JPH06145964A - プラスチック基板上への蒸着膜の形成方法 - Google Patents
プラスチック基板上への蒸着膜の形成方法Info
- Publication number
- JPH06145964A JPH06145964A JP4294326A JP29432692A JPH06145964A JP H06145964 A JPH06145964 A JP H06145964A JP 4294326 A JP4294326 A JP 4294326A JP 29432692 A JP29432692 A JP 29432692A JP H06145964 A JPH06145964 A JP H06145964A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plastic substrate
- film
- vapor deposition
- substrate
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 蒸着膜の仕上り時に発生する基板の凹凸変形
を抑えて、プラスチック基板への金属及び／又は金属化
合物の蒸着方法の提供。 【構成】 蒸着膜の仕上り時に発生する基板の凹凸を打
ち消す応力に相当する曲率半径にて予めプラスチック基
板を変形させた状態で、該プラスチック基板上へ金属及
び／又は金属化合物、特に、ＳｉＯ2 及び／又はＩＴＯ
の蒸着膜を形成する。
を抑えて、プラスチック基板への金属及び／又は金属化
合物の蒸着方法の提供。 【構成】 蒸着膜の仕上り時に発生する基板の凹凸を打
ち消す応力に相当する曲率半径にて予めプラスチック基
板を変形させた状態で、該プラスチック基板上へ金属及
び／又は金属化合物、特に、ＳｉＯ2 及び／又はＩＴＯ
の蒸着膜を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラスチック基板上へ
の金属及び／又は金属化合物の蒸着膜の形成方法に関
し、特にプラスチック基板ＬＣＤ用透明導電膜としての
ＳｉＯ2 及び／又はＩＴＯ膜の形成方法に関するもので
ある。
の金属及び／又は金属化合物の蒸着膜の形成方法に関
し、特にプラスチック基板ＬＣＤ用透明導電膜としての
ＳｉＯ2 及び／又はＩＴＯ膜の形成方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】ガラス基板上に金属及び／又は金属化合
物、例えばＳｉＯ2 膜、ＩＴＯ膜を蒸着形成させる技術
は、ＬＣＤ用透明導電膜の形成法として従来からある
が、プラスチック基板上にガラス基板上と同等性能（低
抵抗、耐クラック性、均質性、高硬度等）を保持し、さ
らに蒸着膜の形成後基板の凹凸変形を抑える技術は未だ
確立されていない。
物、例えばＳｉＯ2 膜、ＩＴＯ膜を蒸着形成させる技術
は、ＬＣＤ用透明導電膜の形成法として従来からある
が、プラスチック基板上にガラス基板上と同等性能（低
抵抗、耐クラック性、均質性、高硬度等）を保持し、さ
らに蒸着膜の形成後基板の凹凸変形を抑える技術は未だ
確立されていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】プラスチック基板上に
金属及び／又は金属化合物を蒸着形成する場合、プラス
チック基板はガラス基板に比べ下記の問題点がある。
金属及び／又は金属化合物を蒸着形成する場合、プラス
チック基板はガラス基板に比べ下記の問題点がある。
【０００４】１．熱膨脹、収縮係数が大きい。
【０００５】２．剛性が低く変形しやすい。
【０００６】このため、プラスチック基板の片面に金属
及び／又は金属化合物を一定条件（蒸着温度、蒸着膜
厚、蒸着速度等）にて蒸着形成後は、室温（一定温度）
の状態では上記蒸着条件により蒸着面と非蒸着面におい
て熱膨張及び収縮係数が異なり、蒸着温度から室温へと
温度が低下する間の収縮率の差に起因する応力により、
それぞれ一定レベルの基板凹凸（蒸着面は凸となる）が
発生する。
及び／又は金属化合物を一定条件（蒸着温度、蒸着膜
厚、蒸着速度等）にて蒸着形成後は、室温（一定温度）
の状態では上記蒸着条件により蒸着面と非蒸着面におい
て熱膨張及び収縮係数が異なり、蒸着温度から室温へと
温度が低下する間の収縮率の差に起因する応力により、
それぞれ一定レベルの基板凹凸（蒸着面は凸となる）が
発生する。
【０００７】上記に示す基板変形は後工程における基板
の搬送及び吸着不良等の問題を発生させていた。
の搬送及び吸着不良等の問題を発生させていた。
【０００８】本発明は、プラスチック基板の変形を抑え
た該プラスチック基板への金属及び／又は金属化合物の
蒸着方法、特にプラスチック基板ＬＣＤ用透明導電膜と
してのＳｉＯ2 及び／又はＩＴＯ膜の形成方法を提供す
るものである。
た該プラスチック基板への金属及び／又は金属化合物の
蒸着方法、特にプラスチック基板ＬＣＤ用透明導電膜と
してのＳｉＯ2 及び／又はＩＴＯ膜の形成方法を提供す
るものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで、発生する基板凹
凸を打ち消す応力に相当する曲率半径にて予めプラスチ
ック基板を変形させた状態で、金属及び／又は金属化合
物の蒸着を行なう。
凸を打ち消す応力に相当する曲率半径にて予めプラスチ
ック基板を変形させた状態で、金属及び／又は金属化合
物の蒸着を行なう。
【００１０】
