JPH06140132A - 複層セラミックスヒーター - Google Patents
複層セラミックスヒーターInfo
- Publication number
- JPH06140132A JPH06140132A JP31290292A JP31290292A JPH06140132A JP H06140132 A JPH06140132 A JP H06140132A JP 31290292 A JP31290292 A JP 31290292A JP 31290292 A JP31290292 A JP 31290292A JP H06140132 A JPH06140132 A JP H06140132A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- ceramic heater
- coating layer
- heat generating
- thermal expansion
- Prior art date
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 本発明は常温から 1,300℃という昇温、降温
をくり返す試験においても支持基材と発熱層、発熱層と
被覆層とが剥離することがないので長寿命であり、かつ
高純度であることから半導体ウエハ加熱用などに好適と
される複層セラミックスヒーターの提供を目的とするも
のである。 【構成】 本発明の複層セラミックスヒーターは、電気
絶縁性セラミックスからなる支持基材の表面に導電性セ
ラミックスから発熱層を接合し、その上に電気絶縁性セ
ラミックスからなる被覆層を設けてなる複層セラミック
スヒーターにおいて、該被覆層と該支持基材との熱膨張
係数の差および該被覆層と該発熱層との熱膨張係数との
差をともに１×10-6／℃以下としてなることを特徴とす
るものである。
をくり返す試験においても支持基材と発熱層、発熱層と
被覆層とが剥離することがないので長寿命であり、かつ
高純度であることから半導体ウエハ加熱用などに好適と
される複層セラミックスヒーターの提供を目的とするも
のである。 【構成】 本発明の複層セラミックスヒーターは、電気
絶縁性セラミックスからなる支持基材の表面に導電性セ
ラミックスから発熱層を接合し、その上に電気絶縁性セ
ラミックスからなる被覆層を設けてなる複層セラミック
スヒーターにおいて、該被覆層と該支持基材との熱膨張
係数の差および該被覆層と該発熱層との熱膨張係数との
差をともに１×10-6／℃以下としてなることを特徴とす
るものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は複層セラミックスヒータ
ー、特には III・Ｖ族化合物半導体ウエハ加熱用に好適
とされる複層セラミックスヒーターに関するものであ
る。
ー、特には III・Ｖ族化合物半導体ウエハ加熱用に好適
とされる複層セラミックスヒーターに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体プロセスに使用されるヒー
ターとしては、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニ
アなどの焼結セラミックスからなる支持基材にモリブデ
ン、タングステンなどの高融点金属の線や箔を発熱体と
して巻き付けるか接着し、その上に電気絶縁性のセラミ
ックス板をのせたものが用いられてきており、これを改
良したものとしては電気絶縁性セラミックス支持基材上
に導電性セラミックスの発熱層を設け、これに電気絶縁
性セラミックスの被覆を施したセラミックスヒーターも
開発されている。
ターとしては、アルミナ、窒化アルミニウム、ジルコニ
アなどの焼結セラミックスからなる支持基材にモリブデ
ン、タングステンなどの高融点金属の線や箔を発熱体と
して巻き付けるか接着し、その上に電気絶縁性のセラミ
ックス板をのせたものが用いられてきており、これを改
良したものとしては電気絶縁性セラミックス支持基材上
に導電性セラミックスの発熱層を設け、これに電気絶縁
性セラミックスの被覆を施したセラミックスヒーターも
開発されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来公知
のヒーターには発熱体が金属製であるために変形や脆化
が起り易く、短寿命であり、また組み立ても煩雑である
