JPH06128191A - 高純度テレフタル酸の製造方法 - Google Patents
高純度テレフタル酸の製造方法Info
- Publication number
- JPH06128191A JPH06128191A JP4274571A JP27457192A JPH06128191A JP H06128191 A JPH06128191 A JP H06128191A JP 4274571 A JP4274571 A JP 4274571A JP 27457192 A JP27457192 A JP 27457192A JP H06128191 A JPH06128191 A JP H06128191A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terephthalic acid
- aqueous solution
- crude terephthalic
- reactor
- crude
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
レフタル酸を高温、高圧下で水中に溶解し、次いで、該
粗テレフタル酸水溶液を水素の供給下、白金族金属を含
む触媒層を有する充填塔を通過させることにより高純度
テレフタル酸を製造する方法において、パラキシレンの
酸化反応により得られた粗テレフタル酸を、高温、高圧
下で水中に溶解し、次いで該粗テレフタル酸水溶液を水
素の供給下、白金族金属を含む触媒層を有する充填塔を
通過させることにより高純度テレフタル酸を製造する方
法において、充填塔型反応器の上部入口部分にオーバー
フロー壁により仕切られて形成された滞留ゾーンを設
け、該滞留ゾーンに粗テレフタル酸水溶液を供給し、オ
ーバーフロー壁にオーバーフローさせた後、該滞留ゾー
ンの下部に位置する触媒充填層に通液することを特徴と
する高純度テレフタル酸の製造方法。 【効果】 本発明により粗テレフタル酸を効率よく精製
し、高純度のテレフタル酸を製造することができる。
Description
造方法に関するものである。詳しくは、水溶液中の微量
不溶物を効率よく溶解させて精製処理することができる
工業的に有利な高純度テレフタル酸の製造方法に関する
ものである。
れたテレフタル酸を更に高純度化するため、粗テレフタ
ル酸結晶を高温、高圧下で水中に溶解し、このテレフタ
ル酸の水溶液を、例えば、パラジウム/カーボン等の白
金族金属触媒の存在下、水素により処理する精製法は公
知である(特公昭41−16860号等)。この精製法
を工業的に実施する場合には、通常、予め、チューブ型
加熱器により、粗テレフタル酸結晶を所定割合の水に高
圧下、例えば260℃以上の高温下で溶解処理するが、
テレフタル酸の溶解速度の関係から、粗テレフタル酸の
結晶粒子径によっては、溶解が不十分の場合が有り得
る。もし、未溶解のテレフタル酸結晶が白金族金属触媒
の充填層に流れた場合には、安定した連続運転が不可能
になる。
させる方法として、通常、チューブ型加熱器と触媒の充
填層から成る反応器との間に、別に、バッファー溶解槽
を設け、ここで、完全溶解させている(特公昭51−3
2618号等)。このバッファー溶解槽での滞留時間
は、通常、数分〜数十分程度となるが、この場合、テレ
フタル酸水溶液を精製反応とは関係のない工程で260
℃以上の高温下に余けいに保持することとなり、そのた
め、最終的に得られる精製テレフタル酸の品質上の問題
において好ましいことではない。
み、粗テレフタル酸の溶解処理をバッファー溶解槽を設
けなくても短時間で確実に行い、未溶解の結晶が触媒充
填層に通液されることのないテレフタル酸結晶の溶解方
法を提供し、かつ、熱履歴をなるべく少なくした優れた
品質の高純度テレフタル酸を製造する方法を提供しよう
とするものである。
