectromechanical system |
| US5903380A (en) * | 1997-05-01 | 1999-05-11 | Rockwell International Corp. | Micro-electromechanical (MEM) optical resonator and method |
| US5960132A (en) * | 1997-09-09 | 1999-09-28 | At&T Corp. | Fiber-optic free-space micromachined matrix switches |
| US6116756A (en) * | 1997-12-12 | 2000-09-12 | Xerox Corporation | Monolithic scanning light emitting devices |
| US6265239B1 (en) * | 1997-12-22 | 2001-07-24 | Agere Systems Optoelectronics Guardian Corp. | Micro-electro-mechanical optical device |
| US5994159A (en) * | 1997-12-22 | 1999-11-30 | Lucent Technologies, Inc. | Self-assemblying micro-mechanical device |
| US6392221B1 (en) * | 1997-12-22 | 2002-05-21 | Agere Systems Guardian Corp. | Micro-electro-mechanical optical device |
| US6137623A (en) * | 1998-03-17 | 2000-10-24 | Mcnc | Modulatable reflectors and methods for using same |
| US6137941A (en) * | 1998-09-03 | 2000-10-24 | Lucent Technologies, Inc. | Variable optical attenuator |
-
1999
- 1999-10-08 US US09/415,178 patent/US6300619B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-10-03 CA CA002322122A patent/CA2322122C/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-03 EP EP00308683A patent/EP1093005A3/en not_active Withdrawn
- 2000-10-10 JP JP2000309805A patent/JP4388221B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP1093005A2 (en) | 2001-04-18 |
| JP4388221B2 (ja) | 2009-12-24 |
| CA2322122A1 (en) | 2001-04-08 |
| US6300619B1 (en) | 2001-10-09 |
| EP1093005A3 (en) | 2004-03-10 |
| CA2322122C (en) | 2003-12-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4388221B2 (ja) | マイクロ電気機械式光学装置 | |
| US6657759B2 (en) | Bistable micromirror with contactless stops | |
| US6735008B2 (en) | MEMS mirror and method of fabrication | |
| EP0924763B1 (en) | Self-assembling micro-mechanical device | |
| US20010048265A1 (en) | Microelectromechanical apparatus for elevating and tilting a platform | |
| US6760144B2 (en) | Articulated MEMS electrostatic rotary actuator | |
| EP1288696B1 (en) | Optical scanner and method of fabricating the same | |
| US6995495B2 (en) | 2-D actuator and manufacturing method thereof | |
| US6681063B1 (en) | Low voltage micro-mirror array light beam switch | |
| US7817331B2 (en) | MEMS device with an angular vertical comb actuator | |
| US6701037B2 (en) | MEMS-based noncontacting free-space optical switch | |
| US7715076B2 (en) | Micromirror device with a hybrid actuator | |
| US6735004B1 (en) | Rotatable counterbalanced actuator | |
| EP1104746A1 (en) | Micro-electro-mechanical optical device | |
| US20020135850A1 (en) | Multistage rotatable actuator | |
| JP4115116B2 (ja) | 熱マイクロエレクトリカルメカニカルアクチュエータ | |
| EP1093003B1 (en) | Micro-electro-mechanical optical device | |
| WO2000055666A1 (en) | Very large angle integrated optical scanner made with an array of piezoelectric monomorphs | |
| WO2005046206A2 (en) | Electromechanical micromirror devices and methods of manufacturing the same | |
| US6822370B2 (en) | Parallel plate electrostatic actuation of MEMS mirrors | |
| US20080043309A1 (en) | Micro-device and electrode forming method for the same | |
| KR100431581B1 (ko) | 미소거울 구동기 | |
| KR100404195B1 (ko) | 마이크로 미러 및 그 제조방법 | |
| US20030137716A1 (en) | Tilting mirror with rapid switching time | |
| KR100485127B1 (ko) | 마이크로미러 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060616 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060616 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081222 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090319 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090325 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090622 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090805 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090813 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090907 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091002 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |