JPH06140536A - モールド成形型のｉｃパッケージ - Google Patents
モールド成形型のｉｃパッケージInfo
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- JPH06140536A JPH06140536A JP4290630A JP29063092A JPH06140536A JP H06140536 A JPH06140536 A JP H06140536A JP 4290630 A JP4290630 A JP 4290630A JP 29063092 A JP29063092 A JP 29063092A JP H06140536 A JPH06140536 A JP H06140536A
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- stage
- chip
- mold resin
- interface
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ステージに固着されたICチップをモールドレ
ジンによって覆うことで形成されるモールド成形型のIC
パッケージに関し、モールドレジンに生じる亀裂を防止
し、品質の向上を図ることを目的とする。 【構成】 ステージに固着されたICチップと、該ステー
ジと該ICチップとを覆うモールドレジンと、該モールド
レジンから突出される外部接続用リードとを備えたモー
ルド成形型のICパッケージであって、前記モールドレジ
ンと、前記ステージとの界面および該モールドレジン
と、前記ICチップとの界面に弾性材より成る第１の絶縁
層が設けられるように構成する。
ジンによって覆うことで形成されるモールド成形型のIC
パッケージに関し、モールドレジンに生じる亀裂を防止
し、品質の向上を図ることを目的とする。 【構成】 ステージに固着されたICチップと、該ステー
ジと該ICチップとを覆うモールドレジンと、該モールド
レジンから突出される外部接続用リードとを備えたモー
ルド成形型のICパッケージであって、前記モールドレジ
ンと、前記ステージとの界面および該モールドレジン
と、前記ICチップとの界面に弾性材より成る第１の絶縁
層が設けられるように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ステージに固着された
ICチップをモールドレジンによって覆うことで形成され
るモールド成形型のICパッケージに関する。
ICチップをモールドレジンによって覆うことで形成され
るモールド成形型のICパッケージに関する。
【０００２】モールド成形型のICパッケージは、ステー
ジに固着されたICチップを合成樹脂材より成るモールド
レジンによって覆うことで形成されている。また、この
ようなモールド成形型のICパッケージには、外部接続用
リードが配設され、外部接続用リードを半田などのボン
ディングを行うことでプリント基板に実装され、プリン
ト基板に複数のモールド成形型のICパッケージを実装す
ることで電子機器の構成が行われる。
ジに固着されたICチップを合成樹脂材より成るモールド
レジンによって覆うことで形成されている。また、この
ようなモールド成形型のICパッケージには、外部接続用
リードが配設され、外部接続用リードを半田などのボン
ディングを行うことでプリント基板に実装され、プリン
ト基板に複数のモールド成形型のICパッケージを実装す
ることで電子機器の構成が行われる。
【０００３】したがって、このようなモールド成形型の
ICパッケージは、半田などのボンディングによってプリ
ント基板に実装が行われるように形成されている。
ICパッケージは、半田などのボンディングによってプリ
ント基板に実装が行われるように形成されている。
【０００４】
【従来の技術】従来は、図４の従来の説明図に示すよう
に形成されていた。図４の(a) は側面断面図,(b)は平面
図,(c1) 〜(c4)は説明図である。
に形成されていた。図４の(a) は側面断面図,(b)は平面
図,(c1) 〜(c4)は説明図である。
【０００５】図４の(a)(b)に示すように、タイバー3 に
よって保持されたステージ2 にICチップ1 が固着され、
ICチップ1 と外部接続用リード5 との間にはワイヤ10が
接続され、ICチップ1 およびステージ2 を合成樹脂材に
よるモールド成形によって覆うモールドレジン4 の形成
が行われていた。
よって保持されたステージ2 にICチップ1 が固着され、
ICチップ1 と外部接続用リード5 との間にはワイヤ10が
接続され、ICチップ1 およびステージ2 を合成樹脂材に
よるモールド成形によって覆うモールドレジン4 の形成
が行われていた。
【０００６】そこで、ICチップ1 に形成された回路網に
対しては、外部接続用リード5 を介して電源の供給およ
び信号の入出力が行われるように形成され、プリント基
板に実装する場合は、それぞれの外部接続用リード5 の
先端部をプリント基板の所定のパッドにボンデングする
ことで行われる。
対しては、外部接続用リード5 を介して電源の供給およ
び信号の入出力が行われるように形成され、プリント基
板に実装する場合は、それぞれの外部接続用リード5 の
先端部をプリント基板の所定のパッドにボンデングする
ことで行われる。
【０００７】また、この場合の合成樹脂材としては、例
えば、エポキシ系が用いられ、モールド成形後、約130
℃の加熱によってキュアが行われ、吸湿が行われないよ
うに配慮されている。
えば、エポキシ系が用いられ、モールド成形後、約130
℃の加熱によってキュアが行われ、吸湿が行われないよ
うに配慮されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このようなモ
ールドレジン4 は、キュアが施されていても、保管時に
は、図４の(c1)に示すように、外周部から矢印に示すよ
うな水分の吸湿が行われ、その水分がプリント基板の実
装に際して行われるボンデングの加熱によって蒸気とな
り、図４の(c2)に示すように、ICチップ1 と、モールド
レジン4 との界面およびステージ2 とモールドレジン4
との界面に剥離が生じ、空洞11が形成されることにな
る。
ールドレジン4 は、キュアが施されていても、保管時に
は、図４の(c1)に示すように、外周部から矢印に示すよ
うな水分の吸湿が行われ、その水分がプリント基板の実
装に際して行われるボンデングの加熱によって蒸気とな
り、図４の(c2)に示すように、ICチップ1 と、モールド
レジン4 との界面およびステージ2 とモールドレジン4
との界面に剥離が生じ、空洞11が形成されることにな
る。
【０００９】このような空洞11は、その後、図４の(c3)
および(c4)に示すうに、更に成長するこになり、空洞11
の所定箇所に亀裂12が発生し、モールドレジン4 に亀裂
12が生じる問題を有していた。
および(c4)に示すうに、更に成長するこになり、空洞11
の所定箇所に亀裂12が発生し、モールドレジン4 に亀裂
12が生じる問題を有していた。
【００１０】そこで、本発明では、モールドレジンに生
じる亀裂を防止し、品質の向上を図ることを目的とす
る。
じる亀裂を防止し、品質の向上を図ることを目的とす
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の原理説明
図であり、図１の(a) に示すように、ステージ2 に固着
されたICチップ1 と、該ステージ2 と該ICチップ1 とを
覆うモールドレジン4と、該モールドレジン4 から突出
される外部接続用リード5 とを備えたモールド成形型の
ICパッケージであって、前記モールドレジン4 と、前記
ステージ2 との界面および該モールドレジン4 と、前記
ICチップ1 との界面に弾性材より成る第１の絶縁層6 が
設けられるように、また、図１の(b) に示すように、ス
テージ2に固着されたICチップ1 と、該ステージ2 と該I
Cチップ1 とを覆うモールドレジン4 と、該モールドレ
ジン4 から突出される外部接続用リード5 とを備えたモ
ールド成形型のICパッケージであって、前記モールドレ
ジン4 と、前記ステージ2を保持するタイバー3 との界
面に弾性材より成る第２の絶縁層7 が設けられるように
構成する。
図であり、図１の(a) に示すように、ステージ2 に固着
されたICチップ1 と、該ステージ2 と該ICチップ1 とを
覆うモールドレジン4と、該モールドレジン4 から突出
される外部接続用リード5 とを備えたモールド成形型の
ICパッケージであって、前記モールドレジン4 と、前記
ステージ2 との界面および該モールドレジン4 と、前記
ICチップ1 との界面に弾性材より成る第１の絶縁層6 が
設けられるように、また、図１の(b) に示すように、ス
テージ2に固着されたICチップ1 と、該ステージ2 と該I
Cチップ1 とを覆うモールドレジン4 と、該モールドレ
ジン4 から突出される外部接続用リード5 とを備えたモ
ールド成形型のICパッケージであって、前記モールドレ
ジン4 と、前記ステージ2を保持するタイバー3 との界
面に弾性材より成る第２の絶縁層7 が設けられるように
構成する。
【００１２】このように構成することによって前述の課
題は解決される。
題は解決される。
【００１３】
【作用】即ち、モールドレジン4 と、ステージ2 との界
面およびモールドレジン4 と、ICチップ1 との界面に弾
性材より成る第１の絶縁層6 を設け、モールドレジン4
と、ステージ2 との界面およびモールドレジン4 と、IC
チップ1 との界面に空洞11が生じた時は、第１の絶縁層
6 によって空洞11に於ける蒸気圧を吸収させるようにし
たものである。
面およびモールドレジン4 と、ICチップ1 との界面に弾
性材より成る第１の絶縁層6 を設け、モールドレジン4
と、ステージ2 との界面およびモールドレジン4 と、IC
チップ1 との界面に空洞11が生じた時は、第１の絶縁層
6 によって空洞11に於ける蒸気圧を吸収させるようにし
たものである。
【００１４】また、このような空洞11に於ける蒸気圧を
吸収させことはモールドレジン4 と、タイバー3 との界
面に弾性材より成る第２の絶縁層7 を設けることでも、
行うことができる。
吸収させことはモールドレジン4 と、タイバー3 との界
面に弾性材より成る第２の絶縁層7 を設けることでも、
行うことができる。
【００１５】したがって、第１の絶縁層6 または第２の
絶縁層7 を設けることで前述のような空洞11の成長を抑
止することができ、モールドレジン4 に亀裂12が発生す
ることを防ぐことができ、信頼性の向上が図れる。
絶縁層7 を設けることで前述のような空洞11の成長を抑
止することができ、モールドレジン4 に亀裂12が発生す
ることを防ぐことができ、信頼性の向上が図れる。
【００１６】
【実施例】以下本発明を図２を参考に詳細に説明する。
図２は本発明による一実施例の説明図で、(a)(b)は側面
断面図, 図３は本発明の他の実施例の説明図で、(a)(b)
は側面断面図を示す。全図を通じて、同一符号は同一対
象物を示す。
図２は本発明による一実施例の説明図で、(a)(b)は側面
断面図, 図３は本発明の他の実施例の説明図で、(a)(b)
は側面断面図を示す。全図を通じて、同一符号は同一対
象物を示す。
【００１７】本発明は図２の(a) に示すように、ICチッ
プ1 とステージ2 とを弾性を有する第１の絶縁層6 によ
って覆い、第１の絶縁層6 の形成後、合成樹脂によるモ
ールドによってモールドレジン4 の形成が行われるよう
にしたものである。
プ1 とステージ2 とを弾性を有する第１の絶縁層6 によ
って覆い、第１の絶縁層6 の形成後、合成樹脂によるモ
ールドによってモールドレジン4 の形成が行われるよう
にしたものである。
【００１８】また、この場合の第１の絶縁層6 として
は、例えば、ステージ2 に固着されたICチップ1 と、外
部接続用リード5 との間にワイヤ10の接続が行われた
後、ICチップ1 と、ステージ2 とにシリコンゴムを約50
〜60μm の厚みにコーティングし、乾燥することで形成
することで良い。
は、例えば、ステージ2 に固着されたICチップ1 と、外
部接続用リード5 との間にワイヤ10の接続が行われた
後、ICチップ1 と、ステージ2 とにシリコンゴムを約50
〜60μm の厚みにコーティングし、乾燥することで形成
することで良い。
【００１９】このように構成すると、図２の(b) に示す
うに、ICチップ1 およびステージ2の外周に空洞11が発
生しても、その空洞11を形成する蒸気圧は第１の絶縁層
6 の収縮によって吸収されることになり、空洞11の成長
が抑止され、モールドレジン4 の損傷を防ぐことができ
る。
うに、ICチップ1 およびステージ2の外周に空洞11が発
生しても、その空洞11を形成する蒸気圧は第１の絶縁層
6 の収縮によって吸収されることになり、空洞11の成長
が抑止され、モールドレジン4 の損傷を防ぐことができ
る。
【００２０】また、図３の(a) の場合は、ICチップ1 が
固着されるステージ2 を保持するタイバー3 に前述のよ
うなシリコンゴムなどによる弾性を有する第２の絶縁層
7 を形成し、第２の絶縁層7 を形成後、合成樹脂による
モールドによってモールドレジン4 の形成が行われるよ
うにしたものである。
固着されるステージ2 を保持するタイバー3 に前述のよ
うなシリコンゴムなどによる弾性を有する第２の絶縁層
7 を形成し、第２の絶縁層7 を形成後、合成樹脂による
モールドによってモールドレジン4 の形成が行われるよ
うにしたものである。
【００２１】このように構成しても、図３の(b) に示す
ように、ICチップ1 およびステージ2 の外周に空洞11が
発生しても、その空洞11を形成する蒸気圧は第２の絶縁
層7の収縮によって吸収されることになり、空洞11の成
長が抑止され、モールドレジン4 の損傷を防ぐことがで
きる。
ように、ICチップ1 およびステージ2 の外周に空洞11が
発生しても、その空洞11を形成する蒸気圧は第２の絶縁
層7の収縮によって吸収されることになり、空洞11の成
長が抑止され、モールドレジン4 の損傷を防ぐことがで
きる。
【００２２】したがって、いづれの場合でも、前述のよ
うなモールドレジン4 に吸湿された水分により空洞11が
生じても、その空洞11の蒸気圧は、第１および第２の絶
縁層6,7 によって吸収されることになり、空洞11の成長
が抑止され、モールドレジン4 に亀裂12が生じることを
防ぐことができる。
うなモールドレジン4 に吸湿された水分により空洞11が
生じても、その空洞11の蒸気圧は、第１および第２の絶
