JPH05203625A - 脱離ガス検出装置の試料ステージ構造 - Google Patents

脱離ガス検出装置の試料ステージ構造

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JPH05203625A
JPH05203625A JP3320599A JP32059991A JPH05203625A JP H05203625 A JPH05203625 A JP H05203625A JP 3320599 A JP3320599 A JP 3320599A JP 32059991 A JP32059991 A JP 32059991A JP H05203625 A JPH05203625 A JP H05203625A
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JP
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sample
sample stage
vacuum
vacuum chamber
chamber
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JP3320599A
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Yasushi Hinaga
日永康
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DENSHI KAGAKU KK
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DENSHI KAGAKU KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 真空チャンバ内に設置し、その上に試料を載
置して赤外線を照射する脱離ガス検出装置の構造を改良
する。 【構成】 赤外線を導入するガラス棒を真空チャンバ内
に垂設し、その上端にキャップ形状の試料ステージを被
せ、その試料ステージの上面に試料を載置する構造とす
る。 【効果】 赤外線が試料に集中的に照射され、試料ステ
ージおよび試料のみが有効に加熱され、真空チャンバ内
の他の部分は加熱されることなく、環境からの余分なガ
スの発生を防ぎ、背景ノイズによる影響を防止する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体チップ製造工程に
おける工程の評価に利用する。本発明は脱離ガス分析装
置の真空チャンバ内で利用する。
【0002】脱離ガス分析装置は、試料である半導体チ
ップを高真空雰囲気の中で加熱し、その試料から脱離す
るごく微量のガスを質量分析計に導入して観測し、その
観測結果によりその半導体チップを製造した半導体製造
工程を評価修正し、その製造歩留りを向上するために利
用する装置である。
【0003】
【従来の技術】試料半導体チップを真空チャンバ内に配
置し、その試料に赤外線を照射して加熱し、その試料か
ら脱離するガスを質量分析計に導入して計測し、その計
測結果に基づいて半導体チップの製造工程の欠点を修正
する技術が知られている。この技術は半導体製造工程で
製造歩留りを向上するためにきわめて有効な技術であ
る。
【0004】試料となる半導体チップは約10mm平方でそ
の厚さは約1mmあるいはそれ以下であり、その製造工程
で十分に清浄に処理されているから、その試料を加熱す
るさいに発生するガスはきわめて微量である。したがっ
て、真空チャンバをきわめて高い真空度に維持するとと
もに、真空チャンバの殻壁その他の環境から不要なガス
の発生がないようにしないと試料から発生する脱離ガス
を正しく観測できない。
【0005】従来装置では、真空チャンバの殻壁に大き
い石英ガラスの窓を作り、その窓から赤外線発生ランプ
からの赤外線を照射して試料を加熱する構造のものが知
られている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】このような従来構造で
は、赤外線が試料以外に、真空チャンバの殻壁や真空チ
ャンバ内にある各種装置をも照射することになり、試料
以外からも脱離ガスが発生する。これは背景ノイズとな
って試料からの脱離ガスの正確な測定を阻害する。
【0007】また、他の装置では真空チャンバの外に赤
外線発生装置を配置し、発生した赤外線をガラス棒によ
り真空チャンバ内に導入する技術もあるが、脱離ガス分
析装置にこれを応用したものはない。
【0008】本発明はこのような背景に行われたもので
あり、試料を局所的に加熱することができ、その構造が
簡単である脱離ガス分析装置の試料ステージを提供する
ことを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、赤外線発生装
置を真空チャンバの下に配置し、真空チャンバ内に前記
赤外線を導入するガラス棒を垂設し、このガラス棒の上
端に試料を載置するキャップ形状の試料ステージを被せ
る構造を特徴とする。その試料ステージは、上面が試料
を載置するに適する形状に、下面が前記ガラス棒の上端
に緩く嵌合する形状にそれぞれ加工される。この試料ス
テージの大きさは載置される試料がはみ出すことなくち
ょうど載る程度に小さく作ることがよい。
【0010】この試料ステージは、加熱中は試料と等し
い温度になるように薄く作ることがよい。この試料ステ
ージには熱電対を挿入する孔が形成される。
【0011】この試料ステージは円板状に形成すること
