JPH06111992A - Ｘ線装置 - Google Patents
Ｘ線装置Info
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- JPH06111992A JPH06111992A JP26183792A JP26183792A JPH06111992A JP H06111992 A JPH06111992 A JP H06111992A JP 26183792 A JP26183792 A JP 26183792A JP 26183792 A JP26183792 A JP 26183792A JP H06111992 A JPH06111992 A JP H06111992A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 フィラメントの切り換え時にフィラメントを
フラッシュすることのないＸ線管フィラメント加熱回路
を備えたＸ線装置を得る。 【構成】 ２次側にＸ線管フィラメントが接続されるフ
ィラメント（加熱）トランス(2)(3)の１次側にスイッチ
ング素子４ａ〜４ｄよりなるインバータ回路を設け、フ
ィラメント電流実測値とフィラメント電流設定値とを比
較器(62)で比較し、その出力でインバータ回路の入力電
圧を制御する手段(59)，(61)〜(64)を備えたＸ線管フィ
ラメント加熱回路に、Ｘ線管の切り換え、あるいは焦点
の切り換えに先立ち、フィラメント電流設定値を低レベ
ルに切り換えると共にその後所定のタイミングでフィラ
メントの切り換えと所定のフィラメント電流設定値に切
り換える制御回路を設けた。
フラッシュすることのないＸ線管フィラメント加熱回路
を備えたＸ線装置を得る。 【構成】 ２次側にＸ線管フィラメントが接続されるフ
ィラメント（加熱）トランス(2)(3)の１次側にスイッチ
ング素子４ａ〜４ｄよりなるインバータ回路を設け、フ
ィラメント電流実測値とフィラメント電流設定値とを比
較器(62)で比較し、その出力でインバータ回路の入力電
圧を制御する手段(59)，(61)〜(64)を備えたＸ線管フィ
ラメント加熱回路に、Ｘ線管の切り換え、あるいは焦点
の切り換えに先立ち、フィラメント電流設定値を低レベ
ルに切り換えると共にその後所定のタイミングでフィラ
メントの切り換えと所定のフィラメント電流設定値に切
り換える制御回路を設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＸ線装置、特に加熱トラ
ンスの１次側に高周波回路（インバータ回路）が接続さ
れ、高周波回路の入力電圧を制御することによりフィラ
メントを所定の加熱設定値で加熱すると共に前記加熱ト
ランスの２次側に接続されるフィラメントを切り換える
ようにしたＸ線管フィラメント加熱回路に関する。
ンスの１次側に高周波回路（インバータ回路）が接続さ
れ、高周波回路の入力電圧を制御することによりフィラ
メントを所定の加熱設定値で加熱すると共に前記加熱ト
ランスの２次側に接続されるフィラメントを切り換える
ようにしたＸ線管フィラメント加熱回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種Ｘ線管フィラメントの加熱回路
は、加熱トランスと、その１次側に接続されたインバー
タ回路と、フィラメント電流実測値と加熱設定値信号と
を比較し、実測値が設定値になるようにインバータ回路
の入力電圧を制御する制御手段と、前記加熱トランスの
２次側に接続されるフィラメントを切り換える手段とよ
りなり、フィラメントの切り換えは、Ｘ線高電圧装置に
接続されるＸ線管を切り換えるＸ線管選択手段ないし、
大焦点フィラメントと小焦点フィラメントとを切り換え
る焦点切換手段で行なわれる。
は、加熱トランスと、その１次側に接続されたインバー
タ回路と、フィラメント電流実測値と加熱設定値信号と
を比較し、実測値が設定値になるようにインバータ回路
の入力電圧を制御する制御手段と、前記加熱トランスの
２次側に接続されるフィラメントを切り換える手段とよ
りなり、フィラメントの切り換えは、Ｘ線高電圧装置に
接続されるＸ線管を切り換えるＸ線管選択手段ないし、
大焦点フィラメントと小焦点フィラメントとを切り換え
る焦点切換手段で行なわれる。
【０００３】上記構成のＸ線管フィラメント加熱回路を
備えたＸ線装置の構成を本発明の一実施例を示す図１に
より説明する。図１において、(11)(12)はＸ線管で、そ
れぞれ小焦点フィラメント(69)(71)と大焦点フィラメン
