JPH0613710A - 面発光レーザ装置とその製造方法 - Google Patents
面発光レーザ装置とその製造方法Info
- Publication number
- JPH0613710A JPH0613710A JP8384193A JP8384193A JPH0613710A JP H0613710 A JPH0613710 A JP H0613710A JP 8384193 A JP8384193 A JP 8384193A JP 8384193 A JP8384193 A JP 8384193A JP H0613710 A JPH0613710 A JP H0613710A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active region
- layer
- region
- emitting laser
- active
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
- H01S5/18308—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL] having a special structure for lateral current or light confinement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
- H01S5/0282—Passivation layers or treatments
- H01S5/0283—Optically inactive coating on the facet, e.g. half-wave coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2218—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special optical properties
- H01S5/222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special optical properties having a refractive index lower than that of the cladding layers or outer guiding layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/2205—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers
- H01S5/2222—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure comprising special burying or current confinement layers having special electric properties
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電流通路の抵抗を減少させて、光出力を増加
することのできる面発光レーザ装置を提供することであ
る。 【構成】 一対のリフレクタスタック２１、２２の間に
配置された活性領域２０Ａを有する面発光レーザにおい
て、前記活性領域の周囲の隣接領域２４は、前記活性領
域との間で光閉じ込めインターフェースを形成するよ
う、前記活性領域２０Ａよりも低い屈折率を有する材料
からなることを特徴とする。
することのできる面発光レーザ装置を提供することであ
る。 【構成】 一対のリフレクタスタック２１、２２の間に
配置された活性領域２０Ａを有する面発光レーザにおい
て、前記活性領域の周囲の隣接領域２４は、前記活性領
域との間で光閉じ込めインターフェースを形成するよ
う、前記活性領域２０Ａよりも低い屈折率を有する材料
からなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は面発光レーザに関し、低
いしきい値電圧と高い光出力を有する面発光レーザ装置
とその製造方法に関する。
いしきい値電圧と高い光出力を有する面発光レーザ装置
とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の面発光レーザにおける問題点は効
率が低いことである。抵抗性のリフレクタスタックを通
過する電力は光を生成するよりも熱を発生することに費
やされ、この発生した熱がレーザ装置の動作特性を悪く
する。このように電気的抵抗を少なくして光出力を大き
くする面発光レーザが必要とされている。図１に従来の
面発光レーザの断面図が示されている。この従来の面発
光レーザ装置９は、一対の分散型ブラグリフレクタスタ
ック１１、１２の間に配置された活性領域１０を有す
る。そして、これらは半導体基板１３（例えば、ｎ型Ｇ
ａＡｓ）の上に形成される。この内側の分散型ブラグリ
フレクタスタック１１がＡｌＧａＡｓとＡｌＡｓの層を
周期的に含む。分散型ブラグリフレクタスタック１１の
層は、半導体基板１３と同一の不純物でドープされてい
る。この活性領域１０は、障壁層と量子井戸層とを交互
に含む。例えば、ＡｌＧａＡｓとＧａＡｓの層を交互に
含む。別法として、活性領域は、ＧａＡｓヘテロ構造で
もよい。外側の分散型ブラグリフレクタスタック１２
は、ｐ型のＡｌＧａＡｓとＡｌＡｓとの周期的な層から
形成される。活性領域１０の周囲の量子井戸層１４は、
イオン注入により非導電性で高抵抗となる。オーミック
接点１５、１６が分散型ブラグリフレクタスタック１
２、半導体基板１３にそれぞれ形成されて、活性領域１
０への電流通路を提供する。
率が低いことである。抵抗性のリフレクタスタックを通
過する電力は光を生成するよりも熱を発生することに費
やされ、この発生した熱がレーザ装置の動作特性を悪く
する。このように電気的抵抗を少なくして光出力を大き
くする面発光レーザが必要とされている。図１に従来の
面発光レーザの断面図が示されている。この従来の面発
光レーザ装置９は、一対の分散型ブラグリフレクタスタ
ック１１、１２の間に配置された活性領域１０を有す
る。そして、これらは半導体基板１３（例えば、ｎ型Ｇ
ａＡｓ）の上に形成される。この内側の分散型ブラグリ
フレクタスタック１１がＡｌＧａＡｓとＡｌＡｓの層を
周期的に含む。分散型ブラグリフレクタスタック１１の
層は、半導体基板１３と同一の不純物でドープされてい
る。この活性領域１０は、障壁層と量子井戸層とを交互
に含む。例えば、ＡｌＧａＡｓとＧａＡｓの層を交互に
含む。別法として、活性領域は、ＧａＡｓヘテロ構造で
もよい。外側の分散型ブラグリフレクタスタック１２
は、ｐ型のＡｌＧａＡｓとＡｌＡｓとの周期的な層から
形成される。活性領域１０の周囲の量子井戸層１４は、
イオン注入により非導電性で高抵抗となる。オーミック
接点１５、１６が分散型ブラグリフレクタスタック１
２、半導体基板１３にそれぞれ形成されて、活性領域１
０への電流通路を提供する。
【０００３】この図１の装置の動作について、以下説明
する。オーミック接点１５と１６の間に電圧がかかる
と、それらの間に電流が流れ、量子井戸層１４によりチ
ャネルが形成されて、電流が活性領域１０に流れる。こ
の活性領域１０で生成された光は、分散型ブラグリフレ
クタスタック１１と１２との間で反射されて、その一部
が分散型ブラグリフレクタスタック１２から放射され
る。この従来の面発光レーザ装置の問題点は、分散型ブ
ラグリフレクタスタック１２が、オーミック接点１５と
活性領域１０との間の導電通路内に配置されていること
である。この分散型ブラグリフレクタスタック１２は抵
抗性である。従って、レーザ発振させるに必要なしきい
値電圧が増加し、光エネルギーに変換される効率が減少
する。そして、このレーザ装置は抵抗性の電力損失によ
り加熱されて、レーザ性能の低下に結び付く。
する。オーミック接点１５と１６の間に電圧がかかる
と、それらの間に電流が流れ、量子井戸層１４によりチ
ャネルが形成されて、電流が活性領域１０に流れる。こ
の活性領域１０で生成された光は、分散型ブラグリフレ
クタスタック１１と１２との間で反射されて、その一部
が分散型ブラグリフレクタスタック１２から放射され
る。この従来の面発光レーザ装置の問題点は、分散型ブ
ラグリフレクタスタック１２が、オーミック接点１５と
活性領域１０との間の導電通路内に配置されていること
である。この分散型ブラグリフレクタスタック１２は抵
抗性である。従って、レーザ発振させるに必要なしきい
値電圧が増加し、光エネルギーに変換される効率が減少
する。そして、このレーザ装置は抵抗性の電力損失によ
り加熱されて、レーザ性能の低下に結び付く。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の目的
は、電流通路の抵抗を減少させて、光出力を増加するこ
とのできる面発光レーザ装置を提供することである。
は、電流通路の抵抗を減少させて、光出力を増加するこ
とのできる面発光レーザ装置を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は前記課題を解決
するために、活性領域２０周囲の成長層をエッチングに
より除去して、活性領域より低い屈折率を有する材料層
（２４）を再成長させる。低損失エッチングとｉｎ−ｓ
ｉｔｕ再成長または再成長後の水素プラズマクリーニン
グのいずれかを用いて、光絶縁を改良し、ヒートシンク
特性を改良できる。その結果、この面発光レーザ装置は
低電圧でレーザ発振し、従来の装置に比較して、より強
い光出力を出すことができる。
するために、活性領域２０周囲の成長層をエッチングに
より除去して、活性領域より低い屈折率を有する材料層
（２４）を再成長させる。低損失エッチングとｉｎ−ｓ
ｉｔｕ再成長または再成長後の水素プラズマクリーニン
グのいずれかを用いて、光絶縁を改良し、ヒートシンク
特性を改良できる。その結果、この面発光レーザ装置は
低電圧でレーザ発振し、従来の装置に比較して、より強
い光出力を出すことができる。
【０００６】
【実施例】図２は半導体基板２３の上に形成された本発
明の面発光レーザ装置１９の断面図である。これは一対
の内部反射スタック２１と外部反射スタック２２との間
に配置された活性領域２０Ａを有する。図２において、
活性領域２０Ａの周囲部分はエッチングにより取り除か
れて、壁２０Ｂが残っている。活性領域２０Ａの屈折率
よりも低い屈折率を有する材料の再成長層２４Ａと２４
Ｂを再成長させる。活性領域２０Ａの周辺の外部反射ス
タック２２の一部分が同時にエッチングにより除去さ
れ、再成長による再成長層２４Ａが外部反射スタック２
２の上に伸びて、平面表面を形成する。ＳｉＯ2のマス
ク５０が活性領域２０Ａの上にある外部反射スタック２
２の上に形成される。
明の面発光レーザ装置１９の断面図である。これは一対
の内部反射スタック２１と外部反射スタック２２との間
に配置された活性領域２０Ａを有する。図２において、
活性領域２０Ａの周囲部分はエッチングにより取り除か
れて、壁２０Ｂが残っている。活性領域２０Ａの屈折率
よりも低い屈折率を有する材料の再成長層２４Ａと２４
Ｂを再成長させる。活性領域２０Ａの周辺の外部反射ス
タック２２の一部分が同時にエッチングにより除去さ
れ、再成長による再成長層２４Ａが外部反射スタック２
２の上に伸びて、平面表面を形成する。ＳｉＯ2のマス
ク５０が活性領域２０Ａの上にある外部反射スタック２
２の上に形成される。
【０００７】この活性領域２０Ａと再成長層２４Ｂとは
壁２０Ｂで反射表面として機能する。かくして、壁２０
Ｂのインターフェースは、活性領域の光閉じ込めの機能
を強化する。この活性領域２０Ａへの電流の閉じ込め
は、再成長層２４Ｂを非導電性にすることにより行わ
れ、一方、再成長層２４Ａは導電性を有する。かくし
て、再成長層２４Ａを流れる電流は活性領域２０Ａを通
るようにチャネル化される。再成長層２４Ａと２４Ｂは
単一層として成長し、この層の内側の再成長層２４Ｂ
は、深イオン注入により非導電性となって、再成長層２
４Ｂとなる。再成長層２４Ａは十分な導電性を有するド
ープされた層として成長し、オーミック接点となり、電
流通路を活性領域２０Ａに形成する。このオーミック接
点２５と２６はそれぞれ再成長層２４Ａと半導体基板２
３の上に形成されて、チャネル電流を提供する。
壁２０Ｂで反射表面として機能する。かくして、壁２０
Ｂのインターフェースは、活性領域の光閉じ込めの機能
を強化する。この活性領域２０Ａへの電流の閉じ込め
は、再成長層２４Ｂを非導電性にすることにより行わ
れ、一方、再成長層２４Ａは導電性を有する。かくし
て、再成長層２４Ａを流れる電流は活性領域２０Ａを通
るようにチャネル化される。再成長層２４Ａと２４Ｂは
単一層として成長し、この層の内側の再成長層２４Ｂ
は、深イオン注入により非導電性となって、再成長層２
４Ｂとなる。再成長層２４Ａは十分な導電性を有するド
ープされた層として成長し、オーミック接点となり、電
流通路を活性領域２０Ａに形成する。このオーミック接
点２５と２６はそれぞれ再成長層２４Ａと半導体基板２
３の上に形成されて、チャネル電流を提供する。
【０００８】図３は、図２の装置の他の実施例の面発光
レーザ装置であるが、再成長層は第１導電型（ｐ型）の
外部層２４Ｃと内部層２４Ｅを有し、これらは逆の導電
型（ｎ型）のｎ型中間層２４Ｄを挟む。この再成長層
は、かくして、一対のｐｎ接合部３０、３１を含み（上
部からみると、３０はｐｎ接合で、３１はｎｐ接合とな
る）、これらは電流がｐ型外部層２４Ｃからｐ型内部層
２４Ｅに流れるのを排除する。ここで、ｐ型内部層２４
Ｅの屈折率は光を活性領域に閉じ込めるように選択され
る。電流は活性領域にｐｎ接合部３１により閉じ込めら
れる。
