JPH0611486A - 真空チャンバへの赤外線導入構造 - Google Patents

真空チャンバへの赤外線導入構造

Info

Publication number
JPH0611486A
JPH0611486A JP32062791A JP32062791A JPH0611486A JP H0611486 A JPH0611486 A JP H0611486A JP 32062791 A JP32062791 A JP 32062791A JP 32062791 A JP32062791 A JP 32062791A JP H0611486 A JPH0611486 A JP H0611486A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum
vacuum chamber
sample
chamber
glass rod
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP32062791A
Other languages
English (en)
Other versions
JP3146035B2 (ja
Inventor
Yasushi Hinaga
日永康
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DENSHI KAGAKU KK
Original Assignee
DENSHI KAGAKU KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by DENSHI KAGAKU KK filed Critical DENSHI KAGAKU KK
Priority to JP32062791A priority Critical patent/JP3146035B2/ja
Publication of JPH0611486A publication Critical patent/JPH0611486A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3146035B2 publication Critical patent/JP3146035B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Investigating Or Analyzing Materials Using Thermal Means (AREA)
  • Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
  • Sampling And Sample Adjustment (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高い真空環境を維持する真空チャンバ内に試
料を加熱するための赤外線をガラス棒により導入する構
造の改良である。 【構成】 ガラス棒に二重のOリングを設け、この二つ
のOリングの間の空間を真空チャンバの真空系とは別の
真空ポンプにより真空に維持し、さらにこの二重のOリ
ングによるシールを冷却する。 【効果】 赤外線の漏洩により温度が変化することがあ
っても完全なシールを施す。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体製造工程の評価に
利用する。本発明は脱離ガス分析装置に利用する。脱離
ガス分析装置は、試料である半導体チップを真空中で加
熱し、発生するガスを質量分析計で分析し、その分析結
果に基づき半導体製造工程を修正するための装置であ
る。
【0002】本発明は、試料を載置する真空チャンバの
中にこの試料を加熱するための赤外線を導入する構造に
関する。
【0003】
【従来の技術】従来から真空チャンバ内に試料を置き、
真空チャンバに高真空を形成してからその試料に赤外線
を照射して加熱し、発生する脱離ガスを質量分析計に導
き分析を行う装置が知られている。
【0004】従来装置では、真空チャンバの殻壁に石英
ガラスの窓を設け、この窓の外に赤外線発生ランプを配
置して発生する赤外線を試料に照射させる構造であっ
た。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】この従来構造では、赤
外線発生ランプから発生する赤外線はガラス窓で散乱
し、真空チャンバの内壁面や真空チャンバ内にある試料
以外の装置が加熱され、その表面に付着されている塵や
水蒸気などがガスとなって真空チャンバ内に脱離するこ
とになる。これは試料から脱離するガスを分析するとき
の背景ノイズとなって、試料から脱離するガスの状態を
正確に分離分析できない。
【0006】一方、赤外線発生装置を真空チャンバの外
に設置し、発生した赤外線をガラス棒を用いて真空チャ
ンバ内に導入する技術も考えられているが、そのシール
構造は十分でなく、きわめて高い真空環境(10-10torr
程度)を達成することができない。すなわち、赤外線ラ
ンプを点滅するとガラス棒に温度変化が生じて、シール
から気体分子がリークしてしまう。
【0007】本発明はこのような背景に行われたもので
あって、高真空の真空チャンバ内の試料に局所的に赤外
線を照射することができるとともに、赤外線ランプが点
滅されても、真空チャンバの真空のリークがきわめて小
さいシール構造を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、二重にOリン
グを配置し、その二つのOリングの間に空間を設けて、
その空間を別系の真空ポンプにより真空状態とすること
を特徴とする。その二つのOリングの近傍を冷却する構
造とすることがよい。
【0009】すなわち本発明は、真空チャンバの外に配
置された赤外線発生装置で発生された赤外線をその真空
チャンバ内に導入するガラス棒を備えた真空チャンバの
シール構造において、前記ガラス棒に密接し前記真空チ
ャンバ内の真空をシールする第一のOリングと、前記ガ
ラス棒に密接し前記第一のOリングと間隔をおいて設け
られ、大気をシールする第二のOリングと、前記二つの
Oリングに共に接しこの二つのOリングの間で前記ガラ
ス棒の外を被う筒体と、この筒体、前記二つのOリング
および前記ガラス棒の間に形成される空間を真空に維持
する前記真空チャンバの系とは別系の真空手段と、前記
筒体を冷却する冷却手段とを備えたことを特徴とする。
【0010】前記別系の真空手段とは、真空ポンプその
ものが別系であることが望ましいが、真空ポンプの一部
あるいは全部が共通であっても、真空チャンバの真空に
影響を与えることがないように設定された系であればよ
い。
【0011】前記冷却手段は、水冷構造であることが望
ましい。
【0012】前記二つのOリングの間の空間には、二つ
のOリングに当接しOリングの位置を固定するための薄
い筒状のスペーサを挿入することが望ましい。
【0013】
【作用】一般に、Oリングによるシール構造では、その
シールをリークする気体のリーク量はそのOリングによ
り区分された領域の気圧の差に比例する。 本発明で
は、真空チャンバの気圧はほぼ10-10 torrであり、二つ
のOリングの間の空間は簡単な真空ポンプで真空を形成
しても10-3torr程度の真空が得られる。したがって、大
気と前記二つのOリングの間の空間との間に小さいリー
クがあっても、この空間と真空チャンバとの間にはほと
んどリークは発生することがないから、全体としてほと
んどリークのないシール構造を得ることができる。
【0014】さらに、本発明では前記空間の近傍を冷却
するので、赤外線発生ランプが点滅されても、赤外線の
漏洩に起因する温度変化をきわめて小さく抑制できるか
ら、良好なシール状態を保持することができる。
【0015】
【実施例】次に本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。
【0016】図1は、本発明を脱離分析装置に実施した
全体配置図であり、図2は同じく系統図であり、図4は
真空チャンバとガラス棒と間のシール構造を示す試料ス
テージ図である。
【0017】真空チャンバ1はその内部が磁気浮上型タ
ーボ分子ポンプ2Aにより10-10torr 程度の高真空状態
に維持され、試料ステージ5に載置された半導体チップ
などの試料6を加熱し脱離ガスを発生させる構造となっ
ている。この発生した脱離ガスは接続管8を介して質量
分析計9、10および11でガス成分の質量数(M/z)ご
とに、温度に対応したイオン電流の分析が行われる。
【0018】試料から脱離するガスは極めて微量である
から、この分析操作において、真空チャンバ1内を高真
空状態に維持するとともに、試料以外のものを加熱する
ことにより発生する余分のガスがひきおこす背景ノイズ
を可及的小さくしなければならない。
【0019】この試料6の熱源として真空チャンバ1の
外に配置された赤外線発生装置7と、その赤外線発生装
置7の出力赤外線を真空チャンバ1内に導入するガラス
棒4とを備えている。
【0020】このような真空チャンバへの赤外線導入構
造において、本発明の特徴とするところは、ガラス棒4
に密接し真空チャンバ1内の真空をシールする第一のO
リング19Dと、ガラス棒4に密接し第一のOリング19D
と間隔をおいて設けられ大気をシールする第二のOリン
グ19Eと、この二つのOリング19Dおよび19Eに共に接
しこの二つのOリングの間でガラス棒4の外を被う筒体
19Gと、筒体19G、二つのOリング19D、19Eおよびガ
ラス棒4との間に形成される空間である中間排気室20C
を真空に維持するため真空チャンバ1の真空系である前
記磁気浮上型ターボ分子ポンプ2Aとは別系の真空手段
であるロータリイ型の真空ポンプ3Cとを備えたことに
ある。
【0021】さらに筒体19Gを冷却するための冷却手段
として、冷却水がパイプ30Bおよび30Cを介してそれぞ
れ給排水される冷却水通路31を備えている。
【0022】また前記中間排気室20Cには二つのOリン
グ19Dおよび19Eにそれぞれ当接する薄い筒状のスペー
サ19Fを備え、Oリング19D、19Eのガラス棒4との密
接が破れ、シール機能が低下することを防いでいる。
【0023】また赤外線発生装置7は、赤外線発生ラン
プ21と、この赤外線発生ランプ21が一方の焦点位置にな
るようにその赤外線発生ランプ21を覆う楕円体の反射面
7Aとを備えた構造であり、ガラス棒4の一端の受光面
4Aが反射面7Aの他方の焦点位置に配置されている。
【0024】赤外線発生装置7は、その反射面7Aの外
方に水ジャケットが設けられ、ここに図1(b) に示す冷
却水タンク24から、パイプ30Aにより冷却水が送入さ
れ、赤外線発生装置7の外周の温度が上昇しないように
なっている。この水ジャケットから排出された冷却水は
前記パイプ30Bにより筒体19Cの冷却水通路31に送ら
れ、さらにパイプ30Cを介して、冷却水タンク24に戻
る。このように水ジャケットと冷却水通路31とを直列に
接続したのは、冷却水の流れを確実にするためである。
【0025】ガラス棒4は透明石英ガラスであるので、
その内部に通る赤外線の吸収による温度上昇は少ない
が、Oリングの温度上昇をさけるために冷却水通路31が
設けられている。
【0026】楕円体の反射面の二つの焦点に、それぞれ
赤外線の発生源と受光端とを設けた加熱手段について
は、既に知られているが、この手段を高真空チャンバ内
に載置された試料を加熱する脱離ガス分析計に実施した
ことはなかったものである。
【0027】次に図1および図2を用いて、本実施例の
配置について説明する。
【0028】本実施例では、真空チャンバ1と、この真
空チャンバ1を真空に維持する真空ポンプ2A、3A
と、真空チャンバ1内に配置された試料ステージ5(図
2参照)と、この試料ステージ5に載置された試料6を
加熱する加熱器7、真空チャンバ1内に連接する質量分
析計9、10および11とを含む。
【0029】本実施例の各部品はほぼデスク23上に配置
され、真空ポンプのうちロータリイ型の真空ポンプであ
る3A、3B、3Cと、冷却水タンク24およびコンピュ
ータユニット25はデスク23外に配置される。
【0030】真空チャンバ1は、その壁構造が金属筒1
Cと、天井側および底面側の金属端板1A、1Bより構
成され、その内壁面は表面研磨されている。真空チャン
バ1を真空に維持する真空ポンプのうち、符号2Aは磁
気浮上型ターボ分子ポンプである。この真空チャンバ1
は外部からの試料の出し入れにさいして、その真空状態
が破壊されない構造となっている。
【0031】すなわち、真空チャンバ1より十分に小さ