ト(70)(72)を備えている。
備えたＸ線装置の構成を本発明の一実施例を示す図１に
より説明する。図１において、(11)(12)はＸ線管で、そ
れぞれ小焦点フィラメント(69)(71)と大焦点フィラメン
ト(70)(72)を備えている。
【０００４】(50)はフィラメント加熱回路であり、交流
電源(51)からの交流出力が整流器(52)で整流され、ＳＣ
Ｒ(53)を通して平滑コンデンサ(54)に入力される。ＳＣ
Ｒ(53)は図１の(a), (b)間の電圧が一定電圧によるよう
に位相制御している。この出力は、平滑コンデンサ(54)
(57)で平滑され、 (a)点および (b)点の電圧は、抵抗(5
5a),(55b) と(55c),(55d) で分割され差動増幅回路(56)
に入力される。 (b)点の電圧には (d)点の電圧が加算さ
れ、この電圧が加算されることにより、 (a)点の電圧が
(b)点の電圧より３０Ｖ程度高くなるように差動増幅回
路(56)およびＳＣＲゲート回路(58)がＳＣＲ(53)を制御
している。
電源(51)からの交流出力が整流器(52)で整流され、ＳＣ
Ｒ(53)を通して平滑コンデンサ(54)に入力される。ＳＣ
Ｒ(53)は図１の(a), (b)間の電圧が一定電圧によるよう
に位相制御している。この出力は、平滑コンデンサ(54)
(57)で平滑され、 (a)点および (b)点の電圧は、抵抗(5
5a),(55b) と(55c),(55d) で分割され差動増幅回路(56)
に入力される。 (b)点の電圧には (d)点の電圧が加算さ
れ、この電圧が加算されることにより、 (a)点の電圧が
(b)点の電圧より３０Ｖ程度高くなるように差動増幅回
路(56)およびＳＣＲゲート回路(58)がＳＣＲ(53)を制御
している。
【０００５】フィラメント電流設定回路(61)の出力は、
オペアンプ(62)の非反転入力端子に入力される。オペア
ンプ(62)の反転入力端子には、フィラメント電流実測回
路(63)の出力が入力され、オペアンプ(62)はコンパレー
タとして働く。フィラメント電流設定回路(61)よりの入
力電圧が、フィラメント電流実測回路(63)の入力電圧よ
り少しでも大きい場合は、オペアンプ(62)はHighを出力
し、トランジスタベース制御回路(64)を通してトランジ
スタ(59)をオンする。そしてトランジスタ(59)の直流出
力電圧が上昇する。こうしてフィラメント電流がフィラ
メント電流設定回路(61)の出力に応じた値になる。
オペアンプ(62)の非反転入力端子に入力される。オペア
ンプ(62)の反転入力端子には、フィラメント電流実測回
路(63)の出力が入力され、オペアンプ(62)はコンパレー
タとして働く。フィラメント電流設定回路(61)よりの入
力電圧が、フィラメント電流実測回路(63)の入力電圧よ
り少しでも大きい場合は、オペアンプ(62)はHighを出力
し、トランジスタベース制御回路(64)を通してトランジ
スタ(59)をオンする。そしてトランジスタ(59)の直流出
力電圧が上昇する。こうしてフィラメント電流がフィラ
メント電流設定回路(61)の出力に応じた値になる。
【０００６】トランジスタ(59)の直流出力がインバータ
回路を構成するスイッチ素子(4a)〜(4d)でスイッチング
されて（スイッチ素子(4a)、(4d)とスイッチ素子(4b)、
(4c)とが交互にオン、オフする）交流出力に変換され、
焦点切換リレー回路(65)に入力される。そして焦点切換
制御回路(66)よりの信号により、焦点切換リレー回路(6
5)にて、大焦点または小焦点側に切換えられ、フィラメ
ントトランス（加熱トランス） (3)または (2)を通って
高圧切換器(67)(68)を経てＸ線管(11),(12) のフィラメ
ント(69)(70)(71)(72)に加えられる。
回路を構成するスイッチ素子(4a)〜(4d)でスイッチング
されて（スイッチ素子(4a)、(4d)とスイッチ素子(4b)、
(4c)とが交互にオン、オフする）交流出力に変換され、
焦点切換リレー回路(65)に入力される。そして焦点切換
制御回路(66)よりの信号により、焦点切換リレー回路(6
5)にて、大焦点または小焦点側に切換えられ、フィラメ
ントトランス（加熱トランス） (3)または (2)を通って
高圧切換器(67)(68)を経てＸ線管(11),(12) のフィラメ
ント(69)(70)(71)(72)に加えられる。
【０００７】また、Ｘ線管選択器(74)よりの信号がＸ線
管切換制御回路(73)に与えられると、高圧切換器(67)(6