レーザ装置であるが、再成長層は第１導電型（ｐ型）の
外部層２４Ｃと内部層２４Ｅを有し、これらは逆の導電
型（ｎ型）のｎ型中間層２４Ｄを挟む。この再成長層
は、かくして、一対のｐｎ接合部３０、３１を含み（上
部からみると、３０はｐｎ接合で、３１はｎｐ接合とな
る）、これらは電流がｐ型外部層２４Ｃからｐ型内部層
２４Ｅに流れるのを排除する。ここで、ｐ型内部層２４
Ｅの屈折率は光を活性領域に閉じ込めるように選択され
る。電流は活性領域にｐｎ接合部３１により閉じ込めら
れる。
【０００９】一般的に活性領域２０Ａは、ｐ型閉じ込め
層４０と中間量子井戸領域４１と真性閉じ込め層４２と
を含む。ｎ型中間層２４Ｄのｐｎ接合部３１はｐ型閉じ
込め層４０の下にはならない。レーザから離れた成長層
の部分はイオン注入により非導電化し、エッチングによ
り除去されて電気的に個別のレーザを絶縁させる。図
２、３の構造を形成する方法を、図４のブロック図でも
って示す。図４のＡに示すように、第１ステップは半導
体基板２３を提供し、この半導体基板２３に一連の層で
ある、内部反射スタック２１、活性領域２０、外部反射
スタック２２がエピタキシャル成長される。これらの層
は、ＭＢＥでもって形成される。好ましくは半導体基板
２３はｎ型ＧａＡｓである。内部反射スタック２１は３
０周期の層からなる階段分布型ブラグリフレクタとして
成長する。各周期は５１５Ａ（オングストローム）のＡ
ｌ0.16Ｇａ0.84Ａｓ、９９ＡのＡｌ0.58Ｇａ0.42Ａｓ、
６０４ＡのＡｌＡｓ、９９ＡのＡｌ0.58Ｇａ0.42Ａｓか
らなる。このＡｌＧａＡｓ層はｎ型の不純物（シリコ
ン）を３×１０18ｃｍ-3の濃度でもってドープしてい
る。
層４０と中間量子井戸領域４１と真性閉じ込め層４２と
を含む。ｎ型中間層２４Ｄのｐｎ接合部３１はｐ型閉じ
込め層４０の下にはならない。レーザから離れた成長層
の部分はイオン注入により非導電化し、エッチングによ
り除去されて電気的に個別のレーザを絶縁させる。図
２、３の構造を形成する方法を、図４のブロック図でも
って示す。図４のＡに示すように、第１ステップは半導
体基板２３を提供し、この半導体基板２３に一連の層で
ある、内部反射スタック２１、活性領域２０、外部反射
スタック２２がエピタキシャル成長される。これらの層
は、ＭＢＥでもって形成される。好ましくは半導体基板
２３はｎ型ＧａＡｓである。内部反射スタック２１は３
０周期の層からなる階段分布型ブラグリフレクタとして
成長する。各周期は５１５Ａ（オングストローム）のＡ
ｌ0.16Ｇａ0.84Ａｓ、９９ＡのＡｌ0.58Ｇａ0.42Ａｓ、
６０４ＡのＡｌＡｓ、９９ＡのＡｌ0.58Ｇａ0.42Ａｓか
らなる。このＡｌＧａＡｓ層はｎ型の不純物（シリコ
ン）を３×１０18ｃｍ-3の濃度でもってドープしてい
る。
【００１０】この活性領域２０は内部反射スタック２１
の上に真性Ａｌ0.16Ｇａ0.84Ａｓの真性閉じ込め層４２
として成長することもできる。この真性閉じ込め層４２
の厚さは定在波の中央波腹が量子井戸とオーバーラップ
するように選択される。この実施例において、その厚さ
は約８９０Ａである。真性閉じ込め層４２の上に成長し
た中間量子井戸領域４１は５個の量子井戸を有する。そ
れらは７０ＡのＧａＡｓの井戸層と７０ＡのＡｌ0.16Ｇ
ａ0.84Ａｓのバリア層である。このｐ型閉じ込め層４０
の上にｐ型不純物（Ｂｅ）を１×１０17ｃｍ-3の濃度で
ドープした８９０ＡのＡｌ0.16Ｇａ0.84Ａｓ層が形成さ
れる。この外部反射スタック２２は、ｐ型閉じ込め層４
０の上に成長される。この外部反射スタック２２は内部
スタックと類似で、但し、外部反射スタック２２はＢｅ
でｐ型（Ｂｅで３×１０18ｃｍ-3の濃度でもって）にド
ープされ、光が放射されるように、内部反射スタック２
１（３０周期）より少ない周期（例、２０周期）を含
む。
の上に真性Ａｌ0.16Ｇａ0.84Ａｓの真性閉じ込め層４２
として成長することもできる。この真性閉じ込め層４２
の厚さは定在波の中央波腹が量子井戸とオーバーラップ
するように選択される。この実施例において、その厚さ
は約８９０Ａである。真性閉じ込め層４２の上に成長し
た中間量子井戸領域４１は５個の量子井戸を有する。そ
れらは７０ＡのＧａＡｓの井戸層と７０ＡのＡｌ0.16Ｇ
ａ0.84Ａｓのバリア層である。このｐ型閉じ込め層４０
の上にｐ型不純物（Ｂｅ）を１×１０17ｃｍ-3の濃度で
ドープした８９０ＡのＡｌ0.16Ｇａ0.84Ａｓ層が形成さ
れる。この外部反射スタック２２は、ｐ型閉じ込め層４
０の上に成長される。この外部反射スタック２２は内部
スタックと類似で、但し、外部反射スタック２２はＢｅ
でｐ型（Ｂｅで３×１０18ｃｍ-3の濃度でもって）にド
ープされ、光が放射されるように、内部反射スタック２
１（３０周期）より少ない周期（例、２０周期）を含
む。
【００１１】次のステップがＢに示されており、ワーク
ピース（半導体基板）の外側表面に選択的に覆われるマ
スク５０を形成し、ここにレーザの活性領域２０Ａが形
成される。このようにして得られた構造が図６に示され
ている。このマスク５０は、１０−２０μｍの直径の部
分で、その厚さが３０００−６０００Ａの二酸化シリコ
ンで、プラズマ強化ＣＶＤにより形成され、従来のホト
リソグラフィ技術によりパターン化される。この二酸化
シリコンマスクは製造中レーザ活性領域を規定し、さら
に製造後はレーザ面の上に透明な保護を提供する。好ま
しくは、その厚さはレーザ波長の二分の一波長プレート
として機能するよう選択される。
ピース（半導体基板）の外側表面に選択的に覆われるマ
スク５０を形成し、ここにレーザの活性領域２０Ａが形
成される。このようにして得られた構造が図６に示され
ている。このマスク５０は、１０−２０μｍの直径の部
分で、その厚さが３０００−６０００Ａの二酸化シリコ
ンで、プラズマ強化ＣＶＤにより形成され、従来のホト
リソグラフィ技術によりパターン化される。この二酸化
シリコンマスクは製造中レーザ活性領域を規定し、さら
に製造後はレーザ面の上に透明な保護を提供する。好ま
しくは、その厚さはレーザ波長の二分の一波長プレート
として機能するよう選択される。
【００１２】第３のステップがＣに示されており、外部
反射スタック２２の領域と活性領域２０Ａの周囲の活性
領域２０とをエッチングにより除去する。好ましくは、
内部反射スタック２１の上位周辺領域は同時にエッチン
グ除去するのがよい。このエッチングは反応性イオンエ
ッチング、イオンビームエッチング、あるいは化学補助
イオンビームエッチング等で行われる。好ましくは、こ
のエッチングは非選択的、低損失異方性エッチングで、
ドライエッチングにより行われる。例えば、エレクトロ
ン、サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）である。このエッチ
ングステップの間、その深さはモニタする必要がある。
エッチングの間、正確に深さをモニタすることによりレ
