JPH061254B2 - 酸素電極 - Google Patents
酸素電極Info
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- JPH061254B2 JPH061254B2 JP62071739A JP7173987A JPH061254B2 JP H061254 B2 JPH061254 B2 JP H061254B2 JP 62071739 A JP62071739 A JP 62071739A JP 7173987 A JP7173987 A JP 7173987A JP H061254 B2 JPH061254 B2 JP H061254B2
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- electrodes
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 基板上に異方性エッチングにより作製した溝の上に、絶
縁層を介して２本の電極を形成し、さらにこの溝の内部
に電解液含有体を収容し、そして最後の溝の上面をガス
透過性膜で覆った構造を有する酸素電極とその製法が開
示される。この酸素電極は、小型で、特性のばらつきが
少なく、高精度であり、また、低コストでもって大量生
産が可能である。
縁層を介して２本の電極を形成し、さらにこの溝の内部
に電解液含有体を収容し、そして最後の溝の上面をガス
透過性膜で覆った構造を有する酸素電極とその製法が開
示される。この酸素電極は、小型で、特性のばらつきが
少なく、高精度であり、また、低コストでもって大量生
産が可能である。
本発明は酸素電極に関する。本発明は、さらに詳しく述
べると、主に水溶液中の溶存酸素濃度の測定に用いられ
るクラーク型酸素電極、すなわち、隔膜型酸素電極の改
良に関する。本発明の酸素電極は、特に、最近とみに研
究開発されているバイオセンサトランスデューサとして
有利に使用することができる。ここで、バイオセンサと
は、分子識別素子としての生体関連物質を有機膜に固定
化した分子識別部（レセプタ）と信号変換部（トランス
デューサ）を組み合わせた構造を有している。トランス
デューサは、レセプタにおいて発生する物理的あるいは
化学的変化、具体的には被測定物質とレセプタ上の生体
関連物質とが反応し、複合体を形成する結果として発生
する変化、を電気出力に変換する能力を有している。
べると、主に水溶液中の溶存酸素濃度の測定に用いられ
るクラーク型酸素電極、すなわち、隔膜型酸素電極の改
良に関する。本発明の酸素電極は、特に、最近とみに研
究開発されているバイオセンサトランスデューサとして
有利に使用することができる。ここで、バイオセンサと
は、分子識別素子としての生体関連物質を有機膜に固定
化した分子識別部（レセプタ）と信号変換部（トランス
デューサ）を組み合わせた構造を有している。トランス
デューサは、レセプタにおいて発生する物理的あるいは
化学的変化、具体的には被測定物質とレセプタ上の生体
関連物質とが反応し、複合体を形成する結果として発生
する変化、を電気出力に変換する能力を有している。
クラーク型酸素電極は、電極間に定電圧を加えて測定す
るポーラロ型と、自発的に進行する化学反応を利用する
ガルバニ型とに分けられる。構造的には同じものとなり
うるが、電極材料としてカソード、アノード両極とも化
学的に安定な金、白金等の貴金属を用いればポーラロ型
となり、アノード側にこれらよりも化学反応を起こしや
すい物質、例えば鉛、銀等を用いればガルバニ型とな
る。
るポーラロ型と、自発的に進行する化学反応を利用する
ガルバニ型とに分けられる。構造的には同じものとなり
うるが、電極材料としてカソード、アノード両極とも化
学的に安定な金、白金等の貴金属を用いればポーラロ型
となり、アノード側にこれらよりも化学反応を起こしや
すい物質、例えば鉛、銀等を用いればガルバニ型とな
る。
クラーク型酸素電極の典型として、従来のガルバニ型酸
素電極の一例を第８図に示す。図示の酸素電極は、溶存
酸素計として知られているタイプのもので、対極（ここ
ではアノード）13Ｂとして鉛電極、作用電極（ここでは
カソード）13Ａとして白金電極が用いられる。ガラス容
器１１に収容される電解液１４として例えば１Ｍ KOH
のような高濃度のアルカリ液を使用し、白金電極13Ａは
酸素ガス透過性膜１５、例えばテフロン（商品名）膜で
被覆され、Ｏリング１２で固定されている。この酸素電
極は、溶存酸素濃度が酸素分圧に比例することに着目し
て作られたもので、これを溶液中に挿入すると溶液中の
溶存酸素がガス透過性膜を透過して白金電極上に到達
し、ここで還元されるために電流が得られる。この電流
値は、溶存酸素濃度に比例する。したがって、この酸素
電極のガス透過性膜１５上にグルコースオキシダーゼ固
定化膜（たとえばコラーゲン膜中に包括法で固定化す
る）を密着させてＯリングで固定すると、グルコース電
極（図示せず）が製作される。なおこのグルコース電極
の作用やクラーク型酸素電極について、より詳細は、例
えば、鈴木周一編、「イオン電極と酵素電極」、1981
年、講談社サイエンティフィク、その他の文献を参照さ
れたい。
素電極の一例を第８図に示す。図示の酸素電極は、溶存
酸素計として知られているタイプのもので、対極（ここ
ではアノード）13Ｂとして鉛電極、作用電極（ここでは
カソード）13Ａとして白金電極が用いられる。ガラス容
器１１に収容される電解液１４として例えば１Ｍ KOH
のような高濃度のアルカリ液を使用し、白金電極13Ａは
酸素ガス透過性膜１５、例えばテフロン（商品名）膜で
被覆され、Ｏリング１２で固定されている。この酸素電
極は、溶存酸素濃度が酸素分圧に比例することに着目し
て作られたもので、これを溶液中に挿入すると溶液中の
溶存酸素がガス透過性膜を透過して白金電極上に到達
し、ここで還元されるために電流が得られる。この電流
値は、溶存酸素濃度に比例する。したがって、この酸素
電極のガス透過性膜１５上にグルコースオキシダーゼ固
定化膜（たとえばコラーゲン膜中に包括法で固定化す
る）を密着させてＯリングで固定すると、グルコース電
極（図示せず）が製作される。なおこのグルコース電極
の作用やクラーク型酸素電極について、より詳細は、例
えば、鈴木周一編、「イオン電極と酵素電極」、1981
年、講談社サイエンティフィク、その他の文献を参照さ
れたい。
上記したような従来の酸素電極は、例えばガラス細工で
作製するために大量生産が難かしく、それ自体非常に高
価（１本数万円）であるばかりでなく、小型なものでも
鉛筆大の大きさがあり、例えばカテーテル中に装着して
体内で直接用いることは不可能であった。また、特に小
型化する上で、電解液を蓄える微小容器の作製、その上
へのガス透過性膜の作製が難しいなどの問題があった。
作製するために大量生産が難かしく、それ自体非常に高
価（１本数万円）であるばかりでなく、小型なものでも
鉛筆大の大きさがあり、例えばカテーテル中に装着して
体内で直接用いることは不可能であった。また、特に小
型化する上で、電解液を蓄える微小容器の作製、その上
へのガス透過性膜の作製が難しいなどの問題があった。
換言すると、本発明の目的は、これらの従来の酸素電極
の問題を解決して、低コスト化、小型化、大量生産可能
な、そして精巧な微小酸素電極の製作を可能にすること
にある。
の問題を解決して、低コスト化、小型化、大量生産可能
な、そして精巧な微小酸素電極の製作を可能にすること
にある。
本発明者らは、このたび、リソグラフィ技術を用いて例
えばシリコン基板や関連の基板上に多数個の微小な酸素
電極を一度に製作することによって、上述の問題点を解
決し得るということを見い出した。
えばシリコン基板や関連の基板上に多数個の微小な酸素
電極を一度に製作することによって、上述の問題点を解
決し得るということを見い出した。
本発明は、シリコン等の基板と、該基板上に異方性エッ
チングにより作製された逆台形状の電解液含有体収容溝
と、前記基板上に絶縁膜を介して形成されかつそれぞれ
の一部が前記溝内に延在する２本の電極と、前記溝内に
収容された非液体の水性電解液含有体と、液体状の材料
の塗布により形成された膜であって、前記溝の上面を被
覆し、その溝内に前記電解液含有体を封じ込めたガス透
過性膜とを有することを特徴とする酸素電極にある。
チングにより作製された逆台形状の電解液含有体収容溝
と、前記基板上に絶縁膜を介して形成されかつそれぞれ