が加工の上から有利であり、その上面は平坦であって、
その上面円周にそってわずかに面取り加工を施しておく
と、試料を横すべりさせて載置させあるいは撤去するこ
とが容易にできる。
【0012】この試料ステージは半透明石英ガラスある
いはくもりガラス状に処理された石英ガラスが望まし
い。
【0013】ガラス棒は赤外線に対する透明度の上から
石英ガラスがよい。
【0014】さらに、このガラス棒の上端と前記試料ス
テージとの間には真空チャンバ内に連通する空隙を設け
る構造が優れている。
【0015】
【作用】赤外線発生装置を真空チャンバの外しかも下方
に配置し、発生した赤外線をガラス棒で真空チャンバの
下から導入する。ガラス棒は相当程度の強度があるので
これをそのまま試料ステージの脚として利用する。その
ガラス棒の上端に半透明のキャップ形状の試料ステージ
を被せ、この試料ステージの上面に試料を載置する構造
とする。したがって、試料はその裏面から赤外線により
照射され、この試料ステージおよび試料のみが加熱され
ることになる。
【0016】この構造は、試料のみを赤外線により照射
するきわめて有効な構造である。
【0017】試料ステージをガラス棒に被せるために、
余分の部品を使用しないことがよい。すなわち、キャッ
プ形状に形成した試料ステージの下面にはガラス棒に緩
く嵌合する加工を施しておく。
【0018】この試料ステージには温度測定用の熱電対
を挿入する孔を設けておき、ここに挿入する熱電対の電
線を真空チャンバの外に導く。これにより試料の温度と
熱電対で計測する温度とをかなり一致させることができ
る。試料ステージは半透明石英ガラスであり、ガラス棒
は透明石英ガラスであるので、赤外線は試料ステージの
温度を上昇させるが、ガラス棒の温度はあまり上昇させ
ない。このためガラス棒と試料ステージとの間に真空チ
ャンバ内に連通する空隙を設けると、試料ステージのみ
が加熱されガラス棒は加熱されない。したがって、ガラ
ス棒の表面から余分なガスが真空チャンバ内に発生して
背景ノイズとなることはない。
【0019】
【実施例】次に本発明の実施例を図面を参照して説明す
る。
【0020】図1は、本発明一実施例の全体配置図であ
り、図2は同実施例の系統図であり、図4は試料ステー
ジ図である。
【0021】真空チャンバ1内に設置され、試料6を載
置し、その試料6に赤外線を照射する手段として赤外線
発生ランプ21と反射面7Aとを含む赤外線発生装置7を
設けた脱離ガス検出装置の試料6を載置する試料ステー
ジ構造において、本発明の特徴とするところは次の通り
である。 真空チャンバ1内に前記赤外線発生ランプ21からの
赤外線を導入する直径20mmのガラス棒4が垂直に配置さ
れ、上面が試料6を載置するに適する形状に下面がガラ
ス棒4の上部の端面4Bに緩く嵌合する形状にそれぞれ
加工されたキャップ形状の試料ステージ5がガラス棒4
の上端に被せられたこと、 試料ステージ5には熱電対21Aを挿入する直径1mm
の孔5Cが形成されたこと、 試料ステージ5は直径26mmの円板状であり、その上
面の直径23mm以内の部分は平坦である。この上面の円周
にそって傾斜角15°の面取りがなされている。また前記
熱電対21Aが挿入される孔5Cは、上面と平行にあけら
れ、孔5Cの中心と上面との距離は2mmである。これは
試料6の加熱温度を熱電対21Aによりできるだけ正確に
測定するためである。このため試料ステージ5はあらか
じめその厚さを大きく製作しておき、孔5Cをあけてか
ら上面を削っていく、 試料ステージ5は半透明石英ガラスであり、ガラス
棒4は透明石英ガラスである。このためそれぞれに導入
される赤外線によって、試料ステージ5は加熱される
が、ガラス棒4はほとんど加熱されない、 図4(b) に示す試料ステージの断面図に示すよう
に、その下面の嵌合部5Aはガラス棒4とその周方向の
両端部にそれぞれ少なくとも0.1mm 以上のすき間がある
ようになっており、この嵌合部の上方に空隙として内径
が17.5mmで高さが1mmであるすき間5Dが設けられる。
このすき間5Dは孔5Bを介して真空チャンバ1の内部
と連通する。前述のように半透明石英ガラスである試料
ステージ5は赤外線により加熱され、透明石英ガラスで
あるガラス棒4は加熱されにくい。試料ステージ5の熱
がガラス棒4に伝導によって移動しないように前記すき
間5Dが設けられている。
【0022】本実施例で分析される半導体チップは標準
的には縦横10mmのものであり、最大のものは縦横12mmの
ものである。したがって試料ステージ5の平坦な部分の
直径は前述のように20mmで十分である。また後述するよ
うに本実施例ではマニュピレータにより試料を試料ステ
ージに移したり、戻したりする場合に、その操作を円滑
に行うため、前記のように傾斜角15°の面とり部分を前
記平坦部分の円周にそって設けてある。
【0023】本実施例の真空チャンバ1の内径は200mm
であり、その天井面と底面との距離は220mm であり、試
料ステージ5は前記底面より70mm上方に突出している。
【0024】次に図1および図2を用いて、本実施例の
配置について説明する。
【0025】本実施例では、真空チャンバ1と、この真
空チャンバ1を真空に維持する真空ポンプ2A、3A
と、真空チャンバ1内に配置された試料ステージ5(図
2参照)と、この試料ステージ5に載置された試料6を
加熱する加熱器7および21と、真空チャンバ1内に連接
する質量分析計9、10および11とを含む。
【0026】本実施例の各部品はほぼデスク23上に配置
され、真空ポンプのうちロータリイ型の真空ポンプであ
る3A、3B、3Cと、冷却水タンク24およびコンピュ
ータユニット25はデスク23外に配置される。
【0027】真空チャンバ1は、その壁構造が金属筒1
Cと、天井側および底面側の金属端板1A、1Bより構
成され、その内壁面は表面研磨されている。真空チャン
バ1を真空に維持する真空ポンプのうち、符号2Aは磁
気浮上型ターボ分子ポンプである。この真空チャンバ1
は外部からの試料の出し入れにさいして、その真空状態
が破壊されない構造となっている。
【0028】すなわち、真空チャンバ1より十分に小さ
い空間に収容され、真空チャンバ1との間に開閉弁13を
備え、前記磁気浮上型ターボ分子ポンプ2Aとは別系の
ターボ分子ポンプ2Bによりその真空を維持するロード
ロック機構を設ける構造である。
【0029】本実施例では、真空チャンバ1の内径は、
試料ステージ5の直径26mmに対して5倍以上であり、試
料ステージ5から壁面との距離は60mm以上である。
【0030】ロードロック機構は、図2および図3に示
すように、それを囲むロードロックチャンバ12の内部に
設けられる(図3(b) 参照)。
【0031】ロードロック機構は、試料を搬送する搬送
台15と、この搬送台15を搬送するラック部16と、このラ
ック部16を駆動するピニオン17を回転するピニオン回転
軸17Aとを含む。このピニオン回転軸のシール構造は、
図3(c) に示すように、二つのOリング19A、19Bとの
間はスペーサ19Cによりほぼ一定の空間である中間排気
室20Aが確保されるもので、この中間排気室20Aは図2
に示すように前記真空ポンプ2Aおよび2Bとは別系の
ロータリイ型の真空ポンプ3Cにより真空に維持され
る。
【0032】真空チャンバ1内にはストッパ16Aを備
え、ラック部16が真空チャンバ1内に移動して、このス
トッパ16Aに接触した位置で、搬送台15が試料ステージ
5に横づけされる構造である。
【0033】開閉弁13にはスライド弁13Aをつまみ18B
を回転することにより開閉させる軸26Aが設けられ、こ
の軸26Aはベローズによりシールされる。
【0034】加熱器7は、赤外線発生ランプ21を内包す
る赤外線発生装置であり、この赤外線発生装置7は、真
空チャンバ1の外に配置され、試料ステージ5は赤外線
発生装置7で発生し、ガラス棒4で導入された赤外線で
加熱される。
【0035】真空チャンバ1は直径が大きい接続管8
(本実施例では内径120mm)を介して質量分析計のイオン
化部9に連通される。真空チャンバ1の真空状態を維持
するためこの接続管8は主排気管8Aにより磁気浮上型
ターボ分子ポンプ2Aおよびロータリイ型の真空ポンプ
3Aに接続される。このイオン化部9につづいて励磁部
10とコレクタ部11とが設けられる。
【0036】真空チャンバ1を高真空状態にするために
は、最初にロータリイ型の真空ポンプ3Aにより或る程
度の真空状態としたのちに、磁気浮上型ターボ分子ポン
プ2Aにより、10-10torr 程度の真空状態に維持する。
【0037】真空チャンバ1のロードロック機構と対向
する位置にマニュピレータ27が設けられている。このマ
ニュピレータ27は、前述のラック部16により試料ステー
ジ5に横づけされた搬送台15上の試料を試料ステージ5
の上に移し、また戻すためのものである。
【0038】次に各部品の動作をそれぞれ個別に説明す
る。
【0039】図3において、ロードロック機構では、通
常搬送台15とラック部16とは、ロードロックチャンバ12
の端部12A側に寄せられており、搬送台15は試料挿入口
14のほぼ下方に位置する。このとき開閉弁13はスライド
弁13Aにより閉塞されている。試料挿入口14を開放する
ときは、あらかじめコック22Aを開放して、ロードロッ
クチャンバ12の内部に乾燥窒素N2 を充填しておき、試
料挿入口14を開き試料を搬送台15に載置する。つぎにコ
ック22Aを閉じ、コック22Dを開いて予備排気を行い、
次いでコック22Cを開きロードロックチャンバ12内が高
真空となるよう排気を行う。
【0040】真空計32Aにより真空状態を確認してか
ら、開閉弁13を開き、つまみ18Aによりピニオン17を回
転して、ラック部16を真空チャンバ1側に移動させる。
搬送台15が試料ステージ5の所定の位置に接近すると、
ラック部16の先端は真空チャンバ1内に設けられたスト
ッパ16Aに接触し、搬送台15は試料ステージ5に横づけ
される。
【0041】この状態で搬送台15に載置された試料を試
料ステージ5に移載するには、前記マニュピレータ27に
よる。
【0042】マニュピレータ27の縦断面図を示す図6
(b) において、真空チャンバの殻である金属筒1Cには
強固な構造の鞘体27Aにフランジ27Bが設けられてい
る。このフランジ27Bの外方の大気圧雰囲気に第一およ
び第二操作端であるつまみ18Cと18Dとが設けられる。
【0043】この第一操作端であるつまみ18Cの操作に
より真空チャンバのほぼ中心からほぼ放射方向にほぼ水
平に移動する管状の外軸27Cがあり、その一端に軸受27
Dを介して第一作用端27Eが取付けられる。
【0044】この外軸27Cの内側に外軸27Cに沿ってそ
の長手方向に相対位置を変化する内軸27Fがあり、この
内軸27Fの外側の一端に前記第二操作端であるつまみ18
Dが取付けられ、この内軸27Fの他端に第二作用端27G
が設けられる。
【0045】外軸27Cの真空チャンバ内側の先端部とフ
ランジ27Bに固定された座27Hとの間には外軸27Cの変
位にしたがって伸縮する第一ベローズ28Aが被せられ、
内軸27Fと外軸27Cとの間にはこの外軸27Cと内軸27F
との相対変位にしたがって伸縮する第二ベローズ28Bが
