JPH06138048A - 表面欠陥検査装置 - Google Patents
表面欠陥検査装置Info
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- JPH06138048A JPH06138048A JP13418391A JP13418391A JPH06138048A JP H06138048 A JPH06138048 A JP H06138048A JP 13418391 A JP13418391 A JP 13418391A JP 13418391 A JP13418391 A JP 13418391A JP H06138048 A JPH06138048 A JP H06138048A
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- vacuum container
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Abstract
(57)【要約】
【目的】検出感度を良好にする。
【構成】超高真空容器１に着脱可能に取り付けられた光
源ユニット１１により半導体基板２の下側にレーザ光を
照射し、石英ファイバからなりかつ集光面が球面形状で
ある光ファイバ６により半導体基板２の表面からの散
乱、反射光を光電子倍増管１５に導く。
源ユニット１１により半導体基板２の下側にレーザ光を
照射し、石英ファイバからなりかつ集光面が球面形状で
ある光ファイバ６により半導体基板２の表面からの散
乱、反射光を光電子倍増管１５に導く。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は真空容器内の半導体基
板等の基板の表面の欠陥を検査する表面欠陥検査装置に
関するものである。
板等の基板の表面の欠陥を検査する表面欠陥検査装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の表面欠陥検査装置においては、特
開昭６２−１２８４４号公報に示されるように、大気中
から真空窓を通して真空容器内にレーザ光線を導入し、
真空容器内の基板表面からの散乱、反射光をレーザ光線
導出用真空窓を介して真空容器の外に設けられた検出器
により検出している。
開昭６２−１２８４４号公報に示されるように、大気中
から真空窓を通して真空容器内にレーザ光線を導入し、
真空容器内の基板表面からの散乱、反射光をレーザ光線
導出用真空窓を介して真空容器の外に設けられた検出器
により検出している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この表面欠陥検査装置
においては、基板の表面と検出器との距離を大きいか
ら、散乱、反射光を検出器に確実に導くことができない
ので、検出感度がたとえば０．５μｍ以上と良好ではな
い。
においては、基板の表面と検出器との距離を大きいか
ら、散乱、反射光を検出器に確実に導くことができない
ので、検出感度がたとえば０．５μｍ以上と良好ではな
い。
【０００４】この発明は上述の課題を解決するためにな
されたもので、検出感度が良好である表面欠陥検査装置
を提供することを目的とする。
されたもので、検出感度が良好である表面欠陥検査装置
を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明においては、真空容器内の基板の表面に光
を照射し、上記基板の表面からの散乱、反射光を上記真
空容器の外に設けた検出器に導く表面欠陥検査装置にお
いて、上記真空容器内に上記検出器に上記散乱、反射光
を導くための光ファイバを設ける。
め、この発明においては、真空容器内の基板の表面に光
を照射し、上記基板の表面からの散乱、反射光を上記真
空容器の外に設けた検出器に導く表面欠陥検査装置にお
いて、上記真空容器内に上記検出器に上記散乱、反射光
を導くための光ファイバを設ける。
【０００６】この場合、上記基板の下側に上記光を照射
するのが好ましい。
するのが好ましい。
【０００７】また、上記光ファイバの集光面を球面形状
とするのが好ましい。
とするのが好ましい。
【０００８】また、上記光ファイバを石英ファイバで構
成するのが好ましい。
成するのが好ましい。
【０００９】また、上記光の光源を上記真空容器に着脱
可能に取り付けるのが好ましい。
可能に取り付けるのが好ましい。
【００１０】また、表面欠陥検査装置を薄膜形成装置に
接続してもよい。
接続してもよい。