の一部が前記溝内に延在する２本の電極と、前記溝内に
収容された非液体の水性電解液含有体と、液体状の材料
の塗布により形成された膜であって、前記溝の上面を被
覆し、その溝内に前記電解液含有体を封じ込めたガス透
過性膜とを有することを特徴とする酸素電極にある。
本発明の酸素電極において、非液体の、すなわち、固体
もしくは半固体の電解液含有体を基板の溝に収容するこ
とが重要である。電解液含有体はいろいろな形態をとる
ことができる。例えば、アガロースのようなゲル形成物
質に電解液をしみこませてゲルに電解液が包み込まれて
いる形とすることができる。さらに、樹脂等の多孔質材
料の細孔に電解液が充満せしめられている形とすること
ができる。
もしくは半固体の電解液含有体を基板の溝に収容するこ
とが重要である。電解液含有体はいろいろな形態をとる
ことができる。例えば、アガロースのようなゲル形成物
質に電解液をしみこませてゲルに電解液が包み込まれて
いる形とすることができる。さらに、樹脂等の多孔質材
料の細孔に電解液が充満せしめられている形とすること
ができる。
上記のような電解液含有体は、その内部を電解質イオン
が容易に移動し易く、また、水分の蒸発による体積変化
が小さく、機械的強度が大で、基板及びガス透過性膜と
の密着性がよいことが必須条件である。さらに、半導体
技術による一括大量生産を目指す場合には、選択的にあ
る特定の箇所のみ除去あるいは堆積可能なものが好まし
い。
が容易に移動し易く、また、水分の蒸発による体積変化
が小さく、機械的強度が大で、基板及びガス透過性膜と
の密着性がよいことが必須条件である。さらに、半導体
技術による一括大量生産を目指す場合には、選択的にあ
る特定の箇所のみ除去あるいは堆積可能なものが好まし
い。
ガス透過性膜は、疎水性で水溶液が通過しないことはも
ちろんであるが、初めは液体状でディップコーティング
あるいはスピンコーティングが可能であり、電極材料、
シリコン基板、そして絶縁膜としてのシリコン酸化膜(S
iO2)との密着力が良好で電解液が外部に漏出しないこと
も必須の要件である。適当なガス透過性膜材料として
は、シリコーン樹脂、ネガ型フォトレジストなどをあげ
ることができる。テフロン（商品名）膜は、酸素透過性
であるといえども密着力をもたないので、使用を避けな
ければならない。
ちろんであるが、初めは液体状でディップコーティング
あるいはスピンコーティングが可能であり、電極材料、
シリコン基板、そして絶縁膜としてのシリコン酸化膜(S
iO2)との密着力が良好で電解液が外部に漏出しないこと
も必須の要件である。適当なガス透過性膜材料として
は、シリコーン樹脂、ネガ型フォトレジストなどをあげ
ることができる。テフロン（商品名）膜は、酸素透過性
であるといえども密着力をもたないので、使用を避けな
ければならない。
２本の電極は、製作される電極がポーラロ型であるかガ
ルバニ型であるかに応じていろいろに変更することがで
きる。例えば、ポーラロ型の酸素電極を製造する場合に
は、両電極とも金電極あるいは白金電極から構成し、測
定時に両電極間に電圧を印加する。なお、ポーラロ型に
する場合には、下地となるシリコン酸化膜を侵しにくい
例えば0.1Ｍ塩化カリウム水溶液等の中性水溶液を用い
るのが好ましい。また、アノード側電極として鉛、銀、
銀／塩化銀等の金や白金に較べて化学反応をおこしやす
い金属の電極を用い、カソード側電極として金、白金等
の電極を用い、そして電解液として例えば１Ｍ水酸化カ
リウム水溶液等のアルカリ性水溶液を用いれば、ガルバ
ニ型酸素電極を製造することができる。
ルバニ型であるかに応じていろいろに変更することがで
きる。例えば、ポーラロ型の酸素電極を製造する場合に
は、両電極とも金電極あるいは白金電極から構成し、測
定時に両電極間に電圧を印加する。なお、ポーラロ型に
する場合には、下地となるシリコン酸化膜を侵しにくい
例えば0.1Ｍ塩化カリウム水溶液等の中性水溶液を用い
るのが好ましい。また、アノード側電極として鉛、銀、
銀／塩化銀等の金や白金に較べて化学反応をおこしやす
い金属の電極を用い、カソード側電極として金、白金等
の電極を用い、そして電解液として例えば１Ｍ水酸化カ
リウム水溶液等のアルカリ性水溶液を用いれば、ガルバ
ニ型酸素電極を製造することができる。
