JPH0594901A - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
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- JPH0594901A JPH0594901A JP3268376A JP26837691A JPH0594901A JP H0594901 A JPH0594901 A JP H0594901A JP 3268376 A JP3268376 A JP 3268376A JP 26837691 A JP26837691 A JP 26837691A JP H0594901 A JPH0594901 A JP H0594901A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上の導体膜間に抵抗体膜を設けた厚膜構
造において、焼成後あるいは熱処理時の応力の集中に基
く抵抗体膜のクラックの発生あるいは成長を抑制するよ
うにする。 【構成】 基板１の所望位置に設けた導体膜２Ａ，２Ｂ
間にまたがるように設ける抵抗体膜３に多数の気孔（ポ
ア）４を形成して多孔質化する。これによって焼成後、
あるいはヒートサイクル試験時のような熱処理時に応力
が発生しても、気孔４の存在により応力の集中は緩和さ
れるので、クラックの発生あるいは成長は抑制されるよ
うになる。従って抵抗値の変動がなくなり、またレーザ
トリミング後の抵抗値の変化を抑えて安定化することが
できる。
造において、焼成後あるいは熱処理時の応力の集中に基
く抵抗体膜のクラックの発生あるいは成長を抑制するよ
うにする。 【構成】 基板１の所望位置に設けた導体膜２Ａ，２Ｂ
間にまたがるように設ける抵抗体膜３に多数の気孔（ポ
ア）４を形成して多孔質化する。これによって焼成後、
あるいはヒートサイクル試験時のような熱処理時に応力
が発生しても、気孔４の存在により応力の集中は緩和さ
れるので、クラックの発生あるいは成長は抑制されるよ
うになる。従って抵抗値の変動がなくなり、またレーザ
トリミング後の抵抗値の変化を抑えて安定化することが
できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、導体膜間に端部が導体
膜の表面と重なるように抵抗体膜が設けられた電子部品
に関し、特に抵抗体膜の膜構造を改良した電子部品に関
する。
膜の表面と重なるように抵抗体膜が設けられた電子部品
に関し、特に抵抗体膜の膜構造を改良した電子部品に関
する。
【０００２】
【従来の技術】電子部品の一種として図８に示すよう
に、配線基板１の所望位置に複数の導体膜２Ａ，２Ｂ，
…を形成し、任意の導体膜２Ａ，２Ｂ間に端部が導体膜
２Ａ，２Ｂの表面と重なるように抵抗体膜３を形成した
厚膜回路を有する構造が知られている。また必要に応じ
て、さらに導体膜２Ａ，２Ｂ及び抵抗体膜３の表面を絶
縁体膜で覆うようにしても良い。
に、配線基板１の所望位置に複数の導体膜２Ａ，２Ｂ，
…を形成し、任意の導体膜２Ａ，２Ｂ間に端部が導体膜
２Ａ，２Ｂの表面と重なるように抵抗体膜３を形成した
厚膜回路を有する構造が知られている。また必要に応じ
て、さらに導体膜２Ａ，２Ｂ及び抵抗体膜３の表面を絶
縁体膜で覆うようにしても良い。
【０００３】この構造を製造するには、先ずアルミナ，
ガラスセラミックス等の配線基板１上にＡｕ，Ａｇ，Ｐ
ｔ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ等から選択される導体及び
ガラス等を含むペーストをスクリーン印刷法によって印
刷して、各導体膜２Ａ，２Ｂを形成した後焼成処理を施
す。次に各導体膜２Ａ，２Ｂ間にまたがるようにＡｇ−
Ｐｄ，ＲｕＯ2 等の抵抗体及びガラスを含むペーストを
同様にスクリーン印刷法によって印刷して、抵抗体膜３
を形成した後焼成処理を施す。
ガラスセラミックス等の配線基板１上にＡｕ，Ａｇ，Ｐ
ｔ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｎｉ等から選択される導体及び
ガラス等を含むペーストをスクリーン印刷法によって印
刷して、各導体膜２Ａ，２Ｂを形成した後焼成処理を施
す。次に各導体膜２Ａ，２Ｂ間にまたがるようにＡｇ−
Ｐｄ，ＲｕＯ2 等の抵抗体及びガラスを含むペーストを
同様にスクリーン印刷法によって印刷して、抵抗体膜３
を形成した後焼成処理を施す。
【０００４】導体膜２Ａ，２Ｂ及び抵抗体膜３のペース