達成するために鋭意検討を行った結果、粗テレフタル酸
をチューブ型加熱器で溶解処理した後の水溶液を特定構
造を有する充填塔型反応器に直接供給することにより粗
テレフタル酸水溶液中の微量不溶物を効率よく溶解させ
ることができ、処理量も増大することができることを見
いだし本発明を完成した。
の酸化反応により得られた粗テレフタル酸を、高温高圧
下で水中に溶解し、次いで該粗テレフタル酸水溶液を水
素の供給下、白金族金属を含む触媒層を有する充填塔型
反応器に通過させることにより高純度テレフタル酸を製
造する方法において、充填塔型反応器上部入口部分にオ
ーバーフロー壁により仕切られて形成された滞留ゾーン
を設け、該滞留ゾーンに粗テレフタル酸水溶液を供給
し、オーバーフロー壁をオーバーフローさせることによ
り該滞留ゾーンの下部に位置する充填層に通液すること
を特徴とする高純度テレフタル酸の製造方法に存する。
レンの酸化反応としては、通常、パラキシレンを酢酸溶
媒中、例えば、コバルト、マンガン及び臭素を含む触媒
の存在下で、通常170〜230℃の温度条件下で、分
子状酸素と反応させる、いわゆるSD法が採用される。
かかる反応により得られる粗テレフタル酸とは、不純物
として4−カルボキシベンズアルデヒド(以下「4CB
A」という)を重量基準で通常1000〜5000pp
m含有する結晶性のものである。
り、テレフタル酸の溶解度を高めるためには高温高圧と
する必要がある。粗テレフタル酸の水溶液を得る一般的
な方法としては次のような方法が例示される。粗テレフ
タル酸を水に対して10〜40重量%の割合で混合し、
スラリーとする。次に、このスラリーは昇圧ポンプによ
り反応圧力プラスαの圧力(プラスαとは反応器に到達
するまでの圧力損失を考慮した圧力である)まで加圧さ
れ、多管式熱交換器を組み合わせた加熱溶解工程へ供給
される。加熱による昇温は所定の反応温度まで、好まし
くは、複数の熱交換器群により段階的に行われる。この
加熱溶解工程におけるスラリーの滞留時間は、通常、粗
テレフタル酸の結晶粒子が完全溶解するのに必要充分な
ものとして設計され、この加熱器内における滞留時間は
加熱方式により異なるが、通常60〜90秒である。
液を白金族金属を含む触媒層を有する充填塔型反応器に
通過させ、該反応器内で水素添加反応処理により粗テレ
フタル酸を精製する。白金族金属を含む触媒としては、
パラジウム、ルテニウム、ロジウム、オスミウム、イリ
ジウム、白金等あるいはこれらの金属酸化物から選ばれ
る。これらの金属もしくは金属酸化物は触媒としてその
まま使用することもできるが、活性炭のごとき担体に、
通常0.5〜10重量%担持したものが特に有効であ
る。反応条件としては、温度が、通常200〜400
℃、好ましくは250〜350℃、圧力は、通常70k
g/cm2 G以上、好ましくは80〜100kg/cm
2 Gである。水素は反応器内に反応圧以上に加圧されて
反応器内に供給されることになる。
おいて特定の構造の充填塔型反応器を用いる点に特徴を
有するものである。本発明で用いられる充填塔型反応器
は、上部入口部分にオーバーフロー壁により仕切られた
粗テレフタル酸水溶液の滞留ゾーンを設け、該滞留ゾー
ンの下部に触媒充填層を有する反応ゾーンを持つ構造で
ある。若干の未溶解結晶粒子を含む可能性のあるこの粗
テレフタル酸水溶液は、まず、上部の滞留ゾーンに加
圧、供給され反応器上部より下部に向かって流れ塔底よ
り流出する。水素も上部より供給され、液相中に溶解し
ていく。反応器内部は上方に水蒸気と水素ガスの気相部
分が存在し、下方の触媒充填層の全体を含む大部分が液
相部となる。そして、テレフタル酸水溶液の反応器内の
液相部の平均滞留時間は通常5〜30分である。
の上部の構造について、図面を用いて更に説明する。図
1は、本発明に用いられる反応器の一例の構造を示すも