ーザ反射機構が形成される。このエッチング後の構造が
図７に示されている。
反射スタック２２の領域と活性領域２０Ａの周囲の活性
領域２０とをエッチングにより除去する。好ましくは、
内部反射スタック２１の上位周辺領域は同時にエッチン
グ除去するのがよい。このエッチングは反応性イオンエ
ッチング、イオンビームエッチング、あるいは化学補助
イオンビームエッチング等で行われる。好ましくは、こ
のエッチングは非選択的、低損失異方性エッチングで、
ドライエッチングにより行われる。例えば、エレクトロ
ン、サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）である。このエッチ
ングステップの間、その深さはモニタする必要がある。
エッチングの間、正確に深さをモニタすることによりレ
ーザ反射機構が形成される。このエッチング後の構造が
図７に示されている。
【００１３】次のステップがＤに示されて、非導電性層
２４（ＡｌＧａＡｓ）をエピタキシャル再成長させて、
エッチング除去された層を充填する。この材料成分は屈
折率が活性領域２０Ａの屈折率よりも低くなるように選
択され、反射表面を形成するためである。好ましくは、
この屈折率の差は０．１のオーダー以上である。好まし
くは、再成長材料はＡｌ0.41Ｇａ0.60Ａｓである。再成
長は様々なプロセス、例えば、ＭＢＥ、ケミカルビーム
エピタキシ、ＭＯＣＶＤ、あるいはガスソースＭＢＥに
より行われる。この再成長は以下の何れかの方法により
行われる。すなわち、エッチング後真空を戻さずにｉｎ
−ｓｉｔｕで、あるいはエッチング後大気への露出が行
われるならば、再成長の前に水素プラズマクリーニング
を併用するの何れかである。
２４（ＡｌＧａＡｓ）をエピタキシャル再成長させて、
エッチング除去された層を充填する。この材料成分は屈
折率が活性領域２０Ａの屈折率よりも低くなるように選
択され、反射表面を形成するためである。好ましくは、
この屈折率の差は０．１のオーダー以上である。好まし
くは、再成長材料はＡｌ0.41Ｇａ0.60Ａｓである。再成
長は様々なプロセス、例えば、ＭＢＥ、ケミカルビーム
エピタキシ、ＭＯＣＶＤ、あるいはガスソースＭＢＥに
より行われる。この再成長は以下の何れかの方法により
行われる。すなわち、エッチング後真空を戻さずにｉｎ
−ｓｉｔｕで、あるいはエッチング後大気への露出が行
われるならば、再成長の前に水素プラズマクリーニング
を併用するの何れかである。
【００１４】例えば、ｉｎ−ｓｉｔｕ再成長において
は、エッチング後ワークピースは真空中でＥＣＲチャン
バから加熱チャンバに移されて、そこで、２５０−５０
０℃で２×１０-11トール真空で２０分間加熱されて、
表面に分解生成物を、及び物理吸収ガスを分解するため
に行われる。その後、このワークピースは真空中で成長
チャンバ（ＭＢＥチェンバ）内に移送される。この成長
チャンバ内でワークピースは約６４０℃でＡｓの過圧下
で１０分間加熱される。その後、このワークピースの温
度は、５８０−７００℃に調節されて、ＡｌＧａＡｓの
成長が開始される。図２の構造においては、非導電性層
２４はｐ型ドープのＡｌＧａＡｓである。図３の構造に
おいては、再成長の間ドーパントが挟まれて、ｐ−ｎ−
ｐの構造のｐ型外部層２４Ｃ、ｎ型中間層２４Ｄ、ｐ型
内部層２４Ｅが形成される。
は、エッチング後ワークピースは真空中でＥＣＲチャン
バから加熱チャンバに移されて、そこで、２５０−５０
０℃で２×１０-11トール真空で２０分間加熱されて、
表面に分解生成物を、及び物理吸収ガスを分解するため
に行われる。その後、このワークピースは真空中で成長
チャンバ（ＭＢＥチェンバ）内に移送される。この成長
チャンバ内でワークピースは約６４０℃でＡｓの過圧下
で１０分間加熱される。その後、このワークピースの温
度は、５８０−７００℃に調節されて、ＡｌＧａＡｓの
成長が開始される。図２の構造においては、非導電性層
２４はｐ型ドープのＡｌＧａＡｓである。図３の構造に
おいては、再成長の間ドーパントが挟まれて、ｐ−ｎ−
ｐの構造のｐ型外部層２４Ｃ、ｎ型中間層２４Ｄ、ｐ型
内部層２４Ｅが形成される。
【００１５】別法の再成長プロセスは、高真空を必要と
しないが、再成長の前に水素プラズマクリーニングプロ
セスを用いる。エッチングステップの後、大気に露出さ
れると、このワークピースは、ＥＣＲチャンバに導入さ
れて、水素プラズマプロセスが行われ、ワークピースは
ＥＣＲ層に対し、約８０度の方向に傾斜させられる。こ
の基板は約３００℃に加熱されて、水素ガスが１０−２
０ＳＣＣＭの流速で導入されて、作動圧力が１−２×１
０-4トールで、マイクロウェーブパワーが１００から２
００Ｗで、３０−６０分間の間変化する。このプラズマ
処理の後、ワークピースは真空中で他の部屋に移され
て、そこで、２５０−５００℃に２０分間加熱されて、
残留物理吸収ガス、あるいは反応生成物を取り除いて、
その表面をアニールする。このサンプルは、その後真空
中でＭＢＥチャンバに移されて、上記の再成長が行われ
る。
しないが、再成長の前に水素プラズマクリーニングプロ
セスを用いる。エッチングステップの後、大気に露出さ
れると、このワークピースは、ＥＣＲチャンバに導入さ
れて、水素プラズマプロセスが行われ、ワークピースは
ＥＣＲ層に対し、約８０度の方向に傾斜させられる。こ
の基板は約３００℃に加熱されて、水素ガスが１０−２
０ＳＣＣＭの流速で導入されて、作動圧力が１−２×１
０-4トールで、マイクロウェーブパワーが１００から２
００Ｗで、３０−６０分間の間変化する。このプラズマ
処理の後、ワークピースは真空中で他の部屋に移され
て、そこで、２５０−５００℃に２０分間加熱されて、
残留物理吸収ガス、あるいは反応生成物を取り除いて、
その表面をアニールする。このサンプルは、その後真空
中でＭＢＥチャンバに移されて、上記の再成長が行われ
る。
【００１６】第５ステップがＥに図示されている。これ
は図２の構造にのみ用いられる。このステップは導電性
パスを活性領域２０Ａ内に閉じ込めるのに、再成長層２
４Ｂを非導電化にすることにより行われる。特に、これ
は、深イオン注入、例えば、Ｈ+イオンを２８０ＫｅＶ
で注入することにより行われる。このようにして得られ
た構造物が図２に示されている。図３の実施例は、再成
長ステップ中で形成されたｐｎ接合により同様な閉じ込
め層を形成する。最終ステップは、オーミック接点２
５、２６を非導電性層２４と構造物２３の裏面に通常の
堆積とホトリソグラフィ技術を用いて形成される。その
後、個別のレーザが深いトレンチにより絶縁される。
は図２の構造にのみ用いられる。このステップは導電性
パスを活性領域２０Ａ内に閉じ込めるのに、再成長層２
４Ｂを非導電化にすることにより行われる。特に、これ
は、深イオン注入、例えば、Ｈ+イオンを２８０ＫｅＶ
で注入することにより行われる。このようにして得られ
た構造物が図２に示されている。図３の実施例は、再成
長ステップ中で形成されたｐｎ接合により同様な閉じ込
