JPH06129337A - グロープラグ制御装置 - Google Patents
グロープラグ制御装置Info
- Publication number
- JPH06129337A JPH06129337A JP4300526A JP30052692A JPH06129337A JP H06129337 A JPH06129337 A JP H06129337A JP 4300526 A JP4300526 A JP 4300526A JP 30052692 A JP30052692 A JP 30052692A JP H06129337 A JPH06129337 A JP H06129337A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power mosfet
- storage battery
- voltage
- diode
- glow plug
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Charge And Discharge Circuits For Batteries Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】蓄電池逆接時のパワーMOSFET熱破壊を防ぐ。
【構成】n-chパワーMOSFET３を用いたグロープラグ制御
装置では、FET の寄生ダイオード３ａにより蓄電池１の
逆接時の逆電流が阻止できない。そこで、逆接時にパワ
ーMOSFETを導通させる回路を接続する。例としてダイオ
ード４をアース側からＦＥＴのゲート３ｇに抵抗を介し
て接続する。正常時は、制御回路が電圧をゲート３ｇに
印加してパワーMOSFET３を通電し、ダイオード４は逆バ
イアスになり電流は流れない。しかし、蓄電池逆接続時
は、ダイオード４は通電状態となりゲート３ｇに電圧が
印加され、パワーMOSFET３はターンオンする。そのため
ソース、ドレインには蓄電池１の電圧がかかり寄生ダイ
オード３ａを流れようとするが、ほぼ同時にパワーMOSF
ET３が導通しているので、寄生ダイオードには電流が流
れずパワーMOSFET３を熱破壊することはない。
装置では、FET の寄生ダイオード３ａにより蓄電池１の
逆接時の逆電流が阻止できない。そこで、逆接時にパワ
ーMOSFETを導通させる回路を接続する。例としてダイオ
ード４をアース側からＦＥＴのゲート３ｇに抵抗を介し
て接続する。正常時は、制御回路が電圧をゲート３ｇに
印加してパワーMOSFET３を通電し、ダイオード４は逆バ
イアスになり電流は流れない。しかし、蓄電池逆接続時
は、ダイオード４は通電状態となりゲート３ｇに電圧が
印加され、パワーMOSFET３はターンオンする。そのため
ソース、ドレインには蓄電池１の電圧がかかり寄生ダイ
オード３ａを流れようとするが、ほぼ同時にパワーMOSF
ET３が導通しているので、寄生ダイオードには電流が流
れずパワーMOSFET３を熱破壊することはない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、主としてディーゼルエ
ンジンに用いられるグロープラグの制御装置に関する。
ンジンに用いられるグロープラグの制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、グロープラグの通電制御にはリレ
ーが用いられており、半導体パワーMOSFETによる通電制
御は、利点の多いアイデアとしては知られているけれど
も実用化されていない。また通常、電装品は、蓄電池の
逆接続時に対する保護対策としてヒューズ回路が多く用
いられる。
ーが用いられており、半導体パワーMOSFETによる通電制
御は、利点の多いアイデアとしては知られているけれど
も実用化されていない。また通常、電装品は、蓄電池の
逆接続時に対する保護対策としてヒューズ回路が多く用
いられる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、グロー
プラグ制御装置では、パワーMOSFET自体が大電流スイッ
チであり、蓄電池とグロープラグとの間に直列に接続し
てあって、しかもパワーMOSFETはその構造上、寄生ダイ
オードが存在し、逆接続時にも回路が通電状態にある。
従って、何も対策を施さない場合、逆接続時にパワーMO
SFETは逆電流による発熱で短時間に破壊してしまうとい
う問題がある。そのため、パワーMOSFETは、きめ細かな
制御ができるという優位性を持ちつつも、安全性・経済
性の面からまだ実用化されていないのが実情である。
プラグ制御装置では、パワーMOSFET自体が大電流スイッ
チであり、蓄電池とグロープラグとの間に直列に接続し
てあって、しかもパワーMOSFETはその構造上、寄生ダイ
オードが存在し、逆接続時にも回路が通電状態にある。
従って、何も対策を施さない場合、逆接続時にパワーMO
SFETは逆電流による発熱で短時間に破壊してしまうとい
