JPH06112523A - 光電変換装置 - Google Patents
光電変換装置Info
- Publication number
- JPH06112523A JPH06112523A JP30580792A JP30580792A JPH06112523A JP H06112523 A JPH06112523 A JP H06112523A JP 30580792 A JP30580792 A JP 30580792A JP 30580792 A JP30580792 A JP 30580792A JP H06112523 A JPH06112523 A JP H06112523A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- position detecting
- photoelectric conversion
- resistors
- light
- distance
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Automatic Focus Adjustment (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Measurement Of Optical Distance (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 被検出物体までの距離Ｘが大きいときにもこ
の被検出物体までの距離Ｙに対して受光面上の輝点像の
位置の変化を非線形にすることにより、被検出物体まで
の距離を精度良く判定する。 【構成】 複数個の光電変換エレメントを所定の方向に
配列し、たがいに隣接するエレメントをたがいに抵抗で
結合し、かつその光電変換エレメントの中、ｊ（ｊ＝２
〜ｎ−１）番目の抵抗値ＲｊをＲｊ＞Ｒ（ｊ−１）とし
たものである。
の被検出物体までの距離Ｙに対して受光面上の輝点像の
位置の変化を非線形にすることにより、被検出物体まで
の距離を精度良く判定する。 【構成】 複数個の光電変換エレメントを所定の方向に
配列し、たがいに隣接するエレメントをたがいに抵抗で
結合し、かつその光電変換エレメントの中、ｊ（ｊ＝２
〜ｎ−１）番目の抵抗値ＲｊをＲｊ＞Ｒ（ｊ−１）とし
たものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は光電変換装置に関し、
たとえば距離センサや測距式光電スイッチ等の光の位置
を検出する機器に適用される。
たとえば距離センサや測距式光電スイッチ等の光の位置
を検出する機器に適用される。
【０００２】
【従来の技術】光の位置を検出するものとして図１に示
すＰＳＤすなわち光位置検出素子１０が知られている。
この位置検出素子の等価回路を画くと図２のようにな
る。すなわち共通カソードとなるＮ層には端子Ｔａが接
続され、そのＰ層の両端には２つの出力端子Ｔ１、Ｔ２
が設けられる。この光位置検出素子１０のある位置に光
が入射すると、光位置検出素子１０の出力端子Ｔ１、Ｔ
２から２つの電流出力Ｉ１、Ｉ２がえられ、光位置検出
素子１０の有効長をＬとすると、光位置検出素子１０の
光の入射位置Ｙは次の関係式より求められる。 Ｉ１／Ｉ２＝Ｚ２／Ｚ１ ＝（Ｌ／２＋Ｙ）／（Ｌ／２−Ｙ） （１） となり、したがって電流比Ｉ１／Ｉ２が分かれば、入射
位置Ｙは Ｙ＝（Ｌ／２）×（Ｉ１／Ｉ２−１）／（Ｉ１／Ｉ２＋１） （２） となる。図１に示す構成の出力特性は図３のように光電
流出力Ｉ１、Ｉ２が交差する。このように光位置検出素
子１０は電気的に光の入射位置Ｙを求めることが出来る
ので広く使用されており、図４に示すように、光電スイ
ッチに適用した例がある。
すＰＳＤすなわち光位置検出素子１０が知られている。
この位置検出素子の等価回路を画くと図２のようにな
る。すなわち共通カソードとなるＮ層には端子Ｔａが接
続され、そのＰ層の両端には２つの出力端子Ｔ１、Ｔ２
が設けられる。この光位置検出素子１０のある位置に光
が入射すると、光位置検出素子１０の出力端子Ｔ１、Ｔ
２から２つの電流出力Ｉ１、Ｉ２がえられ、光位置検出
素子１０の有効長をＬとすると、光位置検出素子１０の
光の入射位置Ｙは次の関係式より求められる。 Ｉ１／Ｉ２＝Ｚ２／Ｚ１ ＝（Ｌ／２＋Ｙ）／（Ｌ／２−Ｙ） （１） となり、したがって電流比Ｉ１／Ｉ２が分かれば、入射
位置Ｙは Ｙ＝（Ｌ／２）×（Ｉ１／Ｉ２−１）／（Ｉ１／Ｉ２＋１） （２） となる。図１に示す構成の出力特性は図３のように光電
流出力Ｉ１、Ｉ２が交差する。このように光位置検出素
子１０は電気的に光の入射位置Ｙを求めることが出来る
ので広く使用されており、図４に示すように、光電スイ
ッチに適用した例がある。
【０００３】すなわち図４において、光電スイッチ１は
レンズ系２、投光部３、受光部４および信号処理部５を
有している。そして投光部３から発せられた光は被検出
物体６、すなわち６Ａ、６Ｂ上に輝点を作り、さらにこ
の被検出物体６により反射された光はレンズ系２を介し
て受光部４の受光面上に輝点像を形成する。被検出物体
６（図４の６Ａ、６Ｂを代表して符号６で示す）でまで
の距離Ｘが変わると、すなわち被検出物体６が６Ａ、６
Ｂに示す位置になると、受光面上の輝点像の位置Ｙが動
く。よって、受光面上の輝点像の位置Ｙを判定すること
により、その輝点像が被検出物体６によるものか、ある
いは光電スイッチ１から見て、この被検出物体６よりも
遠い位置にある背景７によるものかが判定できる。した
がって輝点像の位置Ｙを判定するために図１に示す光位
置検出素子１０は受光部４の受光面上に配設される。そ
して輝点像の位置Ｙが所定値より大きいときに光電スイ
ッチは検出信号を発する。この方式の光電スイッチは、
受光面上の光量を検出する方式の光電スイッチと比べ、
被検出物体６表面反射率が変わっても検出距離がほとん
ど変動せず、また反射率が大きい背景７の手前にある反
射率の少ない被検出物体６の検出が安定して検出できる
等極めて優れた特徴を有する。
レンズ系２、投光部３、受光部４および信号処理部５を
有している。そして投光部３から発せられた光は被検出
物体６、すなわち６Ａ、６Ｂ上に輝点を作り、さらにこ
の被検出物体６により反射された光はレンズ系２を介し
て受光部４の受光面上に輝点像を形成する。被検出物体
６（図４の６Ａ、６Ｂを代表して符号６で示す）でまで
の距離Ｘが変わると、すなわち被検出物体６が６Ａ、６
Ｂに示す位置になると、受光面上の輝点像の位置Ｙが動
く。よって、受光面上の輝点像の位置Ｙを判定すること
により、その輝点像が被検出物体６によるものか、ある
いは光電スイッチ１から見て、この被検出物体６よりも
遠い位置にある背景７によるものかが判定できる。した
がって輝点像の位置Ｙを判定するために図１に示す光位
置検出素子１０は受光部４の受光面上に配設される。そ
して輝点像の位置Ｙが所定値より大きいときに光電スイ
ッチは検出信号を発する。この方式の光電スイッチは、
受光面上の光量を検出する方式の光電スイッチと比べ、
被検出物体６表面反射率が変わっても検出距離がほとん
ど変動せず、また反射率が大きい背景７の手前にある反
射率の少ない被検出物体６の検出が安定して検出できる
等極めて優れた特徴を有する。
【０００４】被検出物体６までの距離Ｘと受光面上の輝
点像の位置Ｙとの関係は図５に示すように非線形であ
る。すなわち、被検出物体６までの距離Ｘが小さいとき
には被検出物体６までの距離Ｘに対して受光面上の輝点
像の位置Ｙの変化が大きいので光位置検出素子１０の２
つの出力電流Ｉａ、Ｉｂの変化量が大きいので、受光面
上の輝点像の位置Ｙが精度よく演算でき被検出物体６ま
での距離Ｘを精度良く判定できるが、被検出物体６まで
の距離Ｘが大きいときにはこの被検出物体６までの距離
Ｘに対して受光面上の輝点像の位置Ｙの変化が小さいの
で光位置検出素子１０の２つの出力電流Ｉａ、Ｉｂの変
化量が小さく、このため受光面上の輝点像の位置Ｙが精
度よく演算できず、被検出物体６までの距離Ｘが小さい
ときに比べ、被検出物体６までの距離Ｘを精度良く判定
できない。もっとも投光軸から受光部４までの距離を大
きくすると改善されるが、光電スイッチが大きくなる欠
点がある。また距離センサとしてリニア出力を得るばあ
い、このリニア出力と距離とをリニアライズ補正しなけ
ればならない。さらに受光面上の輝点の明るさは被検出
物体６までの距離Ｘが大きいとそれだけ暗くなり、いき
おいノイズの影響が大きくなり被検出物体６までの距離
Ｘの判定精度が落ち、光電スイッチ長距離化を図ること
が出来ない。
点像の位置Ｙとの関係は図５に示すように非線形であ
る。すなわち、被検出物体６までの距離Ｘが小さいとき
には被検出物体６までの距離Ｘに対して受光面上の輝点
像の位置Ｙの変化が大きいので光位置検出素子１０の２
つの出力電流Ｉａ、Ｉｂの変化量が大きいので、受光面
上の輝点像の位置Ｙが精度よく演算でき被検出物体６ま
での距離Ｘを精度良く判定できるが、被検出物体６まで
の距離Ｘが大きいときにはこの被検出物体６までの距離
Ｘに対して受光面上の輝点像の位置Ｙの変化が小さいの
で光位置検出素子１０の２つの出力電流Ｉａ、Ｉｂの変
化量が小さく、このため受光面上の輝点像の位置Ｙが精
度よく演算できず、被検出物体６までの距離Ｘが小さい
ときに比べ、被検出物体６までの距離Ｘを精度良く判定
できない。もっとも投光軸から受光部４までの距離を大
きくすると改善されるが、光電スイッチが大きくなる欠
点がある。また距離センサとしてリニア出力を得るばあ
い、このリニア出力と距離とをリニアライズ補正しなけ
ればならない。さらに受光面上の輝点の明るさは被検出
物体６までの距離Ｘが大きいとそれだけ暗くなり、いき
おいノイズの影響が大きくなり被検出物体６までの距離
Ｘの判定精度が落ち、光電スイッチ長距離化を図ること
が出来ない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この発明が解決しよう
とする課題は被検出物体までの距離Ｘが大きいときには
この被検出物体までの距離Ｘに対して受光面上の輝点像
の位置の変化が小さいので受光面上の輝点像の位置が精
度よく演算できず、被検出物体までの距離が小さいとき
に比べ、被検出物体までの距離を精度良く判定できない
ことである。
とする課題は被検出物体までの距離Ｘが大きいときには
この被検出物体までの距離Ｘに対して受光面上の輝点像
の位置の変化が小さいので受光面上の輝点像の位置が精
度よく演算できず、被検出物体までの距離が小さいとき
に比べ、被検出物体までの距離を精度良く判定できない
ことである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】複数個の光電変換エレメ
ントを所定の方向に配列し、たがいに隣接するエレメン
トを抵抗によりそれぞれ結合し、かつその光電変換エレ
メントの中、所定の位置にある光電変換エレメントの抵
抗値をその前に位置する光電変換エレメントの抵抗値よ
り大きくしたもので、近距離側の光電変換エレメントか
ら見てｊ（ｊ＝２〜ｎ−１）番目の抵抗値ＲｊをＲｊ＞
Ｒ（ｊ−１）としたものである。
ントを所定の方向に配列し、たがいに隣接するエレメン
トを抵抗によりそれぞれ結合し、かつその光電変換エレ
メントの中、所定の位置にある光電変換エレメントの抵
抗値をその前に位置する光電変換エレメントの抵抗値よ
り大きくしたもので、近距離側の光電変換エレメントか
ら見てｊ（ｊ＝２〜ｎ−１）番目の抵抗値ＲｊをＲｊ＞
Ｒ（ｊ−１）としたものである。
【０００７】
【作用】光位置検出素子の抵抗値が場所によって一定で
ないばあい、光位置検出素子上の光の入射位置が変化す
ると、抵抗値が低いの部分より抵抗値が高い部分の方が
分流比は大きく変化し、このため、入射位置識別感度が
部分的に変化する。
ないばあい、光位置検出素子上の光の入射位置が変化す
ると、抵抗値が低いの部分より抵抗値が高い部分の方が
分流比は大きく変化し、このため、入射位置識別感度が
部分的に変化する。
【０００８】
【実施例】以下図によってこの発明の一実施例について
説明する。すなわち図６において、複数個、すなわちｎ
個（ただしｎ＞２）の光電変換エレメントＰＤ１、ＰＤ
２、・・・ＰＤｉ、・・・ＰＤｎは一つのチップ上にお
いて、所定の方向に、かつ所定の間隔をもって配列され
る。また光変換エレメントＰＤ１、ＰＤ２、・・・ＰＤ
ｉ、・・・ＰＤｎの各隣接するアノード間には図７に示
すように所定の抵抗値を有する抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、
・・・Ｒｎ−１が接続される。そして光電変換エレメン
トの中、ｊ（ｊ＝２〜ｎ−１）番目の抵抗値Ｒｊの値は
この一つ前の抵抗Ｒ（ｊ−１）の値に比し所定の値だけ
大きく、すなわちＲｊ＞Ｒ（ｊ−１）に設定される。ま
た最初の光電変換エレメントＰＤ１のアノードには第１
の光電流出力端Ｔ１が、また最後の光電変換エレメント
ＰＤｎのアノードには第２の光電流出力端Ｔ２がそれぞ
れ設けられる。一方各光電変換エレメントのカソードは
端子Ｔａに接続される。図７の回路を等価的に表すと図
８のようになる。
説明する。すなわち図６において、複数個、すなわちｎ
個（ただしｎ＞２）の光電変換エレメントＰＤ１、ＰＤ
２、・・・ＰＤｉ、・・・ＰＤｎは一つのチップ上にお
いて、所定の方向に、かつ所定の間隔をもって配列され
る。また光変換エレメントＰＤ１、ＰＤ２、・・・ＰＤ
ｉ、・・・ＰＤｎの各隣接するアノード間には図７に示
すように所定の抵抗値を有する抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、
・・・Ｒｎ−１が接続される。そして光電変換エレメン
トの中、ｊ（ｊ＝２〜ｎ−１）番目の抵抗値Ｒｊの値は
この一つ前の抵抗Ｒ（ｊ−１）の値に比し所定の値だけ
大きく、すなわちＲｊ＞Ｒ（ｊ−１）に設定される。ま
た最初の光電変換エレメントＰＤ１のアノードには第１
の光電流出力端Ｔ１が、また最後の光電変換エレメント
ＰＤｎのアノードには第２の光電流出力端Ｔ２がそれぞ
れ設けられる。一方各光電変換エレメントのカソードは
端子Ｔａに接続される。図７の回路を等価的に表すと図
８のようになる。
【０００９】図８の回路において、ｉ番目の光電変換エ
レメント、すなわちＰＤｉに光が当たったばあいを考え
ると、図９の等価回路に単純化される。つまり、この図
の回路は図２に示す回路と実質的に同じため、Ｉ１、Ｉ
２の電流比から光の当たった位置Ｙを検出することがで
きる。
レメント、すなわちＰＤｉに光が当たったばあいを考え
ると、図９の等価回路に単純化される。つまり、この図
の回路は図２に示す回路と実質的に同じため、Ｉ１、Ｉ
２の電流比から光の当たった位置Ｙを検出することがで
きる。
【００１０】図６および図７に示す構成において、光電
変換エレメントＰＤ１、ＰＤ２、・・・ＰＤｎのいずれ
かにスポット状の光が当たると、光電変換エレメントに
光電流が流れ、端子Ｔ１およびＴ２からＩ１、Ｉ２とし
て出力される。このとき光電変換エレメントの中、ｊ
（ｊ＝２〜ｎ−１）番目の抵抗値Ｒｊの値はこの一つ前
の抵抗Ｒ（ｊ−１）の値に比し所定の値だけ大きく、す
なわちＲｊ＞Ｒ（ｊ−１）に設定されているため、図１
０に示すようにスポット光が高抵抗側に入射するにつ
れ、端子Ｔ１からの光電流Ｉ１は急激に減少し、反面端
子Ｔ２からの光電流Ｉ２は急激に増大する。
変換エレメントＰＤ１、ＰＤ２、・・・ＰＤｎのいずれ
かにスポット状の光が当たると、光電変換エレメントに
光電流が流れ、端子Ｔ１およびＴ２からＩ１、Ｉ２とし
て出力される。このとき光電変換エレメントの中、ｊ
（ｊ＝２〜ｎ−１）番目の抵抗値Ｒｊの値はこの一つ前
の抵抗Ｒ（ｊ−１）の値に比し所定の値だけ大きく、す
なわちＲｊ＞Ｒ（ｊ−１）に設定されているため、図１
０に示すようにスポット光が高抵抗側に入射するにつ
れ、端子Ｔ１からの光電流Ｉ１は急激に減少し、反面端
子Ｔ２からの光電流Ｉ２は急激に増大する。
【００１１】図１１の回路において、第２番目の光電変
換エレメントＰＤ２からｎ−１番目の光電変換エレメン
トＰＤ（ｎ−１）のカソードにはそれぞれ等しい値の抵
抗ｒ１、ｒ２、・・・ｒｎの一端が接続され、その他端
は最後の光電変換エレメントＰＤｎのカソードに接続さ
れる。
換エレメントＰＤ２からｎ−１番目の光電変換エレメン
トＰＤ（ｎ−１）のカソードにはそれぞれ等しい値の抵
抗ｒ１、ｒ２、・・・ｒｎの一端が接続され、その他端
は最後の光電変換エレメントＰＤｎのカソードに接続さ
れる。
【００１２】なお、光電変換エレメントＰＤ１、ＰＤ
２、・・・ＰＤｎに接続された抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、
・・・Ｒ（ｎ−１）は近距離側から遠距離側に向かって
順に均一の割合で増大する必要はなく、光位置検出素子
の所定の範囲、たとえば第５番目の光電変換エレメント
ＰＤ５から最後の光電変換エレメントＰＤｎまでの間に
接続される抵抗に適用される。
２、・・・ＰＤｎに接続された抵抗Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、
・・・Ｒ（ｎ−１）は近距離側から遠距離側に向かって
順に均一の割合で増大する必要はなく、光位置検出素子
の所定の範囲、たとえば第５番目の光電変換エレメント
ＰＤ５から最後の光電変換エレメントＰＤｎまでの間に
接続される抵抗に適用される。
【００１３】
【発明の効果】この発明は上述のように、複数個の光電
変換エレメントを所定の方向に配列し、たがいに隣接す
るエレメントを抵抗によってそれぞれ結合し、かつその
光電変換エレメントの中、ｊ（ｊ＝２〜ｎ−１）番目の
抵抗値ＲｊをＲｊ＞Ｒ（ｊ−１）にしているので、位置
検出特性は非線形にすることができ、したがって位置検
出感度は光の入射位置によって変化するため、三角測距
に用いるばあいには遠距離側の感度が上がり、出力信号
のリニアライズ補正を実現することも可能となる。さら
に同一チップ上に回路を集積することができ、しかもこ
の集積化によってＳ／Ｎ比が向上する利点がある。
変換エレメントを所定の方向に配列し、たがいに隣接す
るエレメントを抵抗によってそれぞれ結合し、かつその
光電変換エレメントの中、ｊ（ｊ＝２〜ｎ−１）番目の
抵抗値ＲｊをＲｊ＞Ｒ（ｊ−１）にしているので、位置
検出特性は非線形にすることができ、したがって位置検
出感度は光の入射位置によって変化するため、三角測距
に用いるばあいには遠距離側の感度が上がり、出力信号
のリニアライズ補正を実現することも可能となる。さら
に同一チップ上に回路を集積することができ、しかもこ
の集積化によってＳ／Ｎ比が向上する利点がある。
【図１】光位置検出素子の原理を示す縦断面図である。
【図２】図１における等価回路である。
【図３】図１における出力特性図である。
【図４】光位置検出素子を適用した反射形光電スイッチ
の縦断面図である。
の縦断面図である。
【図５】図４における反射形光電スイッチの出力特性図
である。
である。
【図６】この発明における光電変換装置の光電変換エレ
メントの配列状態を示す構成図である。
メントの配列状態を示す構成図である。
【図７】この発明における光電変換装置の光位置検出素
子の回路図である。
子の回路図である。
【図８】図７における動作説明用の等価回路図である。
【図９】図７の一部を取り出して示す動作説明用の等価
回路図である。
回路図である。
【図１０】この発明における光電変換装置の光電変換エ
レメントの出力特性図である。
レメントの出力特性図である。
【図１１】この発明における光電変換装置の光位置検出
素子の他の実施例を示す回路図である。
素子の他の実施例を示す回路図である。
１ 光電スイッチ ２ レンズ系 ３ 投光部 ４ 受光部 ５ 信号処理部 ６ 被検出物体 ７ 背景 １０ 光位置検出素子 １１ 入射スポット ＰＤ１、ＰＤ２、ＰＤ３、・・・ＰＤｎ 光電変換エレ
メント ｒ 抵抗 Ｔａ 端子 Ｔ１ 端子 Ｔ２ 端子 Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、・・・Ｉｉ・・・Ｉｎ 電流源
メント ｒ 抵抗 Ｔａ 端子 Ｔ１ 端子 Ｔ２ 端子 Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、・・・Ｉｉ・・・Ｉｎ 電流源
Claims (1)
- 【請求項１】 複数個の光電変換エレメントを所定の方
向に配列し、たがいに隣接するエレメントを抵抗によっ
てそれぞれ結合して光位置検出素子を構成し、かつこの
光位置検出素子に光電流出力端を設け、さらに上記光位
置検出素子の中、ｊ（ｊ＝２〜ｎ−１）番目の抵抗の値
ＲｊがＲｊ＞Ｒ（ｊ−１）である光電変換装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30580792A JPH06112523A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 光電変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30580792A JPH06112523A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 光電変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112523A true JPH06112523A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17949604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30580792A Pending JPH06112523A (ja) | 1992-09-28 | 1992-09-28 | 光電変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112523A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007063893A1 (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-07 | Kabushiki Kaisha Topcon | レベルセンサ |