め層を形成する。最終ステップは、オーミック接点２
５、２６を非導電性層２４と構造物２３の裏面に通常の
堆積とホトリソグラフィ技術を用いて形成される。その
後、個別のレーザが深いトレンチにより絶縁される。
【００１７】
【発明の効果】以上述べた本発明の面発光レーザ装置
は、極めて低いしきい値で、またその光出力は従来の製
品に比較として極めて大きい。
は、極めて低いしきい値で、またその光出力は従来の製
品に比較として極めて大きい。
【図１】従来の面発光レーザ装置の断面図である。
【図２】本発明の面発光レーザ装置の断面図である。
【図３】本発明の面発光レーザ装置（カーブ１）の従来
の面発光レーザ装置（カーブ２）とのグラフ上の比較を
表す図である。
の面発光レーザ装置（カーブ２）とのグラフ上の比較を
表す図である。
【図４】図２の本発明の面発光レーザ装置の製造するプ
ロセスを表すブロック図である。
ロセスを表すブロック図である。
【図５】図４のプロセスＡにより形成された状態のワー
クピースの図である。
クピースの図である。
【図６】図４のプロセスＢにより形成された状態のワー
クピースの図である。
クピースの図である。
【図７】図４のプロセスＣにより形成された状態のワー
クピースの図である。
クピースの図である。
９ 従来の面発光レーザ装置 １０ 活性領域 １１ 分散型ブラグリフレクタスタック １２ 分散型ブラグリフレクタスタック １３ 半導体基板 １４ 量子井戸層 １５ オーミック接点 １６ オーミック接点 １９ 本発明の面発光レーザ装置 ２０Ａ 活性領域 ２０Ｂ 壁 ２１ 内部反射スタック ２２ 外部反射スタック ２３ 半導体基板 ２４Ａ 再成長（低屈折率材料）層 ２４Ｂ 再成長（低屈折率材料）層 ２４Ｃ ｐ型外部層 ２４Ｄ ｎ型中間層 ２４Ｅ ｐ型内部層 ２４ 非導電性（抵抗性）層 ２５ オーミック接点 ２５Ａ 部分 ２６ オーミック接点 ３０ ｐｎ接合部 ３１ ｐｎ接合部 ４０ ｐ型閉じ込め層 ４１ 中間量子井戸領域 ４２ 真性閉じ込め層 ５０ マスク Ａ 半導体基板を用意し、層を成長させる Ｂ 活性化領域上にエッチングマスクを形成する Ｃ 活性領域周辺の外部スタックをエッチング除去する Ｄ エッチングされた領域を再成長させる Ｅ 導電パスを閉じ込める
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ケント デニス ショケット アメリカ合衆国 87120 ニューメキシコ アルバカーク、ガヴィオタ エヌダブリ ュ 5131 (72)発明者 ロバート エス．フルーンド アメリカ合衆国 07039 ニュージャージ ー リヴィングストン、ノールウッド ド ライヴ ５ (72)発明者 ミングワイ ホン アメリカ合衆国 07922 ニュージャージ ー バークレーハイツ、ティップトップ ウェイ 15
Claims (7)
- 【請求項１】 一対のリフレクタスタック（２１、２
２）の間に配置された活性領域（２０Ａ）を有する面発
光レーザにおいて、 前記活性領域の周囲の隣接領域（２４）は、前記活性領
域との間で光閉じ込めインターフェースを形成するよ
う、前記活性領域（２０Ａ）よりも低い屈折率を有する
材料からなることを特徴とする面発光レーザ装置。 - 【請求項２】 前記活性領域（２４）は、ＡｌＧａＡｓ
バリア層の間に配置されたＧａＡｓ量子井戸を含み、 前記活性領域の周囲の隣接領域（２４）は、前記活性領
域の平均屈折率以下の屈折率を有するＡｌＧａＡｓを含
むことを特徴とする請求項１の装置。 - 【請求項３】 前記屈折率の差は、０．１以上であるこ
とを特徴とする請求項１の装置。 - 【請求項４】 前記リフレクタスタック（２１、２２）
は、ＡｌＡｓ層とＡｌＧａＡｓ層とを含むことを特徴と
する請求項２の装置。 - 【請求項５】 前記隣接領域（２４）の一部（２４Ｂ）
は、イオン注入により非導電性に形成されることを特徴
とする請求項１の装置。 - 【請求項６】 前記前記隣接領域（２４）は、電流を活
性領域に閉じ込めるためにｐｎ接合（３０、３１）を含
むことを特徴とする請求項１の装置。 - 【請求項７】 （ａ） 半導体基板（２３）を提供する
ステップと、 （ｂ） 前記半導体基板（２３）の上に活性領域（２０
Ａ）を形成する活性層を成長させるステップと、 （ｃ） 減圧環境下でもって、前記活性領域を包囲する
活性層をエッチングにより取り除くステップと、 （ｄ） このエッチングされた基板を大気に曝さずに、
エッチングにより除去された領域（２４）に材料を再成
長させるステップとからなることを特徴とする面発光レ
ーザ装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US857350 | 1986-04-30 | ||
| US07/857,350 US5212701A (en) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | Semiconductor surface emitting laser having enhanced optical confinement |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0613710A true JPH0613710A (ja) | 1994-01-21 |
| JP3121707B2 JP3121707B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=25325798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8384193A Expired - Lifetime JP3121707B2 (ja) | 1992-03-25 | 1993-03-19 | 面発光レーザ装置とその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5212701A (ja) |
| EP (1) | EP0562769B1 (ja) |
| JP (1) | JP3121707B2 (ja) |
| DE (1) | DE69325045T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009049201A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Families Citing this family (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2708992B2 (ja) * | 1991-12-20 | 1998-02-04 | シャープ株式会社 | ＡｌＧａＩｎＰ系半導体発光装置の製造方法 |