い空間に収容され、真空チャンバ1との間に開閉弁13を
備え、前記磁気浮上型ターボ分子ポンプ2Aとは別系の
ターボ分子ポンプ2Bによりその真空を維持するロード
ロック機構を設ける構造である。
【0032】本実施例では、真空チャンバ1の内径は、
試料ステージ5の直径26mmに対して5倍以上であり、試
料ステージ5と壁面との距離は60mm以上である。
【0033】ロードロック機構は、図2および図3に示
すように、それを囲むロードロックチャンバ12の内部に
設けられる(図3(b) 参照)。
【0034】ロードロック機構は、試料を搬送する搬送
台15と、この搬送台15を搬送するラック部16と、このラ
ック部16を駆動するピニオン17を回転するピニオン回転
軸17Aとを含む。このピニオン回転軸のシール構造は、
図3(c) に示すように、二つのOリング19A、19Bとの
間はスペーサ19Cによりほぼ一定の空間である中間排気
室20Aが確保されるもので、この中間排気室20Aは図2
に示すように前記真空ポンプ2Aおよび2Bとは別系の
ロータリイ型の真空ポンプ3Cにより真空に維持され
る。
【0035】真空チャンバ1内にはストッパ16Aを備
え、ラック部16が真空チャンバ1内に移動して、このス
トッパ16Aに接触した位置で、搬送台15が試料ステージ
5に横づけされる構造である。
【0036】開閉弁13にはこのスライド弁13Aをつまみ
18Bを回転することにより開閉させる軸26Aが設けら
れ、この軸26Aはベローズ26Bによりシールされる。
【0037】加熱器7は、赤外線発生ランプ21を内包す
る赤外線発生装置であり、この赤外線発生装置7は、真
空チャンバ1の外に配置され、試料ステージ5は赤外線
発生装置7で発生されガラス棒4で導入された赤外線で
加熱される。
【0038】真空チャンバ1は直径が大きい接続管8
(本実施例では内径120mm)を介して質量分析計のイオン
化部9に連通される。真空チャンバ1の真空状態を維持
するためこの接続管8は主排気管8Aにより磁気浮上型
ターボ分子ポンプ2Aおよびロータリイ型の真空ポンプ
3Aに接続される。このイオン化部9につづいて励磁部
10とコレクタ部11とが設けられる。
【0039】真空チャンバ1を高度の真空状態にするた
めには、最初にロータリイ型の真空ポンプ3Aにより或
る程度の真空状態としたのちに、磁気浮上型ターボ分子
ポンプ2Aにより、10-10torr 程度の真空状態に維持す
る。
【0040】真空チャンバ1のロードロック機構と対向
する位置にマニュピレータ27が設けられている。このマ
ニュピレータ27は、前述のラック部16により試料ステー
ジ5に横づけされた搬送台15上の試料を試料ステージ5
に移し、また戻すためのものである。
【0041】次に各部品の動作をそれぞれ個別に説明す
る。
【0042】図3において、ロードロック機構では、通
常搬送台15とラック部16とは、ロードロックチャンバ12
の端部12A側に寄せられており、搬送台15は試料挿入口
14のほぼ下方に位置する。このとき開閉弁13はスライド
弁13Aにより閉塞されている。試料挿入口14を開放する
ときは、あらかじめコック22Aを開放して、ロードロッ
クチャンバ12の内部に乾燥窒素N2 を充填しておき、試
料挿入口14を開き試料を搬送台15に載置する。つぎにコ
ック22Aを閉じ、コック22Dを開いて予備排気を行い、
次いでコック22Cを開きロードロックチャンバ12内が高
真空となるよう排気を行う。
【0043】真空計32Aにより真空状態を確認してか
ら、開閉弁13を開き、つまみ18Aによりピニオン17を回
転して、ラック部16を真空チャンバ1側に移動させる。
搬送台15が試料ステージ5の所定の位置に接近すると、
ラック部16の先端は真空チャンバ1内に設けられたスト
ッパ16Aに接触し、搬送台15は試料ステージ5に横づけ
される。
【0044】この状態で搬送台15に載置された試料を試
料ステージ5に移載するには、前記マニュピレータ27に
よる。
【0045】マニュピレータ27の縦断面図を示す図6
(b) において、真空チャンバの殻である金属筒1Cには
強固な構造の鞘体27Aにフランジ27Bが設けられてい
る。このフランジ27Bの外方の大気圧雰囲気に第一およ
び第二操作端であるつまみ18Cと18Dとが設けられる。
【0046】この第一操作端であるつまみ18Cの操作に
より真空チャンバのほぼ中心からほぼ放射方向にほぼ水
平に移動する管状の外軸27Cがあり、その一端に軸受27
Dを介して第一作用端27Eが取付けられる。
【0047】この外軸27Cの内側に外軸27Cに沿ってそ
の長手方向に相対位置を変化する内軸27Fがあり、この
内軸27Fの外側の一端に前記第二操作端であるつまみ18
Dが取付けられ、この内軸27Fの他端に第二作用端27G
が設けられる。
【0048】外軸27Cの真空チャンバ内側の先端部とフ
ランジ27Bに固定された座27Hとの間には外軸27Cの変
位にしたがって伸縮する第一ベローズ28Aが被せられ、
内軸27Fと外軸27Cとの間にはこの外軸27Cと内軸27F
との相対変位にしたがって伸縮する第二ベローズ28Bが
被せられている。また第一作用端27Eと第二作用端27G
との間には、板ばね27Jにより吊り下げられたコの字状
の爪27Kが取付けられている。
【0049】このように二つのベローズを設けることに
より、各操作端の操作に伴う真空チャンバ内のリークが
防止される。
【0050】通常の状態、すなわち試料の交換を行わな
い状態では、つまみ18Cの操作により外軸27Cと内軸27
Fは共に図の右側に引かれた位置にあり、第一ベローズ
28Aは圧縮され、第一および第二作用端27Eおよび27G
は金属筒1C側に引かれている。
【0051】前述のようにロードロック機構の搬送台15
が試料ステージ5に横づけされた状態で、第一操作端で
あるつまみ18Cにより、外軸27Cと内軸27Fとを図の左
側に移動し、爪27Kを破線の位置に移動させる。このと
きつまみ18Dを外軸27Cに対して内軸27Fを図の左側に
押し込むように操作する。これにより第二ベローズ28B
が伸ばされ、第一および第二作用端27Eと27Gとの間隔
は縮むので、板ばね27Jが押し出され爪27Kは下降す
る。ここでつまみ18Cを操作することにより外軸27Cと
内軸27Fを共に図の右側に移動し、搬送台15の上の試料
を試料ステージ5の上に移載することができる。このよ
うにして、試料を移すことができる。
【0052】この操作は、真空チャンバの金属筒1Cに
設けられた覗き窓1E(図6(b) で破線で示すもの)か
ら観察しながら行われる。
【0053】赤外線発生装置7は真空チャンバ1の外側
下方に配置され、その内部の楕円体状の反射面7Aのひ
とつの焦点に置かれた赤外線発生ランプ21が発生する赤
外線を他の焦点に置かれた石英のガラス棒4の受光面4
Aより吸収し、他の端面4Bより試料ステージ5の下面
に導入する。赤外線発生ランプ21はコンピュータユニッ
ト25により制御される温度制御部29の送出する電流によ
り試料ステージ5に所定の温度が与える。この反射面7
Aの発熱を赤外線発生装置7の外部に放散させないよう
に、反射面7Aの外部の水ジャケットに前記冷却水タン
ク24からパイプ30Aにより冷却水が送入される。
【0054】図4は、試料ステージの図である。ガラス
棒4は透明石英ガラスであり、ステージ5は半透明石英
ガラスである。図4(b) に示すように試料ステージ5の
下面にはガラス棒4の端面4Bに緩く嵌合する嵌合部5
Aが形成され、しかも端面4Bと嵌合部5Aとのすき間
5Dには、孔5Bが設けられ真空チャンバ内の雰囲気と
連通する。緩く嵌合され、すき間5Dが設けられている
ので、試料ステージ5が高温になってもその伝達熱によ
りガラス棒4の温度が上昇することがない。試料ステー
ジ5の上部に設けられた孔5Cは熱電対21Aを挿通する
ものである。
【0055】ガラス棒4の真空チャンバの金属端板1B
を貫通する部分にシール構造が設けられる。本シール構
造も前述のロードロック機構のピニオン回転軸17Aに設
けられたものと同様に中間排気室20Cに二重のOリング
19D、19Eとスペーサ19Fとが設けられ、真空チャンバ
1内部の真空度を保持する。この中間排気室20Cは真空
チャンバ1を排気する真空ポンプとは別系の真空手段で
あるロータリイ型の真空ポンプ3Cにより排気される。
【0056】一方、前述のように赤外線発生装置7を冷
却した冷却水はパイプ30Bを介して、中間排気室20Bの
外方に設けられた筒体19Gの冷却水通路31に送入され、
パイプ30Cを介して、冷却水タンク24に送りかえされ
る。このためシール部分はつねに冷却され赤外線発生ラ
ンプ21の点滅により、このシール部に支障が起こらな
い。
【0057】図5は、質量分析計の構造を示す図であ
る。
【0058】本図に示すようにイオン化部9内のイオン
化室9Aは複数の開口9Bを備えた開放型のもので、こ
のイオン化部9と真空チャンバ1とは太くかつ短い通路
である接続管8で連結されている。
【0059】質量分析計の一般的な試料導入において
は、試料ステージに載置された試料6が発生する脱離ガ
スを一旦蓄積してこれを狭い通路を通してイオン化室9
Aに送っている。この方法では脱離ガスが発生した時点
と、イオン化室でこの脱離ガスがイオン化される時点と
では若干のタイムラグがあり、リアルタイムの分析がで
きない。
【0060】本実施例では試料6から発生した脱離ガス
33Gは蓄積されることなくイオン化部9内に導かれ、開
口9Bを通してイオン化室9Aに入り、そこでフィラメ
ント(図示せず)からの電子線の衝撃によってイオン化
される。引出し電極9Cによりイオン化室9Aから引出
されたイオンビーム33Eは、励磁部10の磁極10Aの磁界
により偏倚されコレクタ部11で検出される。
【0061】本実施例では、試料の交換を行っても真空
チャンバ1内の真空状態のリークは極めて小さい。この
ため、背景ノイズが極めて小さくおさえられるととも
に、真空状態を形成する真空ポンプ動作の準備時間が極
めて小さい。
【0062】また楕円体状の反射面とガラス棒とによ
り、試料の加熱エネルギである赤外線を、試料に集中し
て導入できる。このため従来のような熱源の導入手段と
比較して、真空チャンバの内壁面などを赤外線が照射す
る可能性がきわめて小さくなる。また照射する可能性が
僅かにあっても、試料ステージから壁面までの距離が大
きく、かつ表面研磨されているので、壁面の加熱による
余分なガスの発生が抑制される。
【0063】また真空チャンバ、ロードロック機構の内
部および各シール構造のそれぞれの空間の真空度を維持
するために、それぞれ別系の真空ポンプが使用される。
例えばその内容積が大きく最も高真空度(10-10torr 程
度) を必要とする真空チャンバに対しては、磁気浮上型
のターボ分子ポンプ2Aが用いられ、これより容量が小
さいが試料の出し入れにさいしてしばしば大気開放する
ロードロックチャンバに対してはターボ分子ポンプ2B
が用いられる。
【0064】Oリングによる気体のリーク量は、このO
リングで区分された領域の気圧の差に依存する。したが
って、ロードロック機構のピニオン回転軸17Aやガラス
棒4の真空チャンバの貫通部の二重Oリングのシール構
造で、それぞれの二つのOリングの間の空間、すなわち
中間排気室を10-3torr程度の真空度にすることにより、
真空側のOリングから真空チャンバへのリーク量を5桁
程度低減することができる。このため本実施例では、こ
れらの空間をロータリイポンプ3Cにより、この程度の
真空を維持するようにしている。
【0065】次に図2を参照して、本実施例の動作手順
を説明する。 ・開閉弁13を閉塞し、コック22Aを開きロードロックチ
ャンバ12内に乾燥窒素N2 を充填する。 ・試料挿入口14を開き搬送台15に試料を挿入する。 ・コック22Aを閉じ、試料挿入口14を閉じる。 ・コック22Dを開き、ロータリイ型の真空ポンプ3Cで
予備排気する。 ・コック22Dを閉じ、コック22Cを開きロードロックチ
ャンバ12内をターボ分子ポンプ2Bで排気する。 ・真空計32Aによりロードロックチャンバ12内の到達圧
力を確認して、開閉弁13を開く。 ・つまみ18Aによりピニオン17を回転し、ラック部16に
より搬送台15を真空チャンバ1内にストッパ16Aに触れ
るまで移送し、搬送台15を試料ステージ5に横づけす
る。 ・マニュピレータ27により、搬送台15の上の試料6を試
料ステージ5上に移載する。 ・マニュピレータ27を試料ステージ5より引き離す。 ・搬送台15などをロードロックチャンバ12内に引きもど
す。 ・開閉弁13を閉塞する。 ・真空計32Bにより真空チャンバの到達真空度を確認す
