JPH06132554A - 薄膜コーティング及びその形成法 - Google Patents

薄膜コーティング及びその形成法

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JPH06132554A
JPH06132554A JP4054508A JP5450892A JPH06132554A JP H06132554 A JPH06132554 A JP H06132554A JP 4054508 A JP4054508 A JP 4054508A JP 5450892 A JP5450892 A JP 5450892A JP H06132554 A JPH06132554 A JP H06132554A
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 コーティングに圧縮力特性を与える物質的及
びコーティングに引張力特性を与える物質を基板上に同
時に付着させ、それを酸化して薄膜コーティングを形成
し、その形成の間、コーティング中の応力をモニター1
モニターされた応力に応答して前記物質の相対付着量
を調整し、コーティング中の応力を制御することを含む
基板上にコーティングを形成する物理装着法、及びその
装置 【効果】 この方法は 太陽電池の保護ガラスカバー、
従って劣化しやすい装着剤の使用を排除し、それに代る
薄膜カバーを形成でき、太陽電池光学デテクターなどの
保護光学カバーの形成に有用である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【関連出願のクロス・リファレンス】本出願は、198
8年2月8日に提出した出願第154,177号から発
明者スコベイほか(Scobey,Seddon,Se
eser,Austin,LeFebvre)に対して
1989年7月25日に発行されたマグネトロンスパッ
タリング装置及び方法と称される、共通に譲渡された米
国特許証第4,851,095号の継続出願であり、現
在放棄されている1989年7月30日に提出した共通
に譲渡された米国特許出願第374,484号の継続出
願であり、現在放棄されている1990年3月5日に提
出した共通に譲渡された米国特許出願第490,535
号の継続出願である1990年10月26日に提出した
共通に譲渡された米国特許出願第604,362号の一
部継続出願であり、それらが参照される。
【0002】
【発明の背景】a.発明の分野 本発明は薄膜コーティング及びそのようなコーティング
を製造する物理蒸着法に関する。より特定的には、本発
明はまた光学デテクター上に形成され、及び(又は)そ
れを含む保護薄膜光学コーティング、並びにそのような
コーティングを製造する方法に関する。なおより特定的
には、本発明はまた太陽電池、そのような電池に対する
保護薄膜光学コーティング、並びにそのようなコーティ
ングを形成する方法に関する。
【0003】本発明に関して使用される「光学」コーテ
ィング(又はカバー)という語は反射、透過、吸収又は
界面における電磁エネルギーの散乱に影響を及ぼすコー
ティングを意味する。
【0004】
【関連技術の現状】(1)太陽電池構造の概要 典型的な太陽電池は図1中に略示される。(例示電池1
0は一定比で示されず;相対的次元は観察を容易にする
ために変えられている。また種々の普通の成分、例えば
アレイ中の関連電池に対する電気接続は平明にするため
に省略されている。)典型的な電池10は、前面上に形
成された導体13及び選択された波長範囲の太陽放射線
を電流及び電力に変換するための関連する表面隣接pn
接合(図示なし)をもつ半導体材料〔単結晶ケイ素、多
結晶ケイ素(ポリシリコン)、無定形ケイ素、GaAs
(ヒ化ガリウム)など〕の基板11を含む。電流は、前
面側導体13に接続された母線14により、及び基板の
背面上に形成された導体コーティング12によりアレイ
中の他の電池に、最後に電池(類)により運転される装
置及び(又は)貯蔵電池に伝導される。反射防止(A
R)コーティング15が基板11の前面上に形成され
る。基板11は保護ガラスカバー18によりカバーさ
れ、それは接着剤層16により基板(又はこのように基
板の前面上のARコーティング)に結合される。ARコ
ーティング15は接着剤層16に対し光学的に適合され
る。
【0005】場合により、いわゆる「ブルー」紫外(U
V)レフレクターコーティング17をカバーガラス18
の背面上に形成してUV放射線から接着剤を保護するこ
とができる。カバー18の外側前面上に形成された随意
層(類)19はフッ化マグネシウムのような材料の単純
ARコーティング;UVレフレクターコーティング;静
電気放出のための伝導性コーティングなど又はそのよう
なコーティングの組合せを含む。
【0006】これらのコーティングに対する典型的な厚
さ値は:単純AR、ミクロンの端数例えば0.1ミクロ
ン;ブルーUVレフレクター、1ミクロンに等しいか又
はそれ未満;接着剤、0.002〜0.003インチ
(50〜75ミクロン)、である。適当なカバー材には
種々の無定形ガラス及び溶融シリカが含まれる。ガラス
及び溶融シリカに対する典型的な厚さの範囲はそれぞれ
約0.003〜約0.012インチ及び約0.005約
0.040インチである。有用な厚さ範囲はカバーが取
扱いに耐えることができる要件(カバー及び電池はコー
ティング及びサイジングの間に繰返し取扱われる)及び
放射率、並びにラディエーションハードネスに対する要
求により決定される。殊に、非常に厚いカバーはヴァン
アレン帯を横切る宇宙船上の電池に対してである。
【0007】(2)太陽電池設計の考察 我々の考察は主に宇宙用途、すなわち、宇宙船例えば衛
星、シャトル及び宇宙ステーション上に支持されるも
の、に使用される太陽電池であり、臨界的カバー及び接
着剤が強調される。そのような用途は、第1にカバーが
例えば電池を宇宙中の環境により攻撃させるピンホール
のないことを特徴とする優れた保全性をもつことが必要
である。第2にカバー、接着剤及び他の成分が、他のし
ばしば相反する太陽電池に対する厳しい要件と矛盾しな
い最も軽い可能な重要であるように選択され、構築され
る。他の要件にはカバーが十分なラジエーションハード
ネスを与え、また高い熱放射率をもつ二重の要件が含ま
れる。第5に、カバーが関心の放射線波長範囲にわたっ
て高い光学透過率をもたねばならない。我々の主関心は
約280〜約700〜1100nm(ナノメートル)の
太陽放射スペクトルの短波長部分である。この範囲にわ
たる高い透過率は高いエネルギー、短波長放射線がpn
接合における電気エネルギーへの変換に有効であり、熱
発生に消耗されないことを保証する。第6に、電池は例
えば、電気パラメーターに例えば開コレクタ電圧、短絡
電流及び充填因子により測定して、加工工程により劣化
されてはならない。2つのさらに密接に関連する要件
は、電池が−196〜+175℃の標準温度試験サイク
ルにより示される熱極限間の熱サイクリングに耐える能
力;並びにカバー及び基板が密接に適合した熱膨張率を
もち、電池により経験される温度エクスカーション間の
そり及び破損を回避する要件である。
【0008】典型的には、ガラスカバー18を基板11
に装備し、シールするために使用される接着剤は、それ
が高温で、及びUV放射線により最も劣化されやすい点
で電池保全性及び熱耐久性に影響を及ぼす最も重大な成
分である。従って、接着剤結合ガラスカバーの使用を排
除し、代りにカバーとして薄膜コーティングを使用する
ことが望ましい。残念ながら、過去において、薄膜コー
ティングの上記組合せの目的を満たす能力のないこと
が、そのようなコーティングを太陽電池カバーとして用
いることを排除した。とりわけ、薄膜技術は、(1)必
要とされる非常に厚い薄膜(例えば、適当なラジエーシ
ョンハードネスのための少くとも10〜50ミクロンの
厚さが要求されることができる)中の不適当な応力制御
及び過度の応力;(2)基板に対する不適当な接着力;
(3)不適当な膜;及び(4)定尺性(scalabi
lity)のないこと、の問題のためにこの用途に良好
に使用されなかった。そのような比較的厚い薄膜は制御
されない、許容されない応力及び関連するそり及び破損
に特徴がある。問題は宇宙用途に限定されず、一般に応
力効果は光学薄膜の有効な厚さを制限する。
【0009】
【発明の概要】1観点において、上記目的を達成する本
発明は、酸化物がコーティングに圧縮力特性を与える少
くとも1つの第1物質及びコーティングに引張力特性を
与える少くとも1つの第2物質である少くとも2種の物
質を基板上に同時に付着させ、酸化してその上に薄膜コ
ーティングを形成し;コーティング中の応力をその形成
の間モニターし;モニターされた応力に応答して前記物
質の相対付着量を調整してコーティング中の応力を制御
することを含む基板上にコーティングを形成する物理蒸
着法で具体化される。
【0010】他の観点において、本発明は、基板を上に
装備するに適合させたドラム装置を備え;ドラム装置を
回転して基板を周囲の作業ステーションを通して回転さ
せ;ドラムの周囲に隣接する蒸着装置を用いて、酸化物
が引張力特性を基板に与える少くとも1つの第1物質及
び酸化物が圧縮力特性を基板に与える少くとも1つの第
2物質を基板上に付着させ;物資を、それを付着させな
がら酸化し;ドラム上に装備された片持ばりレフレクタ
ービームを含む片持ばりストレソメーター(stres
someter)装置を用いてコーティングの応力レベ
ルを、それを形成させながら現場でモニターし;モニタ
ーされた応力に応答して基板上に付着する物質の相対量
を制御してコーティング中の応力を制御することを含
む、基板上にコーティングを形成する方法で具体化され
る。
【0011】他の装置観点において、本発明は、基板上
に少くとも2種の物質を同時に付着させ、物質を酸化し
てその上に薄膜コーティングを形成する装置であり、圧
縮力特性をコーティングに与える物質を蒸着させる少く
とも1つの第1装置及び引張力特性をコーティングに与
える物質を蒸着させる少くとも1つの第2装置を含む装
置;コーティング中の応力レベルをその形成の間モニタ
ーする装置;及び蒸着装置の運転を制御し、それにより
前記物質の相対付着量を制御してコーティング中の応力
を制御するモニターされた応力レベルに応答する装置を
含む、基板上に光学コーティングを形成する装置で具体
化される。より特定的な観点において、装置は基仮を上
に装備し、基板を周囲の作業ステーションを通して回転
するに適合させたドラム装置及びドラムの周囲に隣接し
て配置された少くとも1対の蒸着装置を含む。蒸着装置
の1つはコーティングに引張力特性を与える物質を基板
上に付着させるために適合される。第2の装置はコーテ
ィングに圧縮力特性を与える物質を基板上に同時に付着
させるのに適合される。片持ばりストレソメータ装置が
装置中に組込まれ、付着膜の応力を、それを形成させな
がら現場でモニターするためにドラム上に装備された片
持ばりレフレクタービームを含む。
【0012】コーティングは保護カバー又はコーティン
グ、光学コーティング又はカバー、及び保護光学コーテ
ィング又はカバーであることができる。デテクター又は
太陽電池上の保護光学カバーの形成に現在好ましい装置
及び方法において、物質はケイ素及びアルミニウムであ
る。
【0013】本発明の上記及び他の観点は図面に関連し
て説明される。
【0014】
【好ましい態様の詳細な説明】a.概説 上記のように、本発明は基板例えば太陽電池及びデテク
ターに対する保護光学カバーとしての薄膜コーティング
の形成及びその使用に関する。保護光学カバーは異なる
応力特性を与え、熱及び光学的に太陽電池を相容性であ
る2種又はそれ以上の光学的に相容性の成分例えばケイ
素及びアルミニウムから形成される。付着の間付着薄膜
コーティングの応力が現場でモニターされ、付着膜の組
成が実時間で応答的に調製され、所望の応力特性を与え
る。薄膜コーティングが基板例えば太陽電池又は光学デ
テクターに対する保護光学カバーとして付着される1つ
の典型的な態様において、組成は膜の厚さを横切る近似
的に0の純応力を与えるように調整される。すなわち、
膜は圧縮性でも引張性でもない。容易に明らかなよう
に、我々の方法を用いて応力はまた、膜厚さを横切って
一定の圧縮又は引張値に維持し、あるいは望むように変
えることができる。
【0015】我々の装置及び方法は参照した第4,85
1,095号特許中に開示された装置及び方法の改変で
あり、太陽電池カバーの前記の多くの相反する要件を特
異的に満たし、太陽電池カバーとしての薄膜コーティン
グの使用に関連する問題、すなわち応力制御接着力、均
一性及び定尺性の問題を排除する。
【0016】b.好ましい真空蒸着装置 図3は本発明を実施する真空処理室装置30を示す。装
置は引用し参照した第4,851,095号特許中に開
示された装置の変形である。例示装置30は適当な壁、
天井及び床により規定され、真空処理室を形成する囲い
31を含む(囲い及び真空処理室はともに31で示され
る)。囲いはその中にドラム34を回転可能に装備し、
それはドラムの外周上に装備された基板10を周囲の作
業ステーション40を通して輸送する経路36Pに沿っ
て駆動軸36により回転される。特定的には、基板は作
業ステーション40の選択されたもの(類)における処
理帯域を通して輸送される。これらには蒸着装置37及
び38(例えば参照した第4,851,095号特許中
に記載された型の線形マグネトロンスパッタ装置)によ
り与えられる周囲蒸着帯域、並びに反応装置39例えば
酸化装置(例えば参照した第4,851,095号特許
中に記載された型の逆線形マグネトロンイオン源装置)
により与えられる1つ又はそれ以上の周囲反応帯域が含
まれる。装置30はまたハードウェア例えば適当な真空
ポンプ装置32を含む、図4。真空装置はシロポンプ
(cyropump)(あるいは他の適当な真空ポンプ
又はポンプの組合せ)を含み、それは室を排気し、圧力
を下げるために口33により室31中へ連通する。この
及び他の標準ハードウェアは当業者により容易に供給さ
れよう。
【0017】図3の単純回転運動法の多くの態様及び変
形は参照した第4,851,095号特許中に開示され
ている。例えば基板10はドラム又はケージ34上に装
備しドラムの内周に沿って間隔を置いた作業ステーショ
ンの方へ内部へ向けて面させることができる。
【0018】さらに図3及び4について説明すると、例
示した好ましい装置及び方法において、蒸着装置37は
物質例えばケイ素の蒸着に使用され、一方装置38は異
なる物質例えばアルミニウムを蒸着し、反応装置39は
酸素を蒸着物質と化学的に反応させて蒸着金属を酸化物
に転化させるために使用される。(参照数字37〜39
は処理ステーション及びステーションにおける装置の両
方を示す。)従って、ドラム34を回転し、スパッタリ
ング及び反応ステーション37、38及び39を選択的
に運転することにより、金属、混合物及びその合金、並
びに(又は)金属の酸化物、それらの混合物及び合金の
層を実質的に任意所望の組合せで選択的に基板上に形成
できる。詳しくは、物質例えばアルミニウム及びケイ素
酸化物の態様電池板カバーが、ドラム34を回転し、ス
パッタリングターゲット37及び38、並びに酸化装置
39を同時に運転することにより形成される。酸化装置
例えばステーション装置39におけるものは、蒸着ステ
ーション37及び38に使用されるものに類似する線形
マグネトロンカソードを、アルゴンの代りに酸素を用い
ることにより使用することができ;あるいは反応性イオ
ン化プラズマを発生できる他のイオン源例えばイオンガ
ン又は後記する逆線形マグネトロンイオン源、あるいは
所要反応性DC又はRFプラズマを発生する他の装置を
使用できることが認められよう。
【0019】c.片持ばりストレソメータ装置 図4及び図5は真空蒸着装置30中に組込まれる片持ば
りストレソメータ装置40を略示する。ストレソメータ
装置は薄膜コーティング例えばカバー68中の応力を、
それを形成しながらモニターし、薄膜コーティングに引
張及び圧縮特性を与える膜成分の相対量を、付着薄膜コ
ーティングの厚さを横切る所望の応力プロフィルを達成
するために自動的に制御する。典型的な物質には、酸化
物が圧縮力をコーティングに与えるケイ素、及び酸化物
が引張コーティングを形成するアルミニウムが含まれ
る。装置40にはガラス又はケイ素のような材料のたわ
み性片持ばり41が含まれ、それはその上端でドラム3
4に固定して装備される。基板60上にコーティングを
蒸着する間、蒸着コーティング中の純引張又は圧縮力が
片持ばり41をドラム34に関して半径方向に、反対方
向に偏位させる。1対の静止レフレクターウィットネス
42及び43が片持ばりの下端近く、その両側にドラム
に固定装備される。レーザー44が真空囲い31の外部
に装備される。入射レーザービーム46はドラムを回転
しながら適当な光学素子(図示なし)によりのぞき窓又
はサイトガラス45を通して片持ばり41並びにウィッ
トネス42及び43上に焦点を合わされ、従って反射レ
ーザー光47がグリッド又はターゲット48に向かわさ
れる。好ましくは、ターゲットを横切る反射レーザー光
47の偏位移動が、信号をコンピュータ:52に対する
入力として適用する装置例えば光ダイオードアレイ51
により偏位距離に関する情報を含む電気信号に転換され
る。コンピュータはスパッタ蒸着装置37のケイ素ター
ゲット及びスパッタ蒸着装置38のアルミニウムターゲ
ットに対する電力を応答してかつ選択的に変え、付着膜
中の応力を選択された一定又は変動値に維持する。
【0020】この配置において、2つのウィットネス4
2及び43から反射されたレーゼービーム47はビーム
トレースにより横切られる直線をターゲット又はグリッ
ド48を横切ってトレースする。このベース直線は片持
ばりのゼロ偏位、従って片持ばり上のゼロ純応力に相当
するレーザビームトレースのゼロ点を確立する。付着膜
中の純圧縮力に基づく経路49(図5)に沿う片持ばり
41の半径方向偏位はレーザービームを1方向に偏位さ
せる。逆に、純引張応力は片持ばりを反対方向に半径方
向に偏位し、それによりまたレーザービームを反対に偏
位させる。コーティング中の所望の純ゼロ応力レベル
を、それを形成しながら維持するためにコンピュータ5
2はターゲットに供給される電力を制御して付着膜の組
成を調整する。例えば、膜成分がケイ素(圧縮性)及び
アルミニウム(引張性)である場合、ビーム偏位が純圧
縮応力を示すと電力がアルミニウムターゲットに対して
増加され、コーティング中のアルミニウムの割合を高
め、従ってコーティング中の引張力成分をゼロ純応力を
得るに足るだけ高める。この電力増加は、典型的には純
蒸着速度及びコーティング形成速度もまた高める。ある
いは、全蒸着速度が高すぎるか又は高すぎるであろう場
合に、電力がケイ素ターゲットに対して低下され、圧縮
力成分及びコーティング形成速度を低下させる。もちろ
ん、応力及び蒸着速度制御はアルミニウムターゲットに
対する電力の増加及びケイ素ターゲットに対する電力の
低下の両方により達成することができる。逆に、ビーム
偏位が引張応力を示す場合には電力がケイ素ターゲット
に対して増加されるか又はアルミニウムターゲットに対
して低下され、あるいはその両方が行なわれる。
【0021】d.典型的にカバーした太陽電池 図6は上記装置及び方法を用いて形成した一体カバー6
8をもつ太陽電池60を略示する。カバーされた太陽電
池60はケイ素基板61、相対面接着層62、前面側コ
ンタクト63及び母線64、ARコーティング65、一
体薄膜カバー68並びにARコーティング69を含む。
カバー68に加えて、種々のコーティング例えば65及
び69は装置30を用いて形成できる。また前に言及し
たように、コーティングは導体フィルター及びその他の
機能に役立つ金属、酸化物、混合物などの多層堆積であ
ることができる。例えばコーティング69は伝導性コー
ティング又は伝導性ARコーティングを含むことができ
る。
【0022】e.実施例 組成AlSiの一体薄膜カバーを図3〜5中に
示される単回転装置及び表1中に総括されるパラメータ
ーを用いてケイ素太陽電池基板上に形成した。装置は約
60rpmで回転する直径28インチのドラム、隔離板
中の幅5インチの孔及び幅5インチのターゲットを用い
た。ケイ素及びアルミニウムターゲットは線形マグネト
ロンカソードスパッタ蒸着装置37及び38中に用い、
ケイ素及びアルミニウム物質を同時にスパッタ蒸着し
た。線形マグネトロンイオン源装置39は蒸着装置と同
時に運転し、コーティングを、それを付着させながらA
Siに酸化した。片持ばり41は平坦ガラス
片、近似的に3インチ長×0.008インチ厚さ×0.
25インチ幅、であった。片持ばりストレソメータ装置
を組合せ同時蒸着及び酸化操作中運転してコーティング
応力を0に維持した。プロセス温度は約55℃であり、
それは非常に低く、太陽電池に対する温度による損傷を
排除する。生じた太陽電池カバーは求めたゼロ純応力、
優れたカバー対基板接着、並びに優れた基板対基板及び
運転対運転均一性(1%)を特徴とした。さらに、操作
は電力及びガス流量並びにターゲット高さの適切な調整
により易定尺性である。
【0023】 表1 基板 : ケイ素太陽電池 回転運動 : 単純 物質1 : AlSiを形成する
ケイ素 物質2 : AlSiを形成する
アルミニウム C.R.1 : 70A/S C.R.2 : 90A/S 物質1ガス : アルゴン 400 sccm 物質2ガス : アルゴン 400 sccm 物質1電力 : 2〜3.5KW 物質2電力 : 2〜3.5KW アルゴンスパッタ圧: 2.5ミクロン イオン源運転 : 4amp;100〜120
sccm O 運転後焼付け : なし
【0024】本発明の好ましい態様及び代替態様を記載
したので、当業者は特許請求の範囲内にある本発明の拡
張及び改変を行なうであろうことが理解されるであろ
う。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来技術のガラスカバーした太陽電池の断面図
である。
【図2】図1のガラスカバーした太陽電池の平面図であ
る。
【図3】本発明の蒸着装置の好ましい態様の簡易略斜視
図である。
【図4】図3の装置の簡易略水平断面図である。
【図5】ドラム上の片持ばりの装備を示す図3の装置の
部分斜視図である。
【図6】本発明を具体化する一体カバー太陽電池の断面
図である。
【符号の説明】
10・・・太陽電池 11・・・基板 12・・・導体コーティング 13・・・導体 14・・・母線 15・・・反射防止(AR)コーティング 16・・・接着剤層 17・・・UVレフレクターコーティング 18・・・保護ガラスカバー 19・・・随意層 32・・・真空ポンプ装置 34・・・ドラム 37、38・・・蒸着装置 39・・・反応装置 40・・・作業ステーション 41・・・片持ばり 42、43・・・静止レフレクターウィットネス 44・・・レーザー 51・・・光ダイオードアレイ 52・・・コンピュータ 60・・・太陽電池 61・・・基板 62・・・接着層 63・・・コンタクト 64・・・母線 65、69・・・ARコーティング 68・・・薄膜カバー
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成5年6月7日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
フロントページの続き (72)発明者 ウィリアム ティー ビーチャンプ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95404 サンタ ローザ フットヒル ラ ンチ ロード 6400 (72)発明者 ロバート イー クリンガー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94928 ローナート パーク サークル ドライヴ 376 (72)発明者 ジョン ピー レーハン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94515 カリストーガ ワプー アベニュ ー 105

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板上にコーティングを形成する物理蒸
    着法であって、コーティングに圧縮力特性を与える少く
    とも1つの物質及びコーティングに引張力特性を与える
    少くとも1つの物質から選ばれる少くとも2種の物質を
    基板上に同時に付着させ、酸化してその上に薄膜コーテ
    ィングを形成し;その形成の間、コーティング中の応力
