JPH06130083A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
- Publication number
- JPH06130083A JPH06130083A JP4079678A JP7967892A JPH06130083A JP H06130083 A JPH06130083 A JP H06130083A JP 4079678 A JP4079678 A JP 4079678A JP 7967892 A JP7967892 A JP 7967892A JP H06130083 A JPH06130083 A JP H06130083A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acceleration
- resistance
- semiconductor
- acceleration sensor
- type diffused
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【目的】重り部分とたわみ部分とを形成してなる半導体
加速度センサは，従来半導体面と垂直な方向の加速度の
みを感知するものであった。これを水平方向の加速度お
よび回転加速度も感知できるようにする。 【構成】半導体基板としてのシリコン基板５０に，重り
部分１１とそれを支持するたわみ部分１２とを形成し，
たわみ部分１２の表面両側に平行に，ｐ型拡散抵抗１３
とｎ型拡散抵抗１４とを形成する。これら２つの拡散抵
抗を直列に接続し，両端を端子１５と端子１６に接続し
て端子間の抵抗値の変化を測定する。たとえば，このよ
うな加速度センサを２つ，互いに９０°回転させて形成
すると２軸の加速度が測定可能となり，１８０°回転さ
せて形成し，それらの直列抵抗を測定すると回転加速度
が測定可能となる。
加速度センサは，従来半導体面と垂直な方向の加速度の
みを感知するものであった。これを水平方向の加速度お
よび回転加速度も感知できるようにする。 【構成】半導体基板としてのシリコン基板５０に，重り
部分１１とそれを支持するたわみ部分１２とを形成し，
たわみ部分１２の表面両側に平行に，ｐ型拡散抵抗１３
とｎ型拡散抵抗１４とを形成する。これら２つの拡散抵
抗を直列に接続し，両端を端子１５と端子１６に接続し
て端子間の抵抗値の変化を測定する。たとえば，このよ
うな加速度センサを２つ，互いに９０°回転させて形成
すると２軸の加速度が測定可能となり，１８０°回転さ
せて形成し，それらの直列抵抗を測定すると回転加速度
が測定可能となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体加速度センサに関
し，特に重り部分とたわみ部分とからなり，多軸方向の
加速度および回転加速度の感知を可能とした半導体加速
度センサに関する。
し，特に重り部分とたわみ部分とからなり，多軸方向の
加速度および回転加速度の感知を可能とした半導体加速
度センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体加速度センサは図６に示す
ように，シリコン基板５０に重り部分５１と，重り部分
５１を支える薄片化したなわみ部分５２とを形成し，た
わみ部分５２上には，リンまたはボロンなどを拡散した
拡散抵抗５３を形成している。
ように，シリコン基板５０に重り部分５１と，重り部分
５１を支える薄片化したなわみ部分５２とを形成し，た
わみ部分５２上には，リンまたはボロンなどを拡散した
拡散抵抗５３を形成している。
【０００３】シリコン基板５０と垂直方向に加速度を受
けるとたわみ部分５２がたわみ，これにより発生する応
力Ｔからピエゾ抵抗効果により拡散抵抗５３の抵抗値が
変化し，次の（１）式で示す抵抗率変化量Δρが発生す
る。
けるとたわみ部分５２がたわみ，これにより発生する応
力Ｔからピエゾ抵抗効果により拡散抵抗５３の抵抗値が
変化し，次の（１）式で示す抵抗率変化量Δρが発生す
る。
【０００４】 Δρ＝ρ0 ・π・Ｔ …（１） ここで，Δρ：抵抗率変化量 ρ0 ：無ひずみ時の抵抗値 π：ピエゾ抵抗係数 Ｔ：応力 この抵抗値変化量Δρを拡散抵抗５３の両端に接続した
端子５４，５５を介して測定するものが基本構成となっ
ている。
端子５４，５５を介して測定するものが基本構成となっ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体加速
度センサは，シリコン基板に対して垂直方向のみの加速
度を測定するのには適しているが，シリコン基板に対す
る多方向からの加速度および回転加速度を測定するのに
は適さないという問題点があった。
度センサは，シリコン基板に対して垂直方向のみの加速
度を測定するのには適しているが，シリコン基板に対す
る多方向からの加速度および回転加速度を測定するのに
は適さないという問題点があった。
【０００６】本発明の目的は上述した問題点を解決し，
多方向の加速度，および回転加速度を測定することを可
能とした半導体加速度センサを提供することにある。
多方向の加速度，および回転加速度を測定することを可
能とした半導体加速度センサを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体加速度セ
ンサは，半導体基板を加工してなる重り部分と，前記重
り部分を支持し前記半導体基板に印加する加速度による
前記重り部分の動きと連動するたわみ部分とを含み，前
記たわみ部分に前記加速度を検知する拡散抵抗を形成し
た半導体加速度センサにおいて，前記たわみ部分の表面
にｐ型拡散抵抗とｎ型拡散抵抗とを平行に形成し，かつ
直列接続した両端間もしくは接続点と両端いずれかとの
間で前記加速度による前記ｐ型拡散抵抗と前記ｎ型拡散
抵抗との組合せにおける抵抗変化を検知するものとした
構成を有する。
ンサは，半導体基板を加工してなる重り部分と，前記重
り部分を支持し前記半導体基板に印加する加速度による
前記重り部分の動きと連動するたわみ部分とを含み，前
記たわみ部分に前記加速度を検知する拡散抵抗を形成し
た半導体加速度センサにおいて，前記たわみ部分の表面
にｐ型拡散抵抗とｎ型拡散抵抗とを平行に形成し，かつ
直列接続した両端間もしくは接続点と両端いずれかとの
間で前記加速度による前記ｐ型拡散抵抗と前記ｎ型拡散
抵抗との組合せにおける抵抗変化を検知するものとした
構成を有する。
【０００８】また本発明の半導体加速度センサは，同一
半導体基板に請求項１の加速度センサを複数個形成し，
かつそのうちの少なくとも２個が互いに９０°もしくは
１８０°形成方向が異るものとした構成を有する。
半導体基板に請求項１の加速度センサを複数個形成し，
かつそのうちの少なくとも２個が互いに９０°もしくは
１８０°形成方向が異るものとした構成を有する。
【０００９】
【作用】（１）式の関係で示されるピエゾ抵抗効果にお
いて，リンなどを拡散して形成するｎ型拡散抵抗と，ボ
ロンなどを拡散して形成するｐ型拡散抵抗とではピエゾ
抵抗係数πの符号が異なり，応力Ｔと抵抗率変化量Δρ
との関係は概略図７に示すように増減が逆となる。（例
えば，センサハンドブック，片岡照栄他，清風館昭６
１．５．３０，Ｐ．８６〜８７参照）。
いて，リンなどを拡散して形成するｎ型拡散抵抗と，ボ
ロンなどを拡散して形成するｐ型拡散抵抗とではピエゾ