被せられている。また第一作用端27Eと第二作用端27G
との間には、板ばね27Jにより吊り下げられたコの字状
の爪27Kが取付けられている。
【0046】このように二つのベローズを設けることに
より、各操作端の操作に伴う真空チャンバ内のリークが
防止される。
【0047】通常の状態、すなわち試料の交換を行わな
い状態では、つまみ18Cの操作により外軸27Cと内軸27
Fは共に図の右側に引かれた位置にあり、第一ベローズ
28Aは圧縮され、第一および第二作用端27Eおよび27G
は金属筒1C側に引かれている。
【0048】前述のようにロードロック機構の搬送台15
が試料ステージ5に横づけされた状態で、第一操作端で
あるつまみ18Cにより、外軸27Cと内軸27Fとを図の左
側に移動し、爪27Kを破線の位置に移動させる。このと
きつまみ18Dを外軸27Cに対して内軸27Fを図の左側に
押し込むように操作する。これにより第二ベローズ28B
が伸ばされ、第一および第二作用端27Eと27Gとの間隔
は縮むので、板ばね27Jが押し出され爪27Kは下降す
る。ここでつまみ18Cを操作することにより外軸27Cと
内軸27Fを共に図の右側に移動し、搬送台15の上の試料
を試料ステージ5の上に移載することができる。このよ
うにして、試料を移すことができる。
【0049】この操作は、真空チャンバの金属筒1Cに
設けられた覗き窓1E(図6(b) で破線で示すもの)か
ら観察しながら行われる。
【0050】赤外線発生装置7は真空チャンバ1の外側
下方に配置され、その内部の楕円体状の反射面7Aのひ
とつの焦点に置かれた赤外線発生ランプ21が発生する赤
外線を他の焦点に置かれた石英のガラス棒4の受光面4
Aより吸収し、他の端面4Bより試料ステージ5の下面
に導入する。赤外線発生ランプ21はコンピュータユニッ
ト25により制御される温度制御部29の送出する電流によ
り試料ステージ5に所定の温度を与える。この反射面7
Aの熱を赤外線発生装置7の外部に放散させないよう
に、反射面7Aの外部の水ジャケットに前記冷却水タン
ク24からパイプ30Aにより冷却水が送入される。
【0051】図4は、試料ステージの図である。ガラス
棒4は透明石英ガラスであり、ステージ5は半透明石英
ガラスである。図4(b) に示すように試料ステージ5の
下面にはガラス棒4の端面4Bに緩く嵌合する嵌合部5
Aが形成され、しかも端面4Bと嵌合部5Aとのすき間
5Dには、孔5Bが設けられ真空チャンバ内の雰囲気と
連通する。緩く嵌合され、すき間5Dが設けられている
ので、試料ステージ5が高温になってもその伝達熱によ
りガラス棒4の温度が上昇することがない。試料ステー
ジ5の上部に設けられた孔5Cは熱電対21Aを挿通する
ものである。
【0052】ガラス棒4の真空チャンバの金属端板1B
を貫通する部分にシール構造が設けられる。本シール構
造も前述のロードロック機構のピニオン回転軸17Aに設
けられたものと同様に中間排気室20Cに二重のOリング
19D、19Eとスペーサ19Fとが設けられ、真空チャンバ
1内部の真空度を保持する。この中間排気室20Cは真空
チャンバ1を排気する真空ポンプとは別系の真空手段で
あるロータリイ型の真空ポンプ3Cにより排気される。
【0053】一方、前述のように赤外線発生装置7を冷
却した冷却水はパイプ30Bを介して、中間排気室20Bの
外方に設けられた筒体19Gの冷却水通路31に送入され、
パイプ30Cを介して、冷却水タンク24に送りかえされ
る。このためシール部分はつねに冷却されシール部に支
障が起こらない。
【0054】図5は、質量分析計の構造を示す図であ
る。
【0055】本図に示すようにイオン化部9内のイオン
化室9Aは複数の開口9Bを備えた開放型のもので、こ
のイオン化部9と真空チャンバ1とは太くかつ短い通路
である接続管8で連結されている。
【0056】質量分析計の一般的な試料導入において
は、試料ステージに載置された試料6が発生する脱離ガ
スを一旦蓄積してこれを狭い通路を通してイオン化室9
Aに送っている。この方法では脱離ガスが発生した時点
と、イオン化室でこの脱離ガスがイオン化される時点と
では若干のタイムラグがあり、リアルタイムの分析がで
きない。
【0057】本実施例では試料6から発生した脱離ガス
33Gは蓄積されることなくイオン化部9内に導かれ、開
口9Bを通してイオン化室9Aに入り、そこでフィラメ
ント(図示せず)からの電子線の衝撃によってイオン化
される。引出し電極9Cによりイオン化室9Aから引出
されたイオンビーム33Eは、励磁部10の磁極10Aの磁界
により偏倚されコレクタ部11で検出される。
【0058】本実施例では、試料の交換を行っても真空
チャンバ1内への大気のリークは極めて小さい。このた
め、背景ノイズが極めて小さくおさえられるとともに、
真空状態を形成する真空ポンプ動作の準備時間が極めて
小さい。
【0059】また楕円体状の反射面とガラス棒とによ
り、試料の加熱エネルギである赤外線を、試料に集中し
て導入できる。このため従来のような熱源の導入手段と
比較して、真空チャンバの内壁面などを赤外線が照射す
る可能性がきわめて小さくなる。また照射する可能性が
僅かにあっても、試料ステージから壁面までの距離が大
きく、かつ表面研磨されているので、壁面の加熱による
余分なガスの発生が抑制される。
【0060】また真空チャンバ、ロードロック機構の内
部および各シール構造のそれぞれの空間の真空度を維持
するために、それぞれ別系の真空ポンプが使用される。
例えばその内容積が大きく最も高真空度(10-10torr 程
度) を必要とする真空チャンバに対しては、磁気浮上型
のターボ分子ポンプ2Aが用いられ、これより容量が小
さいが試料の出し入れにさいしてしばしば大気開放する
ロードロックチャンバに対してはターボ分子ポンプ2B
が用いられる。
【0061】Oリングによる気体のリーク量は、このO
リングで区分された領域の気圧の差に依存する。したが
って、ロードロック機構のピニオン回転軸17Aやガラス
棒4の真空チャンバの貫通部の二重Oリングのシール構
造で、それぞれの二つのOリングの間の空間、すなわち
中間排気室を10-3torr程度の真空度にすることにより、
真空側のOリングから真空チャンバへのリーク量を5桁
程度低減することができる。このため本実施例では、こ
れらの空間をロータリイポンプ3Cにより、この程度の
真空を維持するようにしている。
【0062】次に図2を参照して、本実施例の動作手順
を説明する。 ・開閉弁13を閉塞し、コック22Aを開きロードロックチ
ャンバ12内に乾燥窒素N2 を充填する。 ・試料挿入口14を開き搬送台15に試料を挿入する。 ・コック22Aを閉じ、試料挿入口14を閉じる。 ・コック22Dを開き、ロータリイ型の真空ポンプ3Cで
予備排気する。 ・コック22Dを閉じ、コック22Cを開きロードロックチ
ャンバ12内をターボ分子ポンプ2Bで排気する。 ・真空計32Aによりロードロックチャンバ12内の到達圧
力を確認して、開閉弁13を開く。 ・つまみ18Aによりピニオン17を回転し、ラック部16に
より搬送台15を真空チャンバ1内にストッパ16Aに触れ
るまで移送し、搬送台15を試料ステージ5に横づけす
る。 ・マニュピレータ27により、搬送台15の上の試料6を試
料ステージ5上に移載する。 ・マニュピレータ27を試料ステージ5より引き離す。 ・搬送台15などをロードロックチャンバ12内に引きもど
す。 ・開閉弁13を閉塞する。 ・真空計32Bにより真空チャンバの到達真空度を確認す
る。 ・コンピュータユニット25で温度制御部29などを制御す
る昇温プログラムをロードする。 ・コンピュータユニット25で質量分析計で測定しようと
する脱離ガスの質量数を設定する。 ・分析開始(昇温し、その温度信号をコンピュータユニ
ットに取込むと同時に設定した質量数のイオン電流信号
を取込む)。 ・分析測定終了。 ・開閉弁13を開き、搬送台15を試料ステージ5に横づけ
し、マニュピレータ27を用いて試料を搬送台15に移載す
る。 ・搬送台15などをロードロックチャンバ12内に引き上
げ、開閉弁13を閉塞する。 ・コック22Aを開き、乾燥窒素N2 をロードロックチャ
ンバ12内に充填させる。 ・試料挿入口14を開き試料を交換する。 ・一方、コンピュータユニット25は分析データを処理
し、イオン電流と温度との関係図(パイログラム)を印
字出力する。
【0063】以上の動作手順により、本実施例により分
析を行ったパイログラムの実績を図7の(a) および(b)
に示す。本図では縦軸はイオン電流の相対値である。図
7(a) に示すように、質量数M/z=18(H2O)と質量な
M/z=28(C2 4 )のそれぞれのピーク値の前後の
平坦な部分でも、イオン電流値はほぼ一定している。こ
れはノイズの混入が極めて小さいことを意味する。図7
(b) は試料を挿入しない状態の測定値で、M/z=18お
よびM/z=28の値は変化しない。これは試料以外から
の放出ガスによる背景ノイズがないことを示している。
【0064】比較例として、1990年4月に開催されたア
メリカの電気電子技術協会(IEEE)の会議に報告さ
れた最近の最良といわれる分析測定例を図8(c) に示
す。本図では縦軸はイオン電流の絶対値となるように整
理されているが、例えばM/z=18のカーブではピーク
値の高温側の平坦部は低温側の平坦部より破線で示すよ
うに傾斜している。これは、背景ノイズによる影響であ
ると考えられる。
【0065】図8は、本発明の他の実施例の系統図であ
る。これは図2に示す前例とほとんど同様であるので詳
しい説明を省く。詳しくは配管系や弁などが少し異なる
のみである。
【0066】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
試料を局所的に加速できるので、余分なガスの発生がほ
とんどなく背景ノイズの発生が極めて小さく、かつ構造
が簡単である脱離ガス分析装置を実現できる。本発明に
より半導体チップなどの試料のそれぞれの製造工程にお
ける不都合な点が、端的に指摘されるので、半導体生産
工程における不良率が極めて減少でき、その製造歩留り
を大きく向上できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明一実施例の全体配置図、(a) は正面図、
(b) は平面図。
【図2】同実施例の系統図。
【図3】同実施例のロードロック機構の説明図、(a) は
外観斜視図、(b) は内部構成図、(c) はシール構造図。
【図4】試料ステージ図、(a) は全体図、(b) は試料ス
テージ詳細図。
【図5】質量分析計構造図。
【図6】マニュピレータ図で、(a) は平面図、(b) は縦
断面図。
【図7】分析結果の一例を示す図(パイログラム)。
【図8】本発明他の実施例による系統図。
【符号の説明】
1 真空チャンバ 1A、1B その金属端板 1C 金属筒 1D、1E 覗き窓 2A 磁気浮上型ターボ分子ポンプ 2B ターボ分子ポンプ 3A、3B、3C ロータリイ型の真空ポンプ 4 透明石英ガラスであるガラス棒 4A 受光面 4B 他の端面 5 試料ステージ 5A 嵌合部 5B、5C 孔 5D すき間 6 試料 7 加熱器である赤外線発生装置 7A 反射面 8 接続管 8A 主排気管 9、10、11 質量分析計のそれぞれイオン化部、励磁