ト材料に各々ガラスが用いられる理由は、前者にあって
は基板１との良好な接着強度を得るためであり、また後
者にあっては抵抗体膜３と基板１及び導体膜２Ａ，２Ｂ
との良好な接着強度を得るためと、電気的特性を制御す
るためである。
ト材料に各々ガラスが用いられる理由は、前者にあって
は基板１との良好な接着強度を得るためであり、また後
者にあっては抵抗体膜３と基板１及び導体膜２Ａ，２Ｂ
との良好な接着強度を得るためと、電気的特性を制御す
るためである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで従来のそのよ
うな厚膜回路を有する電子部品では、抵抗体膜の材料に
ガラス成分が含まれているので、熱処理時に発生する応
力がこの部分に集中するようになって抵抗体膜にクラッ
クが発生しあるいは成長し易くなるという問題がある。
うな厚膜回路を有する電子部品では、抵抗体膜の材料に
ガラス成分が含まれているので、熱処理時に発生する応
力がこの部分に集中するようになって抵抗体膜にクラッ
クが発生しあるいは成長し易くなるという問題がある。
【０００６】図９はこの様子を説明するもので、図８の
Ａ部分の拡大構造を示しており、例えばヒートサイクル
試験時のような熱処理によって抵抗体膜３にクラック６
が発生している。特にこのクラック６は段差部５の付近
に発生し易くなる。このようにクラック６が発生する
と、抵抗値が変動してしまうのでドリフトの原因とな
る。
Ａ部分の拡大構造を示しており、例えばヒートサイクル
試験時のような熱処理によって抵抗体膜３にクラック６
が発生している。特にこのクラック６は段差部５の付近
に発生し易くなる。このようにクラック６が発生する
と、抵抗値が変動してしまうのでドリフトの原因とな
る。
【０００７】さらに抵抗体膜３は予めペースト状で印刷
された後に、所望の抵抗値を有するようにレーザトリミ
ング等によって加工されて抵抗値が調整されるが、その
ようにクラック６が発生するとレーザトリミング後に抵
抗値が不安定になり易くなる。
された後に、所望の抵抗値を有するようにレーザトリミ
ング等によって加工されて抵抗値が調整されるが、その
ようにクラック６が発生するとレーザトリミング後に抵
抗値が不安定になり易くなる。
【０００８】本発明は以上のような問題に対処してなさ
れたもので、耐クラック性に優れた厚膜回路を有する電
子部品を提供することを目的とするものである。
れたもので、耐クラック性に優れた厚膜回路を有する電
子部品を提供することを目的とするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板上の所望位置に複数の導体膜が設けら
れ、任意の導体膜間に端部が導体膜の表面と重なるよう
に抵抗体膜が設けられた電子部品において、前記抵抗体
膜に多数の気孔を形成して多孔質化したことを特徴とす
るものである。
に本発明は、基板上の所望位置に複数の導体膜が設けら
れ、任意の導体膜間に端部が導体膜の表面と重なるよう
に抵抗体膜が設けられた電子部品において、前記抵抗体
膜に多数の気孔を形成して多孔質化したことを特徴とす
るものである。
【００１０】
【作用】ペースト状で印刷されて形成される抵抗体膜
に、多数の気孔を形成して多孔質化するようにする。こ
れにより、熱処理時に応力が発生しても、気孔の存在に
よりこの応力の集中は緩和されるので、クラックの発生
あるいは成長を抑制することができる。
に、多数の気孔を形成して多孔質化するようにする。こ
れにより、熱処理時に応力が発生しても、気孔の存在に
よりこの応力の集中は緩和されるので、クラックの発生
あるいは成長を抑制することができる。
【００１１】
【実施例】以下図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。
る。
【００１２】図１は本発明の電子部品の実施例を示す断
面図で、１はアルミナ，ガラスセラミックス等から成る
配線基板で、この配線基板１の所望位置には複数の導体
膜２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，…が設けられ、このうち任意の導
体膜２Ａ，２Ｂ間には端部が導体膜２Ａ，２Ｂの表面と
重なるように抵抗体膜３が例えば１０乃至１５μｍの膜
厚に設けられている。
面図で、１はアルミナ，ガラスセラミックス等から成る
配線基板で、この配線基板１の所望位置には複数の導体
膜２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，…が設けられ、このうち任意の導
体膜２Ａ，２Ｂ間には端部が導体膜２Ａ，２Ｂの表面と
重なるように抵抗体膜３が例えば１０乃至１５μｍの膜
厚に設けられている。
【００１３】ここで抵抗体膜３内には図２に図１のＡ部
分の拡大構造を示すように、多数のポア（気孔）４が形
成されており、これによって多孔質化されている。抵抗
体膜３の全体積に占める気孔４の割合を気孔率と称する
と、後述するようにこの気孔率を一定の範囲に含めるこ
とによりクラック発生を抑制する効果が大となる。
分の拡大構造を示すように、多数のポア（気孔）４が形
成されており、これによって多孔質化されている。抵抗
体膜３の全体積に占める気孔４の割合を気孔率と称する
と、後述するようにこの気孔率を一定の範囲に含めるこ
とによりクラック発生を抑制する効果が大となる。
【００１４】次に本実施例電子部品の製造方法を図５を
参照して工程順に説明する。
参照して工程順に説明する。
【００１５】先ず工程Ａのように、比表面積１５０ｍ2
／ｇ、Ｈ2 Ｏを２０ｗｔ％含有したＲｕＯ2 （平均粒径
１μｍ）を２３ｗｔ％と、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3
−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスフリット（平均粒径２μｍ）を７
３ｗｔ％とし、この混合物にビヒクル（有機溶剤バイン
ダー）を４０ｗｔ％を加えて混合する。続いて工程Ｂの
ように、三本ロールで十分混合することにより抵抗体ペ
ーストを形成する。
／ｇ、Ｈ2 Ｏを２０ｗｔ％含有したＲｕＯ2 （平均粒径
１μｍ）を２３ｗｔ％と、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3
−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスフリット（平均粒径２μｍ）を７
３ｗｔ％とし、この混合物にビヒクル（有機溶剤バイン
ダー）を４０ｗｔ％を加えて混合する。続いて工程Ｂの
ように、三本ロールで十分混合することにより抵抗体ペ
ーストを形成する。
【００１６】次に工程Ｃのように、予め各導体膜２Ａ，
２Ｂを設けた配線基板１を用意し、この配線基板１上に
各導体膜２Ａ，２Ｂ間にまたがるようにスクリーン印刷
法によって前記抵抗体ペーストを印刷する。
２Ｂを設けた配線基板１を用意し、この配線基板１上に
各導体膜２Ａ，２Ｂ間にまたがるようにスクリーン印刷
法によって前記抵抗体ペーストを印刷する。
【００１７】次に工程Ｄのように配線基板１を約８５０
℃で焼成処理して抵抗体膜３を形成する。このような焼
成処理の過程で、５００℃乃至６００℃から前記ペース
ト材料の中のＲｕＯ2 からＨ2 Ｏが発生し、このＨ2 Ｏ
が溶融したガラスフリット中に進出することにより気孔
となり始める。続いて８５０℃付近で気孔径が５μｍ乃
至１０μｍの最大径となって、抵抗体膜３内に均一に含
有されるようになる。
℃で焼成処理して抵抗体膜３を形成する。このような焼
成処理の過程で、５００℃乃至６００℃から前記ペース
ト材料の中のＲｕＯ2 からＨ2 Ｏが発生し、このＨ2 Ｏ
が溶融したガラスフリット中に進出することにより気孔
となり始める。続いて８５０℃付近で気孔径が５μｍ乃
至１０μｍの最大径となって、抵抗体膜３内に均一に含
有されるようになる。
【００１８】また図６は、本実施例電子部品の他の製造
方法を工程順に説明するものである。
方法を工程順に説明するものである。
【００１９】先ず工程Ａのように、比表面積１５０ｍ2
／ｇ、Ｈ2 Ｏを２０ｗｔ％含有したＲｕＯ2 （平均粒径
１μｍ）を２３ｗｔ％と、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3
−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスフリット（平均粒径２μｍ）を７
３ｗｔ％を用意して、ボールミルによって約２０時間湿
式混合した後乾燥する。続いて工程Ｂのように、工程Ａ
で得られた粉体とビヒクルとを用意して三本ロールで十
分混合することにより抵抗体ペーストを形成する。
／ｇ、Ｈ2 Ｏを２０ｗｔ％含有したＲｕＯ2 （平均粒径
１μｍ）を２３ｗｔ％と、ＰｂＯ−ＳｉＯ2 −Ｂ2 Ｏ3
−Ａｌ2 Ｏ3 系ガラスフリット（平均粒径２μｍ）を７
３ｗｔ％を用意して、ボールミルによって約２０時間湿
式混合した後乾燥する。続いて工程Ｂのように、工程Ａ
で得られた粉体とビヒクルとを用意して三本ロールで十