本発明の酸素電極を製造するに際して、絶縁膜としての
シリコン酸化膜の形成は、基板として例えばシリコン基
板を使用し、その熱酸化によって有利に行うことがで
き、また、２本の電極の形成は、例えば蒸着、スパッタ
リング等の成膜法によって有利に行うことができる。
シリコン酸化膜の形成は、基板として例えばシリコン基
板を使用し、その熱酸化によって有利に行うことがで
き、また、２本の電極の形成は、例えば蒸着、スパッタ
リング等の成膜法によって有利に行うことができる。
ポーラロ型酸素電極を例にとって説明すると、２本の金
電極間に例えば0.5Ｖの定電圧を印加すると、カソード
となる一方の電極表面において、次式（１）で、示す酸
素の還元が起こる： Ｏ２＋２H2O＋４ｅ−→４OH- （１） この際、カソードから酸素への電子の放出が起こり、電
流が流れる。この電流値は上式（１）より明らかなよう
に酸素濃度に比例するので、電流値を指標として酸素の
定量が可能である。
電極間に例えば0.5Ｖの定電圧を印加すると、カソード
となる一方の電極表面において、次式（１）で、示す酸
素の還元が起こる： Ｏ２＋２H2O＋４ｅ−→４OH- （１） この際、カソードから酸素への電子の放出が起こり、電
流が流れる。この電流値は上式（１）より明らかなよう
に酸素濃度に比例するので、電流値を指標として酸素の
定量が可能である。
第１図は、本発明による酸素電極の好ましい一例を示し
た斜視図である。図示の酸素電極１０は、直立体の形状
を有していて、感応部がガス透過性膜５で覆われるとと
もに、付属のデバイスに接続するため、電極３Ａ及び３
Ｂの一部分が露出している。電極３Ａ及び３Ｂは、本例
の場合、ポーラロ型とするために両電極とも金電極で構
成した。
た斜視図である。図示の酸素電極１０は、直立体の形状
を有していて、感応部がガス透過性膜５で覆われるとと
もに、付属のデバイスに接続するため、電極３Ａ及び３
Ｂの一部分が露出している。電極３Ａ及び３Ｂは、本例
の場合、ポーラロ型とするために両電極とも金電極で構
成した。
第１図の酸素電極の構造は、そのII−II線にそった断面
図である第２図からより詳しく理解できるであろう。シ
リコン基板１は、異方性エッチングにより形成された溝
を有するとともに、その全面にシリコン酸化膜（SiO
2膜）２が絶縁膜として被着せしめられている。シリコ
ン基板１の溝には、２本の金電極３Ａ及び３Ｂが対をな
して被着せしめられている。金電極３Ａ及び３Ｂは、第
１図で示したように、それぞれの一部分が溝の外側にま
で延在している。また、シリコン基板１の溝には電解的
含有体４（本例では、電解液を含ませたゲル）が満たさ
れている。さらに、溝の上部には、基板１の上部の全面
（第１図の露出部を除く）を覆う形で、ガス透過性膜５
が被覆されている。
図である第２図からより詳しく理解できるであろう。シ
リコン基板１は、異方性エッチングにより形成された溝
を有するとともに、その全面にシリコン酸化膜（SiO
2膜）２が絶縁膜として被着せしめられている。シリコ
ン基板１の溝には、２本の金電極３Ａ及び３Ｂが対をな
して被着せしめられている。金電極３Ａ及び３Ｂは、第
１図で示したように、それぞれの一部分が溝の外側にま
で延在している。また、シリコン基板１の溝には電解的
含有体４（本例では、電解液を含ませたゲル）が満たさ
れている。さらに、溝の上部には、基板１の上部の全面
（第１図の露出部を除く）を覆う形で、ガス透過性膜５
が被覆されている。
第１図の酸素電極は、さらに説明すると、第３図に平面
図としてかつ第４図に正面図としてそれぞれ図示する電
極本体を有する。図中の６が、先に説明した、シリコン
基板１上に異方性エッチングにより形成された溝であ
る。溝６は、金電極３Ａ及び３Ｂをとり込むようにして
形成されている。なお、この電極本体のサイズは、幅４
mm×長さ１５mm×厚さ350μｍであった。より小さい
幅、すなわち、１mm幅、２mm幅及び３mm幅の電極本体も
同様にして形成可能であった。
図としてかつ第４図に正面図としてそれぞれ図示する電
極本体を有する。図中の６が、先に説明した、シリコン
基板１上に異方性エッチングにより形成された溝であ
る。溝６は、金電極３Ａ及び３Ｂをとり込むようにして
形成されている。なお、この電極本体のサイズは、幅４