8)をオン／オフ制御するリレー(75)(76)が択一的に作動
し、Ｘ線管(11)(12)のいずれか一方が選択され、選択さ
れたＸ線管のフィラメントがフィラメントトランス(2)
(3)に接続される。
管切換制御回路(73)に与えられると、高圧切換器(67)(6
8)をオン／オフ制御するリレー(75)(76)が択一的に作動
し、Ｘ線管(11)(12)のいずれか一方が選択され、選択さ
れたＸ線管のフィラメントがフィラメントトランス(2)
(3)に接続される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上記の従来のＸ線管フ
ィラメント加熱回路を備えたＸ線装置では、Ｘ線管選択
器(74)ないし焦点切換制御回路(66)によるフィラメント
の切換え時、高圧切換器ないし焦点切換リレーの動作遅
れにより、加熱トランスの２次側が開放し、切り換えら
れたフィラメントが加熱トランスの２次側に接続された
際に、フィラメントに一時的に大電流が流れフラッシュ
するという問題がある。
ィラメント加熱回路を備えたＸ線装置では、Ｘ線管選択
器(74)ないし焦点切換制御回路(66)によるフィラメント
の切換え時、高圧切換器ないし焦点切換リレーの動作遅
れにより、加熱トランスの２次側が開放し、切り換えら
れたフィラメントが加熱トランスの２次側に接続された
際に、フィラメントに一時的に大電流が流れフラッシュ
するという問題がある。
【０００９】すなわち、Ｘ線管(11)の大焦点が選択さ
れ、フィラメント電流設定値がフィラメント電流設定回
路(61)から出力され、フィラメント(70)が加熱されてい
る状態で、Ｘ線管選択器(74)にてＸ線管の選択がＸ線管
(11)からＸ線管(12)に変更されると、Ｘ線管切換制御回
路(73)によりリレー(75)がオフし高圧切換器(67)の接点
が離れる。すなわち、フィラメントトランス(3) の２次
側が開放し、無負荷になる。すると、フィラメントトラ
ンス(3) の２次側に電流が流れず、フィラメント電流実
測回路(63)よりの出力信号（フィードバック信号）がゼ
ロになる。
れ、フィラメント電流設定値がフィラメント電流設定回
路(61)から出力され、フィラメント(70)が加熱されてい
る状態で、Ｘ線管選択器(74)にてＸ線管の選択がＸ線管
(11)からＸ線管(12)に変更されると、Ｘ線管切換制御回
路(73)によりリレー(75)がオフし高圧切換器(67)の接点
が離れる。すなわち、フィラメントトランス(3) の２次
側が開放し、無負荷になる。すると、フィラメントトラ
ンス(3) の２次側に電流が流れず、フィラメント電流実
測回路(63)よりの出力信号（フィードバック信号）がゼ
ロになる。
【００１０】したがって、オペアンプ(62)の反転入力の
入力電圧がゼロになり、フィラメント電流設定回路(61)
よりの非反転入力の入力電圧が高いためオペアンプ(62)
は、Highを出力し、トランジスタベース制御回路(64)を
通して、トランジスタ(59)をオンし、平滑コンデンサ(5
7)の電圧が上昇する。高圧切換器(67)の接点が離れてか
ら高圧切換器(68)の接点が接触するまでには比較的時間
がかかるため（１秒程度）、平滑コンデンサ(57)の充電
電圧はフィラメント制御回路(50)の最大値まで容易に上
昇する。
入力電圧がゼロになり、フィラメント電流設定回路(61)
よりの非反転入力の入力電圧が高いためオペアンプ(62)
は、Highを出力し、トランジスタベース制御回路(64)を
通して、トランジスタ(59)をオンし、平滑コンデンサ(5
7)の電圧が上昇する。高圧切換器(67)の接点が離れてか
ら高圧切換器(68)の接点が接触するまでには比較的時間
がかかるため（１秒程度）、平滑コンデンサ(57)の充電
電圧はフィラメント制御回路(50)の最大値まで容易に上
昇する。
【００１１】その後、高圧切換器(68)の接点が接触する
と、最大値まで上昇した平滑コンデンサ(57)の充電電圧
が、スイッチ素子(4a)〜(4d)でスイッチングされて焦点
切換リレー回路(65)、フィラメントトランス(3) または
(2) 、高圧切換器(68)の接点を経て、フィラメント(71)
または(72)に加えられる。この時、フィラメントには一
時的に大きな電流が流れることになる。そしてフィラメ
ント電流実測回路(63)よりの出力信号も大きな値にな
り、そして、オペアンプ(62)の反転入力端子の入力電圧
が、フィラメント電流設定回路(61)からの非反転入力端
子電圧より大きくなり、オペアンプ(62)の出力がLow と
なり、トランジスタベース制御回路(64)を通して、トラ
ンジスタ(59)をオフし、平滑コンデンサ(57)の電圧が下
降する。
と、最大値まで上昇した平滑コンデンサ(57)の充電電圧
が、スイッチ素子(4a)〜(4d)でスイッチングされて焦点
切換リレー回路(65)、フィラメントトランス(3) または
(2) 、高圧切換器(68)の接点を経て、フィラメント(71)
または(72)に加えられる。この時、フィラメントには一
時的に大きな電流が流れることになる。そしてフィラメ
ント電流実測回路(63)よりの出力信号も大きな値にな
り、そして、オペアンプ(62)の反転入力端子の入力電圧
が、フィラメント電流設定回路(61)からの非反転入力端
子電圧より大きくなり、オペアンプ(62)の出力がLow と
なり、トランジスタベース制御回路(64)を通して、トラ
ンジスタ(59)をオフし、平滑コンデンサ(57)の電圧が下
降する。
【００１２】最終的にはフィラメント電流実測回路(63)
よりの出力信号が、フィラメント電流設定回路(61)の出
力に応じた値まで下降し、一定値に収束する。その結
果、Ｘ線管が切り換えられる度にフィラメントに一時的
に大電流を流しフラッシュしていることになり、フィラ
メントの昇華が速まり、Ｘ線管の寿命を縮めることにな
る。
よりの出力信号が、フィラメント電流設定回路(61)の出
力に応じた値まで下降し、一定値に収束する。その結
果、Ｘ線管が切り換えられる度にフィラメントに一時的
に大電流を流しフラッシュしていることになり、フィラ
メントの昇華が速まり、Ｘ線管の寿命を縮めることにな
る。
【００１３】図３は、上記における各部の波形図で、Ｔ
1 はＸ線管が選択され、高圧切換器(67)の接点の開放時
点、Ｔ2 は高圧切換器(68)の接点の閉成時点、ΔＴは高
圧切換器(67)の接点が開放してから高圧切換器(68)の接
点が閉成するまでのタイムラグであり、切り換えられる
フィラメントに対するフィラメント電流の設定は、Ｔ1
とＴ2 の間で行なわれる。
1 はＸ線管が選択され、高圧切換器(67)の接点の開放時
点、Ｔ2 は高圧切換器(68)の接点の閉成時点、ΔＴは高
圧切換器(67)の接点が開放してから高圧切換器(68)の接
点が閉成するまでのタイムラグであり、切り換えられる
フィラメントに対するフィラメント電流の設定は、Ｔ1
とＴ2 の間で行なわれる。
【００１４】上記ではＸ線管の選択でフィラメントトラ
ンスの２次側に接続されるフィラメントが切り換えられ
る場合について説明したが、焦点切換えにより大焦点フ
ィラメントから小焦点フィラメントに、または、その逆
にフィラメントを切り換える場合にも同様の現象が生じ
る。なお、図１において(13)はＸ線高電圧装置で、高圧
変圧器(7) 、整流器(8) 、平滑コンデンサ(10)より構成
されている。
ンスの２次側に接続されるフィラメントが切り換えられ
る場合について説明したが、焦点切換えにより大焦点フ
ィラメントから小焦点フィラメントに、または、その逆
にフィラメントを切り換える場合にも同様の現象が生じ
る。なお、図１において(13)はＸ線高電圧装置で、高圧
変圧器(7) 、整流器(8) 、平滑コンデンサ(10)より構成
されている。
【００１５】本発明は上記に鑑み、フィラメントの切り
換え時に、Ｘ線管フィラメントに一時的に大電流を流し
フラッシュすることのないＸ線管フィラメント加熱回路
を備えたＸ線装置を提供することを目的とする。
換え時に、Ｘ線管フィラメントに一時的に大電流を流し
フラッシュすることのないＸ線管フィラメント加熱回路
を備えたＸ線装置を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、フィラメント加熱回路の高周波回路に対す
る加熱設定値信号をフィラメントの切り換えに先立ち、
低レベルに切り換えると共に、その後所定のタイミング
でフィラメントの切り換えと加熱設定値信号を所定の設
定値に切り換える制御回路を設けたことを特徴とする。
するために、フィラメント加熱回路の高周波回路に対す
る加熱設定値信号をフィラメントの切り換えに先立ち、
低レベルに切り換えると共に、その後所定のタイミング
でフィラメントの切り換えと加熱設定値信号を所定の設
定値に切り換える制御回路を設けたことを特徴とする。
【００１７】
【作用】制御回路は、フィラメントの切り換えに先立
ち、高周波回路に対する加熱設定値信号を所定の加熱設
定値信号より低い低レベル（例えば、ゼロレベル）に下
げる。その結果、高周波回路の充電電圧が下降し、所定
時間が経過すると充電電圧はゼロになる。この状態で、
制御回路はＸ線管切換器ないし焦点切換器を作動させ
る。この際、切換器の動作遅れにより、加熱トランスの
２次側が離れ無負荷になりフィードバック信号が無くな
っいも加熱設定値信号がゼロであるため、充電電圧が上
昇することはない。
ち、高周波回路に対する加熱設定値信号を所定の加熱設
定値信号より低い低レベル（例えば、ゼロレベル）に下
げる。その結果、高周波回路の充電電圧が下降し、所定
時間が経過すると充電電圧はゼロになる。この状態で、
制御回路はＸ線管切換器ないし焦点切換器を作動させ
る。この際、切換器の動作遅れにより、加熱トランスの
２次側が離れ無負荷になりフィードバック信号が無くな
っいも加熱設定値信号がゼロであるため、充電電圧が上
昇することはない。
【００１８】その後、加熱トランスの２次側が別のフィ
ラメントと接続されても、低い充電電圧よりフィラメン
トを高周波で発振加熱を始め、最終的に与えられた所定
の加熱設定値信号で加熱することになる。このことによ
り、Ｘ線管の切り換え、ないし、焦点の切り換えによ
り、フィラメントの切り換えがなされても、その度にフ
ィラメントをフラッシュすることがなくなり、フィラメ
ントの昇華を防げ、寿命を縮めることが防げる。
ラメントと接続されても、低い充電電圧よりフィラメン
トを高周波で発振加熱を始め、最終的に与えられた所定
の加熱設定値信号で加熱することになる。このことによ
り、Ｘ線管の切り換え、ないし、焦点の切り換えによ
り、フィラメントの切り換えがなされても、その度にフ
ィラメントをフラッシュすることがなくなり、フィラメ
ントの昇華を防げ、寿命を縮めることが防げる。
【００１９】
【実施例】以下、本発明の一実施例を示す図１に基づい
て説明する。図において、 (1)は制御回路で、マイクロ
コンピュータで構成されており、フィラメント電流設定
回路(61)に所定の加熱設定値信号と、フィラメント切り
換え時のゼロレベル等の低レベル設定値信号を与えると
共に、焦点切換え制御回路(66)、Ｘ線管選択器(74)を制
御し、フィラメントトランス(2)(3)に接続されるフィラ
メントの切り換えを行なう。なお、図中、制御回路(1)
以外については従来の技術の項で説明したので、その説
明は省略する。
て説明する。図において、 (1)は制御回路で、マイクロ
コンピュータで構成されており、フィラメント電流設定
回路(61)に所定の加熱設定値信号と、フィラメント切り
換え時のゼロレベル等の低レベル設定値信号を与えると
共に、焦点切換え制御回路(66)、Ｘ線管選択器(74)を制
御し、フィラメントトランス(2)(3)に接続されるフィラ
メントの切り換えを行なう。なお、図中、制御回路(1)
以外については従来の技術の項で説明したので、その説
明は省略する。
【００２０】つぎに、Ｘ線管(11)の大焦点が選択され、
フィラメント電流設定値がフィラメント電流設定回路(6
1)から出力されフィラメント(70)が加熱されている状態
で、Ｘ線管選択器(74)にてＸ線管(11)からＸ線管(12)に
切り換えられる場合を例に、制御回路(1) の作動を図２
の波形図との関連において説明する。
フィラメント電流設定値がフィラメント電流設定回路(6
1)から出力されフィラメント(70)が加熱されている状態
で、Ｘ線管選択器(74)にてＸ線管(11)からＸ線管(12)に
切り換えられる場合を例に、制御回路(1) の作動を図２
の波形図との関連において説明する。
【００２１】制御回路(1) は、Ｘ線管選択器(74)に制御
信号（Ｘ線管選択信号）を送出するに先立ち、図２のｔ
1 の時点で、フィラメント電流設定回路(61)のＸ線管(1
1)に対する所定の加熱設定信号をゼロにする。その結果
フィラメント電流設定回路(61)の出力がゼロになるの
で、オペアンプ(62)の非反転入力端子がゼロになり、オ
ペアンプ(62)はLow を出力し、トランジスタベース制御
回路(64)を通して、トランジスタ(59)をオフする。平滑
コンデンサ(57)の電圧が下降し、所定時間後、平滑コン
デンサ(57)の電圧がゼロレベルの低レベルまで下がる。
信号（Ｘ線管選択信号）を送出するに先立ち、図２のｔ
1 の時点で、フィラメント電流設定回路(61)のＸ線管(1
1)に対する所定の加熱設定信号をゼロにする。その結果
フィラメント電流設定回路(61)の出力がゼロになるの
で、オペアンプ(62)の非反転入力端子がゼロになり、オ
ペアンプ(62)はLow を出力し、トランジスタベース制御
回路(64)を通して、トランジスタ(59)をオフする。平滑
