JPH06120358A - 高集積半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
高集積半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH06120358A JPH06120358A JP4263392A JP26339292A JPH06120358A JP H06120358 A JPH06120358 A JP H06120358A JP 4263392 A JP4263392 A JP 4263392A JP 26339292 A JP26339292 A JP 26339292A JP H06120358 A JPH06120358 A JP H06120358A
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- Japan
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- insulating film
- wiring
- aluminum wiring
- intermediate protective
- layer
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線の断線故障や短絡故障の原因となる金属
配線のマイグレーション現象の発生を防止する。 【構成】 多層配線構造の高集積半導体装置１におい
て、第１層アルミニウム配線２０と第２層アルミニウム
配線５０との間に、バイアススパッタ法などで層間絶縁
膜４０を形成する場合に、その形成前に中間保護膜３０
を予め形成しておくようにした。この中間保護膜３０
を、その内部応力の値が層間絶縁膜４０の内部応力値以
下で、且つ第１層アルミニウム配線２０に圧縮力を及ぼ
すような特性を有するように、プラズマＣＶＤ法におい
て反応ガスの流量比などを適宜調整することによって形
成する。 【効果】 層間絶縁膜の堆積過程においては、アルミニ
ウム配線に直接荷電粒子が衝突するのが妨げられ、また
層間絶縁膜の堆積後においては、層間絶縁膜の内部応力
が緩和されるので、マイグレーション現象の発生が防止
される。
配線のマイグレーション現象の発生を防止する。 【構成】 多層配線構造の高集積半導体装置１におい
て、第１層アルミニウム配線２０と第２層アルミニウム
配線５０との間に、バイアススパッタ法などで層間絶縁
膜４０を形成する場合に、その形成前に中間保護膜３０
を予め形成しておくようにした。この中間保護膜３０
を、その内部応力の値が層間絶縁膜４０の内部応力値以
下で、且つ第１層アルミニウム配線２０に圧縮力を及ぼ
すような特性を有するように、プラズマＣＶＤ法におい
て反応ガスの流量比などを適宜調整することによって形
成する。 【効果】 層間絶縁膜の堆積過程においては、アルミニ
ウム配線に直接荷電粒子が衝突するのが妨げられ、また
層間絶縁膜の堆積後においては、層間絶縁膜の内部応力
が緩和されるので、マイグレーション現象の発生が防止
される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体技術さらには高
集積半導体装置における多層配線技術に適用して特に有
効な技術に関し、例えば金属配線上に層間絶縁膜を形成
する場合に利用して有用な技術に関する。
集積半導体装置における多層配線技術に適用して特に有
効な技術に関し、例えば金属配線上に層間絶縁膜を形成
する場合に利用して有用な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、高集積半導体装置においては、
チップ面積に占める配線面積の割合を小さくするために
多層配線構造が採用されている。従来、この多層配線構
造では、表面の凹凸による急峻な段差に起因する金属配
線の断線・短絡やホトリソグラフィの解像度低下などの
種々の不都合を回避するため、下層金属配線とその上の
上層金属配線との間に介装させる層間絶縁膜をバイアス
スパッタ法やバイアスＣＶＤ法で形成することがある。
半導体基板にバイアスを印加した状態で高周波スパッタ
や化学気相成長を行うことにより、酸化珪素の堆積とエ
ッチングが同時に行われ、平坦な層間絶縁膜が形成され
る。
チップ面積に占める配線面積の割合を小さくするために
多層配線構造が採用されている。従来、この多層配線構
造では、表面の凹凸による急峻な段差に起因する金属配
線の断線・短絡やホトリソグラフィの解像度低下などの
種々の不都合を回避するため、下層金属配線とその上の
上層金属配線との間に介装させる層間絶縁膜をバイアス
スパッタ法やバイアスＣＶＤ法で形成することがある。
半導体基板にバイアスを印加した状態で高周波スパッタ