mm×長さ１５mm×厚さ350μｍであった。より小さい
幅、すなわち、１mm幅、２mm幅及び３mm幅の電極本体も
同様にして形成可能であった。
第１図及び第２図に示した酸素電極は、例えば、第５Ａ
図〜第５Ｋ図に順を追って示す一連の加工工程を経て製
造することができる。なお、以下の説明では、理解を容
易ならしめるため、１枚のウエハ（シリコン基板）に１
個だけ酸素電極を形成する場合について記載するけれど
も、実際には多数個の微小な酸素電極が同時に形成され
るということを理解されたい。
図〜第５Ｋ図に順を追って示す一連の加工工程を経て製
造することができる。なお、以下の説明では、理解を容
易ならしめるため、１枚のウエハ（シリコン基板）に１
個だけ酸素電極を形成する場合について記載するけれど
も、実際には多数個の微小な酸素電極が同時に形成され
るということを理解されたい。
1. ウェハ洗浄（第５Ａ図） 厚さ350μｍの(100)面２インチシリコンウェハ１を用意
し、これを過酸化水素とアンモニアの混合水溶液及び濃
硝酸で洗浄した。
し、これを過酸化水素とアンモニアの混合水溶液及び濃
硝酸で洗浄した。
2. SiO2膜の形成（第５Ｂ図） シリコンウェハ１をウェット熱酸化し、その全面に膜厚
１〜1.2μｍのSiO2膜２を形成させた。
１〜1.2μｍのSiO2膜２を形成させた。
3. エッチング用パターンの形成（第５Ｃ図） ネガレジスト（東京応化製 OMR−83）を使用して、ウ
ェハ１上にエッチング用レジストパターン７を形成し
た。
ェハ１上にエッチング用レジストパターン７を形成し
た。
4. レジスト塗布（第５Ｄ図） ウェハ１の裏面にも上記工程で使用したものと同じネガ
レジスト８を塗布し、120℃で１時間にわたってベーク
した。
レジスト８を塗布し、120℃で１時間にわたってベーク
した。
5. SiO2膜にエッチング（第５Ｅ図） ５０％フッ化水素酸：５０％フッ化アンモニウム＝１：
６水溶液にウェハ１を浸漬し、レジストが被覆されてな
い露出部分のSiO2膜２をエッチングにより除去した。引
き続いて硫酸／過酸化水素（２：１）溶液によりレジス
トを除去したところ、第５Ｅ図に示す構造が得られた。
６水溶液にウェハ１を浸漬し、レジストが被覆されてな
い露出部分のSiO2膜２をエッチングにより除去した。引
き続いて硫酸／過酸化水素（２：１）溶液によりレジス
トを除去したところ、第５Ｅ図に示す構造が得られた。
6. Ｓｉの異方性エッチング（第５Ｆ図） ８０℃の３５％水酸化カリウム水溶液中にてシリコンの
異方性エッチングを行った。エッチング深さ300μｍ。
エッチング完了後、ウェハ１を蒸留水で洗浄した。
異方性エッチングを行った。エッチング深さ300μｍ。
エッチング完了後、ウェハ１を蒸留水で洗浄した。
7. SiO2膜の形成（第５Ｇ図） シリコンウェハ１の異方性エッチング部分にSiO2膜を生
長させるため、ウェハをウェット熱酸化した。膜厚5000
ÅのSiO2膜２が形成された。
長させるため、ウェハをウェット熱酸化した。膜厚5000
ÅのSiO2膜２が形成された。
8. 電極形成用パターンの形成（第５Ｈ図） ネガレジスト（東京応化製 OMR−83）を使用して、ウ
ェハ１のSiO2膜２上に電極形成用レジストパターン９を
形成した。
ェハ１のSiO2膜２上に電極形成用レジストパターン９を
形成した。
9. 電極形成（第５Ｉ図） 先に形成したレジストパターン９をマスクとして、金を
膜厚１μｍで蒸着して金電極３Ａ及び３Ｂを形成した。
なお、この金の蒸着に先がけて、金電極の被着を改良す
るため、クロムを膜厚 500Åで蒸着した。
膜厚１μｍで蒸着して金電極３Ａ及び３Ｂを形成した。
なお、この金の蒸着に先がけて、金電極の被着を改良す
るため、クロムを膜厚 500Åで蒸着した。
10. レジスト除去（第５Ｊ図） 電極形成後、不要となったレジストを硫酸により除去し
た。溝６をもった電極本体が形成された。すなわち、第
５Ｊ図は、第３図の線分Ｖ−Ｖにそった断面図に対応し
ている。
た。溝６をもった電極本体が形成された。すなわち、第
５Ｊ図は、第３図の線分Ｖ−Ｖにそった断面図に対応し
ている。
11. 電解液含有体の収容（第５Ｋ図） 形成された電極本体の溝に電解液含有体４を収容した。