コンデンサ(57)の電圧が下降し、所定時間後、平滑コン
デンサ(57)の電圧がゼロレベルの低レベルまで下がる。
【００２２】この状態で、制御回路(1) よりの制御信号
でＸ線管選択器(74)にてＸ線管の選択がＸ線管(11)から
Ｘ線管(12)に変更されると、Ｘ線管切換制御回路(73)に
よりリレー(75)がオフし、高圧切換器(67)の接点が図２
のＴ1 の時点で離れ、フィラメントトランス(3) の２次
側に電流が流れなくなる。フィラメント電流実測回路(6
3)よりの入力電圧がゼロになっても、オペアンプ(62)の
非反転入力端子がゼロになっているため、オペアンプ(6
2)の出力はHighにならない。トランジスタ(59)はオフの
ままであり、平滑コンデンサ(57)の電圧は低レベルのま
まとなる。
でＸ線管選択器(74)にてＸ線管の選択がＸ線管(11)から
Ｘ線管(12)に変更されると、Ｘ線管切換制御回路(73)に
よりリレー(75)がオフし、高圧切換器(67)の接点が図２
のＴ1 の時点で離れ、フィラメントトランス(3) の２次
側に電流が流れなくなる。フィラメント電流実測回路(6
3)よりの入力電圧がゼロになっても、オペアンプ(62)の
非反転入力端子がゼロになっているため、オペアンプ(6
2)の出力はHighにならない。トランジスタ(59)はオフの
ままであり、平滑コンデンサ(57)の電圧は低レベルのま
まとなる。
【００２３】Ｔ1 からΔＴ経過したＴ2 の時点で高圧切
換器(68)の接点が閉成し、それよりΔｔ経過したｔ2 の
時点で制御回路(1) は、フィラメント電流設定回路(61)
の設定値をＸ線管(12)に対する所定の加熱設定値信号Ｉ
ｓに設定する。したがって、高圧切換器(68)の接点が接
触しても、平滑コンデンサ(57)の充電が低レベルの状態
から始まり、フィラメント電流設定回路(61)の出力に応
じた値まで上昇し一定値に収束し、フィラメントが切り
換えられる度にフィラメントをフラッシュすることがな
くなってフィラメントの昇華を防げる。
換器(68)の接点が閉成し、それよりΔｔ経過したｔ2 の
時点で制御回路(1) は、フィラメント電流設定回路(61)
の設定値をＸ線管(12)に対する所定の加熱設定値信号Ｉ
ｓに設定する。したがって、高圧切換器(68)の接点が接
触しても、平滑コンデンサ(57)の充電が低レベルの状態
から始まり、フィラメント電流設定回路(61)の出力に応
じた値まで上昇し一定値に収束し、フィラメントが切り
換えられる度にフィラメントをフラッシュすることがな
くなってフィラメントの昇華を防げる。
【００２４】なお、実施例では高周波回路（インバータ
回路）をＦＥＴで構成したが、トランジスタ、またはサ
イリスタ等の他のスイッチング素子で構成してもよい。
また、フィラメント電流設定値を所定の加熱設定値に切
り換える時点ｔ2 は、平滑コンデンサ(57)の電圧に応じ
て変化させるようにしてもよい。
回路）をＦＥＴで構成したが、トランジスタ、またはサ
イリスタ等の他のスイッチング素子で構成してもよい。
また、フィラメント電流設定値を所定の加熱設定値に切
り換える時点ｔ2 は、平滑コンデンサ(57)の電圧に応じ
て変化させるようにしてもよい。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、Ｘ線管フィラメント加
熱回路に接続されるフィラメントの切り換え時にフィラ
メントをフラッシュすることがないので、フィラメント
の昇華を防止し、Ｘ線管の長寿命化が計れる。
熱回路に接続されるフィラメントの切り換え時にフィラ
メントをフラッシュすることがないので、フィラメント
の昇華を防止し、Ｘ線管の長寿命化が計れる。
【図１】本発明の一実施例の構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図２】図１のブロック図の各部の波形図である。
【図３】従来のＸ線管フィラメント加熱回路の動作説明
用波形図である。
用波形図である。
(1) ：制御回路 (11)，(12)：Ｘ線管 (69)，(70)，(71)，(72)：フィラメント (13)：Ｘ線高電圧装置 (7)…高圧変圧器 (8)…整流器 (10)…平滑
コンデンサ (50)：フィラメント加熱回路 (2),(3)…フィラメント（加熱）トランス (4a),(4b),(4c),(4d)…インバータ回路を構成するスイ
ッチグ素子 (59)：トランジスタ (61)：フィラメント電流設定
回路 (62)：オペアンプ（比較器） (63)：フィラメント