【作用】プラスチック基板を、蒸着膜の仕上り時に発生
する基板凹凸を打ち消す応力に相当する曲率半径にてプ
ラスチック基板を変形させた状態で蒸着装置に設置し
て、金属及び／又は金属化合物を蒸着することで、プラ
スチック基板がフラットにもどる力と非蒸着面が温度低
下に伴い収縮する力が互いに作用するため、蒸着装置か
ら取り出し室温の状態でフラットな金属及び／又は金属
化合物付プラスチック基板が得られる。
する基板凹凸を打ち消す応力に相当する曲率半径にてプ
ラスチック基板を変形させた状態で蒸着装置に設置し
て、金属及び／又は金属化合物を蒸着することで、プラ
スチック基板がフラットにもどる力と非蒸着面が温度低
下に伴い収縮する力が互いに作用するため、蒸着装置か
ら取り出し室温の状態でフラットな金属及び／又は金属
化合物付プラスチック基板が得られる。
【００１１】
【実施例】以下に、図面を参照して本発明の実施例を説
明する。
明する。
【００１２】実施例１ アクリル系プラスチック基板（３００×３２４×０．４
ｍｍ+ ）を、図１に示すように、洗浄後曲率３２４ｍｍ
の辺をそれぞれ半径２５００ｍｍにて蒸着面が凸面とな
るように蒸着装置に設置した。次にＳｉＯ2 層６００
Ａ、ＩＴＯ層１６００Ａを、それぞれ順番に、１２０℃
の温度下で真空蒸着法にて成膜した。図１で、１はプラ
スチック基板、２は一定曲率半径にプラスチック基板を
変形させる治具、３は蒸着方向を示す矢印である。
ｍｍ+ ）を、図１に示すように、洗浄後曲率３２４ｍｍ
の辺をそれぞれ半径２５００ｍｍにて蒸着面が凸面とな
るように蒸着装置に設置した。次にＳｉＯ2 層６００
Ａ、ＩＴＯ層１６００Ａを、それぞれ順番に、１２０℃
の温度下で真空蒸着法にて成膜した。図１で、１はプラ
スチック基板、２は一定曲率半径にプラスチック基板を
変形させる治具、３は蒸着方向を示す矢印である。
【００１３】プラスチック基板がフラットにもどる力と
ＳｉＯ2 膜及びＩＴＯ膜のない面が温度低下に伴い収縮
する力とが互いに作用するため、成膜後蒸着装置から取
り出し室温の状態でＳｉＯ2 膜及びＩＴＯ膜付プラスチ
ック基板の３００ｍｍ方向の変形が１ｍｍ以下で高いフ
ラット性が得られた。プラスチック基板を変形させなか
った場合、約５ｍｍの変形が発生したのに対し、改善が
見られた。図２で、４はＳｉＯ2 膜及びＩＴＯ膜を示
す。
ＳｉＯ2 膜及びＩＴＯ膜のない面が温度低下に伴い収縮
する力とが互いに作用するため、成膜後蒸着装置から取
り出し室温の状態でＳｉＯ2 膜及びＩＴＯ膜付プラスチ
ック基板の３００ｍｍ方向の変形が１ｍｍ以下で高いフ
ラット性が得られた。プラスチック基板を変形させなか
った場合、約５ｍｍの変形が発生したのに対し、改善が
見られた。図２で、４はＳｉＯ2 膜及びＩＴＯ膜を示
す。
【００１４】上記本発明の基板は、以降の工程でも搬送
不良、吸着不良等の基板変形に伴う不良は発生しなかっ
た。また、蒸着により形成できる膜は、ＳｉＯ2 、ＩＴ
Ｏに限らず他の金属、金属化合物への応用も容易であ
る。
不良、吸着不良等の基板変形に伴う不良は発生しなかっ
た。また、蒸着により形成できる膜は、ＳｉＯ2 、ＩＴ
Ｏに限らず他の金属、金属化合物への応用も容易であ
る。
【００１５】実施例２ アクリル系プラスチック基板（３００×３２４×０．４
ｍｍ+ ）を洗浄後、図３に示すように、３２４ｍｍの辺
をそれぞれＲ＝２６００ｍｍにて蒸着面が凸面となるよ
う蒸着装置に設置した。その後実施例１と同様の処理に
て成膜後装置から取り出し室温の状態でＳｉＯ2 膜及び
ＩＴＯ膜付プラスチック基板の凹凸は、図４に示すよう
に、基板の３００ｍｍ方向の変形が１ｍｍ以下で、コロ
による基板搬送時、コロの間隔に入り込む等の搬送不良
は発生しなかった。
ｍｍ+ ）を洗浄後、図３に示すように、３２４ｍｍの辺
をそれぞれＲ＝２６００ｍｍにて蒸着面が凸面となるよ
う蒸着装置に設置した。その後実施例１と同様の処理に
て成膜後装置から取り出し室温の状態でＳｉＯ2 膜及び
ＩＴＯ膜付プラスチック基板の凹凸は、図４に示すよう
に、基板の３００ｍｍ方向の変形が１ｍｍ以下で、コロ
による基板搬送時、コロの間隔に入り込む等の搬送不良
は発生しなかった。
【００１６】実施例では、ＳｉＯ2 膜及びＩＴＯ膜の形
成について記述したが、本発明が、ＳｉＯ2 膜及びＩＴ
Ｏ膜の形成に止まらず、その他の金属及び／又は金属化
合物の膜形成についても同様に適用できるものであると
理解されるべきである。
成について記述したが、本発明が、ＳｉＯ2 膜及びＩＴ
Ｏ膜の形成に止まらず、その他の金属及び／又は金属化
合物の膜形成についても同様に適用できるものであると
理解されるべきである。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、蒸着膜の仕上り時に発
生する基板の凹凸変形を抑えて、プラスチック基板上へ
の金属及び／又は金属化合物の蒸着が可能となった。
生する基板の凹凸変形を抑えて、プラスチック基板上へ
の金属及び／又は金属化合物の蒸着が可能となった。
【００１８】従って、例えば、ＬＣＤ量産時のプラスチ
ック基板搬送機構及び吸着機構等が簡略化でき、ガラス
基板ＬＣＤ用ラインとの共用化が容易となる効果があ
る。
ック基板搬送機構及び吸着機構等が簡略化でき、ガラス
基板ＬＣＤ用ラインとの共用化が容易となる効果があ
る。
【００１９】さらに変形が生じているプラスチック基板
にてＬＣＤパネルを製造した場合、上記変形を貼合せプ