【００１１】この場合、上記薄膜形成装置の基板搬送室
にゲートバルブを介して接続するのが好ましい。
にゲートバルブを介して接続するのが好ましい。
【００１２】
【作用】この表面欠陥検査装置においては、基板の表面
と光ファイバの集光面との距離を小さくすることができ
るから、散乱、反射光を検出器に確実に導くことができ
る。
と光ファイバの集光面との距離を小さくすることができ
るから、散乱、反射光を検出器に確実に導くことができ
る。
【００１３】また、基板の下側に光を照射すれば、基板
を真空容器内に搬入する際に、基板を裏返しすることな
く、基板の表面欠陥を検査することができる。
を真空容器内に搬入する際に、基板を裏返しすることな
く、基板の表面欠陥を検査することができる。
【００１４】また、光ファイバの集光面を球面形状とす
れば、集光効率が向上する。
れば、集光効率が向上する。
【００１５】さらに、光ファイバを石英ファイバで構成
すれば、放出ガスが少ない。
すれば、放出ガスが少ない。
【００１６】また、光の光源を真空容器に着脱可能に取
り付ければ、真空容器内を加熱するときに、光源を退避
させることにより、光源の損傷を防止することができ
る。
り付ければ、真空容器内を加熱するときに、光源を退避
させることにより、光源の損傷を防止することができ
る。
【００１７】さらに、表面欠陥検査装置を薄膜形成装置
に接続すれば、製造中の基板の表面欠陥を検査すること
ができる。
に接続すれば、製造中の基板の表面欠陥を検査すること
ができる。
【００１８】また、薄膜形成装置の基板搬送室にゲート
バルブを介して接続すれば、薄膜形成装置中に異物が混
入するのを防止することができる。
バルブを介して接続すれば、薄膜形成装置中に異物が混
入するのを防止することができる。
【００１９】
【実施例】図１はこの発明に係る表面欠陥検査装置を示
す概略断面図である。図において、１は超高真空容器、
９は超高真空容器１に取り付けられた真空ポンプ、３は
超高真空容器１に設けられた基板マニプレータ、２は基
板マニプレータ３に下向き（表面が下側）に保持された
半導体基板で、半導体基板２は超高真空容器１内に位置
しており、基板マニプレータ３は半導体基板２を回転
し、上下移動するとともに、図１紙面左右方向に移動可
能である。１０は超高真空容器１に設けられた真空窓
で、真空窓１０は超高真空容器１にメタルシールされて
いる。１６は超高真空容器１の真空窓１０部に取り付け
られた遮光筒、１２はレーザ光源、１３はレーザ光源１
２から発生したレーザ光を半導体基板２の表面に照射す
るための光学系、１１はレーザ光源１２、光学系１３に
よって構成された光源ユニットで、光源ユニット１１は
超高真空容器１に着脱可能に取り付けられている。４は
超高真空容器１内の真空窓１０部に取り付けられたホル
ダ、８は超高真空容器１に設けられた真空窓で、真空窓
８は超高真空容器１にメタルシールされている。１５は
超高真空容器１の真空窓８部に取り付けられた光電子倍
増管、６は一端がホルダ４に取り付けられ、他端が真空
窓８に取り付けられた光ファイバで、光ファイバ６は石
英ファイバで構成されており、光ファイバ６の両端は束
ねられてライトガイド６ａ、６ｂを構成しており、ライ
トガイド６ａは数個に分割されて、円形に設けられてお
り、ライトガイド６ａの集光面は半導体基板２の表面に
中心を有する球面形状となっている。１４は超高真空容
器１に設けられた搬送棒で、超高真空容器１、真空ポン
プ９、光源ユニット１１、光電子倍増管１５、光ファイ
バ６等で表面欠陥検査装置１７が構成されている。
す概略断面図である。図において、１は超高真空容器、
９は超高真空容器１に取り付けられた真空ポンプ、３は
超高真空容器１に設けられた基板マニプレータ、２は基
板マニプレータ３に下向き（表面が下側）に保持された
半導体基板で、半導体基板２は超高真空容器１内に位置
しており、基板マニプレータ３は半導体基板２を回転
し、上下移動するとともに、図１紙面左右方向に移動可
能である。１０は超高真空容器１に設けられた真空窓
で、真空窓１０は超高真空容器１にメタルシールされて
いる。１６は超高真空容器１の真空窓１０部に取り付け
られた遮光筒、１２はレーザ光源、１３はレーザ光源１
２から発生したレーザ光を半導体基板２の表面に照射す
るための光学系、１１はレーザ光源１２、光学系１３に
よって構成された光源ユニットで、光源ユニット１１は
超高真空容器１に着脱可能に取り付けられている。４は
超高真空容器１内の真空窓１０部に取り付けられたホル
ダ、８は超高真空容器１に設けられた真空窓で、真空窓