る。 ・コンピュータユニット25で温度制御部29などを制御す
る昇温プログラムをロードする。 ・コンピュータユニット25で質量分析計で測定しようと
する脱離ガスの質量数を設定する。 ・分析開始(昇温し、その温度信号をコンピュータユニ
ットに取込むと同時に設定した質量数のイオン電流信号
を取込む)。 ・分析測定終了。 ・開閉弁13を開き、搬送台15をステージ5に横づけし、
マニュピレータ27を用いて試料を搬送台15に移載する。 ・搬送台15などをロードロックチャンバ12内に引き上
げ、開閉弁13を閉塞する。 ・コック22Aを開き、乾燥窒素N2 をロードロックチャ
ンバ12内に充填させる。 ・試料挿入口14を開き試料を交換する。 ・一方、コンピュータユニット25は分析データを処理
し、イオン電流と温度との関係図(パイログラム)を印
字出力する。
【0066】以上の動作手順により、本実施例により分
析を行ったパイログラムの実績を図7の(a) および(b)
に示す。本図では縦軸はイオン電流の相対値である。図
7(a) に示すように、質量数M/z=18(H2O)と質量な
M/z=28(C2 4 )のそれぞれのピーク値の前後の
平坦な部分でも、イオン電流値はほぼ一定している。こ
れはノイズの混入が極めて小さいことを意味する。図7
(b) は試料を挿入しない状態の測定値で、M/z=18お
よびM/z=28の値は変化しない。これは試料以外から
の放出ガスによる背景ノイズがないことを示している。
【0067】比較例として、1990年4月に開催されたア
メリカの電気電子技術協会(IEEE)の会議に報告さ
れた最近の最良といわれる分析測定例を図7(c) に示
す。本図では縦軸はイオン電流の絶対値となるように整
理されているが、例えばM/z=18のカーブではピーク
値の高温側の平坦部は低温側の平坦部より破線で示すよ
うに傾斜している。これは、背景ノイズによる影響であ
ると考えられる。
【0068】図8は、本発明の他の実施例の系統図であ
る。これは図2に示す前例とほとんど同様であるので詳
しい説明を省く。詳しくは配管系や弁などが少し異なる
のみである。
【0069】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
赤外線を真空チャンバ内に載置した試料以外の部分に照
射することがなく、かつ真空チャンバ内への大気のリー
クを極めて小さくできる真空チャンバへの赤外線導入構
造を実現できる。このため高い真空環境内で背景ノイズ
が極めて小さい分析が行われるので、この分析結果から
試料である半導体チップの製造工程に不備があったと
き、これを端的に指摘できるから、半導体製造工程の歩
留りが向上する効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明一実施例の全体配置図、(a) は正面図、
(b) は平面図。
【図2】同実施例の系統図。
【図3】同実施例のロードロック機構の説明図、(a) は
外観斜視図、(b) は内部構成図、(c) はシール構造図。
【図4】試料ステージ図、(a) は全体図、(b) は試料ス
テージ詳細図。
【図5】質量分析計構造図。
【図6】マニュピレータ図で、(a) は平面図、(b) は縦
断面図。
【図7】分析結果の一例を示す図(パイログラム)。
【図8】本発明他の実施例による系統図。
【符号の説明】
1 真空チャンバ 1A、1B その金属端板 1C 金属筒 1D、1E 覗き窓 2A 磁気浮上型ターボ分子ポンプ 2B ターボ分子ポンプ 3A、3B、3C ロータリイ型の真空ポンプ 4 透明石英ガラスであるガラス棒 4A 受光面 4B 他の端面 5 試料ステージ 5A 嵌合部 5B、5C 孔 5D すき間 6 試料 7 加熱器である赤外線発生装置 7A 反射面 8 接続管 8A 主排気管 9、10、11 質量分析計のそれぞれイオン化部、励磁
部、コレクタ部 9A イオン化室 9B 開口 9C 引出し電極 10A 磁極 12 ロードロックチャンバ 12A その端部 13 開閉弁 13A スライド弁 14 試料挿入口 15 搬送台 16 ラック部 16A ストッパ 17 ピニオン 17A ピニオン回転軸 18A、18B つまみ 18C、18D マニュピレータのそれぞれ第一および第二
操作端であるつまみ 19A、19B、19D、19E Oリング 19C、19F スペーサ 19G 筒体 20A、20B 中間排気室 21 赤外線発生ランプ 21A 熱電対 22A、22B、22C、22D コック 23 デスク 24 冷却水タンク 25 コンピュータユニット 26A 軸 27 マニュピレータ 27A 鞘体 27B フランジ 27C 外軸 27F 内軸 27D 軸受 27E、27G 第一および第二作用端 27H 座 27J 板ばね 27K 爪 27L ばね 27M キー 27N スプリング押えねじ 28A、28B 第一および第二ベローズ 30A、30B、30C パイプ 31 冷却水通路 32A、32B 真空計 33G 脱離ガス 33E イオンビーム
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年12月29日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0016
【補正方法】変更
【補正内容】
【0016】図1および図2は、本発明を脱離分析装置
に実施した全体配置図であり、図は同じく系統図であ
り、図は真空チャンバとガラス棒と間のシール構造を
示す試料ステージ図である。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0024
【補正方法】変更
【補正内容】
【0024】赤外線発生装置7は、その反射面7Aの外
方に水ジャケットが設けられ、ここに図(b)に示す
冷却水タンク24から、パイプ30Aにより冷却水が送
入され、赤外線発生装置7の外周の温度が上昇しないよ
うになっている。この水ジャケットから排出された冷却
水は前記パイプ30Bにより筒体19Cの冷却水通路3
1に送られ、さらにパイプ30Cを介して、冷却水タン
ク24に戻る。このように水ジャケットと冷却水通路3
1とを直列に接続したのは、冷却水の流れを確実にする
ためである。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0027