電流実測回路 (64)：トランジスタベース制御回路 (65)：焦点切
換リレー回路 (66)：焦点切換制御回路 (67)，(68)：高圧切換器 (73)：Ｘ線管切換制御回路 (74)：Ｘ線管選択器 (75)，(76)：リレー
コンデンサ (50)：フィラメント加熱回路 (2),(3)…フィラメント（加熱）トランス (4a),(4b),(4c),(4d)…インバータ回路を構成するスイ
ッチグ素子 (59)：トランジスタ (61)：フィラメント電流設定
回路 (62)：オペアンプ（比較器） (63)：フィラメント
電流実測回路 (64)：トランジスタベース制御回路 (65)：焦点切
換リレー回路 (66)：焦点切換制御回路 (67)，(68)：高圧切換器 (73)：Ｘ線管切換制御回路 (74)：Ｘ線管選択器 (75)，(76)：リレー
Claims (1)
- 【請求項１】 ２次側にフィラメントが接続される加熱
トランスの１次側に高周波回路が接続され、フィラメン
ト電流実測値と所定の加熱設定値信号とを比較し、実測
値が加熱設定値になるように前記高周波回路の入力電圧
を制御するようにしたフィラメント加熱回路を有し、前
記加熱トランスの２次側に接続されるフィラメントを切
り換えるようにしたＸ線装置において、フィラメントの
切り換えに先立ち、加熱設定値信号を低レベルに切り換
えると共に、その後所定のタイミングでフィラメントの
切り換えと加熱設定値信号を所定の加熱設定値信号に切
り換える制御回路を設けたことを特徴とするＸ線装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26183792A JP2616531B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | Ｘ線装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26183792A JP2616531B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | Ｘ線装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06111992A true JPH06111992A (ja) | 1994-04-22 |
| JP2616531B2 JP2616531B2 (ja) | 1997-06-04 |
Family
ID=17367436
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26183792A Expired - Fee Related JP2616531B2 (ja) | 1992-09-30 | 1992-09-30 | Ｘ線装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2616531B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006244940A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Toshiba Corp | 医療用ｘ線管装置及び医療用ｘ線管制御方法 |
| JP2018011860A (ja) * | 2016-07-22 | 2018-01-25 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | Ｘ線ｃｔ装置及びプログラム |
-
1992
- 1992-09-30 JP JP26183792A patent/JP2616531B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006244940A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-09-14 | Toshiba Corp | 医療用ｘ線管装置及び医療用ｘ線管制御方法 |
| JP2018011860A (ja) * | 2016-07-22 | 2018-01-25 | ゼネラル・エレクトリック・カンパニイ | Ｘ線ｃｔ装置及びプログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2616531B2 (ja) | 1997-06-04 |
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