という問題点があり、またこれを改良したものは発熱体
がセラミックスなので長寿命であり、絶縁用被覆層と発
熱体が支持基材と一体化しているために組み立ても容易
であるけれども、このものは被覆層と発熱体が支持基材
と一体化しているためにそれらの熱膨張の差によって温
度が変化すると接合部に熱応力が発生し、支持部と発熱
層、発熱層と被覆層とが剥離するという欠点がある。
のヒーターには発熱体が金属製であるために変形や脆化
が起り易く、短寿命であり、また組み立ても煩雑である
という問題点があり、またこれを改良したものは発熱体
がセラミックスなので長寿命であり、絶縁用被覆層と発
熱体が支持基材と一体化しているために組み立ても容易
であるけれども、このものは被覆層と発熱体が支持基材
と一体化しているためにそれらの熱膨張の差によって温
度が変化すると接合部に熱応力が発生し、支持部と発熱
層、発熱層と被覆層とが剥離するという欠点がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような不
利、欠点を解決した複層セラミックスヒーターに関する
もので、これは電気絶縁性セラミックスからなる支持基
材の表面に導電性セラミックスからなる発熱層を接合
し、その上に電気絶縁性セラミックスからなる被覆層を
設けてなる複層セラミックスヒーターにおいて、該被覆
層と該支持部材との熱膨張係数の差および該被覆層と該
発熱層との熱膨張係数の差をともに１×10-6／℃以下と
してなることを特徴とするものである。
利、欠点を解決した複層セラミックスヒーターに関する
もので、これは電気絶縁性セラミックスからなる支持基
材の表面に導電性セラミックスからなる発熱層を接合
し、その上に電気絶縁性セラミックスからなる被覆層を
設けてなる複層セラミックスヒーターにおいて、該被覆
層と該支持部材との熱膨張係数の差および該被覆層と該
発熱層との熱膨張係数の差をともに１×10-6／℃以下と
してなることを特徴とするものである。
【０００５】すなわち、本発明者らは従来公知の複層セ
ラミックスヒーターにおける接合部の剥離を防止する方
法について種々検討した結果、これについては電気絶縁
性セラミックスからなる支持基材の上に導電性セラミッ
クスからなる発熱層を接合し、この上に電気絶縁性セラ
ミックスからなる被覆層を設けた公知の複層セラミック
スヒーターにおいて、この被覆層と支持基材および被覆
層と発熱層の熱膨張係数の差を１×10-6／℃以下とする
と、この接合部での剥離が起らなくなるということを見
出し、このものを半導体プロセスに使用するときの電気
絶縁性セラミックス部材、導電性セラミックスの種類、
この熱膨張係数のコントロール方法などについての研究
を進めて本発明を完成させた。
ラミックスヒーターにおける接合部の剥離を防止する方
法について種々検討した結果、これについては電気絶縁
性セラミックスからなる支持基材の上に導電性セラミッ
クスからなる発熱層を接合し、この上に電気絶縁性セラ
ミックスからなる被覆層を設けた公知の複層セラミック
スヒーターにおいて、この被覆層と支持基材および被覆
層と発熱層の熱膨張係数の差を１×10-6／℃以下とする
と、この接合部での剥離が起らなくなるということを見
出し、このものを半導体プロセスに使用するときの電気
絶縁性セラミックス部材、導電性セラミックスの種類、
この熱膨張係数のコントロール方法などについての研究
を進めて本発明を完成させた。
【０００６】
【作用】本発明は複層セラミックスヒーターに関するも
のであり、これは電気絶縁性セラミックスからなる支持
基材の表面に導電性セラミックスからなる発熱層を接合
し、その上に電気絶縁性セラミックスからなる被覆層を
設けてなる複層セラミックスヒーターにおいて、該被覆
層と該支持部材および該被覆層と該発熱層との熱膨張係
数の差を１×10-6／℃以下としてなることを特徴とする
ものであるが、これによれば支持部材と発熱層、発熱層
と被覆層との剥離がなくなるのでこのヒーターは寿命の
長いものになるという有利性が与えられる。
のであり、これは電気絶縁性セラミックスからなる支持
基材の表面に導電性セラミックスからなる発熱層を接合
し、その上に電気絶縁性セラミックスからなる被覆層を
設けてなる複層セラミックスヒーターにおいて、該被覆
層と該支持部材および該被覆層と該発熱層との熱膨張係
数の差を１×10-6／℃以下としてなることを特徴とする
ものであるが、これによれば支持部材と発熱層、発熱層