う問題がある。そのため、パワーMOSFETは、きめ細かな
制御ができるという優位性を持ちつつも、安全性・経済
性の面からまだ実用化されていないのが実情である。
【０００４】また、通常の電装品と違い、パワーMOSFET
には逆接続時の逆電流と同程度の順電流が正常接続時に
流れるため、ヒューズ回路は使用できないという問題が
ある。そこで、通常の電気回路で逆電流を防ぐためのダ
イオードをパワーMOSFETに直列に追加することが考えら
れるが、大電流用のダイオードは現実に無く、あったと
しても高価である上、ダイオードの電圧降下が生じてグ
ロープラグへの電力が低下してしまうため使用できな
い。
には逆接続時の逆電流と同程度の順電流が正常接続時に
流れるため、ヒューズ回路は使用できないという問題が
ある。そこで、通常の電気回路で逆電流を防ぐためのダ
イオードをパワーMOSFETに直列に追加することが考えら
れるが、大電流用のダイオードは現実に無く、あったと
しても高価である上、ダイオードの電圧降下が生じてグ
ロープラグへの電力が低下してしまうため使用できな
い。
【０００５】むしろ、蓄電池の逆接続状態は元々定常的
な状態ではなく、蓄電池を交換する際に発生するのがほ
とんどであり、蓄電池の端子を回路に接触した瞬間に電
流が流れ、放電等を起こして異常であることが判明す
る。しかし、その時点ではもう電装品に充分逆電圧が印
加されてしまっているので、この時点で破壊しないため
の対策は必要不可欠である。従って当発明の目的は、蓄
電池の逆接続状態において電流が流れてしまうのが防ぐ
ことができない代わりにパワーMOSFETが破壊してしまう
のを防ぐことにある。
な状態ではなく、蓄電池を交換する際に発生するのがほ
とんどであり、蓄電池の端子を回路に接触した瞬間に電
流が流れ、放電等を起こして異常であることが判明す
る。しかし、その時点ではもう電装品に充分逆電圧が印
加されてしまっているので、この時点で破壊しないため
の対策は必要不可欠である。従って当発明の目的は、蓄
電池の逆接続状態において電流が流れてしまうのが防ぐ
ことができない代わりにパワーMOSFETが破壊してしまう
のを防ぐことにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記の問題を解決するた
めに、半導体パワーMOSFETによるグロープラグ通電制御
回路において、蓄電池が逆極性で接続された時にパワー
MOSFETをオンさせる電圧をゲートに印加する回路を接続
する。
めに、半導体パワーMOSFETによるグロープラグ通電制御
回路において、蓄電池が逆極性で接続された時にパワー
MOSFETをオンさせる電圧をゲートに印加する回路を接続
する。
【０００７】
【作用】蓄電池の逆接続時には、アース側がプラスの電
圧になるので、上記の回路によりパワーMOSFETのゲート
に蓄電池の本来極性による電圧が印加されてパワーMOSF
ETは導通状態になる。
圧になるので、上記の回路によりパワーMOSFETのゲート
に蓄電池の本来極性による電圧が印加されてパワーMOSF
ETは導通状態になる。
【０００８】
【発明の効果】蓄電池逆接続時にパワーMOSFETを通電状
態にするので、逆電流が寄生ダイオードを通らず素子内
の本来の電流回路を流れることになり、パワーMOSFETの
発熱が抑えられ、製品破壊を免れる。
態にするので、逆電流が寄生ダイオードを通らず素子内
の本来の電流回路を流れることになり、パワーMOSFETの
発熱が抑えられ、製品破壊を免れる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
図１は、パワーMOSFETをスイッチング素子として用いた
グロープラグ制御装置の主要な回路図である。蓄電池１
は逆接続状態となっている。２ａ〜２ｄはグロープラ
グ、３は２個並列にした約５ｍΩのパワーＭＯＳＦＥＴ
で、３ａは素子の寄生ダイオードで動作電圧が約１Ｖで
ある。４が本発明を特徴づける回路で、この実施例では
パワーMOSFETがｎ−ｃｈタイプであるので、ダイオード
４がグロープラグのアース側からＦＥＴのゲート３ｇに
抵抗を介して接続してある。
図１は、パワーMOSFETをスイッチング素子として用いた
グロープラグ制御装置の主要な回路図である。蓄電池１
は逆接続状態となっている。２ａ〜２ｄはグロープラ
グ、３は２個並列にした約５ｍΩのパワーＭＯＳＦＥＴ
で、３ａは素子の寄生ダイオードで動作電圧が約１Ｖで
ある。４が本発明を特徴づける回路で、この実施例では
パワーMOSFETがｎ−ｃｈタイプであるので、ダイオード
４がグロープラグのアース側からＦＥＴのゲート３ｇに
抵抗を介して接続してある。
【００１０】蓄電池１が正常な接続状態の場合は、制御
回路から出されるパワーMOSFET駆動信号を適切な電圧に
してパワーMOSFETのゲート３ｇに印加してパワーMOSFET
３を通電する。このときダイオード４は逆バイアスにな
るので電流は流れない。しかし、蓄電池１が逆接続状態
の時は、ダイオード４は逆極性の蓄電池１により順方向
