JPH06140301A - 半導体圧力センサ製造用フォトマスク - Google Patents
半導体圧力センサ製造用フォトマスクInfo
- Publication number
- JPH06140301A JPH06140301A JP29139492A JP29139492A JPH06140301A JP H06140301 A JPH06140301 A JP H06140301A JP 29139492 A JP29139492 A JP 29139492A JP 29139492 A JP29139492 A JP 29139492A JP H06140301 A JPH06140301 A JP H06140301A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photomask
- wafer
- pressure sensor
- semiconductor
- semiconductor pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体圧力センサ製造用フォトマスクに関
し、露光終了後にフォトマスクと半導体ウェハとが容易
に分離できるようにして、生産効率を向上させると共に
ウェハの破損を回避する。 【構成】 フォトマスク２にはパターンに影響しない部
分の数箇所に通気用の孔３が設けられている。露光終了
後に、この孔３を介して気体（大気）がフォトマスク２
とシリコンウェハ１との間に侵入し、シリコンウェハ１
がフォトマスク２に吸着することを回避できる。また、
孔３に気体供給管５を接続し、フォトマスク２とシリコ
ンウェハ１との間に強制的に気体を供給してもよい。
し、露光終了後にフォトマスクと半導体ウェハとが容易
に分離できるようにして、生産効率を向上させると共に
ウェハの破損を回避する。 【構成】 フォトマスク２にはパターンに影響しない部
分の数箇所に通気用の孔３が設けられている。露光終了
後に、この孔３を介して気体（大気）がフォトマスク２
とシリコンウェハ１との間に侵入し、シリコンウェハ１
がフォトマスク２に吸着することを回避できる。また、
孔３に気体供給管５を接続し、フォトマスク２とシリコ
ンウェハ１との間に強制的に気体を供給してもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、密着式露光機を使用し
て半導体ウェハの表面上に所定のパターンを転写する際
に使用される半導体圧力センサ製造用フォトマスクに関
する。
て半導体ウェハの表面上に所定のパターンを転写する際
に使用される半導体圧力センサ製造用フォトマスクに関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体圧力センサは、通常シリコンウェ
ハを加工して形成されており、厚さが薄く弾力性を有す
るダイヤフラムを備えている。このダイヤフラムの表面
には、不純物を導入して形成された感歪抵抗が設けられ
ている。圧力センサに圧力が加えられると、前記ダイヤ
フラムが機械的に変形する。これにより、ダイヤフラム
の表面に設けられた感歪抵抗の抵抗値が変化する。この
抵抗値の変化を外部の検出装置で検出することにより、
圧力を検出することができる。
ハを加工して形成されており、厚さが薄く弾力性を有す
るダイヤフラムを備えている。このダイヤフラムの表面
には、不純物を導入して形成された感歪抵抗が設けられ
ている。圧力センサに圧力が加えられると、前記ダイヤ
フラムが機械的に変形する。これにより、ダイヤフラム
の表面に設けられた感歪抵抗の抵抗値が変化する。この
抵抗値の変化を外部の検出装置で検出することにより、
圧力を検出することができる。
【０００３】ところで、半導体圧力センサを製造する場
合に、ダイヤフラムは、平板状の半導体ウェハの所定領
域をエッチングして肉厚を薄くすることにより形成され
ている。このエッチングの際に使用するエッチングマス
クは、通常、密着式露光機を使用して、半導体ウェハの
表面上に設けられた感光材層に所定のパターンを転写す
ることにより形成される。また、半導体ウェハに所定の
電子回路を形成するときにも、密着式露光機を使用し
て、半導体ウェハの表面上に設けられた感光材層に所定
のパターンを転写している。
合に、ダイヤフラムは、平板状の半導体ウェハの所定領
域をエッチングして肉厚を薄くすることにより形成され
ている。このエッチングの際に使用するエッチングマス
クは、通常、密着式露光機を使用して、半導体ウェハの
表面上に設けられた感光材層に所定のパターンを転写す
ることにより形成される。また、半導体ウェハに所定の
電子回路を形成するときにも、密着式露光機を使用し
て、半導体ウェハの表面上に設けられた感光材層に所定
のパターンを転写している。
【０００４】図２は、半導体圧力センサの製造工程中の
露光工程で使用されている従来のフォトマスクを示す断
面図である。
露光工程で使用されている従来のフォトマスクを示す断
面図である。
【０００５】フォトマスク１２は、ガラス板の裏面側に