のである。1は水素供給口、2は粗テレフタル酸水溶液
供給口、3はオーバーフロー壁、4は仕切板、5は触媒
充填層、6はテレフタル酸水溶液の出口および7はテレ
フタル酸水溶液の流路を示す。そして、反応を行う場
合、仕切板4と触媒充填層5との間に液相と気相の界面
部分が存在する。
る。水素は、高温高圧の塔内においてテレフタル酸水溶
液中に充分溶解するが、溶解効率を高めるためには、オ
ーバーフローして下降するテレフタル酸水溶液の流路に
沿って水素ガスを供給し、液中に巻き込み易くすると好
ましい。粗テレフタル酸水溶液は供給口2より供給され
る。供給口2の位置は、仕切板4からオーバーフロー壁
3の通常0.2〜0.4倍の高さに設置し、オーバーフ
ロー壁3と仕切板4に囲まれた部分が滞留ゾーンを形成
する。従って、オーバーフロー壁3の高さは、滞留ゾー
ンでの水溶液の滞留時間を考慮して適宜設定され、ま
た、滞留ゾーンの温度は、通常、反応ゾーンと同様に設
定される。この滞留ゾーンの主な意義は粗テレフタル酸
水溶液をなるべく短時間で反応ゾーンへ供給し、かつ、
この水溶液中にわずかに混在する未溶解の比較的大きな
結晶粒子を該滞留ゾーンに滞留させ、ここで完全溶解さ
せることにある。
ーフロー壁3に沿って上昇し、最後にオーバーフロー
し、仕切板4の下側の反応ゾーンへ供給されることにな
る。従って、もし、未溶解結晶粒子があっても、該粒子
は、オーバーフローすることなく滞留ゾーンの下部へ沈
降して滞留し、そこで供給液や水素の流れによる混合に
供され速やかに溶解されることとなる。未溶解粒子の滞
留は溶液の上昇流と重力の作用による沈降との関係から
生ずるので溶液の上昇流の速度をなるべく小さくし、か
つ、滞留ゾーンの容量はなるべく小さくすることが好ま
しい。滞留ゾーンでの滞留時間は装置の大きさによって
も異なるが、例えば、0.5〜5分程度である。
断面積をなるべく大きくする方が好ましい。例えば、図
1の反応器における滞留ゾーン内の場合は、水溶液が上
昇する円筒部分の径と反応ゾーンの径とが同一円筒であ
り、オーバーフローし下降する流路が反応ゾーン内径と
同心円の円筒形をしているが、反応器内径をDとすると
オーバーフロー壁3の長さがDの0.3〜0.9倍、水
溶液がオーバーフローし下降する流路の円筒部分の直径
がDの0.2〜0.4倍の範囲に設置すると好ましい。
あれば、図1のものに限定されるものではなく、例え
ば、図2に示したように、塔頂付近の供給口2より粗テ
レフタル酸水溶液を供給し、該供給口2の先端部を包含
するようなかたちで、オーバーフロー壁3と仕切板4包
含によって成る滞留ゾーンを設ける構造のものでもよ
い。以上のような方法でオーバーフローさせたテレフタ
ル酸水溶液は、反応ゾーン、具体的には触媒充填層5を
経て精製され、反応器の下部の出口6より系外に流出さ
せる。該流出液は、通常、晶析、乾燥工程を経て精製テ
レフタル酸結晶として回収される。
体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、
以下の実施例に限定されるものではない。図−1に示す
ような構造の反応器を実際に用いてテレフタル酸の製造
を行った。
レフタル酸に対して2700ppm含む)を水溶液濃度
で30重量%のスラリーとし、これを圧力90kg/c
m2Gに昇圧し、多管式熱交換器により285℃まで昇
温した。ここでの滞留時間は約90秒とした。スラリー
は流量で45m3 /hで本発明の充填塔型反応器に供給
した。反応器は図1のような構造で、塔径1260m/
m、高さ10m、触媒層の高さは7mである。滞留ゾー
ンの構造は、オーバーフロー壁の高さ700m/m下降
管の直径は300m/mである。ここでの滞留時間は約
1分とした。反応条件は、圧力80kg/cm2 G、温
度285℃、水素分圧8kg/cm2 とし、触媒は0.