部、コレクタ部 9A イオン化室 9B 開口 9C 引出し電極 10A 磁極 12 ロードロックチャンバ 12A その端部 13 開閉弁 13A スライド弁 14 試料挿入口 15 搬送台 16 ラック部 16A ストッパ 17 ピニオン 17A ピニオン回転軸 18A、18B つまみ 18C、18D マニュピレータのそれぞれ第一および第二
操作端であるつまみ 19A、19B、19D、19E Oリング 19C、19F スペーサ 19G 筒体 20A、20B 中間排気室 21 赤外線発生ランプ 21A 熱電対 22A、22B、22C、22D コック 23 デスク 24 冷却水タンク 25 コンピュータユニット 26A 軸 27 マニュピレータ 27A 鞘体 27B フランジ 27C 外軸 27D 軸受 27E、27G 第一および第二作用端 27F 内軸 27H 座 27J 板ばね 27K 爪 27L ばね 27M キー 27N スプリング押えねじ 28A、28B 第一および第二ベローズ 30A、30B、30C パイプ 31 冷却水通路 32A、32B 真空計 33G 脱離ガス 33E イオンビーム
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成4年12月29日
【手続補正1】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0020
【補正方法】変更
【補正内容】
【0020】図1は、本発明一実施例の全体配置図であ
り、図は同実施例の系統図であり、図は試料ステー
ジ図である。
【手続補正2】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0021
【補正方法】変更
【補正内容】
【0021】真空チャンバ1内に設置され、試料6を載
置し、その試料6に赤外線を照射する手段として赤外線
発生ランプ21と反射面7Aとを含む赤外線発生装置7
を設けた脱離ガス検出装置の試料6を載置する試料ステ
ージ構造において、本発明の特徴とするところは次の通
りである。 真空チャンバ1内に前記赤外線発生ランプ21から
の赤外線を導入する直径20mmのガラス棒4が垂直に
配置され、上面が試料6を載置するに適する形状に下面
がガラス棒4の上部の端面4Bに緩く嵌合する形状にそ
れぞれ加工されたキャップ形状の試料ステージ5がガラ
ス棒4の上端に被せられたこと、 試料ステージ5には熱電対21Aを挿入する直径1
mmの孔5Cが形成されたこと、 試料ステージ5は直径26mmの円板状であり、そ
の上面の直径23mm以内の部分は平坦である。この上
面の円周にそって傾斜角15゜の面取りがなされてい
る。また前記熱電対21Aが挿入される孔5Cは、上面
と平行にあけられ、孔5Cの中心と上面との距離は2m
mである。これは試料6の加熱温度を熱電対21Aによ
りできるだけ正確に測定するためである。このため試料
ステージ5はあらかじめその厚さを大きく製作してお
き、孔5Cをあけてから上面を削っていく、 試料ステージ5は半透明石英ガラスであり、ガラス
棒4は透明石英ガラスである。このためそれぞれに導入
される赤外線によって、試料ステージ5は加熱される
が、ガラス棒4はほとんど加熱されない、 図(b)に示す試料ステージの断面図に示すよう
に、その下面の嵌合部5Aはガラス棒4とその周方向の
両端部にそれぞれ少なくとも0.1mm以上のすき間が
あるようになっており、この嵌合部の上方に空隙として
内径が17.5mmで高さが1mmであるすき間5Dが
設けられる。このすき間5Dは孔5Bを介して真空チャ
ンバ1の内部と連通する。前述のように半透明石英ガラ
スである試料ステージ5は赤外線により加熱され、透明
石英ガラスであるガラス棒4は加熱されにくい。試料ス
テージ5の熱がガラス棒4に伝導によって移動しないよ
うに前記すき間5Dが設けられている。
【手続補正3】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0024
【補正方法】変更
【補正内容】
【0024】次に図1ないし図3を用いて、本実施例の
配置について説明する。
【手続補正4】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0025
【補正方法】変更
【補正内容】
【0025】本実施例では、真空チャンバ1と、この真
空チャンバ1を真空に維持する真空ポンプ2A、3A
と、真空チャンバ1内に配置された試料ステージ5(図
参照)と、この試料ステージ5に載置された試料6を
加熱する加熱器7および21と、真空チャンバ1内に連
接する質量分析計9、10および11とを含む。
【手続補正5】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0030
【補正方法】変更
【補正内容】
【0030】ロードロック機構は、図および図に示
すように、それを囲むロードロックチャンバ12の内部
に設けられる(図(b)参照)。
【手続補正6】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0031
【補正方法】変更
【補正内容】
【0031】ロードロック機構は、試料を搬送する搬送
台15と、この搬送台15を搬送するラック部16と、
このラック部16を駆動するピニオン17を回転するピ
ニオン回転軸17Aとを含む。このピニオン回転軸のシ
ール構造は、図(c)に示すように、二つのOリング