抵抗係数πの符号が異なり，応力Ｔと抵抗率変化量Δρ
との関係は概略図７に示すように増減が逆となる。（例
えば，センサハンドブック，片岡照栄他，清風館昭６
１．５．３０，Ｐ．８６〜８７参照）。
【００１０】これらｐ型とｎ型の拡散抵抗を直列に接続
したときの抵抗値を測定すると，シリコン基板面に対し
て垂直方向の加速度に対しては，両拡散抵抗による抵抗
率変化量Δρの符号が逆となり，ｎ型とｐ型の拡散抵抗
の寸法調整をすれば互いに打ち消して抵抗値の変化を小
さくすることができる。
したときの抵抗値を測定すると，シリコン基板面に対し
て垂直方向の加速度に対しては，両拡散抵抗による抵抗
率変化量Δρの符号が逆となり，ｎ型とｐ型の拡散抵抗
の寸法調整をすれば互いに打ち消して抵抗値の変化を小
さくすることができる。
【００１１】逆に，シリコン基板面に対して平行方向で
たわみ部分を左右に振る方向の加速度に対しては，ｎ型
とｐ型の拡散抵抗に発生する応力は引張り，圧縮の逆に
なり，抵抗率変化量Δρの符号は同一となって，直列に
接続した抵抗値の変化量によって加速度を測定すること
ができる。
たわみ部分を左右に振る方向の加速度に対しては，ｎ型
とｐ型の拡散抵抗に発生する応力は引張り，圧縮の逆に
なり，抵抗率変化量Δρの符号は同一となって，直列に
接続した抵抗値の変化量によって加速度を測定すること
ができる。
【００１２】
【実施例】次に，本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の第１の実施例の斜視図である。
る。図１は本発明の第１の実施例の斜視図である。
【００１３】図１の実施例は，シリコン基板５０に重り
部分１１と重り部分１１を支えるたわみ部分１２とを形
成し，たわみ部分１２上に平行に，ボロンなどを拡散し
たｐ型拡散抵抗１３と，リンなどを拡散したｎ型拡散抵
抗１４とを形成した構成としている。
部分１１と重り部分１１を支えるたわみ部分１２とを形
成し，たわみ部分１２上に平行に，ボロンなどを拡散し
たｐ型拡散抵抗１３と，リンなどを拡散したｎ型拡散抵
抗１４とを形成した構成としている。
【００１４】たわみ部分１２は，シリコン基板面に対し
て重り部分１１が平行にたわむように形成する。拡散抵
抗１３，１４を直列に接続し，その両端に測定用の端子
１５，１６を設ける。
て重り部分１１が平行にたわむように形成する。拡散抵
抗１３，１４を直列に接続し，その両端に測定用の端子
１５，１６を設ける。
【００１５】いま，ｐ型拡散抵抗１３の抵抗変化をΔＲ
１３，ｎ型拡散抵抗１４の抵抗変化量をΔＲ１４，また
これら２つの拡散抵抗のピエゾ抵抗係数をそれそれπ１
３，π１４とし，それぞれの拡散抵抗にかかる応力をＴ
１３，Ｔ１４，無ひずみ時の抵抗値をそれぞれＲ１３，
Ｒ１４とすると，（１）式と同様にして次の（２），
（３）式が求まる。
１３，ｎ型拡散抵抗１４の抵抗変化量をΔＲ１４，また
これら２つの拡散抵抗のピエゾ抵抗係数をそれそれπ１
３，π１４とし，それぞれの拡散抵抗にかかる応力をＴ
１３，Ｔ１４，無ひずみ時の抵抗値をそれぞれＲ１３，
Ｒ１４とすると，（１）式と同様にして次の（２），
（３）式が求まる。
【００１６】 ΔＲ１３＝Ｒ１３・π１３・Ｔ１３ …（２） ΔＲ１４＝Ｒ１４・π１４・Ｔ１４ …（２） となる。ここで， Ｒ１３・｜π１３｜＝Ｒ１４・｜π１４｜ …（４） となるように抵抗値を調整すると，ピエゾ抵抗係数π１
３およびπ１４は，ｐ型拡散抵抗１３は正でｎ型拡散抵
抗１４は負であるから， ΔＲ１３＋ΔＲ１４＝Ｒ１３・｜π１３｜・Ｔ１３−Ｒ１４・｜π１４｜・Ｔ １４ ＝Ｒ１３・｜π１３｜・（Ｔ１３−Ｔ１４） …（５） となる。シリコン基板面に対して垂直な方向をｚ軸，重