８は超高真空容器１にメタルシールされている。１５は
超高真空容器１の真空窓８部に取り付けられた光電子倍
増管、６は一端がホルダ４に取り付けられ、他端が真空
窓８に取り付けられた光ファイバで、光ファイバ６は石
英ファイバで構成されており、光ファイバ６の両端は束
ねられてライトガイド６ａ、６ｂを構成しており、ライ
トガイド６ａは数個に分割されて、円形に設けられてお
り、ライトガイド６ａの集光面は半導体基板２の表面に
中心を有する球面形状となっている。１４は超高真空容
器１に設けられた搬送棒で、超高真空容器１、真空ポン
プ９、光源ユニット１１、光電子倍増管１５、光ファイ
バ６等で表面欠陥検査装置１７が構成されている。
【００２０】この表面欠陥検査装置においては、まず超
高真空容器１内を真空ポンプ９により１０~8Ｐａ以下の
超高真空に排気したのち、基板マニプレータ３を下降し
て、半導体基板２の表面と光ファイバ６の集光面との距
離を小さくし、基板マニプレータ３により半導体基板２
を回転するとともに、図１紙面左方に移動しながら、光
源ユニット１１からレーザ光を半導体基板２の表面に照
射すれば、半導体基板２の表面からの散乱、反射光はラ
イトガイド６ａに集光されたのち、光ファイバ６、真空
窓８を介して光電子倍増管１５に導かれ、信号処理部
（図示せず）で光電変換され、半導体基板２の表面上の
欠陥、異物の分布計測が行なわれる。
高真空容器１内を真空ポンプ９により１０~8Ｐａ以下の
超高真空に排気したのち、基板マニプレータ３を下降し
て、半導体基板２の表面と光ファイバ６の集光面との距
離を小さくし、基板マニプレータ３により半導体基板２
を回転するとともに、図１紙面左方に移動しながら、光
源ユニット１１からレーザ光を半導体基板２の表面に照
射すれば、半導体基板２の表面からの散乱、反射光はラ
イトガイド６ａに集光されたのち、光ファイバ６、真空
窓８を介して光電子倍増管１５に導かれ、信号処理部
（図示せず）で光電変換され、半導体基板２の表面上の
欠陥、異物の分布計測が行なわれる。
【００２１】このような表面欠陥検査装置においては、
半導体基板２の表面と光ファイバ６の集光面との距離を
小さくすることができるから、散乱、反射光を光電子倍
増管１５に確実に導くことができるので、検出感度をた
とえば０．２μｍ以上と良好にすることができる。ま
た、半導体基板２の下側に光を照射するから、半導体基
板２を超高真空容器１内に搬入する際に、半導体基板２
を裏返しすることなく、半導体基板２の表面欠陥を検査
することができるので、構成が簡単であり、製造コスト
が安価になる。また、ライトガイド６ａの集光面を球面
形状としているから、集光効率が向上するので、検出感
度をさらに良好にすることができる。さらに、光ファイ
バ６を石英ファイバで構成しているから、放出ガスが少
ないので、真空度が悪くなることがない。また、光源ユ
ニット１１を超高真空容器１に着脱可能に取り付けてい
るから、超高真空容器１内を加熱するときに、光源ユニ
ット１１を退避させれば、光源ユニット１１の損傷を防
止することができるので、光源ユニット１１の寿命を向
上することができる。
半導体基板２の表面と光ファイバ６の集光面との距離を
小さくすることができるから、散乱、反射光を光電子倍
増管１５に確実に導くことができるので、検出感度をた
とえば０．２μｍ以上と良好にすることができる。ま
た、半導体基板２の下側に光を照射するから、半導体基
板２を超高真空容器１内に搬入する際に、半導体基板２
を裏返しすることなく、半導体基板２の表面欠陥を検査
することができるので、構成が簡単であり、製造コスト
が安価になる。また、ライトガイド６ａの集光面を球面
形状としているから、集光効率が向上するので、検出感
度をさらに良好にすることができる。さらに、光ファイ
バ６を石英ファイバで構成しているから、放出ガスが少
ないので、真空度が悪くなることがない。また、光源ユ
ニット１１を超高真空容器１に着脱可能に取り付けてい
るから、超高真空容器１内を加熱するときに、光源ユニ
ット１１を退避させれば、光源ユニット１１の損傷を防
止することができるので、光源ユニット１１の寿命を向
上することができる。
【００２２】図２は図１に示した表面欠陥検査装置を薄
膜形成装置に接続した状態を示す概略平面図である。図
において、２２は導入室、２３は導入室２２に設けられ
た基板カセットで、導入室２２は基板カセット２３の上
下機構（図示せず）を有している。２６は導入室２２に
接続された基板搬送室で、基板搬送室２６に表面欠陥検
査装置１７が接続されている。２４は導入室２２と基板