遮光材で所定のパターンが設けられたガラスフォトマス
クである。このフォトマスク１２は、チューブ１５を介
して減圧装置に接続されたパッド１４により吸着されて
露光機に装着される。一方、シリコンウェハ１１は、そ
の表面上に感光材層が形成されており、台座１３上に載
置されて露光機に搭載される。
遮光材で所定のパターンが設けられたガラスフォトマス
クである。このフォトマスク１２は、チューブ１５を介
して減圧装置に接続されたパッド１４により吸着されて
露光機に装着される。一方、シリコンウェハ１１は、そ
の表面上に感光材層が形成されており、台座１３上に載
置されて露光機に搭載される。
【０００６】露光前に、シリコンウェハ１１とフォトマ
スク１２との位置合わせ（アライメント）を行なう。そ
して、シリコンウェハ１１とフォトマスク１２とを重ね
合わせて密着させ、露光を行なう。この場合に、解像度
の点から、シリコンウェハ１１とフォトマスク１２とを
完全に密着させることが好ましい。このため、通常は、
露光機のシリコンウェハ１１及びフォトマスク１２が搭
載された部分（以下、ウェハ搭載部という）を真空引き
して、シリコンウェハ１１とフォトマスク１２との密着
性を向上させている。
スク１２との位置合わせ（アライメント）を行なう。そ
して、シリコンウェハ１１とフォトマスク１２とを重ね
合わせて密着させ、露光を行なう。この場合に、解像度
の点から、シリコンウェハ１１とフォトマスク１２とを
完全に密着させることが好ましい。このため、通常は、
露光機のシリコンウェハ１１及びフォトマスク１２が搭
載された部分（以下、ウェハ搭載部という）を真空引き
して、シリコンウェハ１１とフォトマスク１２との密着
性を向上させている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、半導体
圧力センサの製造には、ダイヤフラム部分の加工工程が
含まれることから、通常の半導体集積回路に使用される
ウェハよりも厚さが薄いウェハが使用される。このた
め、半導体圧力センサ用のウェハは、高温熱処理等によ
り変形及び反り等が発生しやすく、真空引きによりシリ
コンウェハが吸盤のようになってフォトマスクに密着
し、露光後にフォトマスクとウェハとが分離できなくな
ってしまうことがある。このような場合は、フォトマス
クを露光機から取り外して、機械的に両者を分離するこ
とが必要である。従って、シリコンウェハがフォトマス
クに吸着してしまうと、連続的な作業が中断され、生産
効率が著しく低下する。また、半導体ウェハの厚さが薄
いため、ウェハとフォトマスクとを機械的に分離すると
きに、ウェハが破損してしまうこともある。
圧力センサの製造には、ダイヤフラム部分の加工工程が
含まれることから、通常の半導体集積回路に使用される
ウェハよりも厚さが薄いウェハが使用される。このた
め、半導体圧力センサ用のウェハは、高温熱処理等によ
り変形及び反り等が発生しやすく、真空引きによりシリ
コンウェハが吸盤のようになってフォトマスクに密着
し、露光後にフォトマスクとウェハとが分離できなくな
ってしまうことがある。このような場合は、フォトマス
クを露光機から取り外して、機械的に両者を分離するこ
とが必要である。従って、シリコンウェハがフォトマス
クに吸着してしまうと、連続的な作業が中断され、生産
効率が著しく低下する。また、半導体ウェハの厚さが薄
いため、ウェハとフォトマスクとを機械的に分離すると
きに、ウェハが破損してしまうこともある。
【０００８】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、露光後に半導体ウェハとフォトマスクとを
容易に分離できて、生産効率を向上できる半導体圧力セ
ンサ製造用フォトマスクを提供することを目的とする。
のであって、露光後に半導体ウェハとフォトマスクとを
容易に分離できて、生産効率を向上できる半導体圧力セ
ンサ製造用フォトマスクを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体圧力
センサ製造用フォトマスクは、半導体ウェハに転写すべ
き所定のパターンが設けられた半導体圧力センサ製造用
フォトマスクにおいて、その表面から裏面に貫通する通
気用の孔が設けられていることを特徴とする。
センサ製造用フォトマスクは、半導体ウェハに転写すべ
き所定のパターンが設けられた半導体圧力センサ製造用
フォトマスクにおいて、その表面から裏面に貫通する通
気用の孔が設けられていることを特徴とする。
【００１０】
【作用】本発明においては、フォトマスクに通気用の孔
が設けられているため、露光終了後はこの孔を介してフ
ォトマスクと半導体ウェハとの間に気体（大気等）が侵
入する。従って、半導体ウェハがフォトマスクに吸着す
ることを回避できて、両者を容易に分離することができ
る。これにより、フォトマスクとウェハとを分離するた
めにフォトマスクを露光機から取り外す必要がなくな
り、連続作業が中断されることがなく、生産効率が向上
する。
が設けられているため、露光終了後はこの孔を介してフ
ォトマスクと半導体ウェハとの間に気体（大気等）が侵
入する。従って、半導体ウェハがフォトマスクに吸着す
ることを回避できて、両者を容易に分離することができ
る。これにより、フォトマスクとウェハとを分離するた
めにフォトマスクを露光機から取り外す必要がなくな
り、連続作業が中断されることがなく、生産効率が向上
する。
【００１１】
【実施例】次に、本発明の実施例について添付の図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１２】図１は本発明の実施例に係る半導体圧力セ
ンサ製造用フォトマスクを示す断面図である。
ンサ製造用フォトマスクを示す断面図である。
【００１３】フォトマスク２はガラス板の裏面側に遮光
材により所定のパターンが設けられたガラスフォトマス
クである。このフォトマスク２の縁部の前記所定のパタ
ーンに影響を与えない部分の数箇所（１〜４箇所）に
は、表面から裏面に貫通する通気用の孔３が設けられて
いる。このフォトマスク２は、従来と同様に、吸着パッ
ドにより吸着されて露光機に装着される。
材により所定のパターンが設けられたガラスフォトマス
クである。このフォトマスク２の縁部の前記所定のパタ
ーンに影響を与えない部分の数箇所（１〜４箇所）に
は、表面から裏面に貫通する通気用の孔３が設けられて
いる。このフォトマスク２は、従来と同様に、吸着パッ
ドにより吸着されて露光機に装着される。
【００１４】次に、上述のフォトマスクを使用した露光
工程について説明する。
工程について説明する。
【００１５】シリコンウェハ１には、予めその表面に感
光材層が設けられている。フォトマスク２及びシリコン
ウェハ１を露光機のウェハ搭載部に装着した後、両者の
位置合わせを行って、ウェハ搭載部を真空引きする。こ
れにより、フォトマスク２とシリコンウェハ１とが密着
する。その後、従来と同様に露光を行なう。
光材層が設けられている。フォトマスク２及びシリコン
ウェハ１を露光機のウェハ搭載部に装着した後、両者の
位置合わせを行って、ウェハ搭載部を真空引きする。こ
れにより、フォトマスク２とシリコンウェハ１とが密着
する。その後、従来と同様に露光を行なう。
【００１６】露光終了後にウェハ搭載部を大気圧とする
と、孔３を通って大気がフォトマスク２とシリコンウェ
ハ１との間に侵入する。これにより、シリコンウェハ１
がフォトマスク２に吸着することを回避できて、シリコ
ンウェハ１とフォトマスク２とを容易に分離することが
できる。
と、孔３を通って大気がフォトマスク２とシリコンウェ
ハ１との間に侵入する。これにより、シリコンウェハ１
がフォトマスク２に吸着することを回避できて、シリコ
ンウェハ１とフォトマスク２とを容易に分離することが
できる。
【００１７】なお、気体供給管５から孔３を介してフォ
トマスク２とウェハ１との間に強制的に気体を供給する
ようにしてもよい。これにより、ウェハ１とフォトマス
ク２との分離がより一層容易になる。また、フォトマス
クに孔を明ける部分は、ウェハの縁部の素子が形成され
ない部分、又はチップ切り出し時の消失部に対応する部
分とすることで、ウェハのチップ取れ数等に影響を与え
ることを回避できるが、回路上可能であればフォトマス
クの中心部であってもよい。
トマスク２とウェハ１との間に強制的に気体を供給する
ようにしてもよい。これにより、ウェハ１とフォトマス
ク２との分離がより一層容易になる。また、フォトマス
クに孔を明ける部分は、ウェハの縁部の素子が形成され
ない部分、又はチップ切り出し時の消失部に対応する部
分とすることで、ウェハのチップ取れ数等に影響を与え
ることを回避できるが、回路上可能であればフォトマス
クの中心部であってもよい。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、フ
ォトマスクに通気用の孔が設けられているから、露光終
了後に半導体ウェハと前記フォトマスクとの間に前記孔
を介して気体が侵入し、半導体ウェハとフォトマスクと
を容易に分離することができる。このため、連続作業が
中断されることがなく、半導体圧力センサの生産効率が
向上すると共に、無理に半導体ウェハとフォトマスクと
を分離することによるウェハの破損を回避することがで
きる。
ォトマスクに通気用の孔が設けられているから、露光終
了後に半導体ウェハと前記フォトマスクとの間に前記孔
を介して気体が侵入し、半導体ウェハとフォトマスクと
を容易に分離することができる。このため、連続作業が
中断されることがなく、半導体圧力センサの生産効率が
向上すると共に、無理に半導体ウェハとフォトマスクと
を分離することによるウェハの破損を回避することがで
きる。
【図１】本発明の実施例に係る半導体圧力センサ製造用
フォトマスクを示す断面図である。
フォトマスクを示す断面図である。
【図２】半導体圧力センサの製造工程中の露光工程で使
用されている従来のフォトマスクを示す断面図である。
用されている従来のフォトマスクを示す断面図である。
１，１１；シリコンウェハ ２，１２；フォトマスク ３；孔 １３；台座 １４；パッド
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体ウェハに転写すべき所定のパター