レス時に矯正してフラットにするためプラスチック基板
内に残留応力を有しており、シール剤の強度及びＬＣＤ
パネルの変形等長期の信頼性が劣る傾向があったが、本
発明によれば上記信頼性向上の点でも改善効果が認めら
れた。
にてＬＣＤパネルを製造した場合、上記変形を貼合せプ
レス時に矯正してフラットにするためプラスチック基板
内に残留応力を有しており、シール剤の強度及びＬＣＤ
パネルの変形等長期の信頼性が劣る傾向があったが、本
発明によれば上記信頼性向上の点でも改善効果が認めら
れた。
【００２０】また、従来基板の変形を抑えるために１２
０℃程度の低温で蒸着を実施する結果、形成されるＩＴ
Ｏ膜の酸化度（結晶化度）が不均一となり易く、エッチ
ング性、低抵抗化の点で問題があったが、本発明によれ
ば蒸着温度をさらに上げることも可能で，ＩＴＯ膜の膜
質、均一性が改善される効果もある。
０℃程度の低温で蒸着を実施する結果、形成されるＩＴ
Ｏ膜の酸化度（結晶化度）が不均一となり易く、エッチ
ング性、低抵抗化の点で問題があったが、本発明によれ
ば蒸着温度をさらに上げることも可能で，ＩＴＯ膜の膜
質、均一性が改善される効果もある。
【図１】本発明に係る蒸着膜形成方法の概略図。
【図２】本発明に係るＳｉＯ2 及びＩＴＯ蒸着後のプラ
スチック基板を示すモデル図。
スチック基板を示すモデル図。
【図３】本発明に係る蒸着膜形成におけるプラスチック
基板設定の概略図。
基板設定の概略図。
【図４】本発明に係る蒸着後のプラスチック基板の変形
状態を示す図。
状態を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 磯畑 恭平 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 長野 泰之 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 (72)発明者 西田 賢治 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 蒸着膜の仕上り時に発生する基板の凹凸
を打ち消す応力に相当する曲率半径にて予めプラスチッ
ク基板を変形させた状態で、該基板に金属及び／又は金
属化合物の蒸着を行なうことを特徴とするプラスチック
基板上への蒸着膜の形成方法。 - 【請求項２】 金属及び／又は金属化合物が、ＳｉＯ2
及び／又はＩＴＯである請求項１記載のプラスチック基
板上への蒸着膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4294326A JPH06145964A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | プラスチック基板上への蒸着膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4294326A JPH06145964A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | プラスチック基板上への蒸着膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06145964A true JPH06145964A (ja) | 1994-05-27 |
Family
ID=17806256
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4294326A Pending JPH06145964A (ja) | 1992-11-02 | 1992-11-02 | プラスチック基板上への蒸着膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06145964A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0962548A2 (en) * | 1998-06-01 | 1999-12-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for deposition of a stressed film |
| WO2001061065A1 (en) * | 2000-02-15 | 2001-08-23 | Korea Institute Of Science And Technology | Method of depositing an io or ito thin film on polymer substrate |
| JP2004133109A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Seiko Epson Corp | 薄膜が形成された基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
| JP2005166742A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Tdk Corp | 積層体の製造方法及び有機電界効果トランジスタの製造方法 |
-
1992