搬送室２６との間に設けられたゲートバルブ、２７は基
板搬送室２６内に設けられた基板カセットで、基板カセ
ット２７の構造は基板カセット２３の構造と同一であ
り、基板搬送室２６は基板カセット２７の上下機構（図
示せず）を有している。２５は半導体基板２を基板カセ
ット２３と基板カセット２７との間で搬送する搬送棒、
３２は基板搬送室２６に接続された成長室、３３は成長
室内に設けられた基板加熱回転マニプレータ、３０は成
長室３２と基板搬送室２６との間に設けられたゲートバ
ルブ、２９は基板搬送室２６内に設けられた基板受渡し
位置、３１は半導体基板２を基板加熱回転マニプレータ
３３と基板受渡し位置２９との間で搬送する搬送棒、３
４は基板搬送室２６と表面欠陥検査装置１７との間に設
けられたゲートバルブで、搬送棒１４は半導体基板２を
基板マニプレータ３と基板受渡し位置２９との間で搬送
する。
膜形成装置に接続した状態を示す概略平面図である。図
において、２２は導入室、２３は導入室２２に設けられ
た基板カセットで、導入室２２は基板カセット２３の上
下機構（図示せず）を有している。２６は導入室２２に
接続された基板搬送室で、基板搬送室２６に表面欠陥検
査装置１７が接続されている。２４は導入室２２と基板
搬送室２６との間に設けられたゲートバルブ、２７は基
板搬送室２６内に設けられた基板カセットで、基板カセ
ット２７の構造は基板カセット２３の構造と同一であ
り、基板搬送室２６は基板カセット２７の上下機構（図
示せず）を有している。２５は半導体基板２を基板カセ
ット２３と基板カセット２７との間で搬送する搬送棒、
３２は基板搬送室２６に接続された成長室、３３は成長
室内に設けられた基板加熱回転マニプレータ、３０は成
長室３２と基板搬送室２６との間に設けられたゲートバ
ルブ、２９は基板搬送室２６内に設けられた基板受渡し
位置、３１は半導体基板２を基板加熱回転マニプレータ
３３と基板受渡し位置２９との間で搬送する搬送棒、３
４は基板搬送室２６と表面欠陥検査装置１７との間に設
けられたゲートバルブで、搬送棒１４は半導体基板２を
基板マニプレータ３と基板受渡し位置２９との間で搬送
する。
【００２３】この薄膜形成装置においては、数枚の半導
体基板２を基板カセット２３に下向きに挿入し、導入室
２２内を超高真空に排気したのち、ゲートバルブ２４を
開にして、搬送棒２５により半導体基板２を基板カセッ
ト２３から基板カセット２７に移し換える。つぎに、ゲ
ートバルブ２４を閉にし、基板搬送室２６内を超高真空
に排気したのち、搬送棒２８により半導体基板２を基板
カセット２７から基板受渡し位置２９に移し換える。つ
ぎに、ゲートバルブ３４を開にして、搬送棒１４により
半導体基板２を基板受渡し位置２９から基板マニプレー
タ３に移し換え、ゲートバルブ３４を閉にしたのち、光
源ユニット１１からレーザ光を半導体基板２の表面に照
射すれば、半導体基板２の表面上の欠陥、異物の分布計
測が行なわれる。つぎに、ゲートバルブ３４を開にし
て、搬送棒１４により半導体基板２を基板マニプレータ
３から基板受渡し位置２９に移し換え、ゲートバルブ３
４を閉にしたのち、ゲートバルブ３０を開にして、搬送
棒３１により半導体基板２を基板受渡し位置２９から基
板加熱回転マニプレータ３３に移し換える。つぎに、ゲ
ートバルブ３０を閉にし、超高真空の成長室３２内で基
板加熱回転マニプレータ３３により半導体基板２を加
熱、回転しながら、蒸発源から成長物質を飛ばせば、半
導体基板２の表面に薄膜を形成することができる。つぎ
に、ゲートバルブ３０を開にして、搬送棒３１により半
導体基板２を基板加熱回転マニプレータ３３から基板受
渡し位置２９に移し換える。つぎに、ゲートバルブ３０
を閉にし、ゲートバルブ３４を開にして、搬送棒１４に
より半導体基板２を基板受渡し位置２９から基板マニプ
レータ３に移し換え、ゲートバルブ３４を閉にしたの
ち、光源ユニット１１からレーザ光を半導体基板２の表
面に照射すれば、半導体基板２の表面上の欠陥、異物の
分布計測が行なわれる。
体基板２を基板カセット２３に下向きに挿入し、導入室
２２内を超高真空に排気したのち、ゲートバルブ２４を
開にして、搬送棒２５により半導体基板２を基板カセッ
ト２３から基板カセット２７に移し換える。つぎに、ゲ
ートバルブ２４を閉にし、基板搬送室２６内を超高真空
に排気したのち、搬送棒２８により半導体基板２を基板
カセット２７から基板受渡し位置２９に移し換える。つ
ぎに、ゲートバルブ３４を開にして、搬送棒１４により
半導体基板２を基板受渡し位置２９から基板マニプレー
タ３に移し換え、ゲートバルブ３４を閉にしたのち、光
