JPH059626B2 - - Google Patents

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JPH059626B2
JPH059626B2 JP58176574A JP17657483A JPH059626B2 JP H059626 B2 JPH059626 B2 JP H059626B2 JP 58176574 A JP58176574 A JP 58176574A JP 17657483 A JP17657483 A JP 17657483A JP H059626 B2 JPH059626 B2 JP H059626B2
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Description

【発明の詳細な説明】 発明の背景と要約 本発明は、誘導負荷を駆動する非線形回路に関
し、特に、内燃機関の燃料噴射装置に使用される
スイツチング駆動回路に関する。
内燃機関の噴射装置のための従来の駆動または
ソレノイド制御回路は、線形ソレノイド駆動回路
を利用して燃料噴射装置と関連されたソレノイド
弁のコイルの立上り電流に急激な変化を生じさ
せ、出力していた。これら線形駆動回路あるいは
装置はフイードバツク手法を使つて噴射装置の電
流レベルを制御しており、時々ブースト電圧回路
網を利用して噴射装置のコイルを周期的に過駆動
する大きな電圧レベルを発生させることがあつ
た。これらの装置は十分に作用するが、しかし、
時々電力消費の高いものとして特徴付けられてい
る。加えて、発生される多量の熱を放熱する必要
から、それらの装置が容器がどうしても大きくな
りがちである。本発明は上記事情にかんがみてな
されたもので、消費電力が軽減され、かつ発生さ
れる熱量の少ないソレノイド制御ユニツトを提供
することを目的とする。
本発明は、それぞれコイルを有するタイプであ
りかつ個々のコイルを流れる電流を表した電圧を
発生する抵抗のような感知手段と関連されている
エンジンの燃料噴射装置の少なくとも1つの動作
を、少なくとも1つのエンジンパラメータに応じ
て電子制御ユニツトにより発生される流量調節信
号に応答して制御するソレノイド制御ユニツトで
あつて、 各噴射装置と関連されており、引込信号に応答
してバツテリによつて発生される電圧より高いブ
ースト電圧信号を引込信号と同期して発生し、蓄
えるブースト電圧発生手段と、 流量調節信号の特定の1つを受けて特定の感知
抵抗に伝えそしてその感知抵抗の電圧を入力する
よう各噴射装置と関連されており、対応する噴射
装置の電流が所定値を下回る第1の電流基準レベ
ルにある間オン制御信号を発生し、噴射装置の電
流が所定値を上回る第2の電流基準レベルにある
時オフ制御信号を発生するオン/オフスイツチ制
御手段と、引込信号が存在している間第1の電圧
基準レベル信号を発生し、その後の期間は低い第
2の電圧基準レベル信号を発生するようにした引
込信号に応答する電圧源回路網手段とから成るス
イツチング回路手段と、 それぞれが各噴射装置と関連されてブースト電
圧信号、オン制御信号、オフ制御信号および引込
信号に応答するものであつて、オン制御信号の後
に受けた引込信号に応答してブースト電圧信号ま
たはバツテリ電圧を噴射装置に伝えると共にオフ
制御信号の受信に応答して噴射装置を負帰還また
は再循環回路に接続して噴射装置の電流を減衰さ
せる混成電力回路手段と を備えたソレノイド制御ユニツトを対象としてお
り、その特徴とするところは、ブースト電圧発生
手段はパルススイツチングタイプものであつてブ
ースト電圧が引込信号と引込信号との間の期間に
発生されかつ引込信号の存在の間は禁止されるこ
と、およびソレノイド制御ユニツトは更に受信し
た流量調節信号に応答してオン制御信号よりも時
間的に遅れた引込信号を発生する引込信号発生手
段を備えていることにある。
本発明によれば、パルススイツチングタイプの
ブースト電圧発生手段を使用することで、上記目
的が達成される。すなわち、パルススイツチング
方式とすることで、バツテリの電力流出、電力消
費及びこのソレノイド制御ユニツトによつて発生
される熱量が減少される。また、本発明において
は、ブースト電圧を噴射装置のコイルに供給して
いる間、すなわち引込信号が存在する間はブース
ト電圧の発生を禁止しており、これが電圧消費及
び発熱量の軽減に寄与し、しかも、引込信号と次
の引込信号との間にて反復して発生されるブース
ト電圧は常にブースト電圧の発生が禁止されてい
た状態から開始されるため一定の値が得られるこ
とにもなる。
さらに、本発明では、噴射装置にブースト電圧
を供給する引込信号の発生に先立つて混成電力回
路手段に先にオン制御信号を作用させることで、
噴射装置へブースト電圧を直接供給する素子の電
圧ストレスを緩和している。
以下添付図面を例示した本発明の好適な実施例
について詳述する。
図面の詳細な説明 第1図には本発明のブロツク図が示してある。
詳しくはソレノイド制御ユニツト20が示されて
いる。このソレノイド制御ユニツト20は内燃機
関(図示しない)の複数の燃料噴射装置50を駆
動する複数のスイツチング駆動回路22a〜22
dを有しており、ここで各燃料噴射装置50はコ
イル52を有するソレノイドを備えたものであ
る。各コイル52は関連する感知抵抗54に接続
されている。ソレノイド制御ユニツト20はバツ
テリ32と電圧レギレータ34とを含む電源手段
30に接続されている。ソレノイド制御ユニツト
20は、少なくとも1つのエンジン動作パラメー
タに応答して長さの決定できる一連の流量調節パ
ルスを発生するように既知の電子制御ユニツト
(ECU)40の出力に応答する。各流量調節パル
スは、好適には、燃料噴射装置50の特定の1つ
と、あるいは燃料噴射装置の1グループと関連さ
れた特定の駆動回路22へ分配される。ソレノイ
ド制御ユニツト20の各駆動回路22はさらに、
流量調節パルスの特定の1つを受けるようにされ
た各燃料噴射装置50と関連されているスイツチ
ング回路60を含んでいる。模範的なスイツチン
グ回路60は第2図および第4図に関連して十分
に述べられる。各スイツチング回路60はその対
応する感知抵抗54からの電流帰還を利用してお
り、中でも、流量調節パルスの特定の1つに応答
して引込信号を発生する手段と、オン制御信号を
発生させるオン制御回路と、オフ制御信号を発生
させるオフ制御回路66とを含んでいる。これら
の機能は第4図の記載のところに述べる。ソレノ
イド制御ユニツト20はさらに、各駆動回路22
について1つのブースト信号を発生する1つのス
イツチング型ブースト電圧発生器70を含んでい
る。このブースト電圧はバツテリ32の電圧を充
分に越えるものであり、適当なスイツチング回路
60によつて発生された引込パルスのそれぞれに
同期して発生される。第1図は4つの噴射装置を
制御する装置を示していることに注意されたい。
しかし、本発明はそれに限定されるものではな
い。ブースト電圧発生器70の詳細な実施例は第
8図に関連して説明する。ソレノイド制御ユニツ
ト20はさらに混成電力回路80a〜80dを含
んでおり、それぞれは各噴射装置50と関連さ
れ、ブースト電圧発生器70によつて発生される
ブースト電圧信号と、このブースト電圧を燃料噴
射装置50の特定の1つに選択的に印加する関連
スイツチング回路60によつて発生されるオン制
御信号とオフ制御信号とに応答する。ソレノイド
制御ユニツト20はさらに、各噴射装置50の電
流をモニタしてアースへのシヨートの如き故障状
態を決定する、あるいは回路の故障をモニタして
ブースト電圧を発生するような診断回路網90を
含むこともできる。この診断回路網90は第8図
および第9図に関連して更に詳細に述べる。
次に、第2図および第3図を参照する。第2図
は模範的な混成電力回路80とスイツチング回路
60との相互関係を示している。混成電力回路8
0の詳細な実施例は第3図に示してある。混成電
力回路80のピンP1〜P7は次のように接続さ
れる。ピンP1,P4およびP5は関連するスイ
ツチング回路60によつて発生された引込信号、
オン制御信号およびオフ制御信号を受けるように
されている。ピンP3はブースト電圧発生器70
の出力より発生されたブースト電圧を受けるよう
にされ、ピンP6はバツテリ32に接続され、ピ
ンP2はソレノイドコイル52の一方の端子に接
続される。ピンP7はアースされる。
混成電力回路80の多くの機能は噴射装置に電
力を供給することであり、噴射装置の電流を少な
くさせることのできる再循環電流経路を与えるこ
とである。ピンP3で受けたブースト電圧の特定
の噴射装置コイル52への印加は、トランジスタ
112,114を含むダーリントン対110へ接
続された出力あるいはコレクタ端子104を有す
るNPNトランジスタ102のような第1駆動手
段に関連してなされる。トランジスタ102のエ
ミツタ端子102は抵抗124を介してアースに
接続されている。トランジスタ114のエミツタ
端子はブースト電圧発生器70によつて発生され
たブースト電圧信号を受けるようにされている。
トランジスタ112,114の出力またはコレク
タ端子はスイツチトランジスタまたは電力トラン
ジスタ120と閉塞用ダイオード122を介して
バツテリ正電位とに接続される。電力トランジス
タ120の出力またはコレクタ端子はピンP2を
介して特定の噴射装置コイル52の一方の端子
と、第2のダイオード132を介して再循環トラ
ンジスタ130とに接続される。電力トランジス
タ120の導電率はスイツチングトランジスタ1
40によつて制御される。このスイツチングトラ
ンジスタ140のベースは特定のスイツチング回
路60によつて発生されたオン制御信号を受ける
ようにされている。トランジスタ140のコレク
タはトランジスタ120のベースに接続され、エ
ミツタは抵抗144を介して抵抗124の他端子
とアースとに接続される。オン制御信号はトラン
ジスタ140を介して電力トランジスタ120へ
伝送され、遅れた引込信号に応答して発生された
ブースト電圧を印加する直前にトランジスタ12
0を充分に導通する状態にする。電流源抵抗23
5付きのコンデンサC205(第4図)はオン信
号の前縁に関して1〜3マイクロ秒の遅れを与え
る。高レベルのブースト電圧印加前の1〜3マイ
クロ秒の間、電力トランジスタ120を能動化す
ることによつて、電力トランジスタ120の電圧
ストレスが減る。本発明の別な特徴はブースト電
圧消費および電力トランジスタ120への過剰駆
動電流の低下である。これは、エミツタ抵抗12
4,144による電流リミツタ構成によつて達成
される。各混成電力回路80は、電力トランジス
タ120に接続されて特定の噴射装置コイル52
を両端をアースに接続するようにした再循環トラ
ンジスタ130を含んでいる。このトランジスタ
130の間には抵抗146が接続されている電圧
ストレスを減らすようにされている。再循環トラ
ンジスタ130は、電力トランジスタ120が非
導通のとき対応するスイツチング回路60によつ
て発生されたオフ制御信号によりオンにされ、こ
のようにして一時的な再循環電流経路を与えて噴
射装置コイルの電流を減衰させる。再循環トラン
ジスタ130の入力またはベースとアースとの間
にツエナーダイオード134のようなクランプ手
段を接続し、その対応する噴射装置コイル52の
間に制御電圧放電クランプを与えて噴射装置の電
圧を負にし、放電経路を与えてオフ制御信号の終
りの時の噴射装置コイルの電流を急速減少させる
ことができる。混成電力回路80は、エミツタ端
子をバツテリに接続しコレクタ端子を再循環トラ
ンジスタ130の入力に接続した別のスイツチン
グトランジスタ150を含んでいる。さらに、ベ
ースにオフ制御信号を受けるようにされたトラン
ジスタ152を備えている。このコレクタはトラ
ンジスタ150のベースおよびコレクタに続いて
おり、エミツタはアース電圧に接続される。トラ
ンジスタ150,152は再循環トランジスタ1
30へオフ制御信号を伝える。
動作において、再循環トランジスタ130は通
常、非導通状態に維持されている。電力トランジ
スタ120はピンP3にブースト電圧が与えられ
る直前にオン制御信号に応答して、トランジスタ
140の動作に通じて導通にされ、これにより、
ダーリントン対112および114を介して端子
P2に接続された特定の噴射装置コイル52まで
のコイル充電経路を与える。駆動トランジスタ1
02は、以下に述べるように引込信号に応答して
も発生されるブースト電圧の印加の直前に引込信
号に応答して導通状態にされる。電力トランジス
タ120はオン制御信号がなくなると非導通状態
に周期的に切換えられる。噴射装置コイル52内
の電流は、トランジスタ150,152が付勢さ
れてバツテリ電圧を再循環トランジスタ130の
ベースに印加し、これでトランジスタ130、導
通しているダイオード132、噴射装置コイル5
2、および感知抵抗を含む再循環経路を介して噴
射装置コイル電流を放電(ツエナーダイオード1
34が動作している時)させることによつて、急
激に小さくされる。ダイオード132はトランジ
スタ120が能動のとき閉塞するダイオードであ
り、まだ説明したとおり再循環電流モードでは電
流経路を与えるものである。第3図に示し回路は
低電圧デイジタル論理回路と接続できるよう設計
されている。
第4図によれば、スイツチング回路60の一実
施例が示してある。第4図はスイツチング回路6
0によつて行なわれる全体的なスイツチング機能
および閉ループ制御を遂行する回路を示してい
る。第4図に示した回路のほとんどは半注文集積
回路チツプを利用することによつて構成され得る
ことが想像される。機能および寸法のためダイオ
ード、抵抗、およびコンデンサのような各種構成
素子は集積回路内に都合よくは組込めない。これ
ら構成素子はD、RまたはCとその後の表示数字
とによつて示される。これら構成素子は、さらに
第4図に示される。この回路は3つの比較器23
0,292および316を利用しており、これら
の詳細は第6図および第7図に示される。スイツ
チング回路60によつて発生される出力信号は、
引込信号(ピンP8)、オン制御信号(ピンP
9)、オフ制御信号(ピンP10)および短絡検
出信号(ピンP11)である。スイツチング回路
60によつて利用される入力信号は、ECUから
発せられてピンP12に伝達される流量調節信号
と、ブースト電圧発生器70(第8図参照)から
出てピンP13に伝えられるノーブースト
(NB)信号と、対応する噴射装置50の特定の
感知抵抗54からピンP14およびP15へ伝え
られるIFDBKと記した噴射装置コイル電流とで
ある。ピンP12に受ける流量調節信号は、逆電
圧保護ダイオード212、抵抗214および
NPNトランジスタ216から成る入力バツフア
210に伝えられる。トランジスタ216の出力
またはコレクタ端子は別のNPNトランジスタ2
20に連絡される。このトランジスタ220のエ
ミツタ端子はアースされ、コレクタ端子は抵抗2
24を介しPピン16で引込バツフア222の入
力に接続される。流量調節パルスがないとき、ト
ランジスタ220のベースは電圧レギユレータ3
4と抵抗226,228を含む分圧回路網とによ
つてセツトされた正電位に保たれる。トランジス
タ220は流量調節パルスがなくなる時にコンデ
ンサC201を放電する。引込バツフア222は
比較器230と、第1インバータ232と、第2
インバータ234と、出力回路網236とから成
る。比較器230の詳細は第5図に示される。第
4図には示していないが、比較器230にはヒス
テリシス回路網が組込まれている。比較器230
の出力はインバータ232に接続され、順次イン
バータ234と通じている。インバータ232,
234はそれぞれ適当なバイアス抵抗と共にトラ
ンジスタ270,272を含んでいる。インバー
タ234に接続された出力回路網236は外付け
のコンデンサC205を有している。中でもワン
シヨツト単安定マルチバイブレータを含む比較器
230の入力または負端子は抵抗224を介して
トランジスタ220のコレクタ端子と接続され
る。比較器230の負端子はさらに、ピンP16
に接続された外部位置設定抵抗−コンデンサの組
合せR207,R206,258およびC201
と連絡される。この抵抗−コンデンサの組合せR
207,R206,258およびC201の値
は、引込パルスの幅を規定する。以下に動作が説
明されるパルス幅を規定する。以下に動作が説明
されるパルス量変調回路250は、ピンP13に
ノーブースト信号を受けるようにされた入力と、
比較器230への入力であるピンP16の通じて
いる出力とを有している。パルス幅変調回路25
0は、ブースト信号がブースト電圧発生器70に
よつて発生できなくなつた間、引込信号のアルス
幅を増加するのに使用される。この回路はトラン
ジスタ256の入力またはベースに接続された1
対の直列接続のダイオード252,254を含ん
でいる。トランジスタ256の出力またはコレク
タ端子は抵抗258の動作を介してバイアスさ
れ、さらにダイオード260および外部抵抗R2
06を介して比較器に230の入力に接続されて
いる。引込パルスの幅はコンデンサC201の充
電電流の1つとしての抵抗R206を除くようト
ランジスタ256を能動化させることによつて増
加される。
比較器230の出力はトランジスタ270のベ
ースまたは入力に接続される。加ええて、比較器
230の出力はスイツチングトランジスタ274
を介して入力バツフア210へ接続される。トラ
ンジスタ274のコレクタは比較器230の出力
に接続され、エミツタ端子はアースされている。
インバータ232の出力は、トランジスタ272
のベース端子を含む第2インバータ234の入力
に接続される。インバータ234はまた、出力バ
ツフアとしても作用し、高出力電流能力を有して
いる。プルアツプ抵抗235は代表的には750オ
ームないし1Kオームの範囲である。インバータ
232の出力はさらに電圧源回路網280に接続
される。この電圧源回路網280はPNPトラン
ジスタ282と、NPNトランジスタ284と、
抵抗R210,R213,R214およびR21
5を含む抵抗分割回路網とを含む。電圧源回路網
280は2レベルの基準電圧を確立するもので、
これら基準電圧は引込相の動作の時および保持相
の動作の時に特定の噴射装置コイル52に流す2
レベルの噴射装置電流Ip,Ihを定めるのに使用さ
れる。抵抗回路網R210〜R215は集積回路
のピンP17およびP18の間に接続され、ここ
でピンP18はオン/オフスイツチ制御回路網2
90の入力の1つを成している。オン/オフスイ
ツチ制御回路網290は別の比較器292を含
む。比較器292の出力はピンP9のところに、
混成電力回路80へ伝えられるオン制御信号を発
生する。比較器292の出力はヒステリシス帰還
抵抗R211を介してその正入力端子へ帰還され
てスイツチングを制御する。装置のスイツチング
特性のため、多くの電気雑音スパイクが発生され
る。抵抗R211によつて与えられるヒステリシ
スは耐雑音性を向上させる。特定のコイルに流れ
る電流を表わしているIFDBKで示した電圧信号
は抵抗R217に、そしてピンP14に伝えられ
る。ピンP14は比較器292の負入力を成して
いる。比較器292の出力は電流帰還信号
(IFDBK)の大きさによつてゲート作用され、第
7図の線6で示したように噴射装置電流ののこぎ
り歯発振に寄与する。比較器292の出力はスイ
ツチングトランジスタ294を介してオフ制御信
号端子を構成するピンP10に接続される。比較
器292の出力はさらに、トランジスタ296,
298のコレクタ・エミツタ接合を介してアース
に接続される。トランジスタ296の入力または
ベース端子は入力バツフア210の出力に接続さ
れる。周知のとおり、流量調節信号が入力バツフ
ア210によつて受けられなかつた場合、トラン
ジスタ296のベース端子は正電位に保持され、
トランジスタ292は導通状態にされる。トラン
ジスタ298の導電率は以下に述べるように短絡
検出回路によつて制御される。加えて、トランジ
スタ298が能動であればオン制御信号は禁止さ
れることになる。入力バツフア210の出力はさ
らに他のスイツチングトランジスタ300に接続
されており、その出力はトランジスタ294のコ
レクタに接続されている。トランジスタ300は
流量調節パルスを受けている間、オフ制御信号の
発生を禁止するのに使用される。
短絡検出回路はモニタ310を含み、その出力
はインバータ兼バツフア312に接続されてい
る。短絡検出回路の目的は特定の噴射装置コイル
がアースに短絡しているかどうかを噴射装置電流
のレベルをモニタし、それと基準関数とを比較す
ることによつて検出することにある。後で詳述す
るように、流量調節パルスの印加により基準の時
間関数または波形が発生される。この基準の時間
関数または波形は感知電流(IFDBK)と比較さ
れる。感知電流のレベルが電流基準レベルより小
さくなるあらゆる場合に、短絡検出信号が発生さ
れる。短絡検出回路はトランジスタ298を導通
状態にしてピンP9でのオン制御信号の異なる発
生を禁止する。すなわち特定のスイツチング回路
60を禁止するのである。モニタ回路310は関
数発生器314および関連する比較器316を含
む。第6図に示した回路は比較器316の代りに
使用できる。関数発生器314はスイツチングト
ランジスタ318と抵抗−コンデンサの組合せR
204,R205、およびC202とから成り、
その出力は比較器316の負入力端子に接続され
る。抵抗−コンデンサの組合せR204,R20
5,C202の値は基準関数の信号波形およびレ
ベルを定めるよう選択される。代表的な基準関数
は第7図の線14に示される。比較的316の正
入力端子は抵抗R218を介して噴射装置電流帰
還信号(IFDBK)を受けるようにされる。比較
器316の出力はダイオード322を介してイン
バータ兼バツフア312に接続される。このイン
バータ兼バツフア312は抵抗326,328に
よつて適当にバイアスされる出力トランジスタ3
24を含む。トランジスタ324の出力またはコ
レクタ端子はまたトランジスタ298のベース端
子に接続され、さらに第8図に示した診断回路に
与えられる短絡検出信号の1つを規定するように
も作用する。
第5図には第4図に示したように比較器230
の詳細な実施例が示してある。そこに見られるよ
うに、この比較器は1個のPNPトランジスタ3
30と4個のNPNトランジスタ332〜338
とで成り、ここでトランジスタ338はオープン
コレクタのもので比較器230の出力端子を規定
している。複数の抵抗が適当な基準およびヒステ
リシスを与えている。第6図は比較器292およ
び316に使用するべき回路を示している。この
比較器は6個のPNPトランジスタ340〜35
0と4個のNPNトランジスタ352〜358と
を含む。トランジスタ340,346のベース端
子はこの比較器の入力端子を規定し、トランジス
タ358のコレクタ端子は出力端子を規定してい
る。
第7図には本発明によつて発生される多数の波
形を示している。特に、各スイツチング回路60
a〜60dによつて受けられる各種流量調節信号
が示されている。これら流量調節信号またはパル
スは第7図の線4,8,10および12に示され
る。上述しまた以下に述べるように、各スイツチ
ング回路60は流量調節信号に応答して引込信号
を発生する。模範的な引込信号は線1に示され
る。第7図の線2および3はオンおよびオフ制御
信号のスイツチング特性を示している。各スイツ
チング回路60はそれに対応する引込信号、オン
制御信号、およびオフ制御信号を発生するもので
あると理解されたい。第7図の線6および7はブ
ースト電圧発生器70のブーストコイルを流れる
パルス電流およびブースト電圧信号を示してい
る。これらの波形はさらに第8図に関連して詳述
される。噴射装置夫々の2レベル噴射装置電流は
線5,9,11および13に示される。最後に、
短絡検出回路に使用される上述した基準時間関数
の1つは線14に示される。第7図から判るとお
り、特定の噴射装置50の励磁の前に、ブースト
電圧は充分に高いレベルにある。このブースト電
圧はその後対応する電力トランジスタ120を介
して特定の噴射装置50へ与えられる。ブースト
電圧の特定の噴射装置への印加の後、噴射装置電
流は引込レベルIpまで上昇し、これによりオン制
御信号およびオフ制御信号が選択的にオンまたは
オフに切換つて発振またはのこぎり歯を示す噴射
装置電流を発生する。引込パルスがなくなると、
噴射装置電流は再循環ループを介して保持電流レ
ベルIhまで自然に減少される。ブースト電圧が後
述するように特定の噴射装置50まで伝達された
後は、別な噴射装置への再印加のために再発生さ
れる。
上述したスイツチング制御回路網の動作は以下
のとおりである。比較器230に接続された抵抗
−コンデンサの組合せR207,R206,25
8、およびC201は予め定めた引込パルス幅長
さを定める。流量調節パルスを受けていない間、
トランジスタ220は導通状態に維持されて出力
電圧をコンデンサC201からアースへ短絡す
る。入力または流量調節パルスを受けると、トラ
ンジスタ216は導通するようになる。トランジ
スタ220は非導通になつてコンデンサC201
が充電されて引込信号を発生できるようにされ
る。コンデンサC201の電圧は比較器230を
トリガして所定幅のパルス信号を発生し、その後
インバータ232および234によつて緩衝され
て対応する混成電力回路80へ与えられる引込信
号を発生する。前述のように、この引込信号は特
定の噴射装置へ与えられることになるブースト電
圧信号を発生するために使用される。作動された
噴射装置の過熱を防ぐために噴射装置の動作の初
期段階の間、すなわち引込パルスの間、噴射装置
電流を高または引込Ipレベルに調節し、その後そ
の調節された電流レベルを低または保持レベルIh
まで低下させるのがよい。高電流レベルは充分に
磁力を強くして噴射装置を作動させることが必要
である。噴射装置を作動位置に保持するには非常
に小さい力でよい。低電流レベルは回路のストレ
スを低下させる。この電流調節は電圧源回路網2
80によつて行なわれる。この出力または調整さ
れた電圧はピンP17に発生される。引込信号の
発生の間、ピンP17の電圧は、5ボルトの基準
電源と、それぞれトランジスタ282,284を
介してピンP17に与えられる引込信号によつて
発生された電圧との組合せによつて定められる。
これら電圧の組合せ使用により第1または高電
流基準レベルが定められる。引込パルスの終了時
に、インバータ232の出力は低状態に戻され
る。したがつて、比較器292の正入力における
電圧は、今、基準電源にセツトされていれば、保
持電流の所望レベルに相当する低電圧レベルまで
減少される。
電流帰還(IFDBK)の大きさが電圧源回路網
280の出力によつて定められた大きさより小さ
い時、オン制御信号が発生され、オフ制御信号が
禁止される。今、混成電力回路80にオン制御信
号が与えられると、電力トランジスタ120は充
電電流をコイル52に流させる。充電電流は、高
いレベルのブースト電圧が与えられているため、
またはバツテリに接続されているため増加するよ
うになる。オン制御信号のある間、特定の噴射装
置コイル52を介して流れる電流は正または増加
傾向を示す。これらの間にコイルの電流が電圧源
回路網280によつて定められた電流のレベルを
越えると、オン制御回路が禁止されて電力トラン
ジスタ120をしや断し、オフ制御信号を発生し
て上述した再循環電流経路を確立する。オフ制御
信号の発生の間、噴射装置のコイル電流はその再
循環ループを介して自然に減衰されるようにな
る。噴射装置のコイル電流の減少は第7図の線
5,9,11および13上の波形の負または減少
部分によつて示される。最後に、流量調節信号が
ないとき、トランジスタ296は導通状態に維持
され、このようにして流量調節信号がないときの
オン信号の発生を禁止する。これらの間、トラン
ジスタ300はトランジスタ296と同じく機能
する。オフ制御信号が終わると、ツエナー回路網
が噴射装置電流を急速減衰させる。
ブースト電圧信号が対応する混成電力回路80
によつて発生されている間、トランジスタ256
は非導通状態に保たれる。したがつて、これらの
間、通常はコンデンサC201に通じる2つの電
流充電経路がある。第1の経路は抵抗R207を
通るものであり、第2の経路は抵抗258および
R206を通るものである。もし、ブースト電圧
信号が発生されないならば、トランジスタ256
は導通状態にされ、このようにして第2コンデン
サ充電経路が除かれる。これにより、コンデンサ
C201は低速で充電され、引込信号の持続時間
が増加される。
スイツチング回路60の短絡検出信号の動作は
以下のとおりである。電流帰還信号(IFDBK)
は比較器316を含むモニタ回路の正端子P15
にも与えられる。このモニタ回路は通常、禁止さ
れている。流量調節パルスはトランジスタ318
をオフにし、コンデンサC202を充電させて、
第7図の線14で示した基準関数を発生する。流
量調整パルスがトランジスタ318より除かれる
と、比較器316への入力または基準は再びゼロ
まで低下させられる。このことで、比較器316
は電流帰還のレベルを発生された関数または波形
と比較する。そのレベルが発生された基準波形よ
り小さいと、短絡を表わし、スイツチング回路6
0は短絡検出信号を発生することによつて停止さ
れる。この短絡検出信号はトランジスタ298を
オンにするのに使用される。
第8図を参照すると、ブースト電圧を混成電力
回路80のそれぞれに供給するに使用されるブー
スト電圧発生器70を一部示している。加えて、
第8図はさらに診断回路網90も示している。こ
の診断回路網90は各スイツチング回路60によ
つて発生される短絡検出信号とノーブースト信号
とを利用して、電子制御ユニツト40または他の
いくつかの装置へ送る故障信号を発生し、たとえ
ば特定の噴射装置内に故障が発生したこと、ある
いはブースト電圧発生器70の誤動作が発生した
こと、すなわちブースト電圧が発生しなくなつた
ことを表示する。このブースト電圧発生器70は
第8図の上方部分にある。ブースト電圧発生器7
0によつて発生された出力信号の1つはバツテリ
32からブーストコイル350へ電気エネルギを
伝え、その後そのエネルギを使つてブーストコン
デンサ352を充電することのできる一連の電流
パルスである。パルス状のブーストコイル電流お
よびコンデンサ352に蓄えられる増加ブースト
電圧は第7図の線6および7に示される。ブース
ト電圧発生器70は多くの主要な構成要素を含ん
でいる。自走発振器360を含んでいてその出力
はバツフア362へ接続される。バツフア362
の出力は出力ドライバ364に伝わる。この出力
ドライバ364の出力は、上述の自走発振器の周
波数によつて定められる一連のパルスであり、バ
ツテリ32からのエネルギはブーストコイル35
0を介して伝えられ、ブーストコンデンサ352
に蓄えられる。ブースト電圧発生器70はさら
に、任意の対応するスイツチング回路60によつ
て発生された引込信号の発生の間、自走発振器3
60の動作を禁止するのに使用される禁止回路3
66を含んでいる。さらに、この禁止回路366
はコンデンサ352に蓄えられたブースト電圧が
所定レベルまで上昇した時、自走発振器の動作を
停止するのにも使用される。ブースト電圧発生器
70の詳細な構成を述べる前に、第8図に示した
他の主要な回路要素を簡単に述べる。この回路は
さらにレベルシフト回路368を含んでおり、そ
の出力はしかしコンデンサ352に蓄えられた大
きなブースト電圧を表わす低電圧信号である。レ
ベルシフト回路368の出力は禁止回路366に
ゲート作用をさせ、次いでブースト電圧が所定値
に達した時自走発振器の動作を停止するのに使用
される。レベルシフト回路368の出力はノーブ
ースト回路370へ行き、その出力はブースト電
圧が発生されたか否かを表わす信号となる。第8
図はさらに第1図に関連して前述した診断回路網
90を含んでいる。この診断回路網90はラツチ
380を必ず含んでいる。ラツチ380はインバ
ータ382に通じており、その出力は通常の動作
期間中は高い論理レベルの出力信号である。この
出力信号は噴射装置50の1つに短絡の発生があ
つた時または短絡が検出された時低い論理状態に
駆動される。短絡信号はダイオードオアゲート4
40を介して受けられる。インバータ382は出
力段384に接続され、その出力は故障検出信号
である。出力段384は故障検出信号を電子制御
ユニツト40へ伝えるようにされている。診断回
路90はさらに、エンジン始動時、あるいは低い
エンジン回転状態のとき、故障検出信号の誤発生
を防ぐ初期設定回路386を含んでいる。最後
に、第8図に示した最後の主要構成要素は電圧レ
ギユレータ34である。
第8図の上部に示したブースト電圧発生器70
を再び参照する。自走発振器360は比較器39
0を有し、その出力は第1のNPNトランジスタ
392へ、そして第2のNPNトランジスタ39
4へ順次伝えられる。トランジスタ392のコレ
クタは別のNPNトランジスタ391のベースに
接続される。このトランジスタ391はそのコレ
クタ・エミツタ接合部をアース電位と比較器39
0の反転入力との間に接続してある。トランジス
タ394のコレクタまたは出力端子は比較器39
0の負入力端子とバツテリ32の正端子とに接続
されている。ここに示したように、比較器390
に接続された抵抗およびコンデンサは、通常のバ
ツテリ状態の基で、高いエンジン回転数に相当す
る比較的短時間のときでもコンデンサ352が充
分なブースト電圧の充電を得られるような発振周
波数を定めるのに使用される。バツテリの通常の
電圧および温度レベル状態の基では、比較器39
0に近い回路はコンデンサ352が約2.3ミリ秒
で充電され得るようセツトされている。発振器3
60にトランジスタ391を設けたのは温度安定
性をさらに増すことにある。第7図を参照する
と、ブースト電圧発生器70はコイル350を励
磁してブーストコンデンサ352をバツテリ電圧
より高い定格80ボルトのブースト電圧の所望レベ
ルまで充電するたとえば4つの電流パルスを利用
しているのが示されている。コイル350を励磁
するのに使用される電流パルスの正確な数は設計
パラメータである。自走発振器360はバツテリ
電圧の増分変化に比例した周波数に適応させる手
段を含んでいる。これはトランジスタ394を介
して比較器390の負入力端子にバツテリ電位を
帰還させることによつて行なわれる。自走発振器
360の出力は予め定めた周波数の一連のパルス
である。この出力は2トランジスタバツフア36
2へ伝えられる。バツフア362を成す2つのト
ランジスタ396,398は充分な電流レベルを
融通できるよう並列に接続されている。前述のよ
うにバツフア362の出力は、トランジスタ40
0,402、ダイオード404a,404b,4
04cから成る出力ドライバに接続されている。
自走発振器360によつて発生されたパルスに応
答して、出力ドライバ364の出力トランジスタ
402は導通状態にされると、バツテリ32から
コイル350を介してアースへの充電経路が与え
られる。各パルスの終りに、トランジスタ402
はオフとなり、コイル350を介して流れる電流
はブーストコンデンサ352へ転流される。さら
に、第7図に示したように、コンデンサ352に
蓄えられた電圧はコイルの放電に応答してステツ
プ状に増加する。ブースト電圧は比較器410を
含む電圧レベルシフト回路386に伝えられてモ
ニタされる。分圧抵抗412,414の作用と協
同して、比較器410の正端子に伝えられたブー
スト電圧のモニタ値は充分に小さくされる。ブー
スト電圧のこのモニタ値がたとえば2.5ボルトと
するような基準レベルを越す時、比較器410か
らは、コンデンサ352の蓄積電圧がその所望レ
ベルに達したことを示す出力信号が発生される。
この比較器410によつて発生された信号は禁止
回路366のトランジスタ420へ伝えられる。
この信号はトランジスタ420をオンにし、自走
発振器360の比較器390の出力をアースに落
とし、これによつてそれを一時的にオフにしてそ
の動作を禁止し、これがコンデンサ352の蓄積
電圧のレベルが更に増加することを禁止する。
レベルシフト回路368の出力はまた、ノーブ
ースト回路370へ与えられる。このノーブース
ト回路370はコレクタ・エミツタ接合部を蓄積
コンデンサ432と並列に接続した入力トランジ
スタ430を有する。コンデンサ432の正端子
は適当な抵抗を介して基準電圧に接続されてい
る。ノーブースト回路の出力はコンデンサ432
にかかる電圧となる。NBで示したこの信号は第
2図および第4図に示したピンP13へ伝えられ
る。前にも示したように、低いバツテリ状態にお
いてでさえも、このブースト電圧発生器70は比
較的急速にブーストコンデンサ352を充電する
よう設計されている。したがつて、ブースト電圧
発生器70の通常の動作の基では、比較基410
の出力はブーストコンデンサ352が充分に充電
されたことを示す論理的に高レベルの信号を発生
する。ブーストコンデンサ352が充電されてい
る間、蓄積コンデンサ432は定電圧化された5
ボルト電源に接続される。その端子間電圧は基準
電源レベルに指数的に近づく。この蓄積コンデン
サ432の端子電圧は、変調されなければ、所定
時間後に、ブーストコンデンサ352がまだブー
スト電圧の所望レベルまで達していないことを示
す所定のトリガレベルを越えるようになる。しか
し、前述のように、通常の動作状態の基では、ブ
ーストコンデンサ532は実際、むしろ急速に、
ブースト電圧の所望レベルに達する。この情報は
比較基410を介してトランジスタ430のベー
スに伝えられる。次いで、この信号はトランジス
タ430を導通状態にしてコンデンサ432が比
較器442を作動させる所定のトリガレベルに達
する前にそのコンデンサ432を放電し、禁止回
路366のトランジスタ420をトリガする。禁
止回路366を再び簡単に参照する。上述のとお
り、あらゆる引込信号が存在するときの間は、自
走発振器360の動作も禁止するのが望ましい。
この理由は、引込信号がある間、混成電力回路8
0はブーストコンデンサ352の電圧を特定の噴
射装置コイルを介して放電されることになるから
である。これを行なうには、禁止回路366はス
イツチング回路60のそれぞれによつて発生され
た各別の引込信号をダイオードオアゲート436
を介して論理和演算する。オアゲート436の出
力は別のスイツチングトランジスタ438に伝え
られ、そのトランジスタの出力は比較器390に
伝えられる。引込信号を受けると、トランジスタ
438は導通状態に切換えられ、比較器390の
出力をアースして発振器360の動作を禁止す
る。
第8図に示した最後の主要な回路機能は診断回
路網90である。診断回路網90はノーブースト
回路370によつて発生されるノーブースト信号
と、スイツチング回路60によつて発生される短
絡検出信号とに応答する。短絡検出信号およびノ
ーブースト信号はオアゲート440に伝えられ、
そのオアゲートの出力は比較器442に接続され
ている。短絡検出信号またはノーブースト信号を
受けると、比較器442の出力は高レベルにな
り、この出力は抵抗444を介して正帰還によつ
て与えられるラツチ効果のためその高レベルに保
たれる。比較器442の高い論理出力はインバー
タ382によつて反転されて出力段384の通常
は高い出力レベルが低くなり、故障が生じたこと
を表示する。比較器452、充電コンデンサ45
4、スイツチングトランジスタ456および出力
トランジスタ458を含む初期設定回路386は
基準電圧が安定している間は故障検出信号は発生
されないことを保証している。
第9図を参照すれば、ソレノイド制御ユニツト
20に組込まれたフエールセーフ回路網が示され
ている。第9図は噴射装置50のそれぞれに組込
むことができる回路の1つを示している。ここに
示したフエールセーフ回路470は仮想の線の右
側に位置される。その線の左側には模範的な噴射
装置コイル52がある。噴射装置コイル52は第
3図に示したと同じ方法で混成電力回路の再循環
トランジスタ130および電力トランジスタ12
0につながつている。フエールセーフ回路470
の機能は噴射装置コイル52の中の異常電流の流
れ状態を検出することにある。しかし、噴射装置
50に電流を流したい状況にあるとき、すなわち
噴射装置の作動中は回路を誤つて作動しないよう
注意しなければならない。したがつて、フエール
セーフ回路470は流量調節パルスのない期間だ
け噴射装置を流れる電流をテストする。特定の感
知抵抗54の端子電圧は比較器472へ伝えられ
る。比較器472の出力は、流量調節信号を受け
ている間、導通状態に維持されているスイツチン
グトランジスタ474によつて短絡され、アース
電位に保たれている。流量調節パルスがない間
は、抵抗476とコンデンサ478との抵抗−コ
ンデンサの組合せの端子電圧は基準電圧レベルに
指数関数的に近づけられる。コンデンサの電圧の
指数的立上りはこの系に遅れをもたらす。コンデ
ンサ478は比較器480を含むしきい値検出回
路に接続されており、比較器480の出力は
SCR回路網482に接続されている。SCR回路
網482はアースとバツテリとの間に接続されて
いる。異常電流流れの状況を表わすしきい値検出
回路のトリガに基いて、SCRはバツテリ32を
実質的にアース電位に近い電圧にしばらく接続す
る。これにより、サージ電流がヒユーズ486を
介して流れ、ヒユーズ486を高速溶断して噴射
装置50の誤動作をなくすと共に関連する電気回
路をこの系から隔離するのである。
以上本発明をその好適な実施例について詳述し
たが、本発明はこの特定の実施例に限定されるも
のではなく本発明の精神の範囲内において幾多の
変化変形が可能である。
【図面の簡単な説明】
第1図はソレノイド制御ユニツトを示すブロツ
ク図、第2図は本発明の主要な構成要素のいくつ
かを示す部分的なブロツク図、第3図は混成電力
回路を示す回路図、第4図はスイツチング回路を
示す図、第5図は第4図にて使用された比較器の
一例を示す回路図、第6図は第4図にて使用され
た比較器の別な例を示す回路図、第7図は本発明
によつて発生されるいくつかの要部波形図、第8
図はブースト電圧発生器および診断回路を示す
図、第9図はフエールセーフ回路を示す図であ
る。 20……ソレノイド制御ユニツト、22……ス
イツチング駆動回路、30……電源手段、32…
…バツテリ、34……電圧レギユレータ、40…
…電子制御ユニツト、50……燃料噴射装置、5
2……コイル、54……感知抵抗、60……スイ
ツチング回路、70……ブースト電圧発生器、8
0……混成電力回路、90……診断回路網、11
0……ダーリントン対、210……入力バツフ
ア、222……引込バツフア、250……パルス
幅変調回路、280……電圧源回路網、290…
…オン/オフスイツチ制御回路網、310……モ
ニタ回路、312……インバータ兼バツフア、3
14……関数発生器、360……自走発振器、3
62……バツフア、364……出力ドライバ、3
66……禁止回路、368……レベルシフト回
路、370……ノーブースト回路、380……ラ
ツチ、382……インバータ、384……出力
段、386……初期設定回路、470……フエー
ルセーフ回路、482……SCR回路網。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 それぞれコイル52を有するタイプでありか
    つ個々のコイル52を流れる電流を表した電圧を
    発生する抵抗54のような感知手段と関連されて
    いるエンジンの燃料噴射装置50の少なくとも1
    つの動作を、少なくとも1つのエンジンパラメー
    タに応じて電子制御ユニツト40により発生され
    る流量調節信号に応答して制御するソレノイド制
    御ユニツト20であつて、 各噴射装置と関連されており、引込信号に応答
    してバツテリによつて発生される電圧より高いブ
    ースト電圧信号を引込信号と同期して発生し、蓄
    えるブースト電圧発生手段70と、 流量調節信号の特定の1つを受けて特定の感知
    抵抗54に伝えそしてその感知抵抗の電圧を入力
    するよう各噴射装置50と関連されており、対応
    する噴射装置の電流が所定値を下回る第1の電流
    基準レベルにある間オン制御信号を発生し、噴射
    装置の電流が所定値を上回る第2の電流基準レベ
    ルにある時オフ制御信号を発生するオン/オフス
    イツチ制御手段290と、引込信号が存在してい
    る間第1の電圧基準レベル信号を発生し、その後
    の期間は低い第2の電圧基準レベル信号を発生す
    るようにした引込信号に応答する電圧源回路網手
    段280とから成るスイツチング回路手段60
    と、 それぞれが各噴射装置50と関連されてブース
    ト電圧信号、オン制御信号、オフ制御信号および
    引込信号に応答するものであつて、オン制御信号
    の後に受けた引込信号に応答してブースト電圧信
    号またはバツテリ電圧を噴射装置50に伝えると
    共にオフ制御信号の受信に応答して噴射装置を負
    帰還または再循環回路に接続して噴射装置の電流
    を減衰させる混成電力回路手段80とを備えたソ
    レノイド制御ユニツトにおいて、 ブースト電圧発生手段70はパルススイツチン
    グタイプものであつてブースト電圧が引込信号と
    引込信号との間の期間に発生されかつ引込信号の
    存在の間は禁止されること、およびソレノイド制
    御ユニツト20は更に受信した流量調節信号に応
    答してオン制御信号よりも時間的に遅れた引込信
    号を発生する引込信号発生手段を備えていること
    を特徴とする、ソレノイド制御ユニツト。 2 前記スイツチング回路手段は、流量調節信号
    を受けるようにされている出力をその流量調節信
    号がない場合には高い論理レベルに維持するよう
    にした入力バツフア手段210と、所定のパルス
    幅を持つた引込信号を発生する引込バツフア手段
    222と、流量調節信号を受けていない間は引込
    信号の発生を禁止する禁止手段220,274と
    を備え、引込信号の発生の間第1の電圧基準信号
    を発生しその後は第2の低レベルの電圧レベル信
    号を発生する前記電圧源回路網手段280におい
    て第2の電圧レベル信号は流量調節信号がなくな
    ると同時に終わらせるようにし、前記電圧源回路
    網手段280の出力と特定の噴射装置内を流れる
    電流のレベルとに応答する前記オン/オフスイツ
    チ制御手段290は流量調節信号を受けていない
    間はオン制御信号の発生を妨げる禁止手段296
    を有せしめていることを特徴とする特許請求の範
    囲第1項記載の、ソレノイド制御ユニツト。 3 前記スイツチング回路手段60は、特定の噴
    射装置50を流れる電流のレベルを比較し、この
    電流のレベルを基準時間関数と比較し、噴射装置
    電流のレベルが基準時間関数を越えたとき短絡検
    出信号を発生する噴射装置電流レベルモニタ手段
    310をさらに備えたことを特徴とする特許請求
    の範囲第2項記載の、ソレノイド制御ユニツト。 4 前記引込バツフア手段222は、抵抗−コン
    デンサの組合せR207−C201に接続されて
    引込信号の定格持続時間が定められる単安定マル
    チバイブレータを有している第1の比較器230
    と、エミツタをアースし入力を第1の比較器23
    0の出力に接続したNPNトランジスタ270を
    有し出力を前記電圧源回路網280にも接続した
    第1のインバータ232と、入力を前記第1のイ
    ンバータ232の出力に接続し出力端子を流量調
    節信号がない場合には常に低論理レベルに維持し
    ている第2のインバータ手段234と、この第2
    のインバータ手段234の出力をろ波しオン制御
    信号に関して遅らせた引込信号を定める出力回路
    網手段236とを備えていることを特徴とする特
    許請求の範囲第3項記載のソレノイド制御ユニツ
    ト。 5 前記電圧源回路網280は、エミツタを正電
    位に接続しエミツタとベースとの間には抵抗28
    3を有しさらにベース端子には前記第1のインバ
    ータ232の出力を受けるように接続された別な
    抵抗285を有する第1のPNPトランジスタ2
    82と、コレクタ端子を前記正電位に接続しベー
    スを前記PNPトランジスタ282のコレクタに
    接続された第1のPNPトランジスタ284と、
    アースと正電位との間に接続されて前記PNPト
    ランジスタ284のエミツタに接続するようにし
    た分圧回路網とを備えていることを特徴とする特
    許請求の範囲第4項記載の、ソレノイド制御ユニ
    ツト。 6 基準波形によつて定められた電流流れのレベ
    ルに応答して特定の噴射装置コイル52の短絡を
    表わす出力信号を発生する電流モニタ手段310
    を含む短絡検出手段を備え、この短絡検出手段
    は、基準波形を発生する基準波形発生手段314
    と、特定の噴射装置コイル52を流れる噴射装置
    電流のレベルに応答して基準波形発生手段314
    によつて定められた電流レベルがその特定の噴射
    装置コイル52の電流の流れのレベルを越えた時
    出力信号を発生する比較器手段316と、この比
    較器316の出力に応答して噴射装置電流レベル
    が基準波形発生手段314によつて定められたレ
    ベルを下回るとき通常は高い論理レベル出力を発
    生し噴射装置電流が波形発生手段314によつて
    定められたレベルを上回つたとき低論理レベル信
    号を発生するようにしたバツフア手段312とを
    備えていることを特徴とする特許請求の範囲第5
    項記載の、ソレノイド制御ユニツト。 7 前記オン/オフスイツチ制御手段290は、
    オン制御信号およびオフ制御信号の発生を禁止す
    る前記バツフア手段312の出力に応答する別な
    スイツチ手段298を備えていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第6項記載の、ソレノイド制御
    ユニツト。 8 前記基準波形発生器314は、充電コンデン
    サC202と、流量調節パルスがない間は前記コ
    ンデンサC202が充電されるのを防ぎそれ以外
    の間はコンデンサC202を充電できるようにし
    たスイツチングトランジスタ318とを備えてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第7項記載
    の、ソレノイド制御ユニツト。 9 前記バツフア手段312は、ベースを前記比
    較器316の出力に接続するようにしエミツタを
    アースしベースとアースとの間の抵抗328を接
    続しコレクタ端子を抵抗326を介して正電位に
    接続すると共にスイツチ手段298へ連絡するよ
    うにしたスイツチングトランジスタ324を備え
    ていることを特徴とする特許請求の範囲第8項記
    載の、ソレノイド制御ユニツト。 10 前記パルススイツチングタイプのブースト
    電圧発生手段70は、一方の端子を前記バツテリ
    32に接続されたブーストコイル350と、アノ
    ードをそのブーストコイル350の他端子に接続
    されたダイオードD103と、一方の端子をその
    ダイオードのカソードに接続された他端子をバツ
    テリ電位に接続するようにしたブーストコンデン
    サ352と、周波数が前記バツテリ32の電位レ
    ベルに依存される第1の信号を発生する自走発振
    手段360と、出力信号を発生するバツフア手段
    362と、前記自走発振手段360の出力に相当
    する一連のパルスを発生し出力が前記ブーストコ
    イル350を介しての電流充電経路を選択的に生
    ぜしめその後は前記電流経路を終らせるよう前記
    ダイオードD103のアノードとアース電位とに
    接続されてブーストコイル350内の電気エネル
    ギが前記ブーストコンデンサ352へ伝えられて
    蓄えられるようにした、出力ドライバ手段364
    と、前記ブーストコンデンサ352に蓄えられた
    電圧を表わした出力を発生するレベルシフト手段
    412,414を含むブースト電圧表示手段と、
    前記スイツチング回路手段60のそれぞれによつ
    て発生された引込信号とレベルシフト手段への出
    力とに応答して引込信号のある間および前記ブー
    ストコンデンサ352が所定の電圧レベルまで充
    電されている間前記自走発振手段360の動作を
    禁止する禁止手段とを備えていることを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項ないし第9項のいずれか
    1項に記載の、ソレノイド制御ユニツト。 11 前記パルススイツチングタイプのブースト
    電圧発生手段70は、前記ブーストコイル350
    が所定期間の間に所望の充電が得られていないこ
    とを表わす信号を発生するものであつてコレク
    タ・エミツタ接合部を蓄積コンデンサ432によ
    つて並列に接続した入力トランジスタ430を含
    むノーブースト回路手段370を備え、前記コン
    デンサ432の正端子は基準電圧に接続され、前
    記トランジスタ430のエミツタ端子および前記
    コンデンサ432の負端子はアース電位に接続さ
    れ、前記トランジスタ430のベース端子は前記
    レベルシフト手段の出力に接続されていることを
    特徴とする特許請求の範囲第10項記載の、ソレ
    ノイド制御ユニツト。 12 前記ノーブースト回路手段の出力と前記ス
    イツチング回路手段60の特定の1つによつて発
    生された各短絡検出信号とに応答して前記スイツ
    チング回路手段の特定の1つまたは前記ブースト
    電圧発生手段70が動作していないことを示す低
    論理レベルの故障検出信号を発生する診断回路
    と、基準電圧34が安定していない始動時に誤つ
    た故障検出信号の発生を防止する初期設定回路手
    段386とをさらに備えたことを特徴とする特許
    請求の範囲第11項記載の、ソレノイド制御ユニ
    ツト。 13 前記混成電力回路手段80は、エミツタ端
    子にブースト電圧およびバツテリ電圧を受けるよ
    うにしコレクタ端子を特定の噴射装置コイル52
    の一端子へ接続した電力トランジスタ120と、
    コレクタをアースしエミツタ端子を前記電力トラ
    ンジスタのコレクタへ接続した再循環トランジス
    タ130と、特定の引込信号に応答して前記ブー
    スト電圧信号を前記電力トランジスタのエミツタ
    端子に供給するものであつて出力またはコレクタ
    端子を電力トランジスタ120のエミツタ端子に
    接続した複数のトランジスタ112,114から
    成るダーリントン対110へ出力またはコレクタ
    端子を接続した第2のNPNトランジスタ102
    を含む駆動手段を有するブースト手段と、前記電
    力トランジスタ120のベースに接続されてオン
    制御信号を受けている間前記電力トランジスタを
    オンにする第3のNPNトランジスタ140を有
    するオン制御スイツチ手段と、オフ制御信号に応
    答して前記再循環トランジスタ130をオンにし
    再循環減衰電流経路を定めて特定の噴射装置を流
    れる電流を減衰させる制御回路手段とを備えてい
    ることを特徴とする特許請求の範囲第12項記載
    の、ソレノイド制御ユニツト。 14 前記再循環トランジスタ130は整流ダイ
    オード132を介して前記電力トランジスタに接
    続されていることを特徴とする特許請求の範囲第
    13項記載の、ソレノイド制御ユニツト。 15 前記制御回路手段は、再循環トランジスタ
    130のベース・コレクタ接合部間にカソードを
    アースして接続したツエナーダイオード134
    と、第4のNPNトランジスタ152と第2の
    PNPトランジスタ150とを含むオフ制御スイ
    ツチ手段とを備え、前記第2のPNPトランジス
    タのベースはエミツタ端子をアースした前記第4
    のNPNトランジスタ152のコレクタへ接続さ
    れ、前記第2のPNPトランジスタ150のエミ
    ツタ端子は第4のNPNトランジスタ152のコ
    レクタとバツテリ電位とに接続され、前記第2の
    PNPトランジスタのコレクタ端子は前記ツエナ
    ーダイオードのアノードに接続されていることを
    特徴とする特許請求の範囲第13項記載の、ソレ
    ノイド制御ユニツト。
JP58176574A 1982-09-27 1983-09-26 ソレノイド制御ユニツト Granted JPS5985434A (ja)

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