や化学気相成長を行うことにより、酸化珪素の堆積とエ
ッチングが同時に行われ、平坦な層間絶縁膜が形成され
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た技術には、次のような問題のあることが本発明者らに
よってあきらかとされた。すなわち、層間絶縁膜を堆積
させる際に、金属配線にバイアスによって加速された放
電ガスイオンなどの荷電粒子が直接衝突するため、例え
ばアルミニウムでできた金属配線の場合には、その面方
位が（１１１）からずれ、金属配線の内部でアルミニウ
ムイオンが移動するエレクトロマイグレーション現象が
起こる。また、バイアスをかけることによって堆積され
た層間絶縁膜の内部応力が極めて大きくなり、その内部
応力を緩和するために、層間絶縁膜に接して内部応力の
影響を受ける金属配線にストレスマイグレーション現象
が起こる。そのため、金属配線にボイド（空隙）やヒロ
ック（突起）が成長して、断線故障や短絡故障が発生す
るというものである。
た技術には、次のような問題のあることが本発明者らに
よってあきらかとされた。すなわち、層間絶縁膜を堆積
させる際に、金属配線にバイアスによって加速された放
電ガスイオンなどの荷電粒子が直接衝突するため、例え
ばアルミニウムでできた金属配線の場合には、その面方
位が（１１１）からずれ、金属配線の内部でアルミニウ
ムイオンが移動するエレクトロマイグレーション現象が
起こる。また、バイアスをかけることによって堆積され
た層間絶縁膜の内部応力が極めて大きくなり、その内部
応力を緩和するために、層間絶縁膜に接して内部応力の
影響を受ける金属配線にストレスマイグレーション現象
が起こる。そのため、金属配線にボイド（空隙）やヒロ
ック（突起）が成長して、断線故障や短絡故障が発生す
るというものである。
【０００４】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
で、配線の断線故障や短絡故障の原因となる金属配線の
マイグレーション現象の発生を防止するように構成され
た高集積半導体装置及びその製造方法を提供することを
主たる目的としている。この発明の前記ならびにそのほ
かの目的と新規な特徴については、本明細書の記述及び
添附図面から明らかになるであろう。
で、配線の断線故障や短絡故障の原因となる金属配線の
マイグレーション現象の発生を防止するように構成され
た高集積半導体装置及びその製造方法を提供することを
主たる目的としている。この発明の前記ならびにそのほ
かの目的と新規な特徴については、本明細書の記述及び
添附図面から明らかになるであろう。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。すなわち、例えば多層配線構造の高集積半
導体装置において、第１層金属配線層と第２層金属配線
層との間に、バイアススパッタ法やバイアスＣＶＤ法で
層間絶縁膜を形成する場合に、層間絶縁膜の形成前に中
間保護膜を予め形成しておくようにしたものである。こ
の中間保護膜を、（１）その内部応力の値が層間絶縁膜
の内部応力値以下で、且つ（２）第１層金属配線に圧縮
力を及ぼすような特性を有するように形成する。この様
な特性の中間保護膜は例えば酸化珪素膜をプラズマＣＶ
Ｄ法において反応ガスの流量比などを適宜調整すること
によって形成する。
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、下記のと
おりである。すなわち、例えば多層配線構造の高集積半
導体装置において、第１層金属配線層と第２層金属配線
層との間に、バイアススパッタ法やバイアスＣＶＤ法で
層間絶縁膜を形成する場合に、層間絶縁膜の形成前に中
間保護膜を予め形成しておくようにしたものである。こ
の中間保護膜を、（１）その内部応力の値が層間絶縁膜
の内部応力値以下で、且つ（２）第１層金属配線に圧縮
力を及ぼすような特性を有するように形成する。この様
な特性の中間保護膜は例えば酸化珪素膜をプラズマＣＶ
Ｄ法において反応ガスの流量比などを適宜調整すること
によって形成する。
【０００６】
【作用】上記した手段によれば、層間絶縁膜を堆積させ
る前に、金属配線に中間保護膜を被覆させておくことに
より、層間絶縁膜の堆積過程においては、この中間保護
膜に荷電粒子が衝突し、金属配線に直接荷電粒子が衝突
するのが妨げられる。また、層間絶縁膜の堆積後におい
ては、（１）、（２）の特性の中間保護膜の緩衝作用に
より、層間絶縁膜の大きな内部応力が緩和されるので、
その内部応力が直接金属配線に及ぼす影響が除去され
る。
る前に、金属配線に中間保護膜を被覆させておくことに
より、層間絶縁膜の堆積過程においては、この中間保護
膜に荷電粒子が衝突し、金属配線に直接荷電粒子が衝突