にバイアスされるので通電状態となり、ゲート３ｇにバ
イアス電圧が印加され、パワーMOSFET３はターンオンす
る。パワーMOSFET３のソース、ドレインにはグロープラ
グを介して蓄電池１の電圧がかかり、寄生ダイオード３
ａを流れようとする。この電流が３０Ａとすると約３０
Ｗの電力がパワーMOSFET３に加わるが、本案では上記の
ダイオード４によってほぼ同時にパワーMOSFET３が導通
しているので寄生ダイオード３ａには電流が流れず、約
4.5 Ｗの電力がパワーMOSFET３に加わり、約８５％の電
力を減少することができ、熱破壊を防止できる。
回路から出されるパワーMOSFET駆動信号を適切な電圧に
してパワーMOSFETのゲート３ｇに印加してパワーMOSFET
３を通電する。このときダイオード４は逆バイアスにな
るので電流は流れない。しかし、蓄電池１が逆接続状態
の時は、ダイオード４は逆極性の蓄電池１により順方向
にバイアスされるので通電状態となり、ゲート３ｇにバ
イアス電圧が印加され、パワーMOSFET３はターンオンす
る。パワーMOSFET３のソース、ドレインにはグロープラ
グを介して蓄電池１の電圧がかかり、寄生ダイオード３
ａを流れようとする。この電流が３０Ａとすると約３０
Ｗの電力がパワーMOSFET３に加わるが、本案では上記の
ダイオード４によってほぼ同時にパワーMOSFET３が導通
しているので寄生ダイオード３ａには電流が流れず、約
4.5 Ｗの電力がパワーMOSFET３に加わり、約８５％の電
力を減少することができ、熱破壊を防止できる。
【００１１】また、図２に本発明の別の実施例を示す。
この例では、図１のダイオード４の代わりにｐ−ｃｈタ
イプのＦＥＴ２４が用いられている。そのＦＥＴ２４は
ソース２４ｓがアースに接続され、ドレイン２４ｄがパ
ワーMOSFET２３のゲート２３ｇに接続されている。ま
た、ゲート２４ｇはＦＥＴ２３のドレイン２３ｄに接続
されている。他は図１と同じ構成である。そして蓄電池
２１の極性が逆となり、ＦＥＴ２４のゲート２４ｇがア
ースに対して電源電圧分だけ低い電位になってＦＥＴ２
４がオンとなる。これにより、ＦＥＴ２３のゲート２３
ｇにはソース２３ｓより十分高い電圧が印加されるので
ＦＥＴ２３はターンオンする。このことで図１の実施例
と同様の効果を果たす。
この例では、図１のダイオード４の代わりにｐ−ｃｈタ
イプのＦＥＴ２４が用いられている。そのＦＥＴ２４は
ソース２４ｓがアースに接続され、ドレイン２４ｄがパ
ワーMOSFET２３のゲート２３ｇに接続されている。ま
た、ゲート２４ｇはＦＥＴ２３のドレイン２３ｄに接続
されている。他は図１と同じ構成である。そして蓄電池
２１の極性が逆となり、ＦＥＴ２４のゲート２４ｇがア
ースに対して電源電圧分だけ低い電位になってＦＥＴ２
４がオンとなる。これにより、ＦＥＴ２３のゲート２３
ｇにはソース２３ｓより十分高い電圧が印加されるので
ＦＥＴ２３はターンオンする。このことで図１の実施例
と同様の効果を果たす。
【図１】本発明の実施例を示すグロープラグ制御回路
図。
図。
【図２】本発明の別の実施例を示すグロープラグ制御回
路図。
路図。
１ 蓄電池（逆接状態） ２ａ〜２ｄ グロープラグ ３ パワーＭＯＳＦＥＴ ４ 逆接保護用ダイオード ２１ 蓄電池（逆接状態） ２２ａ〜２２ｄ グロープラグ ２３ パワーＭＯＳＦＥＴ ２４ ｐ−ｃｈ ＭＯＳＦＥＴ
Claims (1)
- 【請求項１】グロープラグと蓄電池との間に通電制御用
の半導体パワーMOS型電界効果トランジスタ(MOSFET)を
直列接続してグロープラグの通電を制御する装置におい
て、前記蓄電池への接続が逆極性で行われた時に、その
逆極性の電圧により前記パワーMOSFETをオンさせる電圧
をゲートに印加させる保護回路を備えることを特徴とす
るグロープラグ制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04300526A JP3123261B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | グロープラグ制御装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04300526A JP3123261B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | グロープラグ制御装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06129337A true JPH06129337A (ja) | 1994-05-10 |