【補正方法】変更
【補正内容】
【0027】次に図1ないし図3を用いて、本実施例の
配置について説明する。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0028
【補正方法】変更
【補正内容】
【0028】本実施例では、真空チャンバ1と、この真
空チャンバ1を真空に維持する真空ポンプ2A、3A
と、真空チャンバ1内に配置された試料ステージ5(図
参照)と、この試料ステージ5に載置された試料6を
加熱する加熱器7、真空チャンバ1内に連接する質量分
析計9、10および11とを含む。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0033
【補正方法】変更
【補正内容】
【0033】ロードロック機構は、図および図に示
すように、それを囲むロードロックチャンバ12の内部
に設けられる(図(b)参照)。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0034
【補正方法】変更
【補正内容】
【0034】ロードロック機構は、試料を搬送する搬送
台15と、この搬送台15を搬送するラック部16と、
このラック部16を駆動するピニオン17を回転するピ
ニオン回転軸17Aとを含む。このピニオン回転軸のシ
ール構造は、図(c)に示すように、二つのOリング
19A、19Bとの間はスペーサ19Cによりほぼ一定
の空間である中間排気室20Aが確保されるもので、こ
の中間排気室20Aは図に示すように前記真空ポンプ
2Aおよび2Bとは別系のロータリイ型の真空ポンプ3
Cにより真空に維持される。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0042
【補正方法】変更
【補正内容】
【0042】図において、ロードロック機構では、通
常搬送台15とラック部16とは、ロードロックチャン
バ12の端部12A側に寄せられており、搬送台15は
試料挿入口14のほぼ下方に位置する。このとき開閉弁
13はスライド弁13Aにより閉塞されている。試料挿
入口14を開放するときは、あらかじめコック22Aを
開放して、ロードロックチャンバ12の内部に乾燥窒素
を充填しておき、試料挿入口14を開き試料を搬送
台15に載置する。つぎにコック22Aを閉じ、コック
22Dを開いて予備排気を行い、次いでコック22Cを
開きロードロックチャンバ12内が高真空となるよう排
気を行う。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0045
【補正方法】変更
【補正内容】
【0045】マニュピレータ27の縦断面図を示す図
(b)において、真空チャンバの殻である金属筒1Cに
は強固な構造の鞘体27Aにフランジ27Bが設けられ
ている。このフランジ27Bの外方の大気圧零囲気に第
一および第二操作端であるつまみ18Cと18Dとが設
けられる。
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0052
【補正方法】変更
【補正内容】
【0052】この操作は、真空チャンバの金属筒1Cに
設けられた覗き窓1E(図(b)で破線で示すもの)
から観察しながら行われる。
【手続補正10】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0054
【補正方法】変更
【補正内容】
【0054】図は、試料ステージの図である。ガラス
棒4は透明石英ガラスであり、ステージ5は半透明石英
ガラスである。図(b)に示すように試料ステージ5
の下面にはガラス棒4の端面4Bに緩く嵌合する嵌合部
5Aが形成され、しかも端面4Bと嵌合部5Aとのすき
間5Dには、孔5Bが設けられ真空チャンバ内の雰囲気
と連通する。緩く嵌合され、すき間5Dが設けられてい
るので、試料ステージ5が高温になってもその伝達熱に
よりガラス棒4の温度が上昇することがない。試料ステ
ージ5の上部に設けられた孔5Cは熱電対21Aを挿通
するものである。
【手続補正11】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0057
【補正方法】変更
【補正内容】
【0057】図は、質量分析計の構造を示す図であ
る。
【手続補正12】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0065
【補正方法】変更
【補正内容】
【0065】次に図を参照して、本実施例の動作手順
を説明する。 ・開閉弁13を閉塞し、コック22Aを開きロードロッ
クチャンバ12内に乾燥窒素Nを充填する。 ・試料挿入口14を開き搬送台15に試料を挿入する。 ・コック22Aを閉じ、試料挿入口14を閉じる。 ・コック22Dを開き、ロータリイ型の真空ポンプ3C
で予備排気する。 ・コック22Dを閉じ、コック22Cを開きロードロッ
クチャンバ12内をターボ分子ポンプ2Bで排気する。 ・真空計32Aによりロードロックチャンバ12内の到
達圧力を確認して、開閉弁13を開く。 ・つまみ18Aによりピニオン17を回転し、ラック部
16により搬送台15を真空チャンバ1内にストッパ1
6Aに触れるまで移送し、搬送台15を試料ステージ5
に横づけする。 ・マニュピレータ27により、搬送台15の上の試料6
を試料ステージ5上に移載する。 ・マニュピレータ27を試科ステージ5より引き離す。 ・搬送台15などをロードロックチャンバ12内に引き
もどす。 ・開閉弁13を閉塞する。 ・真空計32Bにより真空チャンバの到達真空度を確認
する。 ・コンピュータユニット25で温度制御部29などを制
御する昇温プログラムをロードする。 ・コンピュータユニット25で質量分析計で測定しよう
とする脱離ガスの質量数を設定する。 ・分析開始(昇温し、その温度信号をコンピュータユニ
ットに取込むと同時に設定した質量数のイオン電流信号
を取込む)。 ・分析測定終了。 ・開閉弁13を開き、搬送台15をステージ5に横づけ
し、マニュピレータ27を用いて試料を搬送台15に移
載する。 ・搬送台15などをロードロックチャンバ12内に引き
上げ、開閉弁13を閉塞する。 ・コック22Aを開き、乾燥窒素Nをロードロックチ
ャンバ12内に充填させる。 ・試料挿入口14を開き試料を交換する。 ・一方、コンピュータユニット25は分析データを処理