| US5353295A (en) * | 1992-08-10 | 1994-10-04 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Semiconductor laser device with coupled cavities |
| US5351257A (en) * | 1993-03-08 | 1994-09-27 | Motorola, Inc. | VCSEL with vertical offset operating region providing a lateral waveguide and current limiting and method of fabrication |
| JPH06268314A (ja) * | 1993-03-11 | 1994-09-22 | Nec Corp | 半導体レーザ |
| SE501723C2 (sv) * | 1993-09-10 | 1995-05-02 | Ellemtel Utvecklings Ab | Optisk förstärkningsanordning samt användning av anordningen |
| US5559053A (en) * | 1994-04-14 | 1996-09-24 | Lucent Technologies Inc. | Vertical cavity semiconductor laser |
| US5510277A (en) * | 1994-06-29 | 1996-04-23 | At&T Corp. | Surface treatment for silicon substrates |
| FR2724056B1 (fr) * | 1994-08-23 | 1996-11-15 | France Telecom | Composant optique, optoelectronique ou photonique comportant au moins une cavite optique confinee lateralement et procede pour sa realisation |
| US5661075A (en) * | 1995-02-06 | 1997-08-26 | Motorola | Method of making a VCSEL with passivation |
| US5903590A (en) * | 1996-05-20 | 1999-05-11 | Sandia Corporation | Vertical-cavity surface-emitting laser device |
| US6549553B1 (en) * | 1998-02-25 | 2003-04-15 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser |
| US5960024A (en) | 1998-03-30 | 1999-09-28 | Bandwidth Unlimited, Inc. | Vertical optical cavities produced with selective area epitaxy |
| US6535541B1 (en) | 1998-04-14 | 2003-03-18 | Bandwidth 9, Inc | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6487231B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-11-26 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US5991326A (en) | 1998-04-14 | 1999-11-23 | Bandwidth9, Inc. | Lattice-relaxed verticle optical cavities |
| US6493372B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6760357B1 (en) | 1998-04-14 | 2004-07-06 | Bandwidth9 | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6487230B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-11-26 | Bandwidth 9, Inc | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6493373B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth 9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6493371B1 (en) | 1998-04-14 | 2002-12-10 | Bandwidth9, Inc. | Vertical cavity apparatus with tunnel junction |
| US6301281B1 (en) * | 1998-08-31 | 2001-10-09 | Agilent Technologies, Inc. | Semiconductor laser having co-doped distributed bragg reflectors |
| US6226425B1 (en) | 1999-02-24 | 2001-05-01 | Bandwidth9 | Flexible optical multiplexer |
| US6275513B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-08-14 | Bandwidth 9 | Hermetically sealed semiconductor laser device |
| US6233263B1 (en) | 1999-06-04 | 2001-05-15 | Bandwidth9 | Monitoring and control assembly for wavelength stabilized optical system |
| DE10108079A1 (de) * | 2000-05-30 | 2002-09-12 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| DE10026734A1 (de) * | 2000-05-30 | 2001-12-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optisch gepumpte oberflächenemittierende Halbleiterlaservorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
| US6534331B2 (en) | 2001-07-24 | 2003-03-18 | Luxnet Corporation | Method for making a vertical-cavity surface emitting laser with improved current confinement |
| US6680963B2 (en) | 2001-07-24 | 2004-01-20 | Lux Net Corporation | Vertical-cavity surface emitting laser utilizing a reversed biased diode for improved current confinement |
| US6553053B2 (en) | 2001-07-25 | 2003-04-22 | Luxnet Corporation | Vertical cavity surface emitting laser having improved light output function |
| KR100427583B1 (ko) * | 2002-01-16 | 2004-04-28 | 한국전자통신연구원 | 장파장 수직 공진 표면광 레이저의 제조 방법 |
| JP2006093350A (ja) * | 2004-09-22 | 2006-04-06 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体光素子 |
| KR100982421B1 (ko) * | 2004-10-14 | 2010-09-15 | 삼성전자주식회사 | 깔대기 형태의 전류주입영역을 구비하는 면발광 고출력레이저 소자 |
| KR100982423B1 (ko) * | 2004-12-28 | 2010-09-15 | 삼성전자주식회사 | 이중채널 전류주입구조를 구비하는 면발광 레이저 소자 |
| US7502401B2 (en) * | 2005-07-22 | 2009-03-10 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | VCSEL system with transverse P/N junction |
| US10554018B2 (en) * | 2017-12-19 | 2020-02-04 | International Business Machines Corporation | Hybrid vertical current injection electro-optical device with refractive-index-matched current blocking layer |
Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58143596A (ja) * | 1982-02-22 | 1983-08-26 | Toshiba Corp | 化合物半導体装置の製造方法 |
| EP0113983B1 (en) * | 1982-12-16 | 1987-04-22 | Fujitsu Limited | Fabricating a semiconductor device by means of molecular beam epitaxy |
| NL8602653A (nl) * | 1986-10-23 | 1988-05-16 | Philips Nv | Halfgeleiderlaser en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
| US4786616A (en) * | 1987-06-12 | 1988-11-22 | American Telephone And Telegraph Company | Method for heteroepitaxial growth using multiple MBE chambers |
| JP2772000B2 (ja) * | 1988-11-25 | 1998-07-02 | 工業技術院長 | 電極分離型半導体レーザ装置 |
| JP2863773B2 (ja) * | 1988-12-28 | 1999-03-03 | 科学技術振興事業団 | 面発光型半導体レーザ装置 |
| US5076205A (en) * | 1989-01-06 | 1991-12-31 | General Signal Corporation | Modular vapor processor system |
| JP2799328B2 (ja) * | 1989-06-16 | 1998-09-17 | 科学技術振興事業団 | 面発光型半導体レーザ |
| JP2742539B2 (ja) * | 1989-06-16 | 1998-04-22 | 科学技術振興事業団 | 面発光型半導体レーザ |
| US4949350A (en) * | 1989-07-17 | 1990-08-14 | Bell Communications Research, Inc. | Surface emitting semiconductor laser |
| US5031187A (en) * | 1990-02-14 | 1991-07-09 | Bell Communications Research, Inc. | Planar array of vertical-cavity, surface-emitting lasers |
| US5115442A (en) * | 1990-04-13 | 1992-05-19 | At&T Bell Laboratories | Top-emitting surface emitting laser structures |
| US5034958A (en) * | 1990-04-19 | 1991-07-23 | Bell Communications Research, Inc. | Front-surface emitting diode laser |
| US5034092A (en) * | 1990-10-09 | 1991-07-23 | Motorola, Inc. | Plasma etching of semiconductor substrates |
| US5104824A (en) * | 1990-11-06 | 1992-04-14 | Bell Communications Research, Inc. | Selective area regrowth for surface-emitting lasers and other sharp features |
| US5208183A (en) * | 1990-12-20 | 1993-05-04 | At&T Bell Laboratories | Method of making a semiconductor laser |
-
1992
- 1992-03-25 US US07/857,350 patent/US5212701A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-02-11 US US08/016,339 patent/US5348912A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-03-18 DE DE69325045T patent/DE69325045T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1993-03-18 EP EP93302072A patent/EP0562769B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-03-19 JP JP8384193A patent/JP3121707B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009049201A (ja) * | 2007-08-20 | 2009-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69325045T2 (de) | 1999-11-11 |
| DE69325045D1 (de) | 1999-07-01 |
| US5212701A (en) | 1993-05-18 |
| JP3121707B2 (ja) | 2001-01-09 |
| US5348912A (en) | 1994-09-20 |
| EP0562769A2 (en) | 1993-09-29 |
| EP0562769A3 (en) | 1993-12-22 |
| EP0562769B1 (en) | 1999-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3121707B2 (ja) | 面発光レーザ装置とその製造方法 | |
| JP2994525B2 (ja) | 面発光レーザ装置とその製造方法 | |
| EP0926786B1 (en) | Vertical cavity surface-emitting laser with separate optical and current guides | |
| JPH04226093A (ja) | 最上部放射面発光レーザ構造 | |
| US5013684A (en) | Buried disordering sources in semiconductor structures employing photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth | |
| US6928096B2 (en) | Nitride-based semiconductor laser device and method of fabricating the same | |
| TWI251270B (en) | Carbon doped GaAsSb suitable for use in tunnel junctions of long-wavelength VCSELs | |
| JP3459003B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2020068310A (ja) | 面発光レーザの製造方法 | |
| CN110061416B (zh) | 半导体激光器非吸收窗口及其制备方法和半导体激光器 | |
| JPH0888435A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS59104188A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0846283A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JPH11112086A (ja) | 埋め込み型面発光レーザ及びその作製方法 | |
| Zhao et al. | Sub-milliampere single-quantum-well InGaAs-GaAs-AlGaAs addressable laser arrays | |
| JP2003008055A (ja) | 半導体発光素子の製造方法 | |
| TW439335B (en) | A semiconductor laser and the fabrication method thereof | |
| Choi et al. | Selective growth and regrowth of high Al content AlGaAs for use in BH lasers | |
| JPH10209565A (ja) | 横方向電流注入型面発光半導体レーザ装置、その製造方法および半導体レーザアレイ | |
| JPH07162083A (ja) | 半導体レーザ装置及びその製造方法 | |
| WO2023249560A1 (en) | Recess-etched regrown vcsel | |
| JPH08274413A (ja) | 半導体デバイス及びその製造方法 | |
| CN114566868A (zh) | 一种具有GaN电流通道的GaAs基激光器外延片及其制备方法 | |
| JPH0923039A (ja) | 半導体レーザの製造方法 | |
| JP2538613B2 (ja) | 半導体レ―ザ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071020 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081020 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091020 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091020 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101020 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111020 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121020 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131020 Year of fee payment: 13 |