するのが妨げられる。また、層間絶縁膜の堆積後におい
ては、（１）、（２）の特性の中間保護膜の緩衝作用に
より、層間絶縁膜の大きな内部応力が緩和されるので、
その内部応力が直接金属配線に及ぼす影響が除去され
る。
【０００７】
【実施例】本発明に係る高集積半導体装置及びその製造
方法の一実施例を図１および図２に示し、以下に説明す
る。それらのうち、図１は高集積半導体装置の配線部分
の部分拡大縦断面図、図２は高集積半導体装置の中間保
護膜の内部応力とアルミニウム配線のマイグレーション
発生頻度との相関関係を示す特性図である。
方法の一実施例を図１および図２に示し、以下に説明す
る。それらのうち、図１は高集積半導体装置の配線部分
の部分拡大縦断面図、図２は高集積半導体装置の中間保
護膜の内部応力とアルミニウム配線のマイグレーション
発生頻度との相関関係を示す特性図である。
【０００８】この高集積半導体装置１は、図１に示すよ
うに、半導体基板１０上にフィールド酸化膜１５を介し
て例えばアルミニウム合金でできた金属配線、すなわち
第１層アルミニウム配線２０が形成され、それら半導体
基板１０および第１層アルミニウム配線２０に亘る全面
に中間保護膜３０が形成され、さらにその上に全面に亘
って層間絶縁膜４０（絶縁膜）が堆積されてできている
ものである。本実施例では、層間絶縁膜４０上に第２層
アルミニウム配線５０が形成されている。
うに、半導体基板１０上にフィールド酸化膜１５を介し
て例えばアルミニウム合金でできた金属配線、すなわち
第１層アルミニウム配線２０が形成され、それら半導体
基板１０および第１層アルミニウム配線２０に亘る全面
に中間保護膜３０が形成され、さらにその上に全面に亘
って層間絶縁膜４０（絶縁膜）が堆積されてできている
ものである。本実施例では、層間絶縁膜４０上に第２層
アルミニウム配線５０が形成されている。
【０００９】以下、高集積半導体装置１の形成プロセス
に沿って、詳細に説明する。先ず、半導体基板１０上に
形成したフィールド酸化膜１５の上にスパッタリング法
等のＰＶＤ（Ｐhysical Ｖapor Ｄeposition）法などで
アルミニウム合金薄膜を被着させ、ホトリソグラフィ技
術及びエッチング技術により第１層アルミニウム配線２
０を所望のパターンに形成する。図示省略するが、半導
体基板１０にはトランジスタ等の素子が形成されてい
て、それらの素子に第１層アルミニウム配線２０がコン
タクトホールを介して電気的に接続されている。
に沿って、詳細に説明する。先ず、半導体基板１０上に
形成したフィールド酸化膜１５の上にスパッタリング法
等のＰＶＤ（Ｐhysical Ｖapor Ｄeposition）法などで
アルミニウム合金薄膜を被着させ、ホトリソグラフィ技
術及びエッチング技術により第１層アルミニウム配線２
０を所望のパターンに形成する。図示省略するが、半導
体基板１０にはトランジスタ等の素子が形成されてい
て、それらの素子に第１層アルミニウム配線２０がコン
タクトホールを介して電気的に接続されている。
【００１０】次に、半導体基板１０にバイアスを印加し
ない状態で、特にその厚さを限定しないが、例えば０．
２〜０．６μｍ程度の厚さの中間保護膜３０を形成す
る。この中間保護膜３０は例えば酸化珪素（ＳｉＯ2）
でできていて、以下の（１）及び（２）に示す特性を有
している。 （１）その内部応力の値が上記層間絶縁膜４０の内部応
力の値以下である。 （２）第１層アルミニウム配線２０に圧縮力を及ぼし得
る。すなわち、半導体基板１０からの第１層アルミニウ
ム配線２０の剥離を防ぎ、半導体基板１０に第１層アル
ミニウム配線２０を密着させ得るような膜質である。
ない状態で、特にその厚さを限定しないが、例えば０．
２〜０．６μｍ程度の厚さの中間保護膜３０を形成す
る。この中間保護膜３０は例えば酸化珪素（ＳｉＯ2）
でできていて、以下の（１）及び（２）に示す特性を有
している。 （１）その内部応力の値が上記層間絶縁膜４０の内部応
力の値以下である。 （２）第１層アルミニウム配線２０に圧縮力を及ぼし得
る。すなわち、半導体基板１０からの第１層アルミニウ
ム配線２０の剥離を防ぎ、半導体基板１０に第１層アル
ミニウム配線２０を密着させ得るような膜質である。
【００１１】以上の（１）及び（２）を満たす内部応力
の値を実験により得られた図２の特性図（横軸の０を境
にtensile側は第１層アルミニウム配線２０に引張り力
を及ぼし、compressive側は圧縮力を及ぼす。）に基い
て具体的に例示すると、一般に層間絶縁膜４０の内部応
力の値が略２．５×１０8Ｐａ程度であるため、compres
sive側に０〜２．５×１０8Ｐａ程度であればよいが、
望ましくは、アルミニウムの欠け発生数をcompressive
側の２．５×１０8Ｐａにおける発生数以下にするため
に、compressive側に０．６×１０8〜２．５×１０8Ｐ
ａ程度がよい。より望ましくは、アルミニウムの欠け発
生数を０にするために、compressive側に０．８×１０8
〜２．０×１０8Ｐａ程度がよい。
の値を実験により得られた図２の特性図（横軸の０を境
にtensile側は第１層アルミニウム配線２０に引張り力
を及ぼし、compressive側は圧縮力を及ぼす。）に基い
て具体的に例示すると、一般に層間絶縁膜４０の内部応
力の値が略２．５×１０8Ｐａ程度であるため、compres
sive側に０〜２．５×１０8Ｐａ程度であればよいが、
望ましくは、アルミニウムの欠け発生数をcompressive
側の２．５×１０8Ｐａにおける発生数以下にするため
に、compressive側に０．６×１０8〜２．５×１０8Ｐ
ａ程度がよい。より望ましくは、アルミニウムの欠け発
生数を０にするために、compressive側に０．８×１０8
〜２．０×１０8Ｐａ程度がよい。
【００１２】この様な特性のＳｉＯ2膜は、例えば、プ
ラズマＣＶＤ法（Ｃhemical ＶaporＤeposition）にお
いて、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン、Ｓｉ（ＯＣ2
Ｈ5）4）と酸素原子を含むガス（例えば、Ｏ2ガスな
ど）を流し、ＴＥＯＳに対するＯ2ガスの流量を増加さ
せたり、基板温度を上げたり、ガス圧を下げたり、高周
波電力を上げたりすることによって形成される。
ラズマＣＶＤ法（Ｃhemical ＶaporＤeposition）にお
いて、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン、Ｓｉ（ＯＣ2
Ｈ5）4）と酸素原子を含むガス（例えば、Ｏ2ガスな
ど）を流し、ＴＥＯＳに対するＯ2ガスの流量を増加さ
せたり、基板温度を上げたり、ガス圧を下げたり、高周
波電力を上げたりすることによって形成される。
【００１３】次に、バイアススパッタ法やバイアスＣＶ
Ｄ法によって半導体基板１０にバイアスを印加した状態
でＳｉＯ2からなる層間絶縁膜４０を堆積させる。さら
にその上に、第１層アルミニウム配線２０と同様にして
第２層アルミニウム配線５０を形成する。必要に応じて
第３層以上のアルミニウム配線も形成する。第３層以上
のアルミニウム配線を形成する場合には、第１層アルミ
ニウム配線２０の形成から第２層アルミニウム配線５０
の形成に至る過程と同様に、下層のアルミニウム配線の
上に中間保護膜３０および層間絶縁膜４０を順次堆積さ
せてから、上層のアルミニウム配線を形成する。
Ｄ法によって半導体基板１０にバイアスを印加した状態
でＳｉＯ2からなる層間絶縁膜４０を堆積させる。さら
にその上に、第１層アルミニウム配線２０と同様にして
第２層アルミニウム配線５０を形成する。必要に応じて
第３層以上のアルミニウム配線も形成する。第３層以上
のアルミニウム配線を形成する場合には、第１層アルミ
ニウム配線２０の形成から第２層アルミニウム配線５０
の形成に至る過程と同様に、下層のアルミニウム配線の
上に中間保護膜３０および層間絶縁膜４０を順次堆積さ
せてから、上層のアルミニウム配線を形成する。
【００１４】なお、図２の相関関係を調べるための実験
においては、半導体基板１０にシリコンのベアウェハを
用い、第１層アルミニウム配線２０をＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ
合金によって線幅が０．５μｍで長さが１mmになるよう
に形成し、ＴＥＯＳに対するＯ2ガスの流量比を種々変
化させてプラズマＣＶＤ法により種々の特性の中間保護
膜３０を０．４μｍ堆積させ、バイアススパッタ法によ
り層間絶縁膜４０を２．２μｍ堆積させたものを、４０
０℃で３０分間熱処理して試料としている。
においては、半導体基板１０にシリコンのベアウェハを
用い、第１層アルミニウム配線２０をＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ
合金によって線幅が０．５μｍで長さが１mmになるよう
に形成し、ＴＥＯＳに対するＯ2ガスの流量比を種々変
化させてプラズマＣＶＤ法により種々の特性の中間保護
膜３０を０．４μｍ堆積させ、バイアススパッタ法によ
り層間絶縁膜４０を２．２μｍ堆積させたものを、４０
０℃で３０分間熱処理して試料としている。
【００１５】以上、詳述したように、本実施例の高集積
半導体装置１によれば、層間絶縁膜４０を堆積させる前
に、第１層アルミニウム配線２０に中間保護膜３０を被
覆させておくことにより、層間絶縁膜４０を堆積させる
際に、中間保護膜３０に荷電粒子が衝突し、第１層アル
ミニウム配線２０に直接荷電粒子が衝突するのが妨げら
れるので、第１層アルミニウム配線２０の面方位が衝突
によって（１１１）からずれることに起因するアルミニ
ウムのエレクトロマイグレーション現象の発生が防止さ
れる。また、層間絶縁膜４０の堆積後においては、中間
保護膜３０の緩衝作用により、層間絶縁膜４０の大きな
内部応力が緩和されるため、その内部応力が直接第１層
アルミニウム配線２０に及ぼす影響が除去されるので、
層間絶縁膜４０の内部応力に起因するアルミニウムのス
トレスマイグレーション現象の発生が防止される。
半導体装置１によれば、層間絶縁膜４０を堆積させる前
に、第１層アルミニウム配線２０に中間保護膜３０を被
覆させておくことにより、層間絶縁膜４０を堆積させる
際に、中間保護膜３０に荷電粒子が衝突し、第１層アル
ミニウム配線２０に直接荷電粒子が衝突するのが妨げら
れるので、第１層アルミニウム配線２０の面方位が衝突
によって（１１１）からずれることに起因するアルミニ
ウムのエレクトロマイグレーション現象の発生が防止さ
れる。また、層間絶縁膜４０の堆積後においては、中間
保護膜３０の緩衝作用により、層間絶縁膜４０の大きな
内部応力が緩和されるため、その内部応力が直接第１層
アルミニウム配線２０に及ぼす影響が除去されるので、
層間絶縁膜４０の内部応力に起因するアルミニウムのス
トレスマイグレーション現象の発生が防止される。
【００１６】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、中
間保護膜３０は、ＴＥＯＳとＯ2ガスを流してプラズマ
ＣＶＤ法により形成されるとしたが、常圧ＣＶＤ法や減
圧ＣＶＤ法などを用いてもよいし、ＰＶＤ法などの他の
方法を用いてもよい。反応ガスもＴＥＯＳとＯ2ガスに
限らず、モノシランやジクロロシランなどを用いてもよ
い。また、中間保護膜３０は半導体基板１０および第１
層アルミニウム配線２０に亘る全面に形成されていると
したが、少なくとも第１層アルミニウム配線２０を被覆
していればよい。さらに、中間保護膜３０は酸化珪素で
できているとしたが、半導体装置において適用される絶
縁膜であれば酸化珪素に限らず、例えば窒化珪素など、
異なる組成のものでできていてもよい。さらにまた、第
１層アルミニウム配線２０や第２層アルミニウム配線５
０などの金属配線はアルミニウム合金でできているとし
たが、アルミニウム合金以外の金属でもよいのはいうま
でもないし、その形成にあたってスパッタリング法以外
のＰＶＤ法、例えば真空蒸着法等を用いてもよいし、Ｃ
ＶＤ法などを用いてもよい。なお、金属配線上に層間絶
縁膜を形成する場合のみならず、素子の保護・安定化の
ためのパッシベーション膜を形成する場合にも適用する
ことができる。
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、中
間保護膜３０は、ＴＥＯＳとＯ2ガスを流してプラズマ
ＣＶＤ法により形成されるとしたが、常圧ＣＶＤ法や減
圧ＣＶＤ法などを用いてもよいし、ＰＶＤ法などの他の
方法を用いてもよい。反応ガスもＴＥＯＳとＯ2ガスに
限らず、モノシランやジクロロシランなどを用いてもよ
い。また、中間保護膜３０は半導体基板１０および第１
層アルミニウム配線２０に亘る全面に形成されていると
したが、少なくとも第１層アルミニウム配線２０を被覆
していればよい。さらに、中間保護膜３０は酸化珪素で
できているとしたが、半導体装置において適用される絶
縁膜であれば酸化珪素に限らず、例えば窒化珪素など、
異なる組成のものでできていてもよい。さらにまた、第
１層アルミニウム配線２０や第２層アルミニウム配線５
０などの金属配線はアルミニウム合金でできているとし
たが、アルミニウム合金以外の金属でもよいのはいうま
でもないし、その形成にあたってスパッタリング法以外
のＰＶＤ法、例えば真空蒸着法等を用いてもよいし、Ｃ
ＶＤ法などを用いてもよい。なお、金属配線上に層間絶
縁膜を形成する場合のみならず、素子の保護・安定化の
ためのパッシベーション膜を形成する場合にも適用する
ことができる。
【００１７】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である高集積
半導体装置における多層配線技術に適用した場合につい
て説明したが、この発明はそれに限定されるものではな
く、金属配線上に絶縁膜を形成する場合、例えばマイク
ロマシーニング技術などに利用することができる。
なされた発明をその背景となった利用分野である高集積
半導体装置における多層配線技術に適用した場合につい
て説明したが、この発明はそれに限定されるものではな
く、金属配線上に絶縁膜を形成する場合、例えばマイク
ロマシーニング技術などに利用することができる。
