JPH06103641B2 - 混成集積回路基板 - Google Patents

混成集積回路基板

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JPH06103641B2
JPH06103641B2 JP61301076A JP30107686A JPH06103641B2 JP H06103641 B2 JPH06103641 B2 JP H06103641B2 JP 61301076 A JP61301076 A JP 61301076A JP 30107686 A JP30107686 A JP 30107686A JP H06103641 B2 JPH06103641 B2 JP H06103641B2
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JP
Japan
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undercoat
integrated circuit
hybrid integrated
circuit board
conductive path
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JP61301076A
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JPS63153801A (ja
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可伸 安部
幸春 鈴木
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Tamura Corp
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Tamura Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は、抵抗部構造に特徴を有する混成集積回路基板
(ハイブリッドIC基板)に関するものである。
(従来の技術) 従来、混成集積回路基板に抵抗部を形成する場合、第2
図に示されるように、下地金属板としてのアルミニウム
板11上に絶縁材(例えばエポキシ樹脂層)12を介し銅箔
13さらにアルミニウム箔又はニッケル箔14からなる導電
路が積層一体化された基板が使われている。この種の基
板を用いると、ベアチップのアルミニウム線とのワイヤ
ボンダで非常に好都合である。
そして、前記銅箔13の欠除部15間にアンダーコート16が
設けられ、このアンダーコート16上で前記銅箔13間に電
極部17を介して抵抗部 (PolimerThickFilm抵抗部、以下PTF抵抗部という)18
が形成されている。
このPTF抵抗部18は、アルミニウム箔又はニッケル箔14
はもちろん銅箔13とも良好なオーミックコンタクト(電
気的接合)をとることができず、ノイズ特性の低下を生
ずるので、PTF抵抗部18及び銅箔13のいずれともオーミ
ックコンタクトを取れるポリイミド系銀ペースト等の導
電性ペーストを前記電極部17となるように予め銅箔13上
に塗布しておき、そして一側の導電性ペーストから他側
の導電性ペーストにわたってPTF抵抗ペーストを塗布す
るようにする。
前記電極部17となる導電性ペーストは、前記アルミニウ
ム箔又はニッケル箔14の一部を剥離した部分19に塗布す
ることで、この部分の全厚みが増えることを押えるよう
にしている。
(発明が解決しようとする問題点) このように、従来の基板はアンダーコート16と電極部
(導電性ペースト)17との間に深い谷部が形成されてい
るため、この谷部でPTF抵抗部(PTF抵抗ペースト)18の
厚みが大きくなり、PTF抵抗ペーストを乾燥(100℃)、
加熱(150℃)する際に第2図に示されるように前記電
極部17の近傍でPTF抵抗部18にヘアクラックAが入ると
いう欠点があることが、実験の結果分った。
本発明の目的は、抵抗部にヘアクラックが入らない構造
の混成集積回路基板を提供することにある。
〔発明の構成〕
(問題点を解決するための手段) 本発明は、絶縁材12上に導電路13が形成され、その導電
路13の欠除部15にアンダーコート26が設けられ、このア
ンダーコート26上で前記導電路13間に電極部27を介して
抵抗部28が形成された混成集積回路基板において、前記
アンダーコート26は、導電路13にラップすることなくこ
の導電路13にできるだけ隣接して設けられ、前記電極部
27は、前記アンダーコート26と導電路13との両方にまた
がるように形成されたものである。
(作用) 本発明は、アンダーコート26と導電路13との間の谷部を
なくし、さらに万一、谷部が生じても、その谷部は電極
部(導電性ペースト)27によって埋められるので、抵抗
部28がその谷部で厚くなることがなく、したがってその
部分で抵抗部28にヘアクラックが生ずるおそれもない。
(実施例) 以下、本発明を第1図に示される実施例を参照して詳細
に説明する。なお、従来例(第2図)と同一構造部分に
は同一符号を付してその説明を省略する。
この混成集積回路基板は、導電路としての銅箔13の欠除
部15にアンダーコート26が設けられ、このアンダーコー
ト26上で前記銅箔13間に電極部27を介して抵抗部として
のPTF抵抗部28が形成されている。
このPTF抵抗部28の厚みの不均一性、特にアンダーコー
ト26と銅箔13との間に形成されやすい谷部のように深い
段差を解消するため、電極部27の近傍のアルミニウム箔
又はニッケル箔14の一部を剥離して銅箔13の素地を出す
とともに、アンダーコート26を銅箔13と同じ位の厚さと
なるよう、又このアンダーコート26を銅箔13にラップす
ることなくこの銅箔13にできるだけ隣接して塗布する。
これにより、銅箔13の表面とPTF抵抗ペーストの塗布面
であるアンダーコート26の表面との段差がほぼ解消され
る。
さらに、前記PTF抵抗部の電極部27となる導電性ペース
トを、銅箔13とアンダーコート26との両方にまたがるよ
うに塗布することにより、万一、銅箔13とアンダーコー
ト26との間に谷部があったとしても、この谷部を前記導
電性ペーストが埋めてしまい、さらにこの導電性ペース
トによって、銅箔13とPTF抵抗部28との間でオーミック
コンタクトがとれるようにする。
このように塗布されたアンダーコート26及び電極部27と
なる導電性ペーストの上面に抵抗部28となる前記PTF抵
抗ペーストを塗布し、乾燥し、加熱する。
〔発明の効果〕
本発明によれば、アンダーコートは、導電路にラップす
ることなくこの導電路にできるだけ隣接して設けられ、
抵抗部の電極部は、前記アンダーコートと導電路との両
方にまたがるように形成されたから、抵抗部の厚みの著
しい不均一性を解消でき、したがってこの抵抗部に、乾
燥及び加熱によるヘアクラックが発生するおそれを防止
できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の混成集積回路基板の一実施例を示す断
面図、第2図は従来の混成集積回路基板の断面図であ
る。 12……絶縁材、13……導電路、15……欠除部、26……ア
ンダーコート、27……電極部、28……抵抗部。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】絶縁材上に導電路が形成され、その導電路
    の欠除部にアンダーコートが設けられ、このアンダーコ
    ート上で前記導電路間に電極部を介して抵抗部が形成さ
    れた混成集積回路基板において、前記アンダーコート
    は、導電路にラップすることなくこの導電路にできるだ
    け隣接して設けられ、前記電極部は、前記アンダーコー
    トと導電路との両方にまたがるように形成されたことを
    特徴とする混成集積回路基板。
JP61301076A 1986-12-17 1986-12-17 混成集積回路基板 Expired - Lifetime JPH06103641B2 (ja)

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JPS63153801A JPS63153801A (ja) 1988-06-27
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JPS5848941A (ja) * 1981-09-18 1983-03-23 Fujitsu Ltd 半導体装置とその製造方法

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