縁層6,7 によって吸収されることになり、空洞11の成長
が抑止され、モールドレジン4 に亀裂12が生じることを
防ぐことができる。
【００２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
モールドレジンとICチップとの界面およびモールドレジ
ンとステージとの界面に弾性を有する第１の絶縁層を設
けるか、または、モールドレジンとタイバーとの界面に
弾性を有する第２の絶縁層を設けることで、モールドレ
ジンとICチップとの界面およびモールドレジンとステー
ジとの界面に生じる空洞の成長を抑止することが行え
る。
モールドレジンとICチップとの界面およびモールドレジ
ンとステージとの界面に弾性を有する第１の絶縁層を設
けるか、または、モールドレジンとタイバーとの界面に
弾性を有する第２の絶縁層を設けることで、モールドレ
ジンとICチップとの界面およびモールドレジンとステー
ジとの界面に生じる空洞の成長を抑止することが行え
る。
【００２４】したがって、従来のようなモールドレジン
に亀裂が生じることが防げ、品質の向上が図れ、実用的
効果は大である。
に亀裂が生じることが防げ、品質の向上が図れ、実用的
効果は大である。
【図１】 本発明の原理説明図
【図２】 本発明による一実施例の説明図
【図３】 本発明の他の実施例の説明図
【図４】 従来の説明図
１ ICチップ ２ ステージ ３ タイバー ４ モールドレジン ５ 外部接続用リード ６ 第１の絶縁層 ７ 第２の絶縁層
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/50 Ｇ 9272−4Ｍ
Claims (2)
- 【請求項１】 ステージ(2) に固着されたICチップ(1)
と、該ステージ(2)と該ICチップ(1) とを覆うモールド
レジン(4) と、該モールドレジン(4) から突出される外
部接続用リード(5) とを備えたモールド成形型のICパッ
ケージであって、 前記モールドレジン(4) と、前記ステージ(2) との界面
および該モールドレジン(4) と、前記ICチップ(1) との
界面に弾性材より成る第１の絶縁層(6) が設けられるこ
とを特徴とするモールド成形型のICパッケージ。 - 【請求項２】 ステージ(2) に固着されたICチップ(1)
と、該ステージ(2)と該ICチップ(1) とを覆うモールド
レジン(4) と、該モールドレジン(4) から突出される外
部接続用リード(5) とを備えたモールド成形型のICパッ
ケージであって、 前記モールドレジン(4) と、前記ステージ(2) を保持す
るタイバー(3) との界面に弾性材より成る第２の絶縁層
(7) が設けられることを特徴とするモールド成形型のIC
パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4290630A JPH06140536A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | モールド成形型のｉｃパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4290630A JPH06140536A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | モールド成形型のｉｃパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140536A true JPH06140536A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17758472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4290630A Withdrawn JPH06140536A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | モールド成形型のｉｃパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140536A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09260567A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP4290630A patent/JPH06140536A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09260567A (ja) * | 1996-03-19 | 1997-10-03 | Nec Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000104 |