本例では、アガロースを0.1ＭKCl水溶液に溶解し、得ら
れた溶液を加熱した後に本体の溝に注加し、この水溶液
で溝の中を満たした。報知によりアガロースが固化し、
ゲルとなった。
本例では、アガロースを0.1ＭKCl水溶液に溶解し、得ら
れた溶液を加熱した後に本体の溝に注加し、この水溶液
で溝の中を満たした。報知によりアガロースが固化し、
ゲルとなった。
12. ガス透過性膜の被覆（第２図） 最後に、シリコーン樹脂（東レシリコーン製 SR2410）
５を電極本体上に塗布し、固化させた。第２図に示すよ
うな電極感応部断面をもった所望とする酸素電極が完成
した。
５を電極本体上に塗布し、固化させた。第２図に示すよ
うな電極感応部断面をもった所望とする酸素電極が完成
した。
本発明の実施例で使用したネガレジストは一般に疎水性
であり、ガス透過性膜としても有利に使用することがで
きる。例えば、東京応化製 OMR−83をスピンコーティ
ングにより電極本体上に膜厚３μｍ程度で塗布し、露光
後に現像すれば、ガスの透過性が非常に良好であり、機
械的強度、密着性にすぐれたガス透過性膜となる。ガス
透過性膜としてネガレジストを使用すれば、さらに有利
に酸素電極を完成させることが可能である。ネガレジス
トを使用したこの酸素電極をpH７のリン酸緩衝液中に浸
漬し、亜硫酸ナトリウムを添加して酸素濃度を減少させ
て応答を調べた。その結果を第６図に示す。このグラフ
より、約８分で定常状態に達することがわかった。
であり、ガス透過性膜としても有利に使用することがで
きる。例えば、東京応化製 OMR−83をスピンコーティ
ングにより電極本体上に膜厚３μｍ程度で塗布し、露光
後に現像すれば、ガスの透過性が非常に良好であり、機
械的強度、密着性にすぐれたガス透過性膜となる。ガス
透過性膜としてネガレジストを使用すれば、さらに有利
に酸素電極を完成させることが可能である。ネガレジス
トを使用したこの酸素電極をpH７のリン酸緩衝液中に浸
漬し、亜硫酸ナトリウムを添加して酸素濃度を減少させ
て応答を調べた。その結果を第６図に示す。このグラフ
より、約８分で定常状態に達することがわかった。
また、この酸素電極を従来のガルバニ型酸素電極ととも
にpH７のリン酸緩衝液中に浸漬し、亜硫酸ナトリウムを
添加して酸素濃度を変えた時の応答を比較した。その結
果を第７図に示す。このグラフより、相方の酸素電極の
電流値の間に比例関係が認められ、本発明の酸素電極が
酸素濃度変化に敏感に応答していることがわかった。
にpH７のリン酸緩衝液中に浸漬し、亜硫酸ナトリウムを
添加して酸素濃度を変えた時の応答を比較した。その結
果を第７図に示す。このグラフより、相方の酸素電極の
電流値の間に比例関係が認められ、本発明の酸素電極が
酸素濃度変化に敏感に応答していることがわかった。
本発明によれば、リソグラフィー技術を用いるので、作
製された個々の酸素電極の間の特性のばらつきが少な
い。また、人間の手工作では不可能な微細加工が容易に
でき、したがって、微小な電極を精度良く加工可能であ
る。加えて、電極の大量生産が可能であり、したがっ
て、小型酸素電極個々のコストを非常に低くすることが
できる。低コスト化は、すなわち、電極の使い捨て可能
を意味する。また、電極を小型化する上での大きな問題
点であった、ガス透過性膜を電解液上にどのように装着
するかという問題については、電解液を液状のものから
非液状の電解液含有体に変え、この上に基板あるは電解
との密着性の良い樹脂を塗布してガス透過性膜とするこ
とにより、解決した。もちろん、微小な酸素電極である
ので、カテーテル中など微小空間に電極自体を挿入する
ことが可能になる等のメリットもでてくる。
製された個々の酸素電極の間の特性のばらつきが少な
い。また、人間の手工作では不可能な微細加工が容易に
でき、したがって、微小な電極を精度良く加工可能であ
る。加えて、電極の大量生産が可能であり、したがっ
て、小型酸素電極個々のコストを非常に低くすることが
できる。低コスト化は、すなわち、電極の使い捨て可能
を意味する。また、電極を小型化する上での大きな問題
点であった、ガス透過性膜を電解液上にどのように装着
するかという問題については、電解液を液状のものから
非液状の電解液含有体に変え、この上に基板あるは電解