| JP3123261B2 JP3123261B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=17885885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04300526A Expired - Fee Related JP3123261B2 (ja) | 1992-10-12 | 1992-10-12 | グロープラグ制御装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3123261B2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0756083A1 (fr) * | 1995-07-27 | 1997-01-29 | Sagem Sa | Circuit de commande de bougies de préchauffage de moteur diesel |
| JP2007019812A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Yazaki Corp | 電源の逆接続保護機能を備えた負荷駆動装置 |
| US7283343B2 (en) * | 2004-12-15 | 2007-10-16 | Texas Instruments Incorporated | Integrated reverse battery protection circuit for an external MOSFET switch |
| US7288856B2 (en) | 2003-05-14 | 2007-10-30 | International Rectifier Corporation | Reverse battery protection circuit for power switch |
| WO2008108330A1 (ja) | 2007-03-05 | 2008-09-12 | Bosch Corporation | グロープラグ駆動装置 |
| US7463468B2 (en) | 2003-05-14 | 2008-12-09 | International Rectifier Corporation | Reverse circulation protection circuit |
| JP2009165113A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-23 | Nec Electronics Corp | 負荷駆動装置 |
| JP2009191642A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Autonetworks Technologies Ltd | グロープラグ保護回路 |
| JP2010216420A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Denso Corp | 通電制御装置 |
| JP2013038908A (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-21 | Denso Corp | 電源逆接保護装置 |
| DE102013218707A1 (de) | 2012-09-20 | 2014-03-20 | Denso Corporation | Halbleitervorrichtung zur steuerung einer speisung einer last unter verwendung eines halbleiterschaltelements |
| JP2015080097A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1992
- 1992-10-12 JP JP04300526A patent/JP3123261B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2737259A1 (fr) * | 1995-07-27 | 1997-01-31 | Sagem | Circuit de commande de bougies de prechauffage de moteur diesel |
| EP0756083A1 (fr) * | 1995-07-27 | 1997-01-29 | Sagem Sa | Circuit de commande de bougies de préchauffage de moteur diesel |
| US7288856B2 (en) | 2003-05-14 | 2007-10-30 | International Rectifier Corporation | Reverse battery protection circuit for power switch |
| US7463468B2 (en) | 2003-05-14 | 2008-12-09 | International Rectifier Corporation | Reverse circulation protection circuit |