し、イオン電流と温度との関係図(パイログラム)を印
字出力する。
【手続補正13】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0066
【補正方法】変更
【補正内容】
【0066】以上の動作手順により、本実施例により分
析を行ったパイログラムの実績を図の(a)および
(b)に示す。本図では縦軸はイオン電流の相対値であ
る。図(a)に示すように、質量数M/z=18(H
BO)と質量なM/z=28(C)のそれぞれの
ピーク値の前後の平坦な部分でも、イオン電流値はほぼ
一定している。これはノイズの混入が極めて小さいこと
を意味する。図(b)は試料を挿入しない状態の測定
値で、M/z=18およびM/z=28の値は変化しな
い。これは試料以外からの放出ガスによる背景ノイズが
ないことを示している。
【手続補正14】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0067
【補正方法】変更
【補正内容】
【0067】比較例として、1990年4月に開催され
たアメリカの電気電子技術協会(IEEE)の会議に報
告された最近の最良といわれる分析測定例を図(c)
に示す。本図では縦軸はイオン電流の絶対値となるよう
に整理されているが、例えばM/z=18のカーブでは
ピーク値の高温側の平坦部は低温側の平坦部より破線で
示すように傾斜している。これは、背景ノイズによる影
響であると考えられる。
【手続補正15】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0068
【補正方法】変更
【補正内容】
【0068】図は、本発明の他の実施例の系統図であ
る。これは図に示す前例とほとんど同様であるので詳
しい説明を省く。詳しくは配管系や弁などが少し異なる
のみである。
【手続補正16】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明一実施例の全体配置図の正面図。
【図2】本発明一実施例の全体配置図の平面図。
【図3】同実施例の系統図。
【図4】同実施例のロードロック機構の説明図、(a)
は外観斜視図、(b)は内部構成図、(c)はシール構
造図。
【図5】試料ステージ図、(a)は全体図、(b)は試
料ステージ詳細図。
【図6】質量分析計構造図。
【図7】マニュピレータ図で、(a)は平面図、(b)
は縦断面図。
【図8】分析結果の一例を示す図(パイログラム)。
【図9】本発明他の実施例による系統図。
【符号の説明】 1 真空チャンバ 1A、1B その金属端板 1C 金属筒 1D、1E 覗き窓 2A 磁気浮上型ターボ分子ポンプ 2B ターボ分子ポンプ 3A、3B、3C ロータリイ型の真空ポンプ 4 透明石英ガラスであるガラス棒 4A 受光面 4B 他の端面 5 試料ステージ 5A 嵌合部 5B、5C 孔 5D すき間 6 試料 7 加熱器である赤外線発生装置 7A 反射面 8 接続管 8A 主排気管 9、10、11 質量分析計のそれぞれイオン化部、励
磁部、コレクタ部 9A イオン化室 9B 開口 9C 引出し電極 10A 磁極 12 ロードロックチャンバ 12A その端部 13 開閉弁 13A スライド弁 14 試料挿入口 15 搬送台 16 ラック部 16A ストッパ 17 ピニオン 17A ピニオン回転軸 18A、18B つまみ 18C、18D マニュピレータのそれぞれ第一および
第二操作端であるつまみ 19A、19B、19D、19E Oリング 19C、19F スペーサ 19G 筒体 20A、20B 中間排気室 21 赤外線発生ランプ 21A 熱電対 22A、22B、22C、22D コック 23 デスク 24 冷却水タンク 25 コンピュータユニット 26A 軸 27 マニュピレータ 27A 鞘体 27B フランジ 27C 外軸 27F 内軸 27D 軸受 27E、27G 第一および第二作用端 27H 座 27J 板ばね 27K 爪 27L ばね 27M キー 27N スプリング押えねじ 28A、28B 第一および第二ベローズ 30A、30B、30C パイプ 31 冷却水通路 32A、32B 真空計 33G 脱離ガス 33E イオンビーム
【手続補正17】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【図2】
【図4】
【図3】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空チャンバの外に配置された赤外線発
    生装置と、その赤外線発生装置の出力赤外線をその真空
    チャンバ内に導入するガラス棒とを備えた真空チャンバ
    への赤外線導入構造において、 前記ガラス棒に密接し前記真空チャンバ内の真空をシー
    ルする第一のOリングと、 前記ガラス棒に密接し前記第一のOリングと間隔をおい
    て設けられ、大気をシールする第二のOリングと、 前記二つのOリングに共に接しこの二つのOリングの間
    で前記ガラス棒の外を被う筒体と、 この筒体、前記二つのOリングおよび前記ガラス棒の間
    に形成される空間を真空に維持する前記真空チャンバの
    真空系とは別系の真空手段とを備えたことを特徴とする
    真空チャンバへの赤外線導入構造。
  2. 【請求項2】 前記筒体を冷却する冷却手段を備えた請
    求項1記載の真空チャンバへの赤外線導入構造。
  3. 【請求項3】 前記冷却手段は、前記筒体に形成された
    水路と、この水路に冷水を供給する手段とを含む請求項
    2記載の真空チャンバへの赤外線導入構造。
  4. 【請求項4】 前記空間には前記二つのOリングにそれ
    ぞれ当接する薄い筒状のスペーサを備えた請求項1記載
    の真空チャンバへの赤外線導入構造。
JP32062791A 1991-12-04 1991-12-04 真空チャンバへの赤外線導入構造 Expired - Lifetime JP3146035B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32062791A JP3146035B2 (ja) 1991-12-04 1991-12-04 真空チャンバへの赤外線導入構造