り部分１１を左右に振る方向をｘ軸，たわみ部分１２の
方向をｙ軸とし，端子１５，１６間の抵抗を測定する。
３およびπ１４は，ｐ型拡散抵抗１３は正でｎ型拡散抵
抗１４は負であるから， ΔＲ１３＋ΔＲ１４＝Ｒ１３・｜π１３｜・Ｔ１３−Ｒ１４・｜π１４｜・Ｔ １４ ＝Ｒ１３・｜π１３｜・（Ｔ１３−Ｔ１４） …（５） となる。シリコン基板面に対して垂直な方向をｚ軸，重
り部分１１を左右に振る方向をｘ軸，たわみ部分１２の
方向をｙ軸とし，端子１５，１６間の抵抗を測定する。
【００１７】ｘ，ｙ，ｚ方向の加速度に対する抵抗値の
変化をそれぞれΔＲx ，ΔＲy ，ΔＲz とすると，ｐ型
拡散抵抗１３およびｎ型拡散抵抗１４に発生する応力
は，ｘ軸方向のたわみに対しては互いに逆符号となり，
ｙおよびｚ軸方向に対しては同一の値となるため，
（５）式から ΔＲx ＝ΔＲ１３＋ΔＲ１４ ＝Ｒ１３・｜π１３｜・（Ｔ１３−Ｔ１４） ２Ｒ１３・｜π１３｜・Ｔ１３ …（６） ΔＲy ＝Ｒ１３・｜π１３｜・（Ｔ１３−Ｔ１４） ＝０ …（７） ΔＲz ＝Ｒ１３・｜π１３｜・（Ｔ１３−Ｔ１４） ＝０ …（８） となる。すなわち，ｘ軸方向のみの加速度に対して抵抗
値が変化し，ｙおよびｚ軸方向の加速に対しては抵抗値
が変化しないので，この第１の実施例はｘ軸方向に対す
る加速度センサとして適する。
変化をそれぞれΔＲx ，ΔＲy ，ΔＲz とすると，ｐ型
拡散抵抗１３およびｎ型拡散抵抗１４に発生する応力
は，ｘ軸方向のたわみに対しては互いに逆符号となり，
ｙおよびｚ軸方向に対しては同一の値となるため，
（５）式から ΔＲx ＝ΔＲ１３＋ΔＲ１４ ＝Ｒ１３・｜π１３｜・（Ｔ１３−Ｔ１４） ２Ｒ１３・｜π１３｜・Ｔ１３ …（６） ΔＲy ＝Ｒ１３・｜π１３｜・（Ｔ１３−Ｔ１４） ＝０ …（７） ΔＲz ＝Ｒ１３・｜π１３｜・（Ｔ１３−Ｔ１４） ＝０ …（８） となる。すなわち，ｘ軸方向のみの加速度に対して抵抗
値が変化し，ｙおよびｚ軸方向の加速に対しては抵抗値
が変化しないので，この第１の実施例はｘ軸方向に対す
る加速度センサとして適する。
【００１８】図２は，本発明の第２の実施例の斜視図で
ある。この第２の実施例は，図２に示すように，ｐ型拡
散抵抗１３とｎ型拡散抵抗２４とを直列接続し，両端の
抵抗値を測定する端子１５および１６とともに，中間の
測定用端子としての端子１７を設け，端子１５と１７間
または端子１６と１７間の抵抗値により，従来と同様に
ｚ軸方向の加速度を測定するとことも併せ可能となる。
ある。この第２の実施例は，図２に示すように，ｐ型拡
散抵抗１３とｎ型拡散抵抗２４とを直列接続し，両端の
抵抗値を測定する端子１５および１６とともに，中間の
測定用端子としての端子１７を設け，端子１５と１７間
または端子１６と１７間の抵抗値により，従来と同様に
ｚ軸方向の加速度を測定するとことも併せ可能となる。
【００１９】図３は，本発明の第３の実施例の平面図で
ある。図３の第３の実施例は，図１の第１の実施例に示
す加速度センサを２つ，互いに９０°回転させた向きで
同一のシリコン基板５０に形成した例を示す。
ある。図３の第３の実施例は，図１の第１の実施例に示
す加速度センサを２つ，互いに９０°回転させた向きで
同一のシリコン基板５０に形成した例を示す。
【００２０】加速度センサ２１はｘ方向の加速度を測定
し，加速度センサ２２はｙ方向の加速度を測定する。す
なわち，シリコン基板５０の面と平行な（ｘ，ｙ）面で
の加速度が測定可能となる。
し，加速度センサ２２はｙ方向の加速度を測定する。す
なわち，シリコン基板５０の面と平行な（ｘ，ｙ）面で
の加速度が測定可能となる。
【００２１】図４は，本発明の第４の実施例の平面図で
ある。図４は，回転加速度の測定を可能とする実施例を
示し，図１の第１の実施例に示す加速度センサを２つ，
互いに１８０°回転させて同一シリコン基板に形成す
る。
ある。図４は，回転加速度の測定を可能とする実施例を
示し，図１の第１の実施例に示す加速度センサを２つ，
互いに１８０°回転させて同一シリコン基板に形成す
る。
【００２２】ｐ型拡散抵抗３５および３８，ｎ型拡散抵
抗３６および３７を直列にして接続した端子３９ａ，３
９ｂ間の抵抗を測定する。
抗３６および３７を直列にして接続した端子３９ａ，３
９ｂ間の抵抗を測定する。
【００２３】ｐ型拡散抵抗３５，３８およびｎ型拡散抵
抗３６，３７の抵抗変化量をそれそぞれΔＲ３５，ΔＲ
３８およびΔＲ３６，ΔＲ３７，ピエゾ抵抗係数をそれ
ぞれπ３５，π３８およびπ３６，π３７，それぞれの
拡散抵抗にかかる応力をＴ３５，Ｔ３８およびＴ３６，
Ｔ３７，また無ひずみ時の抵抗値をそれぞれＲ３５，Ｒ
３８およびＲ３６，Ｒ３７とする。さらに，（４）式と
同様に Ｒ３５・｜π３５｜＝Ｒ３６・｜π３６｜＝Ｒ３７・｜π３７｜＝Ｒ３８・｜ π３８｜ …（９） となるように抵抗値を調整すると，（５）式から ΔＲ３５＋ΔＲ３６＝Ｒ３５・｜π３５｜・（Ｔ３５−Ｔ３６） ΔＲ３７＋ΔＲ３８＝−Ｒ３７・｜π３７｜・（Ｔ３７−Ｔ３８） ＝−Ｒ３５・｜π３５｜・（Ｔ３７−Ｎ３８） 測定用の端子３９ａ，３９ｂ間の抵抗を測定し，ｘ，
ｙ，ｚ方向の加速に対する抵抗値の変化をそれぞれΔＲ
x ，ΔＲy ，ΔＲz とし，回転加速をかけたときの抵抗
値の変化をΔＲφとすると，（６），（７），（８）式
と同様にして ΔＲx ＝ΔＲ３５＋ΔＲ３６＋ΔＲ３７＋ΔＲ３８ ＝Ｒ３５・｜π３５｜・（Ｔ３５−Ｔ３６−Ｔ３７＋Ｔ３８） ＝０ （Ｔ３５＝−Ｔ３６＝Ｔ３７＝−Ｔ３８） ΔＲy ＝Ｒ３５・｜π３５｜・（Ｔ３５−Ｔ３６−Ｔ３７＋Ｔ３８） ＝０ （Ｔ３５＝Ｔ３６＝−Ｔ３７＝−Ｔ３８） ΔＲz ＝Ｒ３５・｜π３５｜・（Ｔ３５−Ｔ３６−Ｔ３７＋Ｔ３８） ＝０ （Ｔ３５＝Ｔ３６＝Ｔ３７＝Ｔ３８） ΔＲφ＝Ｒ３５・｜π３５｜・（Ｔ３５−Ｔ３６−Ｔ３７＋Ｔ３８） ＝２Ｒ３５・｜π３５｜・（Ｔ３５−Ｔ３７） （Ｔ３５＝−Ｔ３６≠Ｔ３７＝−Ｔ３８） となる。すなわち，この構成では，回転加速度に対して
のみ抵抗値が変化し，ｘ，ｙ，ｚ各軸に平行な加速に対
しては抵抗値が変化しないので，回転加速度センサとし
て適する。
抗３６，３７の抵抗変化量をそれそぞれΔＲ３５，ΔＲ
３８およびΔＲ３６，ΔＲ３７，ピエゾ抵抗係数をそれ
ぞれπ３５，π３８およびπ３６，π３７，それぞれの
拡散抵抗にかかる応力をＴ３５，Ｔ３８およびＴ３６，
Ｔ３７，また無ひずみ時の抵抗値をそれぞれＲ３５，Ｒ
３８およびＲ３６，Ｒ３７とする。さらに，（４）式と
同様に Ｒ３５・｜π３５｜＝Ｒ３６・｜π３６｜＝Ｒ３７・｜π３７｜＝Ｒ３８・｜ π３８｜ …（９） となるように抵抗値を調整すると，（５）式から ΔＲ３５＋ΔＲ３６＝Ｒ３５・｜π３５｜・（Ｔ３５−Ｔ３６） ΔＲ３７＋ΔＲ３８＝−Ｒ３７・｜π３７｜・（Ｔ３７−Ｔ３８） ＝−Ｒ３５・｜π３５｜・（Ｔ３７−Ｎ３８） 測定用の端子３９ａ，３９ｂ間の抵抗を測定し，ｘ，
ｙ，ｚ方向の加速に対する抵抗値の変化をそれぞれΔＲ
x ，ΔＲy ，ΔＲz とし，回転加速をかけたときの抵抗
値の変化をΔＲφとすると，（６），（７），（８）式
と同様にして ΔＲx ＝ΔＲ３５＋ΔＲ３６＋ΔＲ３７＋ΔＲ３８ ＝Ｒ３５・｜π３５｜・（Ｔ３５−Ｔ３６−Ｔ３７＋Ｔ３８） ＝０ （Ｔ３５＝−Ｔ３６＝Ｔ３７＝−Ｔ３８） ΔＲy ＝Ｒ３５・｜π３５｜・（Ｔ３５−Ｔ３６−Ｔ３７＋Ｔ３８） ＝０ （Ｔ３５＝Ｔ３６＝−Ｔ３７＝−Ｔ３８） ΔＲz ＝Ｒ３５・｜π３５｜・（Ｔ３５−Ｔ３６−Ｔ３７＋Ｔ３８） ＝０ （Ｔ３５＝Ｔ３６＝Ｔ３７＝Ｔ３８） ΔＲφ＝Ｒ３５・｜π３５｜・（Ｔ３５−Ｔ３６−Ｔ３７＋Ｔ３８） ＝２Ｒ３５・｜π３５｜・（Ｔ３５−Ｔ３７） （Ｔ３５＝−Ｔ３６≠Ｔ３７＝−Ｔ３８） となる。すなわち，この構成では，回転加速度に対して