との密着性の良い樹脂を塗布してガス透過性膜とするこ
とにより、解決した。もちろん、微小な酸素電極である
ので、カテーテル中など微小空間に電極自体を挿入する
ことが可能になる等のメリットもでてくる。
第１図は、本発明による酸素電極の好ましい一例を示し
た斜視図、 第２図は、第１図の電極の線分II−IIにそった断面図、 第３図及び第４図は、それぞれ、第１図の電極の電極本
体の平面図及び正面図、 第５Ａ図〜第５Ｋ図は、それぞれ、第１図の電極の製造
工程を順を追って示した断面図、 第６図は、本発明による酸素電極の時間応答を示すグラ
フ、 第７図は、本発明の酸素電極と従来のガルバニ型酸素電
極との比較を示すグラフ、そして 第８図は、従来のクラーク型酸素電極の一構成例を示し
た断面図である。 図中、１はシリコン基板、２はシリコン酸化膜、３Ａ及
び３Ｂは電極、４は電解液含有体、５はガス透過性膜、
そして６は溝である。
た斜視図、 第２図は、第１図の電極の線分II−IIにそった断面図、 第３図及び第４図は、それぞれ、第１図の電極の電極本
体の平面図及び正面図、 第５Ａ図〜第５Ｋ図は、それぞれ、第１図の電極の製造
工程を順を追って示した断面図、 第６図は、本発明による酸素電極の時間応答を示すグラ
フ、 第７図は、本発明の酸素電極と従来のガルバニ型酸素電
極との比較を示すグラフ、そして 第８図は、従来のクラーク型酸素電極の一構成例を示し
た断面図である。 図中、１はシリコン基板、２はシリコン酸化膜、３Ａ及
び３Ｂは電極、４は電解液含有体、５はガス透過性膜、
そして６は溝である。
Claims (9)
- 【請求項１】シリコン基板と、該基板上に異方性エッチ
ングにより作製された逆台形状の電解液含有体収容溝
と、前記基板上に絶縁膜を介して形成されかつそれぞれ
の一部が前記溝内に延在する２本の電極と、前記溝内に
収容された非液体の水性電解液含有体と、液体状の材料
の塗布により形成された膜であって、前記溝の上面を被
覆し、その溝内に前記電解液含有体を封じ込めたガス透
過性膜とを有することを特徴とする酸素電極。 - 【請求項２】前記電解液含有体がゲルであり、それに電
解液が包み込まれている、特許請求の範囲第１項に記載
の酸素電極。 - 【請求項３】前記電解液含有体が多孔質材料であり、そ
の細孔に電解液が充満せしめられている、特許請求の範
囲第１項に記載の酸素電極。 - 【請求項４】前記２本の電極がともに金電極又は白金電
極からなり、そして前記電解液が塩化カリウム水溶液で
ある、特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれか１項に
記載の酸素電極。 - 【請求項５】前記電極の一方であるカソードが金電極又
は白金電極からなり、他方の電極であるアノードが銀／
塩化銀電極からなり、そして前記電解液が塩化カリウム
水溶液である、特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれ
か１項に記載の酸素電極。 - 【請求項６】前記電極の一方であるカソードが金電極又
は白金電極からなり、他方の電極であるアノードが鉛電
極からなり、そして前記電解液が水酸化カリウム水溶液
である、特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれか１項
に記載の酸素電極。 - 【請求項７】前記電極の一方であるカソードが金電極又
は白金電極からなり、他方の電極であるアノードが銀電
極からなり、そして前記電解液が水酸化カリウム水溶液
である、特許請求の範囲第１項〜第３項のいずれか１項
に記載の酸素電極。 - 【請求項８】前記ガス透過性膜がシリコン樹脂膜であ
る、特許請求の範囲第１項〜第７項のいずれか１項に記
載の酸素電極。 - 【請求項９】前記ガス透過性膜がネガ型フォトレジスト
膜である、特許請求の範囲第１項〜第７項のいずれか１
項に記載の酸素電極。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071739A JPH061254B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 酸素電極 |