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32062791A JP3146035B2 (ja) 1991-12-04 1991-12-04 真空チャンバへの赤外線導入構造

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0611486A true JPH0611486A (ja) 1994-01-21
JP3146035B2 JP3146035B2 (ja) 2001-03-12

Family

ID=18123520

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32062791A Expired - Lifetime JP3146035B2 (ja) 1991-12-04 1991-12-04 真空チャンバへの赤外線導入構造

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3146035B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100442472B1 (ko) * 2001-12-24 2004-07-30 동부전자 주식회사 저압화학기상증착 설비에서 플래넘에 쿨런트를 공급하는장치 및 방법
CN105651564A (zh) * 2015-12-31 2016-06-08 中核建中核燃料元件有限公司 一种燃料棒穿刺装置
CN108962779A (zh) * 2017-05-19 2018-12-07 台湾积体电路制造股份有限公司 排气装置、半导体制造系统与半导体制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100442472B1 (ko) * 2001-12-24 2004-07-30 동부전자 주식회사 저압화학기상증착 설비에서 플래넘에 쿨런트를 공급하는장치 및 방법
CN105651564A (zh) * 2015-12-31 2016-06-08 中核建中核燃料元件有限公司 一种燃料棒穿刺装置
CN108962779A (zh) * 2017-05-19 2018-12-07 台湾积体电路制造股份有限公司 排气装置、半导体制造系统与半导体制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3146035B2 (ja) 2001-03-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6329523B2 (ja) 荷電粒子ビーム・システム用の環境セル
US5569837A (en) Detector apparatus of desorption gas and method therefore
JP3146035B2 (ja) 真空チャンバへの赤外線導入構造
US8604445B2 (en) Method of evacuating sample holder, pumping system, and electron microscope
JP2619731B2 (ja) 脱離ガスの検出装置および方法
JP2578780Y2 (ja) 高真空チャンバ用マニュピレータ
US11387089B2 (en) Direct sample introduction device and method for cooling sample introduction probe
US3440417A (en) Vacuum lock sample insertion probe for a mass spectrometer
JPH05203625A (ja) 脱離ガス検出装置の試料ステージ構造
US2618750A (en) Apparatus for supplying charge material to mass spectrometers
US3050622A (en) Method and apparatus for connecting a getter-ion pump to an analytical mass spectrometer
CN112946002A (zh) 一种原位谱学表征系统
JPS5812700B2 (ja) 電子線装置
JP3909706B2 (ja) 昇温脱離分析装置とその方法
JPH05258701A (ja) 電子線装置
JP5530917B2 (ja) 試料ホルダの排気方法及び装置
US8742332B2 (en) Mass spectrometer and mass spectrometry method
JP4017092B2 (ja) 発生ガス分析装置およびガス導入インターフェース
EP3220135B1 (en) X-ray analyzer
CN118073215A (zh) 一种原位退火多功能测试系统
JPH0451416Y2 (ja)
JPH05128988A (ja) 電子線装置
JPH05258707A (ja) エネルギー分散型x線分析装置
JPH03254054A (ja) エネルギー分散型x線分析装置及びその操作方法
JP2001208740A (ja) ガスクロマトグラフ質量分析計

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 7

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080105

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090105

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100105

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Year of fee payment: 9

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100105

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110105

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (prs date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120105

Year of fee payment: 11

EXPY Cancellation because of completion of term