と被覆層との剥離がなくなるのでこのヒーターは寿命の
長いものになるという有利性が与えられる。
【０００７】本発明の複層セラミックスヒーターは電気
絶縁性セラミックスからなる支持基材の表面に導電性セ
ラミックスからなる発熱層を接合し、その上に電気絶縁
性セラミックスからなる被覆層を設けてなるものである
ので、この構成自体は公知のものである。しかし、この
公知の複層セラミックスヒーターでは支持基材と発熱層
および被覆層が接合一体化されているものの、これらは
熱膨張係数に差があるために室温から加熱温度である
1,300℃までの昇温、降温をくり返しているとこの温度
の変化によって接合部に熱応力が発生し、これによって
支持基材と発熱層、発熱層と被覆層とがその接合面で剥
離してこの構成がくずれ使用に耐えなくなるという重大
な欠点がある。
絶縁性セラミックスからなる支持基材の表面に導電性セ
ラミックスからなる発熱層を接合し、その上に電気絶縁
性セラミックスからなる被覆層を設けてなるものである
ので、この構成自体は公知のものである。しかし、この
公知の複層セラミックスヒーターでは支持基材と発熱層
および被覆層が接合一体化されているものの、これらは
熱膨張係数に差があるために室温から加熱温度である
1,300℃までの昇温、降温をくり返しているとこの温度
の変化によって接合部に熱応力が発生し、これによって
支持基材と発熱層、発熱層と被覆層とがその接合面で剥
離してこの構成がくずれ使用に耐えなくなるという重大
な欠点がある。
【０００８】しかるに本発明にしたがって、この被覆層
と支持基材および被覆層と発熱層との間の熱膨張係数の
差を１×10-6／℃以下とすると、両者の熱膨張の差によ
り発生する接合部の熱応力がその接合強度より小さいも
のとなるので、この接合部での剥離がなくなるという効
果が与えられ、したがってこれによればこの複層セラミ
ックスヒーターを常法により常温から 1,300℃までの昇
温、降温をくり返してもその温度変化によってこの発熱
層、被覆層がその接合面から剥離することがなくなり、
したがってこのヒーターは寿命の長いものになるという
有利性が与えられる。
と支持基材および被覆層と発熱層との間の熱膨張係数の
差を１×10-6／℃以下とすると、両者の熱膨張の差によ
り発生する接合部の熱応力がその接合強度より小さいも
のとなるので、この接合部での剥離がなくなるという効
果が与えられ、したがってこれによればこの複層セラミ
ックスヒーターを常法により常温から 1,300℃までの昇
温、降温をくり返してもその温度変化によってこの発熱
層、被覆層がその接合面から剥離することがなくなり、
したがってこのヒーターは寿命の長いものになるという
有利性が与えられる。
【０００９】本発明の複層セラミックスヒーターは上記
したように支持基材、発熱層、被覆層とからなるものと
される。この支持基材は電気絶縁性セラミックスからな
るもとされるが、本発明の複層セラミックスヒーターが
特に半導体プロセスへの使用を目的とするものであり、
この半導体プロセスには III、IV族化合物半導体も含ま
れることから、これはそれとは同族化合物である窒化ほ
う素からなるものとすることがよいが、この窒化ほう素
は例えばアンモニアと三塩化ほう素とを 1,900〜2,100
℃、10トールの条件下で反応させることによって得られ
るものとすればよく、このようにして得られた熱分解窒
化ほう素は熱膨張係数が２〜４×10-6／℃のものとな
る。
したように支持基材、発熱層、被覆層とからなるものと
される。この支持基材は電気絶縁性セラミックスからな
るもとされるが、本発明の複層セラミックスヒーターが
特に半導体プロセスへの使用を目的とするものであり、
この半導体プロセスには III、IV族化合物半導体も含ま
れることから、これはそれとは同族化合物である窒化ほ
う素からなるものとすることがよいが、この窒化ほう素
は例えばアンモニアと三塩化ほう素とを 1,900〜2,100
℃、10トールの条件下で反応させることによって得られ
るものとすればよく、このようにして得られた熱分解窒
化ほう素は熱膨張係数が２〜４×10-6／℃のものとな
る。
【００１０】また、ここに使用される発熱層は導電性セ
ラミックスからなるものとされるが、これは支持基材と
しての窒化ほう素などとの付着性が比較的よいというこ
とから熱分解グラファイトからなるものとすればよく、
このものは例えばメタンガスを 1,900〜2,200 ℃、５ト