- 1992-11-02 JP JP4294326A patent/JPH06145964A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0962548A2 (en) * | 1998-06-01 | 1999-12-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for deposition of a stressed film |
| JPH11345807A (ja) * | 1998-06-01 | 1999-12-14 | Sharp Corp | 応力負荷膜およびその形成方法 |
| EP0962548A3 (en) * | 1998-06-01 | 2001-07-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for deposition of a stressed film |
| WO2001061065A1 (en) * | 2000-02-15 | 2001-08-23 | Korea Institute Of Science And Technology | Method of depositing an io or ito thin film on polymer substrate |
| US6787441B1 (en) | 2000-02-15 | 2004-09-07 | Korea Institute Of Science And Technology | Method for pretreating a polymer substrate using an ion beam for subsequent deposition of indium oxide or indium tin oxide |
| JP2004133109A (ja) * | 2002-10-09 | 2004-04-30 | Seiko Epson Corp | 薄膜が形成された基板の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器 |
| JP2005166742A (ja) * | 2003-11-28 | 2005-06-23 | Tdk Corp | 積層体の製造方法及び有機電界効果トランジスタの製造方法 |
| JP4736318B2 (ja) * | 2003-11-28 | 2011-07-27 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層体の製造方法及び有機電界効果トランジスタの製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2010023853A2 (ja) | 薄膜付きガラス基板の製造方法 | |
| JPS59121876A (ja) | 薄膜デバイス用ガラス基板 | |
| JPH06145964A (ja) | プラスチック基板上への蒸着膜の形成方法 | |
| TW200606465A (en) | Optical filter and method of manufacturing optical filter | |
| CN101026090A (zh) | 可挠性阵列基板的制造方法 | |
| US9963382B2 (en) | Method for handling ultra-thin glass for display panel | |
| JP5332085B2 (ja) | フラットパネルディスプレイ用のガラス基板の製造方法 | |
| JPH1180928A (ja) | 薄膜形成方法および装置 | |
| JPH11345807A (ja) | 応力負荷膜およびその形成方法 | |
| JPS63265844A (ja) | 曲げ熱線反射ガラスの製造方法 | |
| JP2508779B2 (ja) | ガラス基体表面に酸化錫薄膜を形成する方法 | |
| CN213739195U (zh) | 一种双面ar光学玻璃面板 | |
| JPH07175055A (ja) | プラスチック液晶表示素子の製造方法 | |
| JPH02137323A (ja) | 低応力薄膜の形成方法 | |
| JP3453032B2 (ja) | 異種成分基板表面に均質な層を塗布するための方法 | |
| JP3014570B2 (ja) | 液晶表示装置用基板の製造方法 | |
| JPH06110046A (ja) | カラーフィルタ基板 | |
| JPH05346575A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JPH05313113A (ja) | 液晶表示素子用電極基板の製造方法、液晶表示素子用電極基板のパターン形成方法、液晶セルの製造方法及び液晶表示パネルの製造方法 | |
| JPS63265846A (ja) | 曲げ熱線反射ガラス及びその製造方法 | |
| JPH06267804A (ja) | 貼り合わせ半導体基板及びその製造方法 | |
| JP2002284537A (ja) | コーティング膜付き板ガラスの曲げ成形方法、およびコーティング膜付き板ガラス | |
| JP2928402B2 (ja) | 液晶表示パネルの製造方法 | |
| US20170363786A1 (en) | Film type iraf filter and the manufacturing method thereof | |
| JPH06347620A (ja) | レプリカミラーの製造方法および製造用型 |