JPH06104221A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
- Publication number
- JPH06104221A JPH06104221A JP24958392A JP24958392A JPH06104221A JP H06104221 A JPH06104221 A JP H06104221A JP 24958392 A JP24958392 A JP 24958392A JP 24958392 A JP24958392 A JP 24958392A JP H06104221 A JPH06104221 A JP H06104221A
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- JP
- Japan
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- gas
- etching
- aluminum alloy
- plasma
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】アルミニウム合金のエッチングにおいて下地Ｓ
ｉＯ2膜表面に残渣のないエッチングを行うことができ
るドライエッチング方法を提供する。 【構成】アルミニウム合金をハロゲン系ガスのプラズマ
によってエッチングする方法において、前記ハロゲン系
ガスのプラズマによるエッチング処理前にＢＣｌ3ガ
ス、またはＢＣｌ3リッチなガスのプラズマにより、ア
ルミニウム合金の被エッチング表面に形成されている酸
化物を除去する。 【効果】前記ＢＣｌ3ガス、またはＢＣｌ3リッチなガス
のプラズマによりアルミニウム合金表面をエッチングす
ることで、下地ＳｉＯ2膜表面に残渣のないアルミニウ
ム合金膜エッチングを行うことができる。
ｉＯ2膜表面に残渣のないエッチングを行うことができ
るドライエッチング方法を提供する。 【構成】アルミニウム合金をハロゲン系ガスのプラズマ
によってエッチングする方法において、前記ハロゲン系
ガスのプラズマによるエッチング処理前にＢＣｌ3ガ
ス、またはＢＣｌ3リッチなガスのプラズマにより、ア
ルミニウム合金の被エッチング表面に形成されている酸
化物を除去する。 【効果】前記ＢＣｌ3ガス、またはＢＣｌ3リッチなガス
のプラズマによりアルミニウム合金表面をエッチングす
ることで、下地ＳｉＯ2膜表面に残渣のないアルミニウ
ム合金膜エッチングを行うことができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はドライエッチング方法に
係り、特にアルミニウム合金のエッチングに好適なドラ
イエッチング方法に関するものである。
係り、特にアルミニウム合金のエッチングに好適なドラ
イエッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の方法は、例えば特開昭５７−４５
３１０号公報に記載のように、アルミニウム合金をＢＣ
ｌ3＋Ｃｌ2ガスを用いてプラズマエッチングするものが
知られている。Ａｌ表面層の自然酸化膜除去は考慮され
ていない。
３１０号公報に記載のように、アルミニウム合金をＢＣ
ｌ3＋Ｃｌ2ガスを用いてプラズマエッチングするものが
知られている。Ａｌ表面層の自然酸化膜除去は考慮され
ていない。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術は、被エ
ッチング膜表面に形成される酸化物により、前記ＢＣｌ
3＋Ｃｌ2ガスプラズマによるエッチングだけでは、この
酸化物が核となりエッチング後下地膜表面にエッチング
残り（以下「残渣」とする）が生じるという問題があっ
た。
ッチング膜表面に形成される酸化物により、前記ＢＣｌ
3＋Ｃｌ2ガスプラズマによるエッチングだけでは、この
酸化物が核となりエッチング後下地膜表面にエッチング
残り（以下「残渣」とする）が生じるという問題があっ
た。
【０００４】本発明の目的は、アルミニウム合金のエッ
チングにおいて残渣のないエッチングを行うことのでき
るドライエッチング方法を提供することにある。
チングにおいて残渣のないエッチングを行うことのでき
るドライエッチング方法を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的は、アルミニウ
ム合金をハロゲン系ガスのプラズマによってエッチング
する方法において、前記ハロゲン系ガスプラズマによる
エッチング処理前にＢＣｌ3ガス、またはＢＣｌ3リッチ
なガスのプラズマによって、前記アルミニウム合金の被
エッチング面に形成された酸化物を除去するようにした
ものである。
ム合金をハロゲン系ガスのプラズマによってエッチング
する方法において、前記ハロゲン系ガスプラズマによる
エッチング処理前にＢＣｌ3ガス、またはＢＣｌ3リッチ
なガスのプラズマによって、前記アルミニウム合金の被
エッチング面に形成された酸化物を除去するようにした
ものである。
【０００６】
【作用】本発明の作用を以下に示す。
【０００７】被エッチング膜表面に形成された酸化物
を、前記ＢＣｌ3ガス、またはＢＣｌ3リッチなガスのプ