のみ抵抗値が変化し，ｘ，ｙ，ｚ各軸に平行な加速に対
しては抵抗値が変化しないので，回転加速度センサとし
て適する。
【００２４】図５は本発明の第５の実施例の平面図であ
る。この実施例は回転加速度を測定する他の実施例であ
り，重り部分４１の両端を２つのたわみ部分４２，４３
が支え，それぞれのたわみ部分４２，４３の表面両側に
ｐ型拡散抵抗４４，４７と，ｎ型拡散抵抗４５，４６と
を形成する。これら拡散抵抗を直列に接続し，その両端
に測定用の端子４８，４９を設け，この端子間の抵抗値
の変化により測定する。図４に示す第４の実施例と異な
るのは，１つの重り部分４１を２つのたわみ部分４２，
４３が支えるということで，加速度に対する４つの拡散
抵抗の変化は同様であり， ΔＲx ＝ΔＲy ＝ΔＲz ＝０ ΔＲφ＝２Ｒ４４・｜π４４｜・（Ｔ４４−Ｔ４６） となる。これを図４の実施例と比べると構成がより簡単
になる。
る。この実施例は回転加速度を測定する他の実施例であ
り，重り部分４１の両端を２つのたわみ部分４２，４３
が支え，それぞれのたわみ部分４２，４３の表面両側に
ｐ型拡散抵抗４４，４７と，ｎ型拡散抵抗４５，４６と
を形成する。これら拡散抵抗を直列に接続し，その両端
に測定用の端子４８，４９を設け，この端子間の抵抗値
の変化により測定する。図４に示す第４の実施例と異な
るのは，１つの重り部分４１を２つのたわみ部分４２，
４３が支えるということで，加速度に対する４つの拡散
抵抗の変化は同様であり， ΔＲx ＝ΔＲy ＝ΔＲz ＝０ ΔＲφ＝２Ｒ４４・｜π４４｜・（Ｔ４４−Ｔ４６） となる。これを図４の実施例と比べると構成がより簡単
になる。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は，重り部分
とたわみ部分とを形成してなる半導体加速度センサにお
いて，たわみ部分にｐ型拡散抵抗とｎ型拡散抵抗を併設
することにより，多軸の加速度を測定および回転加速度
の測定を同一の半導体基板に形成した半導体加速度セン
サで実施することができる効果がある。
とたわみ部分とを形成してなる半導体加速度センサにお
いて，たわみ部分にｐ型拡散抵抗とｎ型拡散抵抗を併設
することにより，多軸の加速度を測定および回転加速度
の測定を同一の半導体基板に形成した半導体加速度セン
サで実施することができる効果がある。
【図１】本発明の第１の半導体加速度センサの実施例の
斜視図である。
斜視図である。
【図２】本発明の第２の半導体加速度センサの実施例の
斜視図である。
斜視図である。
【図３】本発明の第３の半導体加速度センサの実施例の
平面図である。
平面図である。
【図４】本発明の第４の半導体加速度センサの実施例の
平面図である。
平面図である。
【図５】本発明の第５の半導体加速度センサの実施例の
平面図である。
平面図である。
【図６】従来の半導体加速度センサの斜視図である。
【図７】ｐ型およびｎ型拡散抵抗の応力対抵抗率変化量
特性図である。
特性図である。
１１ 重り部分 １２ たわみ部分 １３ ｐ型拡散抵抗 １４ ｎ型拡散抵抗 １５，１６，１７ 端子 ２１，２２ 加速度センサ ３１，３３ 重り部分 ３２，３４ たわみ部分 ３５，３８ ｐ型拡散抵抗 ３６，３７ ｎ型拡散抵抗 ３９ａ，ｂ 端子 ４１ 重り部分 ４２，４３ たわみ部分 ４４，４７ ｐ型拡散抵抗 ４５，４６ ｎ型拡散抵抗 ４８，４９ 端子 ５０ シリコン基板 ５１ 重り部分 ５２ たわみ部分 ５３ 拡散抵抗 ５４，５５ 端子