ールという条件下で熱分解することによって得たものと
すればよく、このようにして得られた熱分解グラファイ
トは熱膨張係数が１〜３×10-6／℃のものとなる。
ラミックスからなるものとされるが、これは支持基材と
しての窒化ほう素などとの付着性が比較的よいというこ
とから熱分解グラファイトからなるものとすればよく、
このものは例えばメタンガスを 1,900〜2,200 ℃、５ト
ールという条件下で熱分解することによって得たものと
すればよく、このようにして得られた熱分解グラファイ
トは熱膨張係数が１〜３×10-6／℃のものとなる。
【００１１】なお、ここに使用される被覆層は電気絶縁
性セラミックスからなるものとされるが、これは支持基
材と同じものとしてもよく、したがってこれが窒化ほう
素、窒化けい素であるときには支持基材の製造方法と同
じ方法で作られたものとすればよいが、これは窒化けい
素でもよく、この窒化けい素は熱膨張係数が２〜４×10
-6／℃のものとなる。
性セラミックスからなるものとされるが、これは支持基
材と同じものとしてもよく、したがってこれが窒化ほう
素、窒化けい素であるときには支持基材の製造方法と同
じ方法で作られたものとすればよいが、これは窒化けい
素でもよく、この窒化けい素は熱膨張係数が２〜４×10
-6／℃のものとなる。
【００１２】このようにして作られた支持基材、発熱層
および被覆層の熱膨張係数は上記したようなものとなる
が、これの被覆層と支持基材、被覆層と発熱層との熱膨
張係数の差が１×10-6／℃のものとすることが必要とさ
れるので、これらはそれを製造するときの温度、眞空度
などを調整してその熱膨張係数の差が１×10-6／℃以下
となるようにすればよい。
および被覆層の熱膨張係数は上記したようなものとなる
が、これの被覆層と支持基材、被覆層と発熱層との熱膨
張係数の差が１×10-6／℃のものとすることが必要とさ
れるので、これらはそれを製造するときの温度、眞空度
などを調整してその熱膨張係数の差が１×10-6／℃以下
となるようにすればよい。
【００１３】なお、このようにして作られた複層セラミ
ックスヒーターはその被覆層と支持基材、被覆層と発熱
層との熱膨張係数の差が１×10-6／℃以下とされている
ので、この発熱層と被覆層が支持基材から剥離すること
がなくなり、したがって寿命の長いものとなるけれど
も、このものはこれを III、Ｖ族化合物半導体などの加
熱プロセスに使用してもこれがIV族元素で汚染されるこ
とはないし、この窒化ほう素、グラファイトは化学気相
蒸着法で作られたもので、焼結法で製造されたものに比
べてバインダーなどの不純物が含まれていない高純度の
ものであるので、これは半導体プロセスに使用しても不
純物によって汚染されるおそれはないという有利性が与
えられる。
ックスヒーターはその被覆層と支持基材、被覆層と発熱
層との熱膨張係数の差が１×10-6／℃以下とされている
ので、この発熱層と被覆層が支持基材から剥離すること
がなくなり、したがって寿命の長いものとなるけれど
も、このものはこれを III、Ｖ族化合物半導体などの加
熱プロセスに使用してもこれがIV族元素で汚染されるこ
とはないし、この窒化ほう素、グラファイトは化学気相
蒸着法で作られたもので、焼結法で製造されたものに比
べてバインダーなどの不純物が含まれていない高純度の
ものであるので、これは半導体プロセスに使用しても不
純物によって汚染されるおそれはないという有利性が与
えられる。
【００１４】
【実施例】つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。 実施例１ アンモニアと三塩化ほう素とを 2,000℃、10トールの条
件下で反応させて直径80mm、厚さ１mmの熱分解窒化ほう
素製円板を作ったのち、この表面上でメタンガスを 1,8
00℃、５トールの条件下で熱分解してこの上に厚さ10μ
ｍの熱分解グラファイト層を形成したのち、これにヒー
ターパターンを加工して発熱層とした。
件下で反応させて直径80mm、厚さ１mmの熱分解窒化ほう
素製円板を作ったのち、この表面上でメタンガスを 1,8
00℃、５トールの条件下で熱分解してこの上に厚さ10μ
ｍの熱分解グラファイト層を形成したのち、これにヒー
ターパターンを加工して発熱層とした。
【００１５】つぎに、この発熱層の表面でアンモニアと
三塩化ほう素を 2,000℃、10トールの条件下で反応させ