| US7283343B2 (en) * | 2004-12-15 | 2007-10-16 | Texas Instruments Incorporated | Integrated reverse battery protection circuit for an external MOSFET switch |
| JP2007019812A (ja) * | 2005-07-07 | 2007-01-25 | Yazaki Corp | 電源の逆接続保護機能を備えた負荷駆動装置 |
| WO2008108330A1 (ja) | 2007-03-05 | 2008-09-12 | Bosch Corporation | グロープラグ駆動装置 |
| JPWO2008108330A1 (ja) * | 2007-03-05 | 2010-06-17 | ボッシュ株式会社 | グロープラグ駆動装置 |
| JP2009165113A (ja) * | 2007-12-14 | 2009-07-23 | Nec Electronics Corp | 負荷駆動装置 |
| JP2009191642A (ja) * | 2008-02-12 | 2009-08-27 | Autonetworks Technologies Ltd | グロープラグ保護回路 |
| JP2010216420A (ja) * | 2009-03-18 | 2010-09-30 | Denso Corp | 通電制御装置 |
| JP2013038908A (ja) * | 2011-08-08 | 2013-02-21 | Denso Corp | 電源逆接保護装置 |
| DE102013218707A1 (de) | 2012-09-20 | 2014-03-20 | Denso Corporation | Halbleitervorrichtung zur steuerung einer speisung einer last unter verwendung eines halbleiterschaltelements |
| JP2015080097A (ja) * | 2013-10-17 | 2015-04-23 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3123261B2 (ja) | 2001-01-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH10150354A (ja) | 電力ｆｅｔ及び短絡認識部を有するスイツチ装置 | |
| JPH06129337A (ja) | グロープラグ制御装置 | |
| JPH03150022A (ja) | 給電装置 | |
| JP2007159159A (ja) | 半導体素子の保護装置 | |
| MX9200033A (es) | Dispositivo de proteccion contra sobrecorrientes. | |
| JP2007019812A (ja) | 電源の逆接続保護機能を備えた負荷駆動装置 | |
| JP2003274636A (ja) | ソリッドステートリレー | |
| JP3301472B2 (ja) | 突入電流防止機能を有する回路装置 | |
| JP2000215772A (ja) | インタ―ロック回路 | |
| US6639444B2 (en) | Protection circuit | |
| EP0660519B1 (en) | Semiconductor device protection circuit | |
| JP2000312142A (ja) | インテリジェントパワースイッチ装置 | |
| JP4423765B2 (ja) | 負荷駆動装置 | |
| JPH02281526A (ja) | 電磁接触器用電子急速遮断回路 | |
| JP2002175124A (ja) | 車両用電源回路 | |
| JP3679524B2 (ja) | トランジスタの過電流保護回路 | |
| JPS6111011B2 (ja) | ||
| JP3152000B2 (ja) | パワートランジスタ保護回路 | |
| EP0750112A2 (en) | Tamper-resistant circuit and engine control system | |
| JP2886398B2 (ja) | ステッピングモ−タの駆動装置 | |
| JP2000138023A (ja) | 逆電圧保護装置 | |
| JPH09135156A (ja) | 電気負荷の駆動装置 | |
| JP4044771B2 (ja) | 圧電アクチュエータの駆動装置 | |
| JPS6245475Y2 (ja) | ||
| JPH0847158A (ja) | 短絡回路 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |