JPH06112563A - 半導体レーザ駆動回路 - Google Patents
半導体レーザ駆動回路Info
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- JPH06112563A JPH06112563A JP26012292A JP26012292A JPH06112563A JP H06112563 A JPH06112563 A JP H06112563A JP 26012292 A JP26012292 A JP 26012292A JP 26012292 A JP26012292 A JP 26012292A JP H06112563 A JPH06112563 A JP H06112563A
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
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- H01S3/0941—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using optical pumping by coherent light of a laser diode
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- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は半導体レーザ駆動回路に関し、複雑
な基準電圧の設定をすることなく正確に複数の半導体レ
ーザの出力和を正確に、かつ、一定に制御する半導体レ
ーザ駆動回路を実現することを目的とする。 【構成】 複数の半導体レーザ（１1 〜１ｎ）の出力和
（Ｖ）を加算手段（２）で求め、出力和（Ｖ）を基準信
号（Ｒｅｆ）と比較手段（３）で比較し、各半導体レー
ザ（１1 〜１ｎ）の発光量を比較結果（Ｖｘ）に基づい
て出力和（Ｖ）が一定となるように制御するように構成
する。
な基準電圧の設定をすることなく正確に複数の半導体レ
ーザの出力和を正確に、かつ、一定に制御する半導体レ
ーザ駆動回路を実現することを目的とする。 【構成】 複数の半導体レーザ（１1 〜１ｎ）の出力和
（Ｖ）を加算手段（２）で求め、出力和（Ｖ）を基準信
号（Ｒｅｆ）と比較手段（３）で比較し、各半導体レー
ザ（１1 〜１ｎ）の発光量を比較結果（Ｖｘ）に基づい
て出力和（Ｖ）が一定となるように制御するように構成
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体レーザ駆動回路に
係り、特に複数の半導体レーザを駆動する半導体レーザ
駆動回路に関する。
係り、特に複数の半導体レーザを駆動する半導体レーザ
駆動回路に関する。
【０００２】半導体レーザは、光増幅器のポンプ光源、
レーザプリンタの光源、加工機器の光源等として用いら
れている。半導体レーザを光源として用いる場合、半導
体レーザの発光量を一定に保つことが望ましく、通常は
自動出力制御（Automatic Power Control ）回路により
半導体レーザの発光量を一定に制御する。
レーザプリンタの光源、加工機器の光源等として用いら
れている。半導体レーザを光源として用いる場合、半導
体レーザの発光量を一定に保つことが望ましく、通常は
自動出力制御（Automatic Power Control ）回路により
半導体レーザの発光量を一定に制御する。
【０００３】
【従来の技術】図６は、従来のＡＰＣ回路の一例を示
す。ＡＰＣ回路１００は、比較器１０１と抵抗１０２と
電流調整回路１０３とからなる。同図中、Ｖｃｃは電源
電圧を示す。
す。ＡＰＣ回路１００は、比較器１０１と抵抗１０２と
電流調整回路１０３とからなる。同図中、Ｖｃｃは電源
電圧を示す。
【０００４】半導体レーザ（レーザ・ダイオード）１１
０の後方向へ出射される光はホト・ダイオード１１１に
より検出され、ホト・ダイオード１１１からは検出され
た光量に応じた電流が出力される。この電流は抵抗１０
２を流れるので、比較器１０１の一方の入力端子には検
出された光量に応じた電圧Ｖ1 が印加される。比較器１
０１はこの電圧Ｖ1 と他方の入力端子に印加される基準
電圧Ｖref とを比較し、比較結果により電流調整回路１
０３を制御する。これにより、半導体レーザ１１０を流
れる電流は電流調整回路１０３により調整されて、半導
体レーザ１１０の発光量は一定となるように制御され
る。
０の後方向へ出射される光はホト・ダイオード１１１に
より検出され、ホト・ダイオード１１１からは検出され
た光量に応じた電流が出力される。この電流は抵抗１０
２を流れるので、比較器１０１の一方の入力端子には検
出された光量に応じた電圧Ｖ1 が印加される。比較器１
０１はこの電圧Ｖ1 と他方の入力端子に印加される基準
電圧Ｖref とを比較し、比較結果により電流調整回路１
０３を制御する。これにより、半導体レーザ１１０を流
れる電流は電流調整回路１０３により調整されて、半導
体レーザ１１０の発光量は一定となるように制御され
る。
【０００５】ところで、光増幅器等では、１個の半導体
レーザを用いたのではポンプ光源として必要な発光量を
得ることができない。そこで、この様な場合には、２個
以上の半導体レーザの出力を加えて所定の光量を得る。
この様な場合にも、２個以上の半導体レーザの出力和を
一定に制御する必要がある。
レーザを用いたのではポンプ光源として必要な発光量を
得ることができない。そこで、この様な場合には、２個
以上の半導体レーザの出力を加えて所定の光量を得る。
この様な場合にも、２個以上の半導体レーザの出力和を
一定に制御する必要がある。
【０００６】図７は、ｎ個の半導体レーザの出力和を一
定に制御する場合に考えられる半導体レーザ駆動回路を
示す。同図中、図６と同一部分には同一符号を付し、そ
の説明は省略する。図７では、カップラ１５０がｎ個の
半導体レーザ１１０1 〜１１０ｎの出力和を求めて出力
する。又、ＡＰＣ回路１００ｉ（ｉ＝１〜ｎ）は、各半
導体レーザ１１０ｉに対して設けられている。
定に制御する場合に考えられる半導体レーザ駆動回路を
示す。同図中、図６と同一部分には同一符号を付し、そ
の説明は省略する。図７では、カップラ１５０がｎ個の
半導体レーザ１１０1 〜１１０ｎの出力和を求めて出力
する。又、ＡＰＣ回路１００ｉ（ｉ＝１〜ｎ）は、各半
導体レーザ１１０ｉに対して設けられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】図７に示す考えられる
半導体レーザ駆動回路では、各半導体レーザ１１０ｉに
対してＡＰＣ回路１００ｉを設けて各半導体レーザ１１
０ｉの発光量を一定に制御することによりカップラ１５
０から出力される出力和を一定に制御する。このため、
半導体レーザ間の特性のバラツキを考慮し、各ＡＰＣ回
路１００ｉに対して１つの基準電圧Ｖrefiを設定しなけ
ればならないという問題点があった。この様に、基準電
圧Ｖrefiを各ＡＰＣ回路１００ｉに対して設定するに
は、手間のかかる調整等が必要である。
半導体レーザ駆動回路では、各半導体レーザ１１０ｉに
対してＡＰＣ回路１００ｉを設けて各半導体レーザ１１
０ｉの発光量を一定に制御することによりカップラ１５
０から出力される出力和を一定に制御する。このため、
半導体レーザ間の特性のバラツキを考慮し、各ＡＰＣ回
路１００ｉに対して１つの基準電圧Ｖrefiを設定しなけ
ればならないという問題点があった。この様に、基準電
圧Ｖrefiを各ＡＰＣ回路１００ｉに対して設定するに
は、手間のかかる調整等が必要である。
【０００８】他方、ｎ個の半導体レーザ１１０1 〜１１
０ｎのうち例えば１つの半導体レーザ１１０ｊの特性が
劣化したり故障しても、この半導体レーザ１１０ｊの変
化に関する情報は他の半導体レーザに対して設けられて
いるＡＰＣ回路には通知されないので、たとえ１つの半
導体レーザ１１０ｊのみが変化してもカップラ１５０か
ら出力される出力和が変化してしまうという問題点もあ
った。例えば、１つの半導体レーザ１１０ｊが故障して
しまうと、カップラ１５０から出力される出力和は１つ
の半導体レーザの発光量分低下していまい、この出力和
を光源の出力として用いた場合に光源の信頼性が低くな
ってしまう。
０ｎのうち例えば１つの半導体レーザ１１０ｊの特性が
劣化したり故障しても、この半導体レーザ１１０ｊの変
化に関する情報は他の半導体レーザに対して設けられて
いるＡＰＣ回路には通知されないので、たとえ１つの半
導体レーザ１１０ｊのみが変化してもカップラ１５０か
ら出力される出力和が変化してしまうという問題点もあ
った。例えば、１つの半導体レーザ１１０ｊが故障して
しまうと、カップラ１５０から出力される出力和は１つ
の半導体レーザの発光量分低下していまい、この出力和
を光源の出力として用いた場合に光源の信頼性が低くな
ってしまう。
【０００９】本発明は、複数の半導体レーザの出力和に
基づいて各半導体レーザを制御することにより、複雑な
基準電圧の設定を必要とせず正確に出力和を一定に制御
できる半導体レーザ駆動回路を実現しようとする。
基づいて各半導体レーザを制御することにより、複雑な
基準電圧の設定を必要とせず正確に出力和を一定に制御
できる半導体レーザ駆動回路を実現しようとする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】図１は、本発明の原理説
明図である。同図中、加算手段２はｎ個の半導体レーザ
１1 〜１ｎの出力を加算して得た出力和Ｖを比較手段３
へ供給する。比較手段３は、出力和Ｖを基準信号Ｒｅｆ
と比較し、その比較結果Ｖｘに基づいて各半導体レーザ
１1 〜１ｎを制御する。基準信号Ｒｅｆは、得たい出力
和に応じて予め設定される。
明図である。同図中、加算手段２はｎ個の半導体レーザ
１1 〜１ｎの出力を加算して得た出力和Ｖを比較手段３
へ供給する。比較手段３は、出力和Ｖを基準信号Ｒｅｆ
と比較し、その比較結果Ｖｘに基づいて各半導体レーザ
１1 〜１ｎを制御する。基準信号Ｒｅｆは、得たい出力
和に応じて予め設定される。
【００１１】
【作用】各半導体レーザ１1 〜１ｎは、出力和Ｖと基準
信号Ｒｅｆとの比較結果Ｖｘに基づいて制御されるの
で、出力和Ｖは常に一定となるように制御される。又、
基準信号Ｒｅｆは、得たい出力和に応じて１つ設定すれ
ば良い。
信号Ｒｅｆとの比較結果Ｖｘに基づいて制御されるの
で、出力和Ｖは常に一定となるように制御される。又、
基準信号Ｒｅｆは、得たい出力和に応じて１つ設定すれ
ば良い。
【００１２】従って、たとえ１つの半導体レーザが故障
しても、他の半導体レーザを制御することにより故障し
た半導体レーザによる出力低下を補償して常に、かつ、
正確に、半導体レーザの出力和を一定に制御することが
可能となる。
しても、他の半導体レーザを制御することにより故障し
た半導体レーザによる出力低下を補償して常に、かつ、
正確に、半導体レーザの出力和を一定に制御することが
可能となる。
【００１３】
【実施例】図２は、本発明になる半導体レーザ駆動回路
の第１実施例を示す。同図中、図５及び図６と同一部分
には同一符号を付し、その説明は省略する。
の第１実施例を示す。同図中、図５及び図６と同一部分
には同一符号を付し、その説明は省略する。
【００１４】本実施例では、加算器１１がｎ個の半導体
レーザ（レーザ・ダイオード）１１０1 〜１１０ｎの出
力に応じた電圧を加算して、半導体レーザ１１０1 〜１
１０ｎの出力和に応じた電圧Ｖを出力する。この電圧Ｖ
は、比較器１２により得たい出力和に基づいて予め設定
されている基準電圧Ｒｅｆと比較される。比較器１２か
ら出力される比較結果を示す信号Ｖｘは、各半導体レー
ザ１１０1 〜１１０ｎに対して設けられている電流調整
回路１０３1 〜１０３ｎへ共通に供給される。これによ
り、各半導体レーザ１１０1 〜１１０ｎの発光量は対応
する電流調整回路１０３1 〜１０３ｎにより、カップラ
１４から出力される半導体レーザ１１０ 1 〜１１０ｎの
出力和が一定となるように、独立に制御される。従っ
て、例えば１つの半導体レーザが故障して発光量がゼロ
となっても、他の半導体レーザがこれによる出力低下を
補償するように制御されるので、常にカップラ１４より
出力される出力和を一定に保てる。
レーザ（レーザ・ダイオード）１１０1 〜１１０ｎの出
力に応じた電圧を加算して、半導体レーザ１１０1 〜１
１０ｎの出力和に応じた電圧Ｖを出力する。この電圧Ｖ
は、比較器１２により得たい出力和に基づいて予め設定
されている基準電圧Ｒｅｆと比較される。比較器１２か
ら出力される比較結果を示す信号Ｖｘは、各半導体レー
ザ１１０1 〜１１０ｎに対して設けられている電流調整
回路１０３1 〜１０３ｎへ共通に供給される。これによ
り、各半導体レーザ１１０1 〜１１０ｎの発光量は対応
する電流調整回路１０３1 〜１０３ｎにより、カップラ
１４から出力される半導体レーザ１１０ 1 〜１１０ｎの
出力和が一定となるように、独立に制御される。従っ
て、例えば１つの半導体レーザが故障して発光量がゼロ
となっても、他の半導体レーザがこれによる出力低下を
補償するように制御されるので、常にカップラ１４より
出力される出力和を一定に保てる。
【００１５】図３は、電流調整回路１０３1 の一実施例
を示す。他の電流調整回路１０３2〜１０３ｎの構成は
電流調整回路１０３1 のそれと同じなので、これらの図
示及び説明は省略する。同図中、電流調整回路１０３1
は、図示の如く接続された演算増幅器３１と、トランジ
スタ３２と、抵抗Ｒ1 〜Ｒ3 とからなる。端子３５に
は、比較器１２の出力信号Ｖｘが印加され、抵抗Ｒ3 を
介したフィードバックにより半導体レーザ１１０1 を流
れる電流が一定となるように調整される。
を示す。他の電流調整回路１０３2〜１０３ｎの構成は
電流調整回路１０３1 のそれと同じなので、これらの図
示及び説明は省略する。同図中、電流調整回路１０３1
は、図示の如く接続された演算増幅器３１と、トランジ
スタ３２と、抵抗Ｒ1 〜Ｒ3 とからなる。端子３５に
は、比較器１２の出力信号Ｖｘが印加され、抵抗Ｒ3 を
介したフィードバックにより半導体レーザ１１０1 を流
れる電流が一定となるように調整される。
【００１６】次に、本発明になる半導体レーザ駆動回路
の第２実施例を説明する。
の第２実施例を説明する。
【００１７】上記第１実施例では、各電流調整回路１０
３1 〜１０３ｎの感度が同じであり、半導体レーザ１１
０1 〜１１０ｎは同じように制御される。しかし、第２
実施例では、各電流調整回路１０３1 〜１０３ｎの感度
を任意に設定する。これにより、半導体レーザ１１０1
〜１１０ｎは夫々任意の重み付けをもって制御される。
本実施例では、各半導体レーザ１１０1 〜１１０ｎ毎に
発光量の制御範囲を可変設定するものであり、各電流調
整回路１０３1 〜１０３ｎの感度は例えば図３中抵抗Ｒ
3 の抵抗値を別々に設定することで任意に設定可能であ
る。なお、重み付けを行う場合、任意の半導体レーザの
みを選択的にオン／オフすることも可能である。
３1 〜１０３ｎの感度が同じであり、半導体レーザ１１
０1 〜１１０ｎは同じように制御される。しかし、第２
実施例では、各電流調整回路１０３1 〜１０３ｎの感度
を任意に設定する。これにより、半導体レーザ１１０1
〜１１０ｎは夫々任意の重み付けをもって制御される。
本実施例では、各半導体レーザ１１０1 〜１１０ｎ毎に
発光量の制御範囲を可変設定するものであり、各電流調
整回路１０３1 〜１０３ｎの感度は例えば図３中抵抗Ｒ
3 の抵抗値を別々に設定することで任意に設定可能であ
る。なお、重み付けを行う場合、任意の半導体レーザの
みを選択的にオン／オフすることも可能である。
【００１８】次に、本発明になる半導体レーザ駆動回路
の第３実施例を説明する。
の第３実施例を説明する。
【００１９】上記第１及び第２実施例では、各ホト・ダ
イオード１１１1 〜１１１ｎは対応する半導体レーザ１
１０1 〜１１０ｎの後方向へ出射される光を検出する。
これは、半導体レーザの後方向へ出射される光量は前方
向へ出射される光量に比例しているからである。しか
し、半導体レーザの前方向へ出射される光量を検出しな
いと発光量を正確に制御できない場合もある。そこで、
本実施例では、各ホト・ダイオード１１１1 〜１１１ｎ
を対応する半導体レーザ１１０1 〜１１０ｎの前方向へ
出射される光を検出するように配置する。なお、半導体
レーザの前方向へ出射される光を検出する場合、通常前
方向へ出射される光の一部を公知の手段により分離して
ホト・ダイオード等で検出するが、半導体レーザの前方
向へ出射される光の一部の分離及びその検出自体は公知
の技術であるため、その図示及び詳細な説明は本明細書
では省略する。
イオード１１１1 〜１１１ｎは対応する半導体レーザ１
１０1 〜１１０ｎの後方向へ出射される光を検出する。
これは、半導体レーザの後方向へ出射される光量は前方
向へ出射される光量に比例しているからである。しか
し、半導体レーザの前方向へ出射される光量を検出しな
いと発光量を正確に制御できない場合もある。そこで、
本実施例では、各ホト・ダイオード１１１1 〜１１１ｎ
を対応する半導体レーザ１１０1 〜１１０ｎの前方向へ
出射される光を検出するように配置する。なお、半導体
レーザの前方向へ出射される光を検出する場合、通常前
方向へ出射される光の一部を公知の手段により分離して
ホト・ダイオード等で検出するが、半導体レーザの前方
向へ出射される光の一部の分離及びその検出自体は公知
の技術であるため、その図示及び詳細な説明は本明細書
では省略する。
【００２０】次に、本発明になる半導体レーザ駆動回路
の第４実施例を説明する。
の第４実施例を説明する。
【００２１】上記各実施例では、各半導体レーザは図２
に示す如く単一のレーザ・ダイオードからなる。しか
し、複数のレーザ・ダイオードを直列に接続して各半導
体レーザを構成しても良い。従って、本実施例では、そ
の図示は省略するが、半導体レーザ１１０1 〜１１０ｎ
のうち少なくとも１つの半導体レーザが複数の直列接続
されたレーザ・ダイオードからなる。複数の直列接続さ
れたレーザ・ダイオードからなる半導体レーザの場合、
発光量の可変範囲を大きく設定できる。
に示す如く単一のレーザ・ダイオードからなる。しか
し、複数のレーザ・ダイオードを直列に接続して各半導
体レーザを構成しても良い。従って、本実施例では、そ
の図示は省略するが、半導体レーザ１１０1 〜１１０ｎ
のうち少なくとも１つの半導体レーザが複数の直列接続
されたレーザ・ダイオードからなる。複数の直列接続さ
れたレーザ・ダイオードからなる半導体レーザの場合、
発光量の可変範囲を大きく設定できる。
【００２２】図４は、上記各実施例において加算器１１
が出力和Ｖを求める方法を説明する図である。図４は、
図２の要部のみを示す。
が出力和Ｖを求める方法を説明する図である。図４は、
図２の要部のみを示す。
【００２３】図４（ａ）に示す方法では、各半導体レー
ザ（レーザ・ダイオード）１１０ｉ（ｉ＝１〜ｎ）がそ
の出力光を検出するホト・ダイオードＰＤを内蔵してい
る。従って、加算器１１は、各半導体レーザ１１０ｉが
内蔵しているホト・ダイオードＰＤから得られる電流を
加算することにより、半導体レーザ１１０1 〜１１０ｎ
の出力和Ｖを求める。
ザ（レーザ・ダイオード）１１０ｉ（ｉ＝１〜ｎ）がそ
の出力光を検出するホト・ダイオードＰＤを内蔵してい
る。従って、加算器１１は、各半導体レーザ１１０ｉが
内蔵しているホト・ダイオードＰＤから得られる電流を
加算することにより、半導体レーザ１１０1 〜１１０ｎ
の出力和Ｖを求める。
【００２４】図４（ｂ）に示す方法では、各半導体レー
ザ１１０ｉの前方向へ出射される光を分枝して得た分枝
光ＬB を、各半導体レーザ１１０ｉに対して設けられた
ホト・ダイオードＰＤにより検出する。加算器１１は、
各半導体レーザ１１０ｉに対して設けられたホト・ダイ
オードＰＤから得られる電流を加算することにより、半
導体レーザ１１０1 〜１１０ｎの出力和Ｖを求める。
ザ１１０ｉの前方向へ出射される光を分枝して得た分枝
光ＬB を、各半導体レーザ１１０ｉに対して設けられた
ホト・ダイオードＰＤにより検出する。加算器１１は、
各半導体レーザ１１０ｉに対して設けられたホト・ダイ
オードＰＤから得られる電流を加算することにより、半
導体レーザ１１０1 〜１１０ｎの出力和Ｖを求める。
【００２５】図４（ａ），（ｂ）の方法では、各ホト・
ダイオードＰＤが図２に示すホト・ダイオード１１１ｉ
（ｉ＝１〜ｎ）に対応している。
ダイオードＰＤが図２に示すホト・ダイオード１１１ｉ
（ｉ＝１〜ｎ）に対応している。
【００２６】図４（ｃ）に示す方法では、半導体レーザ
１１０1 〜１１０ｎの前方向へ出射される光を加算器
（カップラ）１１により合波（カップル）し、加算され
た光の一部を分枝して分枝光Ｌb を得る。この分枝光Ｌ
b はホト・ダイオードＰＤにより検出され、ホト・ダイ
オードＰＤからの電流が半導体レーザ１１０1 〜１１０
ｎの出力和Ｖとして求められる。
１１０1 〜１１０ｎの前方向へ出射される光を加算器
（カップラ）１１により合波（カップル）し、加算され
た光の一部を分枝して分枝光Ｌb を得る。この分枝光Ｌ
b はホト・ダイオードＰＤにより検出され、ホト・ダイ
オードＰＤからの電流が半導体レーザ１１０1 〜１１０
ｎの出力和Ｖとして求められる。
【００２７】なお、言うまでもないが、本発明において
半導体レーザ１１０1 〜１１０ｎの出力和Ｖを求める方
法は、図４の方法に限定されるものではない。
半導体レーザ１１０1 〜１１０ｎの出力和Ｖを求める方
法は、図４の方法に限定されるものではない。
【００２８】次に、本発明の適用例について図５と共に
説明する。図５（ａ），（ｂ）はいずれもポンプ光源を
用いる光増幅器を示す。
説明する。図５（ａ），（ｂ）はいずれもポンプ光源を
用いる光増幅器を示す。
【００２９】図５（ａ）に示す光増幅器の場合、例えば
波長が１．５５μｍの光信号Ｓoptがエルビウム（Ｅ
ｒ）でドープされた光ファイバ５０に対してＡ方向へ入
力される。他方、ポンプ光源（図示せず）からの例えば
波長が１．４８μｍのポンプ光信号Ｓpumpは、合波器５
１を介して光ファイバ５０に対してＡ方向とは逆のＢ方
向へ入力される。つまり、光ファイバ５０内のＥｒイオ
ンをポンプ光信号Ｓpumpで予め励起しておくことによ
り、活性化（ポンプ）されたＥｒイオンが光信号Ｓopt
の入力により規定状態へ誘導され、光信号Ｓopt がその
分増幅されて光信号ＳApotとして出力される。
波長が１．５５μｍの光信号Ｓoptがエルビウム（Ｅ
ｒ）でドープされた光ファイバ５０に対してＡ方向へ入
力される。他方、ポンプ光源（図示せず）からの例えば
波長が１．４８μｍのポンプ光信号Ｓpumpは、合波器５
１を介して光ファイバ５０に対してＡ方向とは逆のＢ方
向へ入力される。つまり、光ファイバ５０内のＥｒイオ
ンをポンプ光信号Ｓpumpで予め励起しておくことによ
り、活性化（ポンプ）されたＥｒイオンが光信号Ｓopt
の入力により規定状態へ誘導され、光信号Ｓopt がその
分増幅されて光信号ＳApotとして出力される。
【００３０】図５（ｂ）に示す光増幅器の場合、光信号
Ｓopt もポンプ光信号Ｓpumpも光ファイバ５０に対して
Ａ方向へ入力される関係上、合波器５３及び分波器５４
が設けられているが、動作原理は基本的には図５（ａ）
の場合と同じである。
Ｓopt もポンプ光信号Ｓpumpも光ファイバ５０に対して
Ａ方向へ入力される関係上、合波器５３及び分波器５４
が設けられているが、動作原理は基本的には図５（ａ）
の場合と同じである。
【００３１】上記の如き光増幅器の場合、ポンプ光信号
Ｓpumpを出力するポンプ光源は、高出力を高い信頼性を
もって出力する必要がある。高出力を得るには複数の半
導体レーザを用いるのが効果的であるので、本発明にな
る半導体レーザ駆動回路を用いて複数の半導体レーザを
制御することにより、高出力で信頼性の高いポンプ光源
を実現し得る。
Ｓpumpを出力するポンプ光源は、高出力を高い信頼性を
もって出力する必要がある。高出力を得るには複数の半
導体レーザを用いるのが効果的であるので、本発明にな
る半導体レーザ駆動回路を用いて複数の半導体レーザを
制御することにより、高出力で信頼性の高いポンプ光源
を実現し得る。
【００３２】言うまでもないが、本発明の適用は光増幅
器に限定されるものではない。
器に限定されるものではない。
【００３３】以上本発明を実施例により説明したが、本
発明は本発明の主旨に従い種々の変形が可能であり、本
発明からこれらを排除するものではない。
発明は本発明の主旨に従い種々の変形が可能であり、本
発明からこれらを排除するものではない。
【００３４】
【発明の効果】本発明によれば、複数の半導体レーザの
出力和に基づいて各半導体レーザの発光量を制御するの
で、複数の半導体レーザに対して１つの基準信号を設定
するだけで良く、たとえ１つの半導体レーザが故障して
も他の半導体レーザを制御することにより故障した半導
体レーザによる出力低下を補償して常に、かつ、正確
に、半導体レーザの出力和を一定に制御することがで
き、実用的には極めて有用である。
出力和に基づいて各半導体レーザの発光量を制御するの
で、複数の半導体レーザに対して１つの基準信号を設定
するだけで良く、たとえ１つの半導体レーザが故障して
も他の半導体レーザを制御することにより故障した半導
体レーザによる出力低下を補償して常に、かつ、正確
に、半導体レーザの出力和を一定に制御することがで
き、実用的には極めて有用である。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明になる半導体レーザ駆動回路の第１実施
例を示す回路図である。
例を示す回路図である。
【図３】電流調整回路の一実施例を示す回路図である。
【図４】出力和を求める方法を説明する図である。
【図５】本発明の適用例を説明するための図である。
【図６】従来のＡＰＣ回路の一例を示す回路図である。
【図７】考えられる半導体レーザ駆動回路を示す回路図
である。
である。
１1 〜１ｎ，１１０1 〜１１０ｎ 半導体レーザ ２ 加算手段 ３ 比較手段 １１ 加算器 １２ 比較器 １４ カップラ １０２1 〜１０２ｎ 抵抗 １０３1 〜１０３ｎ 電流調整回路 １１１1 〜１１１ｎ ホト・ダイオード
Claims (8)
- 【請求項１】 複数の半導体レーザ（１1 〜１ｎ）の出
力を加算して該半導体レーザ（１1 〜１ｎ）の出力和
（Ｖ）を求める加算手段（２）と、 該出力和（Ｖ）を、得たい出力和に応じて予め設定され
ている基準信号（Ｒｅｆ）と比較して、比較結果に応じ
た信号（Ｖｘ）を出力する比較手段（３）とからなり、 各半導体レーザ（１1 〜１ｎ）の発光量は該信号（Ｖ
ｘ）に基づいて出力和（Ｖ）が一定となるように制御さ
れることを特徴とする半導体レーザ駆動回路。 - 【請求項２】 前記信号（Ｖｘ）に基づき各半導体レー
ザ（１1 〜１ｎ）の発光量を任意の重み付けでもって制
御する電流調整手段（１０３1 〜１０３ｎ）を有するこ
とを特徴とする請求項１の半導体レーザ駆動回路。 - 【請求項３】 各半導体レーザ（１1 〜１ｎ）の前方向
又は後方向へ出射される光を検出する検出手段（１１１
1 〜１１１ｎ）を有し、前記加算手段（２）は該検出手
段（１１１1 〜１１１ｎ）の出力を加算して出力和
（Ｖ）を求めることを特徴とする請求項１又は２の半導
体レーザ駆動回路。 - 【請求項４】 前記半導体レーザ（１1 〜１ｎ）のう
ち、少なくとも１つの半導体レーザは複数の直列接続さ
れたレーザ・ダイオードから構成されていることを特徴
とする請求項１〜３のうちいずれか１項の半導体レーザ
駆動回路。 - 【請求項５】 前記半導体レーザ（１1 〜１ｎ）の出力
和は光増幅器のポンプ光源の出力光であることを特徴と
する請求項１〜４のうちいずれか１項の半導体レーザ駆
動回路。 - 【請求項６】 前記加算手段（２）は、各半導体レーザ
（１1 〜１ｎ）に内蔵されているホト・ダイオード（Ｐ
Ｄ）から得られる電流を加算することにより出力和
（Ｖ）を求めることを特徴とする請求項１〜５のうちい
ずれか１項の半導体レーザ駆動回路。 - 【請求項７】 前記加算手段（２）は、各半導体レーザ
（１1 〜１ｎ）の前方向へ出射される光を分枝して得た
分枝光（ＬB ）を各半導体レーザに対して設けられたホ
ト・ダイオード（ＰＤ）により検出して得た電流を加算
することにより出力和（Ｖ）を求めることを特徴とする
請求項１〜５のうちいずれか１項の半導体レーザ駆動回
路。 - 【請求項８】 前記加算手段（２）は、半導体レーザ
（１1 〜１ｎ）の前方向へ出射される光を合波して得た
加算された光の一部を分枝して分枝光（Ｌb)を得、該分
枝光（Ｌb)をホト・ダイオード（ＰＤ）により検出して
得た電流を出力和（Ｖ）として出力することを特徴とす
る請求項１〜５のうちいずれか１項の半導体レーザ駆動
回路。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26012292A JPH06112563A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 半導体レーザ駆動回路 |
| US08/088,246 US5530936A (en) | 1992-09-29 | 1993-07-07 | Semiconductor laser driving circuit |
| GB9314152A GB2271019B (en) | 1992-09-29 | 1993-07-08 | Semiconductor laser driving circuit |
| DE4323031A DE4323031C2 (de) | 1992-09-29 | 1993-07-09 | Halbleiterlaser-Treiberschaltung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26012292A JPH06112563A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 半導体レーザ駆動回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112563A true JPH06112563A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17343598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26012292A Withdrawn JPH06112563A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 半導体レーザ駆動回路 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5530936A (ja) |
| JP (1) | JPH06112563A (ja) |
| DE (1) | DE4323031C2 (ja) |
| GB (1) | GB2271019B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017188702A (ja) * | 2017-07-18 | 2017-10-12 | 株式会社島津製作所 | 半導体レーザ駆動回路 |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2735042B2 (ja) * | 1995-07-28 | 1998-04-02 | 日本電気株式会社 | 電圧制御型レーザダイオード駆動回路 |
| DE10053101A1 (de) * | 2000-10-26 | 2002-01-24 | Agfa Gevaert Ag | Laserstrahlkombiniervorrichtung und Laserkombinierverfahren zum Kombinieren von mindestens zwei Laserstrahlen |
| DE10056328A1 (de) | 2000-11-14 | 2002-05-29 | Siemens Ag | Raman-Verstärker mit mehreren Pumpquellen |
| US6798801B2 (en) * | 2001-10-03 | 2004-09-28 | Dorsal Networks, Inc. | Pump laser current driver |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5778191A (en) * | 1980-11-04 | 1982-05-15 | Canon Inc | Adjusting method and device for quantity of light in array type light source |
| FR2542511B1 (fr) * | 1983-03-09 | 1986-12-19 | Lecoy Pierre | Procede et dispositif de regulation de la puissance lumineuse de diodes laser |
| US4856011A (en) * | 1985-01-30 | 1989-08-08 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor laser control circuit |
| JPH01105268A (ja) * | 1986-04-05 | 1989-04-21 | Ricoh Co Ltd | 情報記録用光ビ−ムの出力安定化方法及び装置 |
| US4792956A (en) * | 1986-05-13 | 1988-12-20 | Litton Systems, Inc. | Laser diode intensity and wavelength control |
| DE3728234A1 (de) * | 1986-08-26 | 1988-04-28 | Sharp Kk | Steuervorrichtung fuer eine laserdiode |
| JP2706262B2 (ja) * | 1988-07-12 | 1998-01-28 | キヤノン株式会社 | 半導体レーザ駆動装置 |
| US4995105A (en) * | 1989-09-18 | 1991-02-19 | Xerox Corporation | Adaptive laser diode driver circuit for laser scanners |
| JPH03113736A (ja) * | 1989-09-22 | 1991-05-15 | Olympus Optical Co Ltd | 半導体レーザの駆動装置 |
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-
1992
- 1992-09-29 JP JP26012292A patent/JPH06112563A/ja not_active Withdrawn
-
1993
- 1993-07-07 US US08/088,246 patent/US5530936A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-08 GB GB9314152A patent/GB2271019B/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-09 DE DE4323031A patent/DE4323031C2/de not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017188702A (ja) * | 2017-07-18 | 2017-10-12 | 株式会社島津製作所 | 半導体レーザ駆動回路 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4323031C2 (de) | 1998-01-29 |
| GB9314152D0 (en) | 1993-08-18 |
| US5530936A (en) | 1996-06-25 |
| GB2271019B (en) | 1996-10-23 |
| DE4323031A1 (de) | 1994-03-31 |
| GB2271019A (en) | 1994-03-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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