-
1992
- 1992-09-28 JP JP30580792A patent/JPH06112523A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007063893A1 (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-07 | Kabushiki Kaisha Topcon | レベルセンサ |
| EP1956340A1 (en) * | 2005-11-29 | 2008-08-13 | Kabushiki Kaisha TOPCON | Level sensor |
| EP1956340A4 (en) * | 2005-11-29 | 2011-09-28 | Topcon Corp | LEVEL SENSOR |
| US8044335B2 (en) | 2005-11-29 | 2011-10-25 | Kabushiki Kaisha Topcon | Level sensor implemented with a plurality of light receiving elements |
| JP5096925B2 (ja) * | 2005-11-29 | 2012-12-12 | 株式会社トプコン | レベルセンサ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5488468A (en) | Optical distance measuring apparatus having semiconductor position sensitive photodetector | |
| JPH0324636B2 (ja) | ||
| JP3215232B2 (ja) | 光電式距離センサ | |
| JPH05164552A (ja) | 測距装置 | |
| EP0654690B1 (en) | Active-type automatic focusing apparatus | |
| JPH04339209A (ja) | 距離検出装置 | |
| JPH06112523A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP3351946B2 (ja) | 受光位置検出回路及びこれを用いた距離検出装置 | |
| JPH06112522A (ja) | 光電変換装置 | |
| JPH06112520A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2933804B2 (ja) | 光電スイッチ | |
| JP3165255B2 (ja) | 測距センサ | |
| JP3930621B2 (ja) | 測距モジュール | |
| JP3001293B2 (ja) | 測距装置 | |
| JP3270176B2 (ja) | 三角測距式光電センサ | |
| JPH07151849A (ja) | 距離測定装置 | |
| JP2942046B2 (ja) | 光学的測距センサー | |
| JPH06112521A (ja) | 光電変換装置 | |
| JP2674468B2 (ja) | 距離検出装置 | |
| JPH0433164B2 (ja) | ||
| US20050151097A1 (en) | Device to detect and/or characterize individual moving objects having very small dimensions | |
| JPH0480566B2 (ja) | ||
| JPH01156694A (ja) | 光電スイッチ | |
| JP3117227B2 (ja) | 距離検出装置 | |
| JP2592055Y2 (ja) | 光電センサ |