ラズマにより、このガスが有する還元効果を用い、酸化
物を除去する。前記従来のハロゲン系ガスによるエッチ
ングでは、酸化物が均一に除去できず、またアルミニウ
ム合金と上層レジスト界面にエッチングによるくいこみ
がみられる為、前記ＢＣｌ3ガスまたはＢＣｌ3リッチな
ガスのプラズマによるエッチングを用いる。
を、前記ＢＣｌ3ガス、またはＢＣｌ3リッチなガスのプ
ラズマにより、このガスが有する還元効果を用い、酸化
物を除去する。前記従来のハロゲン系ガスによるエッチ
ングでは、酸化物が均一に除去できず、またアルミニウ
ム合金と上層レジスト界面にエッチングによるくいこみ
がみられる為、前記ＢＣｌ3ガスまたはＢＣｌ3リッチな
ガスのプラズマによるエッチングを用いる。
【０００８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１及び図２によ
り説明する。
り説明する。
【０００９】図１（ａ）は本発明の一実施例である被エ
ッチング膜が構成されるウェハの断面状態を示す。シリ
コン基板４上に絶縁膜である下地ＳｉＯ2膜３を形成
し、その上にアルミニウム合金膜２を形成し、その上に
マスク１を形成したものとなっている。このようなアル
ミニウム合金膜２の表面には極めて薄い酸化物５が形成
されており、図１（ａ）,（ｂ）,（ｃ）と順次にエッチ
ングが進行するにつれてアルミニウム合金膜２表面に形
成されていた酸化膜５を核として図１（ｃ）に示す通
り、アルミニウム合金２がエッチングされなくなった状
態において、下地ＳｉＯ2膜３表面の残渣６となる。
ッチング膜が構成されるウェハの断面状態を示す。シリ
コン基板４上に絶縁膜である下地ＳｉＯ2膜３を形成
し、その上にアルミニウム合金膜２を形成し、その上に
マスク１を形成したものとなっている。このようなアル
ミニウム合金膜２の表面には極めて薄い酸化物５が形成
されており、図１（ａ）,（ｂ）,（ｃ）と順次にエッチ
ングが進行するにつれてアルミニウム合金膜２表面に形
成されていた酸化膜５を核として図１（ｃ）に示す通
り、アルミニウム合金２がエッチングされなくなった状
態において、下地ＳｉＯ2膜３表面の残渣６となる。
【００１０】本発明は前記残渣６のエッチング初期段階
からの除去、つまり核となる酸化物５の除去を目的と
し、第１ステップとして前記ＢＣｌ3ガス、またはＢＣ
ｌ3リッチなガスのプラズマによりＢＣｌ3ガスが持つ還
元効果によりアルミニウム合金２表面に形成される酸化
物５を除去し、第２ステップとして従来のハロゲン系ガ
スによるエッチングを用いる。また、従来のハロゲン系
ガスにおいてアルミニウム合金２表面の酸化物５の除去
は可能ではあるが、Ｃｌ2リッチな条件の為、酸化物５
除去のエッチング速度が速いため、アルミニウム合金２
表面に形成される酸化物５のエッチング速度の均一性が
悪く、最後まで残った部分が核となり残渣６なる。また
同様にマスク１とアルミニウム合金２の界面にアルミニ
ウム合金２のエッチングくいこみが生じていた。
からの除去、つまり核となる酸化物５の除去を目的と
し、第１ステップとして前記ＢＣｌ3ガス、またはＢＣ
ｌ3リッチなガスのプラズマによりＢＣｌ3ガスが持つ還
元効果によりアルミニウム合金２表面に形成される酸化
物５を除去し、第２ステップとして従来のハロゲン系ガ
スによるエッチングを用いる。また、従来のハロゲン系
ガスにおいてアルミニウム合金２表面の酸化物５の除去
は可能ではあるが、Ｃｌ2リッチな条件の為、酸化物５
除去のエッチング速度が速いため、アルミニウム合金２
表面に形成される酸化物５のエッチング速度の均一性が
悪く、最後まで残った部分が核となり残渣６なる。また
同様にマスク１とアルミニウム合金２の界面にアルミニ
ウム合金２のエッチングくいこみが生じていた。
【００１１】次にこのようにエッチングを行う装置の例
を図２に示す。
を図２に示す。
【００１２】処理室１７の上部には石英製の放電管１０
が設けてあり、真空処理室を形成している。処理室１０
には真空処理室内にエッチング用ガスを供給するガス供
給源（図示省略）につながるガス供給口１２が設けてあ
り、また真空排気装置（図示省略）につながる排気口１
５が設けてある。処理室１７内には被エッチング材であ
るウェハ１６を配置する試料台１３が設けてある。試料
台１３には高周波電源１８が接続してあり、試料台１３
に高周波電力を印加可能になっている。放電管１０の外
側には放電管１０を囲んで導波管１４が設けてあり、さ
らにその外側には放電管１０内に磁界を発生させるコイ
ル１１が設けてある。導波管１４の端部にはマイクロ波
を発するマグネトロン１９が設けてある。
が設けてあり、真空処理室を形成している。処理室１０
には真空処理室内にエッチング用ガスを供給するガス供
給源（図示省略）につながるガス供給口１２が設けてあ
り、また真空排気装置（図示省略）につながる排気口１
５が設けてある。処理室１７内には被エッチング材であ
るウェハ１６を配置する試料台１３が設けてある。試料
台１３には高周波電源１８が接続してあり、試料台１３
に高周波電力を印加可能になっている。放電管１０の外
側には放電管１０を囲んで導波管１４が設けてあり、さ
らにその外側には放電管１０内に磁界を発生させるコイ
ル１１が設けてある。導波管１４の端部にはマイクロ波
を発するマグネトロン１９が設けてある。
【００１３】このような装置ではガス供給口１２から真
空処理室内にエッチング用処理ガスを供給するとともに
真空処理室内を所定の圧力に減圧、排気し、導波管１４
によってマグネトロン１９からのマイクロ波を放電管１
０内に導入するとともにコイル１１によって磁界を形成
し、マイクロ波の電界とコイル１１による磁界との作用
によって放電管１０内の処理ガスをプラズマ化する。さ
らに高周波電源１８によって試料台１３に高周波電力を
印加し、バイアス電圧を生じさせ、プラズマ中のイオン
をウェハ１６側に引込み、異方性エッチングを行わせる
ようにしている。
空処理室内にエッチング用処理ガスを供給するとともに
真空処理室内を所定の圧力に減圧、排気し、導波管１４
によってマグネトロン１９からのマイクロ波を放電管１
０内に導入するとともにコイル１１によって磁界を形成
し、マイクロ波の電界とコイル１１による磁界との作用
によって放電管１０内の処理ガスをプラズマ化する。さ
らに高周波電源１８によって試料台１３に高周波電力を
印加し、バイアス電圧を生じさせ、プラズマ中のイオン
をウェハ１６側に引込み、異方性エッチングを行わせる
ようにしている。
【００１４】
【発明の効果】本発明はアルミニウム合金のエッチング
において、残渣のないエッチングを行うことができると
いう効果がある。
において、残渣のないエッチングを行うことができると
いう効果がある。
【図１】本発明の一実施例であるドライエッチング方法
を示す被エッチング面の断面図である。
を示す被エッチング面の断面図である。
【図２】図１の方法を実施する為の装置の一例を示す構
成図である。
成図である。
１…マスク、２…アルミニウム合金、３…下地ＳｉＯ2
膜、４…シリコン基板、５…酸化物、６…残渣。
膜、４…シリコン基板、５…酸化物、６…残渣。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 光田 明彦 山口県下松市大字東豊井794番地 株式会 社日立製作所笠戸工場内
Claims (3)
- 【請求項１】アルミニウム合金をハロゲン系ガスのプラ
ズマによってエッチングする方法において、前記ハロゲ
ン系ガスプラズマによるエッチング処理前にＢＣｌ3ガ
ス、またはＢＣｌ3リッチなガスのプラズマによって、
前記アルミニウム合金の被エッチング面に形成されたＡ
ｌ2Ｏ3を除去する工程を有することを特徴とするドライ
エッチング方法。 - 【請求項２】前記ハロゲン系ガスはＢＣｌ3＋Ｃｌ2であ
る請求項１記載のドライエッチング方法。 - 【請求項３】前記ガスはＢＣｌ3、またはＢＣｌ3リッチ
である請求項１記載のドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24958392A JPH06104221A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24958392A JPH06104221A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | ドライエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06104221A true JPH06104221A (ja) | 1994-04-15 |
Family
ID=17195174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24958392A Pending JPH06104221A (ja) | 1992-09-18 | 1992-09-18 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06104221A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5511167A (en) * | 1978-07-12 | 1980-01-25 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Dry etching method |
| JPS61134024A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1992
- 1992-09-18 JP JP24958392A patent/JPH06104221A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5511167A (en) * | 1978-07-12 | 1980-01-25 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Dry etching method |
| JPS61134024A (ja) * | 1984-12-05 | 1986-06-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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