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 関戸 才吉 神奈川県横浜市神奈川区新浦島町１丁目１ 番地25日本電気ロボットエンジニアリング 株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板を加工してなる重り部分と，
前記重り部分を支持し前記半導体基板に印加する加速度
による前記重り部分の動きと連動するたわみ部分とを含
み，前記たわみ部分に前記加速度を検知する拡散抵抗を
形成した半導体加速度センサにおいて，前記たわみ部分
の表面にｐ型拡散抵抗とｎ型拡散抵抗とを平行に形成
し，かつ直列接続した両端間もしくは接続点と両端いず
れかとの間で前記加速度による前記ｐ型拡散抵抗と前記
ｎ型拡散抵抗との組合せにおける抵抗変化を検知するも
のとしたことを特徴とする半導体加速度センサ。 - 【請求項２】 同一半導体基板に請求項１の加速度セン
サを複数個形成し，かつそのうちの少なくとも２個が互
いに９０°もしくは１８０°形成方向が異るものとした
ことを特徴とする半導体加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4079678A JPH06130083A (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4079678A JPH06130083A (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06130083A true JPH06130083A (ja) | 1994-05-13 |
Family
ID=13696863
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4079678A Pending JPH06130083A (ja) | 1992-04-01 | 1992-04-01 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06130083A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006112051A1 (ja) * | 2005-04-06 | 2006-10-26 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 加速度センサ |
| WO2007141944A1 (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-13 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 加速度センサ |
| JP2010185725A (ja) * | 2009-02-10 | 2010-08-26 | Honda Motor Co Ltd | 多軸力覚センサおよび加速度センサ |
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| JP2019060855A (ja) * | 2017-09-05 | 2019-04-18 | アイメック・ヴェーゼットウェーＩｍｅｃ Ｖｚｗ | 半導体部品用の応力センサ |
-
1992
- 1992-04-01 JP JP4079678A patent/JPH06130083A/ja active Pending
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