5%パラジウム/カーボンを用いた。このような条件で
約170日間連続運転を行ったが、反応器内での閉塞に
よるトラブルもなく、得られた精製テレフタル酸は、4
CBA濃度で6ppm以下という品質を維持できた。
酸結晶粒子による閉塞などのトラブルもなく品質の優れ
た高純度テレフタル酸を製造することができる。
を示す図である。
を示す図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 パラキシレンの酸化反応により得られた
粗テレフタル酸を、高温高圧下で水中に溶解し、次いで
該粗テレフタル酸水溶液を水素の供給下、白金族金属を
含む触媒層を有する充填塔型反応器を通過させることに
より高純度テレフタル酸を製造する方法において、充填
塔型反応器の上部入口部分にオーバーフロー壁により仕
切られて形成された滞留ゾーンを設け、該滞留ゾーンに
粗テレフタル酸水溶液を供給し、オーバーフロー壁をオ
ーバーフローさせた後、該滞留ゾーンの下部に位置する
触媒充填層に通液することを特徴とする高純度テレフタ
ル酸の製造方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27457192A JP3232700B2 (ja) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 高純度テレフタル酸の製造方法 |
DE4334100A DE4334100C2 (de) | 1992-10-13 | 1993-10-06 | Verfahren zur Herstellung hochreiner Terephthalsäure |
TW082108289A TW225520B (ja) | 1992-10-13 | 1993-10-07 | |
KR1019930021132A KR100267897B1 (ko) | 1992-10-13 | 1993-10-12 | 고순도 테레프탈산의 제조방법 |
GB9320992A GB2271568B (en) | 1992-10-13 | 1993-10-12 | Process for producing highly pure terephthalic acid |
CN93119113.0A CN1035763C (zh) | 1992-10-13 | 1993-10-13 | 生产高纯度对苯二甲酸的方法 |
US08/134,907 US5420344A (en) | 1992-10-13 | 1993-10-13 | Process for producing highly pure terephthalic acid |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27457192A JP3232700B2 (ja) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 高純度テレフタル酸の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06128191A true JPH06128191A (ja) | 1994-05-10 |
JP3232700B2 JP3232700B2 (ja) | 2001-11-26 |
Family
ID=17543599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27457192A Expired - Lifetime JP3232700B2 (ja) | 1992-10-13 | 1992-10-13 | 高純度テレフタル酸の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3232700B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008162958A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Mitsui Chemicals Inc | 高純度テレフタル酸の製造方法 |
KR100982367B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2010-09-14 | 미쯔비시 가가꾸 가부시끼가이샤 | 조테레프탈산 용해액의 반응기로의 공급방법 |
-
1992
- 1992-10-13 JP JP27457192A patent/JP3232700B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100982367B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2010-09-14 | 미쯔비시 가가꾸 가부시끼가이샤 | 조테레프탈산 용해액의 반응기로의 공급방법 |
JP2008162958A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Mitsui Chemicals Inc | 高純度テレフタル酸の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3232700B2 (ja) | 2001-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ES2256738T3 (es) | Metodo para retirar contaminantes de hierro de corrientes liquidas durante la fabricacion y/o purificacion de acidos aromaticos. | |
RU2374219C2 (ru) | Ступенчатое противоточное каталитическое окисление дизамещенного бензола | |
JP4055913B2 (ja) | 高純度テレフタル酸を製造する方法 | |
TW201100374A (en) | Methods, processes, and systems for treating and purifying crude terephthalic acid and associated process streams | |
US7102029B2 (en) | Method of crystallization | |
JP4134761B2 (ja) | 亜硝酸アルキルの製法 | |
JPH06128191A (ja) | 高純度テレフタル酸の製造方法 | |
KR100267897B1 (ko) | 고순도 테레프탈산의 제조방법 | |
JP3269508B2 (ja) | 高純度イソフタル酸を製造する方法 | |
KR100982367B1 (ko) | 조테레프탈산 용해액의 반응기로의 공급방법 | |
JP3267191B2 (ja) | 芳香族ポリカルボン酸の精製方法 | |
JP2004203864A (ja) | 粗テレフタル酸溶解液の反応器への供給方法 | |
WO2011100682A2 (en) | Purification of carboxylic acids by catalytic hydrogenation | |
JP3201436B2 (ja) | 高純度イソフタル酸の製造法 | |
JPH0717903A (ja) | 高純度テレフタル酸の製造方法 | |
WO2011004429A1 (ja) | 粗製テレフタル酸の精製方法 | |
JPH0717900A (ja) | 高純度イソフタル酸の製造方法 | |
JPH08157415A (ja) | 高純度テレフタル酸の製造方法 | |
JPH0648982A (ja) | 高純度テレフタル酸の製造法 | |
JPS5911573B2 (ja) | テレフタル酸の精製法 | |
JP2003261515A (ja) | 亜硝酸アルキルの製造法 | |
JPH0769975A (ja) | 高純度テレフタル酸の製造方法 | |
JPH06321857A (ja) | 高純度テレフタル酸の製造方法 | |
JPH072731A (ja) | 高純度イソフタル酸の製造方法 | |
JPH10330312A (ja) | 高純度テレフタル酸の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070921 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080921 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080921 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090921 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100921 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110921 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120921 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130921 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130921 Year of fee payment: 12 |