    をモニターし;モニターされた応力に応答して前記物質
    の相対付着量を調整してコーティング中の応力を制御す
    ることを含む方法。
  2. 【請求項2】 基板上にコーティングを形成する方法で
    あって、基板を上に装備するに適合させたドラム装置を
    装備し;ドラム装置を回転して基板を周囲の作業ステー
    ションを通して回転させ;ドラムの周囲に隣接する蒸着
    装置を用いて、引張力特性を基板に与える少くとも1つ
    の第1物質及び圧縮力特性を基板に与える少くとも1つ
    の第2物質を基仮上に付着させ;物質を、それを付着さ
    せながら酸化し;ドラム上に装備された片持ばりレフレ
    クタービームを含む片持ばりストレソメータ装置を用い
    てコーティングの応力レベルを、それを形成させながら
    現場でモニターし;モニターされた応力に応答して基板
    上に付着する圧縮及び引張性物質の量を制御してコーテ
    ィング中の応力を制御することを含む方法。
  3. 【請求項3】 物質がケイ素及びアルミニウムである、
    請求項1又は2に記載の方法。
  4. 【請求項4】 基板が光学デテクターである、請求項1
    又は2に記載の方法。
  5. 【請求項5】 基板が太陽電池である、請求項1又は2
    に記載の方法。
  6. 【請求項6】 基板上にコーティングを形成する物理蒸
    着装置であって、基板上に少くとも2種の物質を同時に
    付着させ、物質を酸化してその上に薄膜コーティングを
    形成する装置であり、圧縮力特性をコーティングに与え
    る物質を蒸着させる少くとも1つの第1装置及び引張力
    特性をコーティングに与える物質を蒸着させる少くとも
    1つの第2装置を含む装置;コーティング中の応力レベ
    ルをその形成の間モニターする装置;及び蒸着装置の運
    転を制御し、それにより前記物質の相対付着量を制御し
    てコーティング中の応力を制御するモニターされた応力
    レベルに応答する装置を含む装置。
  7. 【請求項7】 第1蒸着装置がケイ素の蒸着に適合さ
    れ、第2蒸着装置がアルミニウムの蒸着に適合される、
    請求項6に記載の装置。
  8. 【請求項8】 基板が光学デテクターである、請求項6
    又は7に記載の装置。
  9. 【請求項9】 基板が太陽電池である、請求項6又は7
    に記載の装置。
  10. 【請求項10】 基板上にコーティングを形成する物理
    蒸着装置であって、基板を上に装備し、基体を周囲作業
    ステーションを通して回転するに適合させたドラム装
    置;ドラムの周囲に隣接して配置された少くとも1対の
    蒸着装置であって、蒸着装置の少くとも1つの第1装置
    はコーティングに引張力特性を与える物質を基板上に付
    着させるに適合され、少くとも1つの第2装置はコーテ
    ィングに圧縮力特性を与える物質を基板上に同時に付着
    させるに適合された装置;ドラムの周囲に配置され、物
    質を、それらを付着させながら酸化する少くとも1つの
    反応装置;付着膜の応力を、それを形成させながら現場
    でモニターするためにドラム上に装備された片持ばりレ
    フレクタービームを含む片持ばりストレソメータ装置;
    及び基板上に付着する圧縮及び引張性物質の量を制御
    し、それによりコーティング応力を制御するモニターさ
    れた応力レベルに応答する装置を含む装置。
  11. 【請求項11】 第1蒸着装置がケイ素の蒸着に適合さ
    れ、第2蒸着装置がアルミニウムの蒸着に適合される、
    請求項10に記載の装置。
  12. 【請求項12】 基板が光学デテクターである、請求項
    10又は11に記載の装置。
  13. 【請求項13】 基板が太陽電池である、請求項10又
    は11に記載の装置。
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