源ユニット１１からレーザ光を半導体基板２の表面に照
射すれば、半導体基板２の表面上の欠陥、異物の分布計
測が行なわれる。つぎに、ゲートバルブ３４を開にし
て、搬送棒１４により半導体基板２を基板マニプレータ
３から基板受渡し位置２９に移し換え、ゲートバルブ３
４を閉にしたのち、ゲートバルブ３０を開にして、搬送
棒３１により半導体基板２を基板受渡し位置２９から基
板加熱回転マニプレータ３３に移し換える。つぎに、ゲ
ートバルブ３０を閉にし、超高真空の成長室３２内で基
板加熱回転マニプレータ３３により半導体基板２を加
熱、回転しながら、蒸発源から成長物質を飛ばせば、半
導体基板２の表面に薄膜を形成することができる。つぎ
に、ゲートバルブ３０を開にして、搬送棒３１により半
導体基板２を基板加熱回転マニプレータ３３から基板受
渡し位置２９に移し換える。つぎに、ゲートバルブ３０
を閉にし、ゲートバルブ３４を開にして、搬送棒１４に
より半導体基板２を基板受渡し位置２９から基板マニプ
レータ３に移し換え、ゲートバルブ３４を閉にしたの
ち、光源ユニット１１からレーザ光を半導体基板２の表
面に照射すれば、半導体基板２の表面上の欠陥、異物の
分布計測が行なわれる。
【００２４】このように、表面欠陥検査装置を薄膜形成
装置に接続したときには、製造中の半導体基板２の表面
欠陥を検査することができるから、半導体基板２の品質
の向上を図ることができる。また、薄膜形成前後の半導
体基板２の表面上の欠陥、異物の分布計測し、これらを
比較すれば、半導体基板２の品質をさらに向上すること
ができる。さらに、基板搬送室２６と表面欠陥検査装置
１７との間にゲートバルブ３４を設けているから、成長
室３２中に異物が混入するのを防止することができるの
で、半導体基板２の品質をさらに向上することができ
る。
装置に接続したときには、製造中の半導体基板２の表面
欠陥を検査することができるから、半導体基板２の品質
の向上を図ることができる。また、薄膜形成前後の半導
体基板２の表面上の欠陥、異物の分布計測し、これらを
比較すれば、半導体基板２の品質をさらに向上すること
ができる。さらに、基板搬送室２６と表面欠陥検査装置
１７との間にゲートバルブ３４を設けているから、成長
室３２中に異物が混入するのを防止することができるの
で、半導体基板２の品質をさらに向上することができ
る。
【００２５】なお、上述実施例においては、基板マニプ
レータ３により半導体基板２を回転するとともに、図１
紙面左方に移動しながら、光源ユニット１１からレーザ
光を半導体基板２の表面に照射したが、基板マニプレー
タにより半導体基板２を図１紙面直角方向に移動すると
ともに、図１紙面左右方向に移動しながら、光源ユニッ
ト１１からレーザ光を半導体基板２の表面に照射しても
よい。また、上述実施例においては、表面欠陥検査装置
１７を基板搬送室２６に接続したが、表面欠陥検査装置
１７を導入室２２に接続してもよく、この場合には排
気、リークによる半導体基板２の表面への異物の付着等
を検査することができる。
レータ３により半導体基板２を回転するとともに、図１
紙面左方に移動しながら、光源ユニット１１からレーザ
光を半導体基板２の表面に照射したが、基板マニプレー
タにより半導体基板２を図１紙面直角方向に移動すると
ともに、図１紙面左右方向に移動しながら、光源ユニッ
ト１１からレーザ光を半導体基板２の表面に照射しても
よい。また、上述実施例においては、表面欠陥検査装置
１７を基板搬送室２６に接続したが、表面欠陥検査装置
１７を導入室２２に接続してもよく、この場合には排
気、リークによる半導体基板２の表面への異物の付着等
を検査することができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る表
面欠陥検査装置においては、散乱、反射光を検出器に確
実に導くことができるから、検出感度をたとえば０．２
μｍ以上と良好にすることができる。
面欠陥検査装置においては、散乱、反射光を検出器に確
実に導くことができるから、検出感度をたとえば０．２
μｍ以上と良好にすることができる。
【００２７】また、基板の下側に光を照射すれば、基板
を真空容器内に搬入する際に、基板を裏返しすることな
く、基板の表面欠陥を検査することができるから、構成
が簡単であり、製造コストが安価になる。
を真空容器内に搬入する際に、基板を裏返しすることな
く、基板の表面欠陥を検査することができるから、構成
が簡単であり、製造コストが安価になる。
【００２８】また、光ファイバの集光面を球面形状とす