ンが設けられた半導体圧力センサ製造用フォトマスクに
おいて、その表面から裏面に貫通する通気用の孔が設け
られていることを特徴とする半導体圧力センサ製造用フ
ォトマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29139492A JPH06140301A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 半導体圧力センサ製造用フォトマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29139492A JPH06140301A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 半導体圧力センサ製造用フォトマスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140301A true JPH06140301A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=17768342
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29139492A Pending JPH06140301A (ja) | 1992-10-29 | 1992-10-29 | 半導体圧力センサ製造用フォトマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140301A (ja) |
-
1992
- 1992-10-29 JP JP29139492A patent/JPH06140301A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2691299B2 (ja) | 基板ホルダ | |
| US7160410B2 (en) | Method of transferring a substantially disc-shaped workpiece, and device for carrying out this method | |
| WO2002084739A1 (en) | Thin film-device manufacturing method, and semiconductor device | |
| JPH06204324A (ja) | ウエハチャック | |
| US4550612A (en) | Integrated pressure sensor | |
| JPH06140301A (ja) | 半導体圧力センサ製造用フォトマスク | |
| US20020171114A1 (en) | Diaphragm-type semiconductor device and method for manufacturing diaphragm-type semiconductor device | |
| JP2002134597A (ja) | ステージ装置 | |
| JP2880262B2 (ja) | ウエハ保持装置 | |
| US20020093086A1 (en) | Semiconductor wafer backside grinding apparatus and method | |
| JP3289514B2 (ja) | 両面アライナー用マスク | |
| JP2576257B2 (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPS61177783A (ja) | 半導体圧力センサ | |
| JP3307129B2 (ja) | 陽極接合装置 | |
| JP2809066B2 (ja) | 半導体装置の実装装置及びそれに用いられるマウントコレット | |
| JPH05218183A (ja) | 半導体ウエハ用真空チャックステージ | |
| US20140015150A1 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of same | |
| JP2001176956A (ja) | 基板チャック装置 | |
| JPH02298077A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPH0846017A (ja) | 基板の位置決め装置および位置決め方法 | |
| JP2000200824A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH03209779A (ja) | 半導体圧力センサの製造方法 | |
| JPH0263135A (ja) | 試料吸着装置 | |
| JPH05259014A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH03150863A (ja) | ウエハチャック |