て、この上に厚さ 100μｍの熱分解窒化ほう素被覆層を
設けて複層セラミックスヒーターを作ったところ、この
被覆層と支持基材、被覆層と発熱層との熱膨張係数の差
は１×10-6／℃となったので、このものを室温から1,30
0 ℃まで 100回昇温、降温をくり返したが、これには支
持基材と発熱層、発熱層と被覆層との剥離は発生しなか
った。
三塩化ほう素を 2,000℃、10トールの条件下で反応させ
て、この上に厚さ 100μｍの熱分解窒化ほう素被覆層を
設けて複層セラミックスヒーターを作ったところ、この
被覆層と支持基材、被覆層と発熱層との熱膨張係数の差
は１×10-6／℃となったので、このものを室温から1,30
0 ℃まで 100回昇温、降温をくり返したが、これには支
持基材と発熱層、発熱層と被覆層との剥離は発生しなか
った。
【００１６】実施例２ アンモニアと三塩化ほう素とを 2,000℃、10トールの条
件下で反応させて、直径80mm、厚さ１mmの熱分解窒化ほ
う素円板を作り、ついでこの支持基材の上でメタンガス
を 2,000℃、５トールで熱分解して、この支持部材の上
に厚さ10μｍの熱分解グラファイト層を設け、これにヒ
ーターパターンを加工してこれを発熱層とした。
件下で反応させて、直径80mm、厚さ１mmの熱分解窒化ほ
う素円板を作り、ついでこの支持基材の上でメタンガス
を 2,000℃、５トールで熱分解して、この支持部材の上
に厚さ10μｍの熱分解グラファイト層を設け、これにヒ
ーターパターンを加工してこれを発熱層とした。
【００１７】つぎにこの発熱層の上でアンモニアと三塩
化ほう素とを 1,900℃、10トールで反応させてこの上に
厚さ50μｍの窒化ほう素被覆を施して複層セラミックス
ヒーターを作ったところ、このものは被覆層と支持基材
との熱膨張係数の差が 0.1×10-6／℃であり、被覆層と
発熱層との熱膨張係数の差が 0.4×10-6／℃であったの
で、これを室温から 1,300℃まで 100回、昇温、降温を
くり返したが、この支持基材と発熱層、発熱層と被覆層
との接合部で剥離は発生しなかった。
化ほう素とを 1,900℃、10トールで反応させてこの上に
厚さ50μｍの窒化ほう素被覆を施して複層セラミックス
ヒーターを作ったところ、このものは被覆層と支持基材
との熱膨張係数の差が 0.1×10-6／℃であり、被覆層と
発熱層との熱膨張係数の差が 0.4×10-6／℃であったの
で、これを室温から 1,300℃まで 100回、昇温、降温を
くり返したが、この支持基材と発熱層、発熱層と被覆層
との接合部で剥離は発生しなかった。
【００１８】比較例 アンモニアと三塩化ほう素とを 2,000℃、10トールの条
件下で反応させて、直径80mm、厚さ１mmの熱分解窒化ほ
う素円板を作り、ついでこの円板上でメタンガスを 2,0
00℃、５トールで反応させてこの円板上に厚さ10μｍの
熱分解グラファイト層を設け、これにヒーターパターン
を加工して発熱層を作った。
件下で反応させて、直径80mm、厚さ１mmの熱分解窒化ほ
う素円板を作り、ついでこの円板上でメタンガスを 2,0
00℃、５トールで反応させてこの円板上に厚さ10μｍの
熱分解グラファイト層を設け、これにヒーターパターン
を加工して発熱層を作った。
【００１９】つぎにこの発熱層にこの上でアンモニアと
三塩化ほう素とを 1,800℃、５トールの条件下で反応さ
せて、ここに厚さ 100μｍの窒化ほう素被覆層を形成さ
せて複層セラミックスヒーターを作ったところ、このも
のは被覆層と支持基材との熱膨張係数の差が、1.2 ×10
-6／℃であり、被覆層と発熱層との熱膨張係数の差が２
×10-6／℃であることから、これについて実施例１と同
様に試験したところ、このものは15回の昇温、降温のく
り返しで支持基材と発熱層、発熱層と被覆層との間の接
合部で剥離が発生した。
三塩化ほう素とを 1,800℃、５トールの条件下で反応さ
せて、ここに厚さ 100μｍの窒化ほう素被覆層を形成さ
せて複層セラミックスヒーターを作ったところ、このも
のは被覆層と支持基材との熱膨張係数の差が、1.2 ×10
-6／℃であり、被覆層と発熱層との熱膨張係数の差が２
×10-6／℃であることから、これについて実施例１と同
様に試験したところ、このものは15回の昇温、降温のく
り返しで支持基材と発熱層、発熱層と被覆層との間の接
合部で剥離が発生した。
【００２０】
【発明の効果】本発明は複層セラミックスヒーターに関