【００１８】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。すなわち、中間保護膜によって、絶縁
膜の堆積過程においては、金属配線に直接荷電粒子が衝
突するのが妨げられ、また絶縁膜の堆積後においては、
絶縁膜の内部応力が緩和されるので、配線の断線故障や
短絡故障の原因となるマイグレーション現象の発生が防
止される。
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
のとおりである。すなわち、中間保護膜によって、絶縁
膜の堆積過程においては、金属配線に直接荷電粒子が衝
突するのが妨げられ、また絶縁膜の堆積後においては、
絶縁膜の内部応力が緩和されるので、配線の断線故障や
短絡故障の原因となるマイグレーション現象の発生が防
止される。
【図１】本実施例における高集積半導体装置の配線部分
の部分拡大縦断面図である。
の部分拡大縦断面図である。
【図２】高集積半導体装置の中間保護膜の内部応力とア
ルミニウム配線のマイグレーション発生頻度との相関関
係を示す特性図である。
ルミニウム配線のマイグレーション発生頻度との相関関
係を示す特性図である。
１ 高集積半導体装置 １０ 半導体基板 ２０ 第１層アルミニウム配線（金属配線） ３０ 中間保護膜 ４０ 層間絶縁膜（絶縁膜）
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板上に形成された金属配線と、
該金属配線上に、前記半導体基板にバイアスを印加した
状態で、積層された絶縁膜との間に、前記金属配線を被
覆して同金属配線を保護する中間保護膜が介装されてい
ることを特徴とする高集積半導体装置。 - 【請求項２】 前記中間保護膜は、前記半導体基板にバ
イアスを印加しない状態で成膜された酸化珪素膜である
ことを特徴とする請求項１記載の高集積半導体装置。 - 【請求項３】 金属配線を形成した後、請求項１または
２記載の中間保護膜をプラズマＣＶＤ法により成膜して
から、絶縁膜をバイアススパッタ法により成膜すること
を特徴とする高集積半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4263392A JPH06120358A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 高集積半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4263392A JPH06120358A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 高集積半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06120358A true JPH06120358A (ja) | 1994-04-28 |
Family
ID=17388860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4263392A Pending JPH06120358A (ja) | 1992-10-01 | 1992-10-01 | 高集積半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06120358A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011091426A (ja) * | 2010-12-20 | 2011-05-06 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US8481990B2 (en) | 2010-03-08 | 2013-07-09 | Panasonic Corporation | Nonvolatile memory element |
-
1992
- 1992-10-01 JP JP4263392A patent/JPH06120358A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8481990B2 (en) | 2010-03-08 | 2013-07-09 | Panasonic Corporation | Nonvolatile memory element |
| JP2011091426A (ja) * | 2010-12-20 | 2011-05-06 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
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