JPH0596153A - 化学製品タンクの加熱装置 - Google Patents

化学製品タンクの加熱装置

Info

Publication number
JPH0596153A
JPH0596153A JP4067022A JP6702292A JPH0596153A JP H0596153 A JPH0596153 A JP H0596153A JP 4067022 A JP4067022 A JP 4067022A JP 6702292 A JP6702292 A JP 6702292A JP H0596153 A JPH0596153 A JP H0596153A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heating
solution
inert gas
temperature
control device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4067022A
Other languages
English (en)
Inventor
Cirino Scarpa
スカールパ チリーノ
Giuseppe Musco
ムースコ ジユセツペ
Alberto Falzone
フアルゾーネ アルベルト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SGS THOMSON MICROELECTRONICS
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
SGS THOMSON MICROELECTRONICS
SGS Thomson Microelectronics SRL
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by SGS THOMSON MICROELECTRONICS, SGS Thomson Microelectronics SRL filed Critical SGS THOMSON MICROELECTRONICS
Publication of JPH0596153A publication Critical patent/JPH0596153A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Feeding, Discharge, Calcimining, Fusing, And Gas-Generation Devices (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Filling Or Discharging Of Gas Storage Vessels (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

(57)【要約】 (修正有) 【目的】信頼性が高く、いかなる種類の汚染の可能性も
回避し得る化学製品タンクを加熱するための装置を提供
する。 【構成】加熱すべき溶液 (4) を容れたケミカルタンク
(3) の壁部近傍に設けて溶液 (4) 内に配した少なく
も1個の熱交換コイル (1, 2) を有し、熱交換コイル
(1, 2) 内に、例えば純粋窒素ガスである不活性ガス
(23) 流を循環させるように構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、化学製品タンク (以下
ケミカルタンクと称する) を加熱するための装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】超小型電子技術の分野において、シリコ
ンスライスのエッチングが、例えば体積比で1対7の希
釈フッ化水素酸とフッ化アンモニウムの加熱混合物等の
溶液中にシリコンスライスを浸漬することにより行われ
ている。シリコンの処理の種類いかんによっては、24
リットルの処理溶液を、誤差±1℃の許容範囲内で、2
8ないし38℃の温度範囲内に保持することが必要な場
合がある。
【0003】公知技術によれば、混合物の加熱は常に、
溶液中に浸漬して、テフロン被覆の施された電気抵抗体
又はテフロン製の波形コイルを利用して行われている。
これらのコイルは、加熱媒体として、外部の自動ヒータ
ーにより発生させた熱水を利用するものである。溶液内
に配した温度検知器により外部のヒーターを制御して、
溶液を所望温度に保持するようになっている。
【0004】このような公知加熱方式にはいくつかの問
題点がある。テフロン被覆抵抗体を用いる加熱方式又は
構成 (システム) の場合、使用及び掃除 (クリーニン
グ) のための取扱いの結果、保護被覆 (コーチング) が
劣化し、それ (テフロン被覆) に微小欠損部が発生し、
このためエッチング溶液が直接抵抗体の金属に接触する
ことになるという問題がある。この場合、エッチング溶
液は金属イオンにより汚染されてしまう。
【0005】熱水コイルを用いる加熱方式又は構成の場
合についてもまた使用及び掃除のための取扱いの結果、
テフロン製の波形コイルに微小欠損部が発生し、これら
の欠損部から熱水がエッチング溶液中に浸漬し、このた
めエッチング溶液が熱水の含む異種のイオンにより汚染
されることになるという問題がある。上述の加熱方式又
は構成において、上記のようにして溶液中に入った汚染
イオンは、エッチングタンク内に収められたシリコンス
ライスに達しており、それらに堆積し、それらの保全を
損い、場合によっては欠陥品の産出を大きく増大させる
こともあり得る。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、信頼
性が高く、いかなる種類の汚染の可能性も回避し得る溶
液の加熱方式又は構成を提供することである。本発明の
他の目的は、溶液温度の均一性を高め得る加熱方式又は
構成を提供することである。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、加熱す
べき溶液を容れたケミカルタンクの壁部近傍に設けて溶
液中に配した少なくも1個の熱交換コイルを有する装置
であって、この少なくも1個の熱交換コイル内に不活性
ガス流を循環させる構成としたことを特徴とするケミカ
ルタンクの加熱装置を提供することにより、上記目的は
達成される。
【0008】この構成によれば、テフロン製コイルに例
えば微小き裂等が発生し、溶液中へのガスの浸出が起っ
ても、このガスが例えば窒素ガス等の不活性ガスである
ため溶液の組成及び純度に悪影響のおよぶことが無いの
みならず、微小欠陥部から溶液中への不活性ガスの浸出
により泡の発生が起るので、わずかなガス洩れも目視に
より直ちに確認することが可能となる。いかなる場合に
もシリコンスライスが汚染されるおそれは全く無くな
る。
【0009】少なくも1個のコイル中に循環させる不活
性ガスは、特には純粋窒素ガスである。熱交換コイルを
ただ1個設けることに代えて、純粋窒素ガスを還流させ
る熱交換コイル2個設け、装置の入り口部で純粋窒素ガ
スの導入供給を行う構成とすることも可能である。
【0010】上記の2個の熱交換コイルの入り口部に接
続させて、入り口部で加圧下の窒素ガスの供給を受ける
と共に、制御装置により駆動されて、一方が直線状の作
動により溶液を作用温度に保持する一方、他方がインパ
ルス状の作動により上記作用温度の回復を行うことが可
能な1対の加熱部 (ユニット) を設けることが可能であ
る。
【0011】この構成の場合、2重熱交換コイル構成に
より、設定温度との最大差異が絶対値で0.5℃に等しい
といった、溶液温度の非常に微小で安定した調整を行う
ことが可能となる。上記の制御装置は、1対のソレノイ
ド弁もまた駆動し得るようになっており、それらを作動
させて加熱部の入り口部における窒素ガス流の制御を行
うと共に、場合によっては装置の作動停止への切換えの
ため窒素ガス流の中断を行うようになっている。
【0012】本発明の構成特徴及び作用効果は、本発明
の範囲を限定するものではない意味で、図1のみからな
る添付図面に図示した実施例につき以下に行う詳細な記
載から一層明らかとなるであろう。
【0013】
【実施例】添付図面において、第1及び第2の熱交換コ
イル1及び2が、一方が他方の間に隔設挿入された形
で、ケミカルタンク3の壁部近傍に設けられており、タ
ンク3には、容器6内に収められたシリコンスライス5
(図には1枚のみが示されている) のエッチングのため
の溶液4が容れられている。溶液4は、例えば、体積比
で1対7のHF (フッ化水素酸) とNH4F (フッ化ア
ンモニウム) の混合物であってよく、またエッチングの
目的のため所定範囲内の温度に保持する必要のあるもの
である。特別な場合、24リットルの溶液4を、誤差±
1℃の許容範囲内で、28ないし38℃の温度範囲内に
保持することが必要な場合がある。
【0014】(熱交換) コイル1, 2はテフロン製であ
って、それらを通じ、装置の入り口部Iに供給される純
粋窒素ガス23を循環させるようになっている。入り口
部Iの直下流部位には、窒素ガス23のための圧力調整
器7及び圧力自体を計測する圧力スイッチ8が設けられ
ている。更に下流部位に、1対のソレノイド弁9, 10
が設けられており、これらの弁が窒素ガス23流の調節
及び第1及び第2の加熱部 (ユニット) 11, 12の入
り口部I11, I12への窒素ガス23流の供給を行う
ようになっている。窒素ガス23流は、加熱部11, 1
2の出口部U11, U12からコイル1, 2に供給され
る。加熱部11, 12は筒又は円筒形状の殻体 (シェ
ル) 31, 32から成り、それらの中に、窒素ガス23
流を設定温度に加熱する機能を有する電気抵抗体41,
42が収容されている。
【0015】本発明の加熱装置はまた制御装置13も備
えている。この装置13は、温度検知又は熱電対15か
ら溶液4に関する信号を受け、設定温度と検知温度の間
の差に等しい信号を制御装置13に送るように構成され
た温度制御装置14に接続されている。制御装置13
は、第1及び第2の加熱部11及び12への窒素ガス2
3流の制御及び場合によっては窒素ガス流の中断を行う
ソレノイド弁9, 10にも接続してあり、更に第1及び
第2の加熱部11,12自体にも接続してある。一層具
体的に、第1の加熱部11は、第1の熱交換コイル1に
接続してあって、制御装置13により直線状に駆動され
溶液4の設置温度を保持する一方、第2の加熱部12
は、第2の熱交換コイル2に接続してあって、制御装置
13によりインパルス状に駆動され、処理すべきシリコ
ンスライス5を収容した容器6の装入時に溶液4の温度
が降下した場合、設定温度を急速に回復するように構成
されている。
【0016】加熱部11, 12の (直線式及びインパル
ス式の) ふたつの独立駆動を組合わせて設けたことによ
り、溶液4の温度を均一とすることが可能となりまた設
定温度との差を最大でも絶対値で0.5℃に等しいものと
することが可能となった。制御装置13と加熱部11,
12の間には、加熱部11, 12に異常発生の場合に干
渉を行う、過熱に対する安全制御手段16, 17もまた
設けられている。
【0017】制御装置13には、ソレノイド弁9, 10
に窒素ガスを送る管路 (ライン) 中に設けられた安全圧
力スイッチ18が接続してあり、このスイッチ18が、
窒素ガスの圧力降下の際には加熱部11及び12の損壊
を防ぐため、加熱部11, 12と自動的に作動停止させ
る信号を制御装置13に送るようになっている。ケミカ
ルタンク3には、溶液4のろ過を行うためのろ過装置2
1を具備する、溶液4を循環させるポンプ19と、これ
に組合わせて設けられ、溶液4の過度の液位低下の際に
ポンプ19を停止させるための、制御装置13の入り口
部に接続させた液位制御装置20とが設けてある。
【0018】制御装置13には更に、加熱装置の誤作動
に際し、作業者に音響信号を与える警報装置22が設け
られている。加熱装置の稼動に際しては、先ず1枚又は
それ以上の、処理すべきシリコンスライス5を収容させ
た容器6を、例えば既述の種類の溶液4を充填したケミ
カルタンク3の底部に載置固定する。次いで、装置の入
り口部Iから窒素ガス23を供給し、圧力調整器7によ
りそれを所定圧力に調整する。
【0019】窒素ガス23流は、矢印にて示される経路
に従い、ソレノイド弁9, 10を貫流するが、これらの
弁は制御装置13により駆動されて加熱部11, 12の
入り口部における窒素ガス23流を調整する。これと同
時に、制御装置13は、温度制御装置14から発せられ
る温度差に関する数値を勘案して、既述のように加熱部
11, 12の作動の制御を行う。特に、稼動初期の変移
期を除き、加熱部11は、溶液4を設定温度に保つため
直線状に稼動される一方、加熱部12は、処理すべきシ
リコンスライス5を収容した容器6の装置への装入時等
に起るもののような、溶液4の温度降下を補償するため
にインパルス状に駆動される。このようにして、加熱部
11, 12を貫流する窒素ガス23は加熱されて出口U
11, U12に達し、そこから熱交換コイル1,2のそ
れぞれの入り口部I11, I12中に導入される。熱交
換コイル1, 2内を還流して、窒素ガス23流は溶液4
に熱を与え、冷却する。
【0020】加熱装置の作動時、加熱部11, 12の温
度は安全制御手段16, 17の制御下に維持される。何
らかの異常が発生すると、制御装置13により直ちに信
号が発せられ、警報装置22により作業者に異常を示す
信号が発せられる。上記と同様にして、安全圧力スイッ
チ18が窒素ガス23の圧力を制御し、圧力が急に降下
すると、それが制御装置13に信号を送り、この装置1
3が加熱部11, 12の作動を自動的に切換え停止させ
また警報装置22に異常の信号を発生させる。
【0021】更に、ろ過装置21を備えたポンプ19に
より、溶液4のろ過循環が継続して行われるが、溶液4
の液位低下が液位制御装置20により制御装置13に伝
えられると、溶液4の循環は停止され、警報装置22に
より作業者に信号が発せられる。以上のように構成され
た加熱装置は、ケミカルタンク内に容れた溶液を、加熱
温度の誤差を最低に抑えて加熱することを可能とするこ
とに加えて、熱交換コイルからの微小な洩れが生じた場
合にも、溶液の組成及び純度な問題を生じさせることは
なく、窒素ガスが泡を発生するのでそのような洩れを直
ちに目視検知することが可能となることにも留意された
い。
【0022】このため、ここに開示の装置は溶液の制御
された加熱が必要とされる分野において、溶液の汚染の
おそれは全くなしに広く利用可能である。特許請求の範
囲に規定される本発明の範囲を逸脱することなく、以上
に記載した本発明実施例に種々の変更を行うことは勿論
可能である。例えば、加熱すべき溶液の量及び所要加熱
温度いかんにより、熱交換コイルを2個以上設け、それ
らを、それらと同数の加熱部に接続させた構成とするこ
とが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明加熱装置の1実施例を示す、一部断面略
示説明図である。
【符号の説明】
1, 2 熱交換コイル 3 化学製品 (ケミ
カル) タンク 4 溶液 7 圧力調整器 9, 10 ソレノイド弁 11, 12 加熱部
(ユニット) 13 制御装置 (ユニット) 14 温度制御装置 15 温度検知器 16, 17 安全制
御手段 18 圧力スイッチ 23 不活性ガス
(窒素ガス)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アルベルト フアルゾーネ イタリア共和国、95022 アチ カテーナ (カターニア)、ビア ニゼツテイ、155 /エツセ

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 加熱すべき溶液 (4) を容れた化学製品
    タンク (3) の壁部近傍に設けて溶液 (4) 内に配した
    少なくも1個の熱交換コイル (1,2) を有する装置で
    あって、この少なくも1個の熱交換コイル (1,2) 内
    に不活性ガス(23) 流を循環させることを特徴とする
    化学製品タンクの加熱装置。
  2. 【請求項2】 不活性ガス (23) が純粋窒素ガスであ
    ることを特徴とする請求項1の加熱装置。
  3. 【請求項3】 前記少なくも1個の熱交換コイル (1,
    2) が一方が他方の間に隔設挿入された形で設けられた
    少なくも1対のコイルから成り、これらのコイル内にそ
    れぞれの加熱部 (11,12) を介して不活性ガス (2
    3) が供給されるようになっており、加熱部 (11,1
    2) は入り口部で不活性ガス (23)の加圧下の供給を
    受けると共に、制御装置 (13) により駆動されて、一
    方が直線状の作動により溶液 (4) を作用温度に保持す
    る一方、他方がインパルス状の作動により上記作用温度
    の回復を行うように構成されていることを特徴とする請
    求項1の加熱装置。
  4. 【請求項4】 制御装置 (13) が、1対のソレノイド
    弁 (9,10) もまた駆動するようになっており、それ
    により加熱部 (11,12) の入り口部における不活性
    ガス (23) 流の制御を行うと共に場合によっては装置
    の作動停止への切換えのためガス流の中断を行うように
    構成したことを特徴とする請求項3の加熱装置。
  5. 【請求項5】 溶液 (4) 内に設けた温度検知器 (1
    5)及び設定温度と検知温度の間の差を制御装置に伝え
    るように構成された温度制御装置 (14) を更に備えた
    ことを特徴とする請求項3の加熱装置。
  6. 【請求項6】 加熱部 (11,12) に不活性ガス (2
    3) を加圧下に供給するように構成された圧力調整器
    (7) を更に備えたことを特徴とする請求項3の加熱装
    置。
  7. 【請求項7】 不活性ガス (23) の循環路内でこのガ
    スの圧力降下が生じた場合に、加熱部 (11,12) を
    作動停止に切換えるように構成された圧力スイッチ (1
    8) を制御装置 (13)に接続設置したことを特徴とす
    る請求項3の加熱装置。
  8. 【請求項8】 加熱部 (11,12) のそれぞれが、不
    活性ガス(23) 流を設定温度に加熱する機能を有する
    電気抵抗を内蔵した殻体 (シェル) から成ることを特徴
    とする請求項3の加熱装置。
  9. 【請求項9】 加熱部 (11,12) のそれぞれに、過
    熱に対する安全制御手段 (16,17) を更に設けたこ
    とを特徴とする請求項3の加熱装置。
JP4067022A 1991-04-05 1992-03-25 化学製品タンクの加熱装置 Pending JPH0596153A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT91A000947 1991-04-05
ITMI910947A IT1245778B (it) 1991-04-05 1991-04-05 Apparecchio di riscaldamento per vaschette chimiche

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0596153A true JPH0596153A (ja) 1993-04-20

Family

ID=11359464

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4067022A Pending JPH0596153A (ja) 1991-04-05 1992-03-25 化学製品タンクの加熱装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5353369A (ja)
EP (1) EP0507387B1 (ja)
JP (1) JPH0596153A (ja)
DE (1) DE69207041T2 (ja)
IT (1) IT1245778B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8684198B2 (en) 2010-02-01 2014-04-01 Kobelco Construction Machinery Co., Ltd. Working machine

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5550357A (en) * 1994-05-03 1996-08-27 Huang; James P. S. Apparatus for producing heat energy without combustion using non-fuel fluid matter
EP0703604B1 (en) * 1994-09-20 2001-12-05 Consorzio per la Ricerca sulla Microelettronica nel Mezzogiorno Apparatus for the controlled cooling of chemical tanks
US6503363B2 (en) * 2000-03-03 2003-01-07 Seh America, Inc. System for reducing wafer contamination using freshly, conditioned alkaline etching solution
US20040226506A1 (en) * 2003-05-14 2004-11-18 Lynn David Mark Coated wafer processing equipment
KR100752653B1 (ko) * 2006-02-01 2007-08-29 삼성전자주식회사 약액조 내에 가열부를 구비하는 기판 습식 처리 장치 및상기 장치를 사용한 기판 처리용 케미컬 가열 방법
DE102009022477A1 (de) * 2009-05-25 2010-12-16 Universität Konstanz Verfahren zum Texturieren einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates sowie Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens
JP5496925B2 (ja) * 2011-01-25 2014-05-21 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
CN107275247A (zh) * 2016-04-07 2017-10-20 盟立自动化股份有限公司 具有气体循环装置的湿法工艺设备
CN107316825A (zh) * 2016-04-27 2017-11-03 盟立自动化股份有限公司 湿式蚀刻装置
US11410861B2 (en) * 2017-02-15 2022-08-09 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus
CN108511368B (zh) * 2017-02-28 2023-09-01 东京毅力科创株式会社 基板液处理装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US729793A (en) * 1902-07-08 1903-06-02 Henry S Powell Water-heater.
US1053906A (en) * 1907-11-06 1913-02-18 Pittsburg Water Heater Company Instantaneous water-heater.
US1409019A (en) * 1920-10-11 1922-03-07 Frank Smith Electrical heating device
US1937226A (en) * 1930-02-20 1933-11-28 Horch Rudolf Apparatus for maintaining the temperature of a fermenting liquid
US2254387A (en) * 1939-03-11 1941-09-02 Charles A Olcott Means for conditioning sugar bearing materials
US2522373A (en) * 1944-10-26 1950-09-12 Electrolux Ab Storage type liquid-heating system
US3590909A (en) * 1969-10-29 1971-07-06 Trane Co Oxygen boiler
US3609296A (en) * 1970-03-27 1971-09-28 Fuel Engineering Electrically heated autoclave apparatus
US4362149A (en) * 1980-12-08 1982-12-07 Rockwell International Corporation Heat storage system and method
US4815526A (en) * 1982-01-18 1989-03-28 Leif Liljegren Central space heating apparatus
FR2562643B1 (fr) * 1984-04-09 1989-10-27 Equiptechnic Appareil pour produire de l'eau chaude au moyen de fluide a haute temperature et son application au chauffage de l'eau sanitaire, notamment au moyen de vapeur a haute pression
US4841645A (en) * 1987-12-08 1989-06-27 Micro Contamination Components Industries Vapor dryer
DE3906075A1 (de) * 1989-02-27 1990-08-30 Soehlbrand Heinrich Dr Dipl Ch Verfahren zur thermischen behandlung von halbleitermaterialien und vorrichtung zur durchfuehrung desselben

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8684198B2 (en) 2010-02-01 2014-04-01 Kobelco Construction Machinery Co., Ltd. Working machine

Also Published As

Publication number Publication date
ITMI910947A0 (it) 1991-04-05
DE69207041T2 (de) 1996-07-25
DE69207041D1 (de) 1996-02-08
US5353369A (en) 1994-10-04
IT1245778B (it) 1994-10-18
ITMI910947A1 (it) 1992-10-05
EP0507387A1 (en) 1992-10-07
EP0507387B1 (en) 1995-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0596153A (ja) 化学製品タンクの加熱装置
EP0454123B1 (en) Cooling apparatus
TWI428975B (zh) 用於回收在處理環境中之處理流體的系統和方法
TWI418398B (zh) 在處理環境中之液體環式泵送及回收系統
EP1898446A2 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, and program storage medium
CN105121376A (zh) 用于提供加热的蚀刻溶液的处理系统和方法
WO2001008206A1 (fr) Processeur et procede de regulation de la temperature de celui-ci
US6536450B1 (en) Fluid heating system for processing semiconductor materials
EP0703604B1 (en) Apparatus for the controlled cooling of chemical tanks
KR20100101636A (ko) 열교환 장치
JP2000124185A (ja) 基板処理装置
JP2001316861A (ja) 加熱装置およびそれを用いた液処理装置
KR100665849B1 (ko) 히터 과열방지장치
JP2016145666A (ja) 安全機構付き冷却液供給装置及び熱負荷の冷却方法
JP2931641B2 (ja) 熱処理装置
US20030116180A1 (en) Fluid heating system for processing semiconductor materials
JP2002538544A (ja) 流液温度制御のための方法と装置
US7566430B2 (en) Apparatus for sterilizing, pasteurizing, and/or disinfecting a pumpable or free flowing medium
KR102288807B1 (ko) 반도체 장비를 구성하는 챔버의 내부 온도를 관리하는 시스템
US7217317B1 (en) Device and method for the secure conveyance and handling of spinnable cellulose solutions
EP0492766A2 (en) Heat exchanger
JP4207354B2 (ja) 熱処理装置及びその運用方法
JP3810306B2 (ja) 風呂戻り温度センサの異常診断方法
JPH01107846A (ja) 処理液の温度調節方法
KR20060118900A (ko) 반도체 제조설비의 산소센서 가열시스템