するものであり、これは前記したように電気絶縁性セラ
ミックスからなる支持基材の表面に導電性セラミックス
からなる発熱層を接合し、その上に電気絶縁性セラミッ
クスからなる被覆層を設けてなる複層セラミックスヒー
ターにおいて、該被覆層と該支持部材および該被覆層と
該発熱層との熱膨張係数の差をともに１×10-6／℃以下
としてなることを特徴とするものであるが、このものは
その被覆層と支持基材および被覆層と発熱層との熱膨張
係数の差が１×10-6／℃とされていて、両者の熱膨張係
数の差により発生する熱応力がその接合強度より小さい
ものとなるので、この複層セラミックスヒーターはこれ
を常温から 1,300℃という昇温、降温をくり返しても支
持基材と発熱層、発熱層と被覆層とが剥離することがな
く、したがって寿命の極めて長いものになるという有利
性が与えられる。
するものであり、これは前記したように電気絶縁性セラ
ミックスからなる支持基材の表面に導電性セラミックス
からなる発熱層を接合し、その上に電気絶縁性セラミッ
クスからなる被覆層を設けてなる複層セラミックスヒー
ターにおいて、該被覆層と該支持部材および該被覆層と
該発熱層との熱膨張係数の差をともに１×10-6／℃以下
としてなることを特徴とするものであるが、このものは
その被覆層と支持基材および被覆層と発熱層との熱膨張
係数の差が１×10-6／℃とされていて、両者の熱膨張係
数の差により発生する熱応力がその接合強度より小さい
ものとなるので、この複層セラミックスヒーターはこれ
を常温から 1,300℃という昇温、降温をくり返しても支
持基材と発熱層、発熱層と被覆層とが剥離することがな
く、したがって寿命の極めて長いものになるという有利
性が与えられる。
Claims (3)
- 【請求項１】電気絶縁性セラミックスからなる支持基材
の表面に導電性セラミックスからなる発熱層を接合し、
その上に電気絶縁性セラミックスからなる被覆層を設け
てなる複層セラミックスヒーターにおいて、該被覆層と
該支持基材との熱膨張係数の差および該被覆層と該発熱
層との熱膨張係数の差をともに１×10-6／℃以下として
なることを特徴とする複層セラミックスヒーター。 - 【請求項２】該支持基材と該被覆層が窒化ほう素であ
り、該発熱層がグラファイトである請求項１に記載した
複層セラミックスヒーター。 - 【請求項３】複層セラミックスヒーターが化学気相蒸着
法で製造される請求項１に記載した複層セラミックスヒ
ーター。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31290292A JPH06140132A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 複層セラミックスヒーター |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31290292A JPH06140132A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 複層セラミックスヒーター |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06140132A true JPH06140132A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=18034840
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31290292A Pending JPH06140132A (ja) | 1992-10-28 | 1992-10-28 | 複層セラミックスヒーター |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06140132A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2071610A2 (en) | 2007-10-26 | 2009-06-17 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Corrosion-resistant multilayer ceramic member |
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