分混合することにより抵抗体ペーストを形成する。
【００２０】次に前記製造方法と同様に、工程Ｃのよう
に配線基板１上に各導体膜２Ａ，２Ｂ間にまたがるよう
にスクリーン印刷法によって前記ペーストを印刷した
後、工程Ｄのように焼成処理して抵抗体膜３を形成す
る。
に配線基板１上に各導体膜２Ａ，２Ｂ間にまたがるよう
にスクリーン印刷法によって前記ペーストを印刷した
後、工程Ｄのように焼成処理して抵抗体膜３を形成す
る。
【００２１】このような本実施例によれば、図２の拡大
構造から明らかなように、抵抗体膜３内には多数の気孔
４が形成されているので、焼成後の残留応力あるいはヒ
ートサイクル試験時のような熱処理時に応力が発生して
も、この応力の集中は気孔４の存在によって緩和され
る。従って抵抗体膜３の段差部５等におけるクラックの
発生あるいは成長は抑制されるようになるため、抵抗値
の変動はなくなるのでドリフトは生じない。
構造から明らかなように、抵抗体膜３内には多数の気孔
４が形成されているので、焼成後の残留応力あるいはヒ
ートサイクル試験時のような熱処理時に応力が発生して
も、この応力の集中は気孔４の存在によって緩和され
る。従って抵抗体膜３の段差部５等におけるクラックの
発生あるいは成長は抑制されるようになるため、抵抗値
の変動はなくなるのでドリフトは生じない。
【００２２】さらにクラックの発生あるいは成長が抑制
されることにより、レーザトリミング後の抵抗値の変化
も押えられるので安定した値を示すようになる。なお気
孔率は、５％以上に設定すると効果的であり特に１５乃
至４５％、好ましくは２０乃至４０％の範囲に含めると
望ましい結果が得られる。また、気孔の平均直径は、２
μｍ以上に形成すると効果的であり特に４乃至１２μ
ｍ、好ましくは５乃至１０μｍの範囲に形成されると望
ましい結果が得られる。さらに、気孔４は均一に分布さ
れていることが望ましい。さらにまた、気孔４の形状は
球状であることが望ましい。
されることにより、レーザトリミング後の抵抗値の変化
も押えられるので安定した値を示すようになる。なお気
孔率は、５％以上に設定すると効果的であり特に１５乃
至４５％、好ましくは２０乃至４０％の範囲に含めると
望ましい結果が得られる。また、気孔の平均直径は、２
μｍ以上に形成すると効果的であり特に４乃至１２μ
ｍ、好ましくは５乃至１０μｍの範囲に形成されると望
ましい結果が得られる。さらに、気孔４は均一に分布さ
れていることが望ましい。さらにまた、気孔４の形状は
球状であることが望ましい。
【００２３】図３は本実施例電子部品の断面構造を写真
で示すもので、１０００倍に拡大して示すものである。
粒子状の抵抗体膜３の表面に存在しているのが気孔４で
ある。図５は同様にして本実施例電子部品の上面構造を
写真で示すもので、１０００倍に拡大して示すものであ
る。黒丸状の部分が気孔４である。 図７は本実施例に
よって得られた特性図を示すもので、縦軸は抵抗体膜表
面の残留応力、横軸は抵抗体膜の気孔率を示している。
残留応力が大きい程クラックが発生し易いことを示して
いる。
で示すもので、１０００倍に拡大して示すものである。
粒子状の抵抗体膜３の表面に存在しているのが気孔４で
ある。図５は同様にして本実施例電子部品の上面構造を
写真で示すもので、１０００倍に拡大して示すものであ
る。黒丸状の部分が気孔４である。 図７は本実施例に
よって得られた特性図を示すもので、縦軸は抵抗体膜表
面の残留応力、横軸は抵抗体膜の気孔率を示している。
残留応力が大きい程クラックが発生し易いことを示して
いる。
【００２４】図７の特性図から明らかなように、本発明
実施例によれば抵抗体膜３内に気孔を形成し、この気孔
量を増加することにより、すなわち気孔率を大きくする
ことにより、小さな値の残留応力を得ることができ、ク
ラックの発生は現象傾向にありクラックを抑制するのに
効果的であることを示している。
実施例によれば抵抗体膜３内に気孔を形成し、この気孔
量を増加することにより、すなわち気孔率を大きくする
ことにより、小さな値の残留応力を得ることができ、ク
ラックの発生は現象傾向にありクラックを抑制するのに
効果的であることを示している。
【００２５】本実施例では２つの導体膜間に抵抗体膜を
設けた厚膜回路を形成する例で説明したが、これに限る
ことなく種々の変形例が可能である。
設けた厚膜回路を形成する例で説明したが、これに限る
ことなく種々の変形例が可能である。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、導体
膜間に抵抗体膜が設けられた厚膜回路において、抵抗体
膜内に多数の気孔を形成するようにしたので、熱処理時
に発生する応力の集中を緩和することができるためクラ
ックの発生あるいは成長を抑制することができる。
膜間に抵抗体膜が設けられた厚膜回路において、抵抗体
膜内に多数の気孔を形成するようにしたので、熱処理時
に発生する応力の集中を緩和することができるためクラ
ックの発生あるいは成長を抑制することができる。
【図１】本発明の電子部品の実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】図１の主要部の拡大構造を示す断面図である。
【図３】本実施例電子部品の断面構造を示す写真であ
る。
る。
【図４】本実施例電子部品の上面構造を示す写真であ
る。
る。
【図５】本実施例電子部品の製造方法を示す工程図であ
る。
る。
【図６】本実施例電子部品の他の製造方法を示す工程図
である。
である。
【図７】本実施例によって得られたクラック発生の減少
傾向を説明する特性図である。
傾向を説明する特性図である。
【図８】従来例を示す断面図である。
【図９】図８の主要部の拡大構造を示す断面図である。
１ 配線基板 ２Ａ，２Ｂ 導体膜 ３ 抵抗体膜 ４ 気孔（ポア） ５ 段差部 ６ クラック
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年１０月２２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の電子部品の実施例を示す断面図であ
る。
る。
【図２】図１の主要部の拡大構造を示す断面図である。
【図３】本実施例電子部品の断面から見た粒子構造を示
す写真である。
す写真である。
【図４】本実施例電子部品の上面から見た粒子構造を示
す写真である。
す写真である。
【図５】本実施例電子部品の製造方法を示す工程図であ
る。
る。
【図６】本実施例電子部品の他の製造方法を示す工程図
である。
である。
【図７】本実施例によって得られたクラック発生の減少
傾向を説明する特性図である。
傾向を説明する特性図である。
【図８】従来例を示す断面図である。
【図９】図８の主要部の拡大構造を示す断面図である。
【符号の説明】 １ 配線基板 ２Ａ，２Ｂ 導体膜 ３ 抵抗体膜 ４ 気孔（ポア） ５ 段差部 ６ クラック
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮内 泰治 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テイ ーデイーケイ株式会社内
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上の所望位置に複数の導体膜が設け
られ、任意の導体膜間に端部が導体膜の表面と重なるよ
うに抵抗体膜が設けられた電子部品において、前記抵抗
体膜に多数の気孔を形成して多孔質化したことを特徴と
する電子部品。 - 【請求項２】 前記抵抗体膜の気孔率が５％以上である
請求項１記載の電子部品。 - 【請求項３】 前記抵抗体膜の気孔率が１５乃至４５％
である請求項１記載の電子部品。 - 【請求項４】 前記抵抗体膜の気孔の平均直径が２μｍ
以上である請求項１記載の電子部品。 - 【請求項５】 前記抵抗体膜の気孔の平均直径が４乃至
１２μｍである請求項１記載の電子部品。 - 【請求項６】 前記抵抗体膜の気孔が球形状から成る請
求項１記載の電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26837691A JP3197588B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26837691A JP3197588B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 電子部品の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0594901A true JPH0594901A (ja) | 1993-04-16 |
| JP3197588B2 JP3197588B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=17457637
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26837691A Expired - Fee Related JP3197588B2 (ja) | 1991-09-19 | 1991-09-19 | 電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3197588B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013030616A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Kyocera Corp | 回路基板およびこれを備える電子装置 |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| PL2879777T3 (pl) | 2012-07-31 | 2020-08-10 | Suncoke Technology And Development Llc | „Sposób przetwarzania emisji z obróbki węgla oraz związane z nim systemy i urządzenia” |
| US9169439B2 (en) | 2012-08-29 | 2015-10-27 | Suncoke Technology And Development Llc | Method and apparatus for testing coal coking properties |
| US9476547B2 (en) | 2012-12-28 | 2016-10-25 | Suncoke Technology And Development Llc | Exhaust flow modifier, duct intersection incorporating the same, and methods therefor |
| US10883051B2 (en) | 2012-12-28 | 2021-01-05 | Suncoke Technology And Development Llc | Methods and systems for improved coke quenching |
| WO2016033524A1 (en) | 2014-08-28 | 2016-03-03 | Suncoke Technology And Development Llc | Improved burn profiles for coke operations |
| CA2961207C (en) | 2014-09-15 | 2023-04-18 | Suncoke Technology And Development Llc | Coke ovens having monolith component construction |
| US10975310B2 (en) | 2014-12-31 | 2021-04-13 | Suncoke Technology And Development Llc | Multi-modal beds of coking material |
| US11060032B2 (en) | 2015-01-02 | 2021-07-13 | Suncoke Technology And Development Llc | Integrated coke plant automation and optimization using advanced control and optimization techniques |
| CN109313443A (zh) | 2016-06-03 | 2019-02-05 | 太阳焦炭科技和发展有限责任公司 | 用于在工业设施中自动生成补救措施的方法和系统 |
-
1991
- 1991-09-19 JP JP26837691A patent/JP3197588B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013030616A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | Kyocera Corp | 回路基板およびこれを備える電子装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3197588B2 (ja) | 2001-08-13 |
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