| EP88400742A EP0284518B1 (en) | 1987-03-27 | 1988-03-25 | Miniaturized oxygen electrode and miniaturized biosensor and production process thereof |
| DE8888400742T DE3875149T2 (de) | 1987-03-27 | 1988-03-25 | Miniaturisierter biofuehler mit miniaturisierter sauerstoffelektrode sowie sein herstellungsverfahren. |
| US07/366,365 US4975175A (en) | 1987-03-27 | 1989-06-15 | Miniaturized oxygen electrode and miniaturized biosensor and production process thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62071739A JPH061254B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 酸素電極 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63238548A JPS63238548A (ja) | 1988-10-04 |
| JPH061254B2 true JPH061254B2 (ja) | 1994-01-05 |
Family
ID=13469195
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62071739A Expired - Fee Related JPH061254B2 (ja) | 1987-03-27 | 1987-03-27 | 酸素電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH061254B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02228549A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Fujitsu Ltd | 小型酸素電極およびその製法 |
| JPH02240556A (ja) * | 1989-03-14 | 1990-09-25 | Fujitsu Ltd | 酸素電極 |
| JP2767868B2 (ja) * | 1989-03-20 | 1998-06-18 | 富士通株式会社 | 小型酸素電極 |
| JP2767614B2 (ja) * | 1989-07-07 | 1998-06-18 | 富士通株式会社 | 小型酸素電極の製造方法 |
| JPH03123847A (ja) * | 1989-10-06 | 1991-05-27 | Fujitsu Ltd | 酸素電極の駆動方法 |
| US5747669A (en) * | 1995-12-28 | 1998-05-05 | Fujitsu Limited | Oxygen electrode and its manufacture |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60146145A (ja) * | 1984-01-10 | 1985-08-01 | Nok Corp | 酸素電極 |
-
1987
- 1987-03-27 JP JP62071739A patent/JPH061254B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 信学技報、第８２巻、２９７号、１４５〜１５０頁（１９８２） |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63238548A (ja) | 1988-10-04 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |