JPH0614391Y2 - 磁界フリ−型熱陰極構造体 - Google Patents
磁界フリ−型熱陰極構造体Info
- Publication number
- JPH0614391Y2 JPH0614391Y2 JP1987017800U JP1780087U JPH0614391Y2 JP H0614391 Y2 JPH0614391 Y2 JP H0614391Y2 JP 1987017800 U JP1987017800 U JP 1987017800U JP 1780087 U JP1780087 U JP 1780087U JP H0614391 Y2 JPH0614391 Y2 JP H0614391Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- hot cathode
- cathode structure
- magnetic field
- insulator
- type hot
- Prior art date
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Description
【考案の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ この考案は、各種イオン源、三極スパツタリング装置、
および各種電子銃に用いられる熱陰極構造体に関する。
および各種電子銃に用いられる熱陰極構造体に関する。
＜従来の技術とその問題点＞ イオンビームはLSIの製造工程や材料の表面改質の研究
に使用されている。イオンビームを発生させるイオン源
としては熱陰極を有する熱電子衝撃型イオン源が広く用
いられている。熱陰極の材料は通常Ｗ、Ta、Re等の金属
が用いられているが、イオンビームの大電流化および熱
陰極の長寿命化のため導電性のセラミツクスを用いるこ
とが検討されている。例えば、カスプ型Ｈ−イオン源の
熱陰極をＷからLaB6に代替することによつて長寿命化に
成功している（参考文献：A.Takagiet al.，“Multicus
p H- ion source at KEK(II).”Proc.，９th symp. on
ISIAT’８５，１０９ （１９８５））。
に使用されている。イオンビームを発生させるイオン源
としては熱陰極を有する熱電子衝撃型イオン源が広く用
いられている。熱陰極の材料は通常Ｗ、Ta、Re等の金属
が用いられているが、イオンビームの大電流化および熱
陰極の長寿命化のため導電性のセラミツクスを用いるこ
とが検討されている。例えば、カスプ型Ｈ−イオン源の
熱陰極をＷからLaB6に代替することによつて長寿命化に
成功している（参考文献：A.Takagiet al.，“Multicus
p H- ion source at KEK(II).”Proc.，９th symp. on
ISIAT’８５，１０９ （１９８５））。
しかしながら、セラミツクスは脆性材料であり、イオン
源装置内部の支持電極への取付けの際や、急速な加熱・
冷却の際に壊れやすいという問題がある。
源装置内部の支持電極への取付けの際や、急速な加熱・
冷却の際に壊れやすいという問題がある。
また、熱陰極に流れる電流により磁界が発生し、これが
イオン源内部のプラズマの安定性に悪影響を与えるとい
う問題があつた。
イオン源内部のプラズマの安定性に悪影響を与えるとい
う問題があつた。
このような背景のもとに、支持電極への取り付けが簡単
で熱衝撃に強く、そして加熱電流による磁界の発生がな
いセラミツクス製熱陰極が望まれている。本考案は上記
要求に応える熱陰極構造体を提供することを目的として
いる。
で熱衝撃に強く、そして加熱電流による磁界の発生がな
いセラミツクス製熱陰極が望まれている。本考案は上記
要求に応える熱陰極構造体を提供することを目的として
いる。
＜問題点を解決するための手段＞ 考案者らは上記目的を達成するために種々検討を行なつ
た結果、らせん状の溝を形成することにより、導電性セ
ラミックスを管状の並行らせん巻構造とし、１個の絶縁
体に固定した２個の金属片（電極）に導電性セラミツク
スの端部を固定し、金属片または金属片に接続した給電
端子によつてイオン源装置内部の支持電極へ取付ける方
法を見出して、この考案を完成させるに到つた。
た結果、らせん状の溝を形成することにより、導電性セ
ラミックスを管状の並行らせん巻構造とし、１個の絶縁
体に固定した２個の金属片（電極）に導電性セラミツク
スの端部を固定し、金属片または金属片に接続した給電
端子によつてイオン源装置内部の支持電極へ取付ける方
法を見出して、この考案を完成させるに到つた。
すなわち、この考案は、２本の並行らせん巻導電性セラ
ミツクスの各一端を閉じ、他の各一端を金属片を介して
１個の絶縁体に固定した磁界フリー型熱陰極構造体であ
る。
ミツクスの各一端を閉じ、他の各一端を金属片を介して
１個の絶縁体に固定した磁界フリー型熱陰極構造体であ
る。
以下この考案について詳細に説明する。この考案におい
て導電性セラミツクスとは第１にはアルカル土類金属お
よび原子番号５７から７１までのランタン系元素の中か
ら選ばれた少なくとも１種以上の元素の６ホウ化物の焼
結体、第２には、Ti、Zr、およびTaの中から選ばれた少
なくとも１種以上の２ホウ化物の焼結体、第３にはTi、
Zr、Hf、Ｖ、NbおよびTaの中から選ばれた少なくとも１
種以上の炭化物または窒化物、第４には炭素質材料であ
る。
て導電性セラミツクスとは第１にはアルカル土類金属お
よび原子番号５７から７１までのランタン系元素の中か
ら選ばれた少なくとも１種以上の元素の６ホウ化物の焼
結体、第２には、Ti、Zr、およびTaの中から選ばれた少
なくとも１種以上の２ホウ化物の焼結体、第３にはTi、
Zr、Hf、Ｖ、NbおよびTaの中から選ばれた少なくとも１
種以上の炭化物または窒化物、第４には炭素質材料であ
る。
第１図は２本の並行らせん巻導電性セラミツクスの各一
端を閉じたものであり、第２図は第１図のセラミツクス
のらせん部分を引伸した状態を描いたものである。２本
の並行らせん体１Ａ，１Ｂは、一方の端部２Ａ，２Ｂが
結合部３によつて電気的に接続され、他方の端部４Ａ，
４Ｂはたがいに離れており、ここが通電口となる。
端を閉じたものであり、第２図は第１図のセラミツクス
のらせん部分を引伸した状態を描いたものである。２本
の並行らせん体１Ａ，１Ｂは、一方の端部２Ａ，２Ｂが
結合部３によつて電気的に接続され、他方の端部４Ａ，
４Ｂはたがいに離れており、ここが通電口となる。
上記らせん構造の製作方法の一例を示す。まず、セラミ
ツクス焼結体をワイヤーカツト放電加工法によつてセラ
ミツクスの管状体を製作する。そして管状体をその中心
軸を中心に回転させながら、ワイヤーカツト放電加工機
のワイヤーを管状体の一方の端末から他方の端末に向つ
て進行させながら加工し、らせん状の溝を形成すること
によつて２本のらせん体１Ａ，１Ｂとする。
ツクス焼結体をワイヤーカツト放電加工法によつてセラ
ミツクスの管状体を製作する。そして管状体をその中心
軸を中心に回転させながら、ワイヤーカツト放電加工機
のワイヤーを管状体の一方の端末から他方の端末に向つ
て進行させながら加工し、らせん状の溝を形成すること
によつて２本のらせん体１Ａ，１Ｂとする。
上記ワイヤーによる放電切断の開始位置を管状体の端末
からではなく、端末近辺からにすると、らせん体ん各一
端２Ａ，２Ｂは自然に結合部材３により閉じた状態のも
のになり、改めて閉じる処理をする必要がなくなる。
からではなく、端末近辺からにすると、らせん体ん各一
端２Ａ，２Ｂは自然に結合部材３により閉じた状態のも
のになり、改めて閉じる処理をする必要がなくなる。
また、上記ワイヤーによる放電切断の終末において、管
状体の回転を止めてワイヤーを進行させて切断をおこな
うと、その切断線が管状体の軸に平行な端部４Ａ，４Ｂ
になる。さらに、後記の金属片５Ａ，５Ｂへの接続の際
に都合のよい形状とするため、第３図〜第５図のように
各端部４Ａ，４Ｂをワイヤーカツト放電加工によりたが
いに平行な平面に加工し、ネジ挿入用の穴１０を細穴放
電加工機を用いてあけてもよい。
状体の回転を止めてワイヤーを進行させて切断をおこな
うと、その切断線が管状体の軸に平行な端部４Ａ，４Ｂ
になる。さらに、後記の金属片５Ａ，５Ｂへの接続の際
に都合のよい形状とするため、第３図〜第５図のように
各端部４Ａ，４Ｂをワイヤーカツト放電加工によりたが
いに平行な平面に加工し、ネジ挿入用の穴１０を細穴放
電加工機を用いてあけてもよい。
導電性セラミツクスへの通電と導電性セラミツクスの支
持のため、導電性セラミツクスの端部４Ａ，４Ｂに金属
片５Ａ，５Ｂを取付ける。金属片は前記目的を達するも
のである限り、その形状は問わない。金属片５Ａ，５Ｂ
は１個の絶縁体６に固定される。金属片５Ａ，５Ｂの絶
縁体６への固定は、とくに正確でなければならない。も
しも、金属片５Ａと金属片５Ｂの間隔または並行性に狂
いが生ずると、導電性セラミツクスが歪んで、らせん体
１Ａ，１Ｂが短絡したり、折損するおそれがある。
持のため、導電性セラミツクスの端部４Ａ，４Ｂに金属
片５Ａ，５Ｂを取付ける。金属片は前記目的を達するも
のである限り、その形状は問わない。金属片５Ａ，５Ｂ
は１個の絶縁体６に固定される。金属片５Ａ，５Ｂの絶
縁体６への固定は、とくに正確でなければならない。も
しも、金属片５Ａと金属片５Ｂの間隔または並行性に狂
いが生ずると、導電性セラミツクスが歪んで、らせん体
１Ａ，１Ｂが短絡したり、折損するおそれがある。
金属片の材質は、Ｗ、Ta、Mo等の高融点金属が用いられ
るが、熱陰極の使用温度が低く、かつ金属片の冷却が効
率よくおこなわれるならばCuを使用してもよい。金属片
５Ａ，５Ｂと端部４Ａ，４Ｂ間に接触状態をより良好に
するためにTa、Moなどの箔を挟んでもよい。またセラミ
ツクスとしてLaB6等を使用したときで、使用中に金属片
の温度が比較的高くなる場合は、金属片とセラミツクス
が反応して接触部分での電器伝導性が低下することのな
いように、レニウム箔、グラフアイトシート、カーボン
シートなどの反応防止材を挟んでもよい。
るが、熱陰極の使用温度が低く、かつ金属片の冷却が効
率よくおこなわれるならばCuを使用してもよい。金属片
５Ａ，５Ｂと端部４Ａ，４Ｂ間に接触状態をより良好に
するためにTa、Moなどの箔を挟んでもよい。またセラミ
ツクスとしてLaB6等を使用したときで、使用中に金属片
の温度が比較的高くなる場合は、金属片とセラミツクス
が反応して接触部分での電器伝導性が低下することのな
いように、レニウム箔、グラフアイトシート、カーボン
シートなどの反応防止材を挟んでもよい。
絶縁体６は熱衝撃に強い材料と構造であることが望まし
く、アルミナ、窒化ほう素、シリカ、マイカなどのセラ
ミツクスが使用できる。その形状は円板、四角板など単
純な形が好ましい。金属片５Ａ，５Ｂへの通電は第６図
に示すように絶縁体６に貫通させて給電端子７Ａ，７Ｂ
を取付け、これら給電端子と金属片を接続すればよい。
く、アルミナ、窒化ほう素、シリカ、マイカなどのセラ
ミツクスが使用できる。その形状は円板、四角板など単
純な形が好ましい。金属片５Ａ，５Ｂへの通電は第６図
に示すように絶縁体６に貫通させて給電端子７Ａ，７Ｂ
を取付け、これら給電端子と金属片を接続すればよい。
絶縁体に貫通させる穴の径は給電端子のネジ部の直径よ
りもやや大きくしておくと金属片の取り付け面間の距離
を調整することができて好都合である。金属片の取付け
面間の距離および並行出しの調整は金属片間内に位置あ
わせ用の治具を装入すれば簡単に行なうことができる。
調整終了後、導電性セラミツクスをネジ８Ａ，８Ｂおよ
びナツト９Ａ，９Ｂによつて取り付ける。
りもやや大きくしておくと金属片の取り付け面間の距離
を調整することができて好都合である。金属片の取付け
面間の距離および並行出しの調整は金属片間内に位置あ
わせ用の治具を装入すれば簡単に行なうことができる。
調整終了後、導電性セラミツクスをネジ８Ａ，８Ｂおよ
びナツト９Ａ，９Ｂによつて取り付ける。
給電端子７Ａ，７Ｂは必ずしも絶縁体６を貫通させて取
付ける必要はなく、第８図〜第１０図に示すように金属
片ト給電端子とを重ねて絶縁体に固定してもよい。ある
いは金属片と給電端子を１個の金属片で兼ねさせること
もできる。
付ける必要はなく、第８図〜第１０図に示すように金属
片ト給電端子とを重ねて絶縁体に固定してもよい。ある
いは金属片と給電端子を１個の金属片で兼ねさせること
もできる。
＜作用＞ 本考案の熱陰極構造体は導電性セラミツクスの端部４
Ａ，４Ｂが１個の絶縁体６に固定されているので、絶縁
体をつかんで取扱う限り、導電性セラミツクスの端部に
無理な力がかかることがなく、導電性セラミツクスを破
損させるおそれがない。
Ａ，４Ｂが１個の絶縁体６に固定されているので、絶縁
体をつかんで取扱う限り、導電性セラミツクスの端部に
無理な力がかかることがなく、導電性セラミツクスを破
損させるおそれがない。
また、この考案の熱陰極構造体はセラミツクスからなる
２本の導体が互いに並行して同じ方向にらせん状に巻か
れており、それぞれの導体に流れる電流の向きが互いに
逆向きになるので導体の回りに発生する磁界の方向も互
に逆方向になり、そのため磁界の打消し合いになり、全
体として磁界が消える。
２本の導体が互いに並行して同じ方向にらせん状に巻か
れており、それぞれの導体に流れる電流の向きが互いに
逆向きになるので導体の回りに発生する磁界の方向も互
に逆方向になり、そのため磁界の打消し合いになり、全
体として磁界が消える。
＜実施例＞ 平均粒径が８μｍのLaB6粉を圧力１５０Kgf/cm2、温度
２０００℃の条件でホツトプレス法による焼結をおこな
い、気孔率約１５％の焼結体とした。この焼結体をワイ
ヤーカツト放電加工法により、まず外径１０mm、内径７
mm、高さ、２7.5mmの管状体とし、ついでらせん状の溝
を形成して２本の並行らせん巻き構造にした。このよう
にして得られたらせん状のピツチは3.6mmであり、らせ
んとらせんの切り代は0.3mmであつた。そして金属片５
Ａ，５Ｂと接続するために、第３図〜第５図に示したと
おり導電性セラミツクスの閉じられていない端部４Ａ，
４Ｂをワイヤーカツト放電加工法によつて面出しをおこ
なつた。第８図〜第１０図に示すとおり、窒化ほう素製
の絶縁体６にタンタル製金属片５Ａ，５Ｂおよびタンタ
ル製給電端子７Ａ，７Ｂをステンレス製ネジ１１Ａ，１
１Ｂによつて固定した。ついで、端部４Ａ，４Ｂにタン
タル箔１２Ａ，１２Ｂとタンタル製金属片５Ａ，５Ｂを
モリブデン製ネジ８Ａ，８Ｂとタンタル製ナツト９Ａ，
９Ｂを用いて固定した。この熱陰極構造体を１×１０
−５Torrの真空中において直流電流を通電することによ
つて加熱をおこなつた。
２０００℃の条件でホツトプレス法による焼結をおこな
い、気孔率約１５％の焼結体とした。この焼結体をワイ
ヤーカツト放電加工法により、まず外径１０mm、内径７
mm、高さ、２7.5mmの管状体とし、ついでらせん状の溝
を形成して２本の並行らせん巻き構造にした。このよう
にして得られたらせん状のピツチは3.6mmであり、らせ
んとらせんの切り代は0.3mmであつた。そして金属片５
Ａ，５Ｂと接続するために、第３図〜第５図に示したと
おり導電性セラミツクスの閉じられていない端部４Ａ，
４Ｂをワイヤーカツト放電加工法によつて面出しをおこ
なつた。第８図〜第１０図に示すとおり、窒化ほう素製
の絶縁体６にタンタル製金属片５Ａ，５Ｂおよびタンタ
ル製給電端子７Ａ，７Ｂをステンレス製ネジ１１Ａ，１
１Ｂによつて固定した。ついで、端部４Ａ，４Ｂにタン
タル箔１２Ａ，１２Ｂとタンタル製金属片５Ａ，５Ｂを
モリブデン製ネジ８Ａ，８Ｂとタンタル製ナツト９Ａ，
９Ｂを用いて固定した。この熱陰極構造体を１×１０
−５Torrの真空中において直流電流を通電することによ
つて加熱をおこなつた。
３７Ａの熱陰極加熱電流でLaB6の熱陰極の通常の使用温
度である１５００℃に加熱することができた。このとき
の熱陰極印加電圧は6.1Ｖであつた。次に熱陰極印加電
圧を6.1Ｖに固定し熱陰極加熱電流のオン・オフを繰り
返しおこなつた。５回のオン・オフテスト中LaB6導体は
破損することなく、テスト終了後も抵抗の変化はほとん
どなかつた。
度である１５００℃に加熱することができた。このとき
の熱陰極印加電圧は6.1Ｖであつた。次に熱陰極印加電
圧を6.1Ｖに固定し熱陰極加熱電流のオン・オフを繰り
返しおこなつた。５回のオン・オフテスト中LaB6導体は
破損することなく、テスト終了後も抵抗の変化はほとん
どなかつた。
ガウスメーターにより導電性セラミツクスから５cm離れ
た空間の磁界を測定したところその値は0.1ガウス以下
であつた。
た空間の磁界を測定したところその値は0.1ガウス以下
であつた。
＜考案の効果＞ この考案の熱陰極構造体は使用装置への取付け作業が簡
単で破損する恐れがない。また、使用時の導電性セラミ
ツクスの熱膨張による応力が緩和され、熱衝撃に耐え
る。さらに、この考案の熱陰極構造体は使用時に磁界の
発生がなく、これをイオン源装置に組込んだとき、磁界
によつてプラズマの安定性が乱れることがない。
単で破損する恐れがない。また、使用時の導電性セラミ
ツクスの熱膨張による応力が緩和され、熱衝撃に耐え
る。さらに、この考案の熱陰極構造体は使用時に磁界の
発生がなく、これをイオン源装置に組込んだとき、磁界
によつてプラズマの安定性が乱れることがない。
この考案の熱陰極構造体は、カウフマン(Kaufman)型、
カルトロン型(Calutron)型、多極磁界型（バケツト型）
等の熱電子衝撃型イオン源のほかニールセン(Nielsen)
型、スカンジナビアン(Scandinavian)型等の電子振動型
イオン型、ビームプラズマ型イオン源、ヒル・アンド・
ネルソン(Hill and Nelson)型等のスパツタイオン源、P
IG型イオン源、モノプラズマトロン、デユオプラズマト
ロン、デユオピガトロン等の各種イオン源、三極スパツ
タリング装置、電子ビーム溶接装置、電子ビーム溶解装
置、電子ビーム露光装置、電子顕微鏡、陰極線管に用い
る熱陰極として適している。
カルトロン型(Calutron)型、多極磁界型（バケツト型）
等の熱電子衝撃型イオン源のほかニールセン(Nielsen)
型、スカンジナビアン(Scandinavian)型等の電子振動型
イオン型、ビームプラズマ型イオン源、ヒル・アンド・
ネルソン(Hill and Nelson)型等のスパツタイオン源、P
IG型イオン源、モノプラズマトロン、デユオプラズマト
ロン、デユオピガトロン等の各種イオン源、三極スパツ
タリング装置、電子ビーム溶接装置、電子ビーム溶解装
置、電子ビーム露光装置、電子顕微鏡、陰極線管に用い
る熱陰極として適している。
第１図はこの考案の熱陰極構造体のセラミツクス部分を
示す正面図であり、第２図はセラミツクス部分を引伸し
た斜視図である。第３図〜第５図はこの考案の熱陰極構
造体のセラミツクス部分の具体例であり、第３図は側面
図、第４図は正面図、第５図は第３図のＡ矢印から見た
底面図である。第６図および第７図はこの考案の熱陰極
構造体であり、第６図は正面図、第７図は第６図のＢ矢
印から見た平面図である。第８図〜第１０図はこの考案
の熱陰極構造体の別の実施例である。第８図は平面図、
第９図は正面図、第１０図は第９図のＣ−Ｃ横断面図で
ある。 符号 １Ａ，１Ｂ……らせん体、２Ａ，２Ｂ……端部、３……
結合部材、４Ａ，４Ｂ……端部、５Ａ，５Ｂ……金属
片、６……絶縁体、７Ａ，７Ｂ……給電端子、８Ａ，８
Ｂ……ネジ、９Ａ，９Ｂ……ナツト、１０……穴、１１
Ａ，１１Ｂ……ネジ、１２Ａ，１２Ｂ……タンタル箔
示す正面図であり、第２図はセラミツクス部分を引伸し
た斜視図である。第３図〜第５図はこの考案の熱陰極構
造体のセラミツクス部分の具体例であり、第３図は側面
図、第４図は正面図、第５図は第３図のＡ矢印から見た
底面図である。第６図および第７図はこの考案の熱陰極
構造体であり、第６図は正面図、第７図は第６図のＢ矢
印から見た平面図である。第８図〜第１０図はこの考案
の熱陰極構造体の別の実施例である。第８図は平面図、
第９図は正面図、第１０図は第９図のＣ−Ｃ横断面図で
ある。 符号 １Ａ，１Ｂ……らせん体、２Ａ，２Ｂ……端部、３……
結合部材、４Ａ，４Ｂ……端部、５Ａ，５Ｂ……金属
片、６……絶縁体、７Ａ，７Ｂ……給電端子、８Ａ，８
Ｂ……ネジ、９Ａ，９Ｂ……ナツト、１０……穴、１１
Ａ，１１Ｂ……ネジ、１２Ａ，１２Ｂ……タンタル箔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭52−19958（ＪＰ，Ａ) 特公 昭29−7060（ＪＰ，Ｂ１) 特公 昭54−31783（ＪＰ，Ｂ２) 特公 平４−56415（ＪＰ，Ｂ２) 特公9352（大正15）（ＪＰ，Ｂ１ Ｔ)
Claims (1)
- 【請求項１】らせん状の溝によって形成される２本の並
行する管状のらせん巻導電性セラミックスであって、前
記導電性セラミックスの一端が連続し、二分された他端
を金属片を介して１個の絶縁体に固定した磁界フリー型
熱陰極構造体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987017800U JPH0614391Y2 (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 磁界フリ−型熱陰極構造体 |
| GB8712116A GB2192751B (en) | 1986-07-14 | 1987-05-22 | Method of making a thermionic cathode structure. |
| DE19873717974 DE3717974A1 (de) | 1986-07-14 | 1987-05-27 | Gluehkathode |
| US07/222,300 US4878866A (en) | 1986-07-14 | 1988-07-22 | Thermionic cathode structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987017800U JPH0614391Y2 (ja) | 1987-02-12 | 1987-02-12 | 磁界フリ−型熱陰極構造体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63127056U JPS63127056U (ja) | 1988-08-19 |
| JPH0614391Y2 true JPH0614391Y2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=30810887
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987017800U Expired - Lifetime JPH0614391Y2 (ja) | 1986-07-14 | 1987-02-12 | 磁界フリ−型熱陰極構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0614391Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2505067Y2 (ja) * | 1990-10-24 | 1996-07-24 | 日新電機株式会社 | 加熱型イオン引出し正電極 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5219958A (en) * | 1975-08-07 | 1977-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Scanning electron microscope |
| JPS5431783A (en) * | 1977-08-13 | 1979-03-08 | Terasaki Denki Sangyo Kk | Indicator with light emitting diode |
-
1987
- 1987-02-12 JP JP1987017800U patent/JPH0614391Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63127056U (ja) | 1988-08-19 |
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