れば、集光効率が向上するから、検出感度をさらに良好
にすることができる。
れば、集光効率が向上するから、検出感度をさらに良好
にすることができる。
【００２９】また、光ファイバを石英ファイバで構成す
れば、放出ガスが少ないから、真空度が悪くなることが
ない。
れば、放出ガスが少ないから、真空度が悪くなることが
ない。
【００３０】また、光の光源を真空容器に着脱可能に取
り付ければ、真空容器内を加熱するときに、光源を退避
させれることにより、光源の損傷を防止することができ
るから、光源の寿命を向上することができる。
り付ければ、真空容器内を加熱するときに、光源を退避
させれることにより、光源の損傷を防止することができ
るから、光源の寿命を向上することができる。
【００３１】また、表面欠陥検査装置を薄膜形成装置に
接続すれば、製造中の基板の表面欠陥を検査することが
できるから、基板の品質の向上を図ることができる。
接続すれば、製造中の基板の表面欠陥を検査することが
できるから、基板の品質の向上を図ることができる。
【００３２】また、薄膜形成装置の基板搬送室にゲート
バルブを介して接続すれば、薄膜形成装置中に異物が混
入するのを防止することができるから、基板の品質のさ
らに向上することができる。
バルブを介して接続すれば、薄膜形成装置中に異物が混
入するのを防止することができるから、基板の品質のさ
らに向上することができる。
【００３３】このように、この発明の効果は顕著であ
る。
る。
【図１】この発明に係る表面欠陥検査装置を示す概略断
面図である。
面図である。
【図２】図１に示した表面欠陥検査装置を薄膜形成装置
に接続した状態を示す概略平面図である。
に接続した状態を示す概略平面図である。
１…超高真空容器 ２…半導体基板 ６…光ファイバ １２…レーザ光源 １５…光電子倍増管 １７…表面欠陥検査装置 ２６…基板搬送室 ３４…ゲートバルブ
Claims (7)
- 【請求項１】真空容器内の基板の表面に光を照射し、上
記基板の表面からの散乱、反射光を上記真空容器の外に
設けた検出器に導く表面欠陥検査装置において、上記真
空容器内に上記検出器に上記散乱、反射光を導くための
光ファイバを設けたことを特徴とする表面欠陥検査装
置。 - 【請求項２】上記基板の下側に上記光を照射することを
特徴とする請求項１に記載の表面欠陥検査装置。 - 【請求項３】上記光ファイバの集光面を球面形状とした
ことを特徴とする請求項１に記載の表面欠陥検査装置。 - 【請求項４】上記光ファイバを石英ファイバで構成した
ことを特徴とする請求項１に記載の表面欠陥検査装置。 - 【請求項５】上記光の光源を上記真空容器に着脱可能に
取り付けたことを特徴とする請求項１に記載の表面欠陥
検査装置。 - 【請求項６】薄膜形成装置に接続したことを特徴とする
請求項１に記載の表面欠陥検査装置。 - 【請求項７】上記薄膜形成装置の基板搬送室にゲートバ
ルブを介して接続したことを特徴とする請求項６に記載
の表面欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13418391A JPH06138048A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 表面欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13418391A JPH06138048A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 表面欠陥検査装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06138048A true JPH06138048A (ja) | 1994-05-20 |
Family
ID=15122383
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13418391A Pending JPH06138048A (ja) | 1991-06-05 | 1991-06-05 | 表面欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06138048A (ja) |
-
1991
- 1991-06-05 JP JP13418391A patent/JPH06138048A/ja active Pending
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