19A、19Bとの間はスペーサ19Cによりほぼ一定
の空間である中間排気室20Aが確保されるもので、こ
の中間排気室20Aは図に示すように前記真空ポンプ
2Aおよび2Bとは別系のロータリイ型の真空ポンプ3
Cにより真空に維持される。
【手続補正7】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0039
【補正方法】変更
【補正内容】
【0039】図において、ロードロック機構では、通
常搬送台15とラック部16とは、ロードロックチャン
バ12の端部12A側に寄せられており、搬送台15は
試料挿入口14のほぼ下方に位置する。このとき開閉弁
13はスライド弁13Aにより閉塞されている。試料挿
入口14を開放するときは、あらかじめコック22Aを
開放して、ロードロックチャンバ12の内部に乾燥窒素
を充填しておき、試料挿入口14を開き試料を搬送
台15に載置する。つぎにコック22Aを閉じ、コック
22Dを開いて予備排気を行い、次いでコック22Cを
開きロードロックチャンバ12内が高真空となるよう排
気を行う。
【手続補正8】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0042
【補正方法】変更
【補正内容】
【0042】マニュピレータ27の縦断面図を示す図
(b)において、真空チャンバの殻である金属筒1Cに
は強固な構造の鞘体27Aにフランジ27Bが設けられ
ている。このフランジ27Bの外方の大気圧雰囲気に第
一および第二操作端であるつまみ18Cと18Dとが設
けられる。
【手続補正9】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0049
【補正方法】変更
【補正内容】
【0049】この操作は、真空チャンバの金属筒1Cに
設けられた覗き窓1E(図(b)で破線で示すもの)
から観察しながら行われる。
【手続補正10】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0051
【補正方法】変更
【補正内容】
【0051】図は、試料ステージの図である。ガラス
棒4は透明石英ガラスであり、ステージ5は半透明石英
ガラスである。図(b)に示すように試料ステージ5
の下面にはガラス棒4の端面4Bに緩く嵌合する嵌合部
5Aが形成され、しかも端面4Bと嵌合部5Aとのすき
間5Dには、孔5Bが設けられ真空チャンバ内の雰囲気
と連通する。緩く嵌合され、すき間5Dが設けられてい
るので、試料ステージ5が高温になってもその伝達熱に
よりガラス棒4の温度が上昇することがない。試料ステ
ージ5の上部に設けられた孔5Cは熱電対21Aを挿通
するものである。
【手続補正11】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0054
【補正方法】変更
【補正内容】
【0054】図は、質量分析計の構造を示す図であ
る。
【手続補正12】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0062
【補正方法】変更
【補正内容】
【0062】次に図を参照して、本実施例の動作手順
を説明する。 ・開閉弁13を閉塞し、コック22Aを開きロードロッ
クチャンバ12内に乾燥窒素Nを充填する。 ・試料挿入口14を開き搬送台15に試料を挿入する。 ・コック22Aを閉じ、試料挿入口14を閉じる。 ・コック22Dを開き、ロータリイ型の真空ポンプ3C
で予備排気する。 ・コック22Dを閉じ、コック22Cを開きロードロッ
クチャンバ12内をターボ分子ポンプ2Bで排気する。 ・真空計32Aによりロードロックチャンバ12内の到
達圧力を確認して、開閉弁13を開く。 ・つまみ18Aによりピニオン17を回転し、ラック部
16により搬送台15を真空チャンバ1内にストッパ1
6Aに触れるまで移送し、搬送台15を試料ステージ5
に横づけする。 ・マニュピレータ27により、搬送台15の上の試料6
を試料ステージ5上に移載する。 ・マニュピレータ27を試料ステージ5より引き離す。 ・搬送台15などをロードロックチャンバ12内に引き
もどす。 ・開閉弁13を閉塞する。 ・真空計32Bにより真空チャンバの到達真空度を確認
する。 ・コンピュータユニット25で温度制御部29などを制
御する昇温プログラムをロードする。 ・コンピュータユニット25で質量分析計で測定しよう
とする脱離ガスの質量数を設定する。 ・分析開始(昇温し、その温度信号をコンピュータユニ
ットに取込むと同時に設定した質量数のイオン電流信号
を取込む)。 ・分析測定終了。 ・開閉弁13を開き、搬送台15を試料ステージ5に横
づけし、マニュピレータ27を用いて試料を搬送台15
に移載する。 ・搬送台15などをロードロックチャンバ12内に引き
上げ、開閉弁13を閉塞する。 ・コック22Aを開き、乾燥窒素Nをロードロックチ
ャンバ12内に充填させる。 ・試料挿入口14を開き試料を交換する。 ・一方、コンピュータユニット25は分析データを処理
し、イオン電流と温度との関係図(パイログラム)を印
字出力する。
【手続補正13】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0063
【補正方法】変更
【補正内容】
【0063】以上の動作手順により、本実施例により分
析を行ったパイログラムの実績を図の(a)および
(b)に示す。本図では縦軸はイオン電流の相対値であ
る。図(a)に示すように、質量数M/z=18(H
BO)と質量なM/z=28(C)のそれぞれの
ピーク値の前後の平坦な部分でも、イオン電流値はほぼ
一定している。これはノイズの混入が極めて小さいこと
を意味する。図(b)は試料を挿入しない状態の測定
値で、M/z=18およびM/z=28の値は変化しな
い。これは試料以外からの放出ガスによる背景ノイズが
ないことを示している。
【手続補正14】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0064
【補正方法】変更
【補正内容】
【0064】比較例として、1990年4月に開催され
たアメリカの電気電子技術協会(IEEE)の会議に報
告された最近の最良といわれる分析測定例を図(c)
に示す。本図では縦軸はイオン電流の絶対値となるよう
に整理されているが、例えばM/z=18のカーブでは
ピーク値の高温側の平坦部は低温側の平坦部より破線で
示すように傾斜している。これは、背景ノイズによる影
響であると考えられる。
【手続補正15】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】0065
【補正方法】変更
【補正内容】
【0065】図は、本発明の他の実施例の系統図であ
る。これは図に示す前例とほとんど同様であるので詳
しい説明を省く。詳しくは配管系や弁などが少し異なる
のみである。
【手続補正16】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明一実施例の全体配置図の正面図。
【図2】本発明一実施例の全体配置図の平面図。
【図3】同実施例の系統図。
【図4】同実施例のロードロック機構の説明図、(a)
は外観斜視図、(b)は内部構成図、(c)はシール構
造図。
【図5】試料ステージ図、(a)は全体図、(b)は試
料ステージ詳細図。
【図6】質量分析計構造図。
【図7】マニュピレータ図で、(a)は平面図、(b)
は縦断面図。
【図8】分析結果の一例を示す図(パイログラム)。
【図9】本発明他の実施例による系統図。
【符号の説明】 1 真空チャンバ 1A、1B その金属端板 1C 金属筒 1D、1E 覗き窓 2A 磁気浮上型ターボ分子ポンプ 2B ターボ分子ポンプ 3A、3B、3C ロータリイ型の真空ポンプ 4 透明石英ガラスであるガラス棒 4A 受光面 4B 他の端面 5 試料ステージ 5A 嵌合部 5B、5C 孔 5D すき間 6 試料 7 加熱器である赤外線発生装置 7A 反射面 8 接続管 8A 主排気管 9、10、11 質量分析計のそれぞれイオン化部、励
磁部、コレクタ部 9A イオン化室 9B 開口 9C 引出し電極 10A 磁極 12 ロードロックチャンバ 12A その端部 13 開閉弁 13A スライド弁 14 試料挿入口 15 搬送台 16 ラック部 16A ストッパ 17 ピニオン 17A ピニオン回転軸 18A、18B つまみ 18C、18D マニュピレータのそれぞれ第一および
第二操作端であるつまみ 19A、19B、19D、19E Oリング 19C、19F スペーサ 19G 筒体 20A、20B 中間排気室 21 赤外線発生ランプ 21A 熱電対 22A、22B、22C、22D コック 23 デスク 24 冷却水タンク 25 コンピュータユニット 26A 軸 27 マニュピレータ 27A 鞘体 27B フランジ 27C 外軸 27D 軸受 27E、27G 第一および第二作用端 27F 内軸 27H 座 27J 板ばね 27K 爪 27L ばね 27M キー 27N スプリング押えねじ 28A、28B 第一および第二ベローズ 30A、30B、30C パイプ 31 冷却水通路 32A、32B 真空計 33G 脱離ガス 33E イオンビーム
【手続補正17】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正内容】
【図1】
【図4】
【図2】
【図3】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 真空チャンバ内に設置され、試料を載置
    し、その試料に赤外線を照射する手段を設けた脱離ガス
    検出装置の試料ステージ構造において、 前記真空チャンバ内に前記赤外線を導入するガラス棒が
    垂設され、 上面が前記試料を載置するに適する形状に、下面が前記
    ガラス棒の上端に緩く嵌合する形状にそれぞれ加工され
    たキャップ形状の試料ステージがそのガラス棒の上端に
    被せられたことを特徴とする脱離ガス検出装置の試料ス
    テージ構造。
  2. 【請求項2】 前記試料ステージに熱電対を挿入する孔
    が形成された請求項1記載の脱離ガス検出装置の試料ス
    テージ構造。
  3. 【請求項3】 前記試料ステージは円板状であり、その
    上面は平坦であって、その上面円周にそって面取り加工
    が施された形状である請求項1記載の脱離ガス検出装置
    の試料ステージ構造。
  4. 【請求項4】 前記試料ステージは半透明石英ガラスで
    ある請求項1記載の脱離ガス検出装置の試料ステージ構
    造。
  5. 【請求項5】 前記ガラス棒の材質は透明石英ガラスで
    ある請求項1記載の脱離ガス検出装置の試料ステージ構
    造。
  6. 【請求項6】 前記ガラス棒の上端と前記試料ステージ
    との間には前記真空チャンバ内に連通する空隙を設けた
    ことを特徴とする請求項1記載の脱離ガス検出装置の試
    料ステージ構造。
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