JPH0594617A - 磁気デイスク用アモルフアスカーボン基板のテクスチヤー処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 磁気ディスク用アモルファスカーボン基板の
表面に均一なテクスチャー面を形成し、スクラッチ及び
ピットの発生を防止することができるテクスチャー処理
方法を提供することを目的とする。 【構成】 アモルファスカーボン基板の表面を所定範囲
の粗さに、また円周方向と半径方向の表面粗さの比を所
定範囲のものに研磨した後、イオンミリング又は逆スパ
ッタリング等のドライエッチングにより処理して、テク
スチャー面を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は磁気ヘッド浮揚面と磁気
ディスク表面との間に吸着現象が発生することを防止す
るためにテクスチャー処理する磁気ディスク用アモルフ
ァスカーボン基板のテクスチャー（Texture ）処理方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、磁気ディスクはＮｉ−Ｐメッキ材
等が被覆されたＡｌ基板上に磁性膜を形成して構成され
ている。そして、磁気ディスク再生装置においては、磁
気ディスク上に浮揚型磁気ヘッドを配置し、磁気ディス
クを回転させることにより前記磁気ヘッドを浮揚させた
状態で、この磁気ヘッドにより磁気ディスクへの書込み
又は再生を行う。しかしながら、磁気ディスクへの書込
み又は再生を行う際、ディスク静止時において磁気ヘッ
ド浮揚面と磁気ディスク表面との間に吸着が生じる場合
がある。この吸着現象は磁気ヘッド浮揚面及び磁気ディ
スク表面が極めて平滑であって双方が微小間隔で対面し
ているときに、その間隙がＯ₂ 、Ｎ₂ 又はＨ₂ Ｏ等の分
子により埋め尽くされて界面張力により大きな吸着力が
発生することに起因する。このような吸着現象が発生す
ると、磁気ディスクを駆動するモータが起動するときに
多大の電力を消費するという不都合を招来する。

【０００３】そこで、上述の吸着現象を防止するため、
磁気ディスク用Ａｌ基板においては、磁性膜を被着する
に先立ち、基板表面を一旦鏡面仕上げした後、テクスチ
ャー処理を施すことによりその表面粗さを調整してい
る。このテクスチャー処理方法としては、以下に示すも
のがある。即ち、Ａｌ基板（Ｎｉ−Ｐメッキ材）を回転
させた状態で、このＡｌ基板に研磨テープをローラで押
し付けて接触させつつ、前記研磨テープをＡｌ基板の半
径方向に移動させる。研磨テープとしては炭化ケイ素、
アルミナ又はダイヤモンド等の砥粒を付着させたものを
使用する。このように機械的なテクスチャー処理を施す
ことにより、磁気ディスク用Ａｌ基板の表面に同心円状
の条痕を付し、条痕が円周方向に配向した粗面を得るこ
とができる。

【０００４】なお、従来の他の磁気ディスク用基板とし
て、アモルファスカーボン基板（神戸製鋼技報、vol.3
9、No.4、35乃至38頁、1989年発行）が提案されてい
る。このアモルファスカーボン基板は軽量且つ高強度で
あると共に、耐熱性及び表面精度が優れていて、Ａｌ基
板に比して磁気ディスクの記録密度を向上させることが
できるものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
磁気ディスク用Ａｌ基板のテクスチャー処理方法におい
ては、表面粗さを適切なものに調整することが極めて困
難であり、必要以上に粗くなりやすい。磁気ディスクは
記録密度を高めるために、磁気ヘッドの浮上高さ（スペ
ーシング）をより一層小さくすることが好ましいが、上
述の如く、磁気ディスク用Ａｌ基板の表面粗さが必要以
上に粗くなると、磁気ヘッドの浮上高さが大きくなり、
磁気ディスクの記録密度を向上させることができない。
更に、従来のアモルファスカーボン基板は磁気ヘッドの
吸着防止及び磁気記録特性の向上の面から表面粗さを検
討すること自体、なされていないという問題点がある。

【０００６】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
のであって、磁気ディスクのヘッド吸着を防止できると
共に、磁性膜の特性を改善することができ、磁気ヘッド
の浮上高さを従来より小さくすることができるテクスチ
ャー面を得ることができる磁気ディスク用アモルファス
カーボン基板のテクスチャー処理方法を提供することを
目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明に係る磁気ディス
ク用アモルファスカーボン基板のテクスチャー処理方法
は、アモルファスカーボン基板の表面を研磨することに
よりその表面粗さＲａを 5乃至40Å又は5乃至50Åにす
ると共に円周方向の表面粗さＲａ₁ と半径方向の表面粗
さＲａ₂ との比Ｒａ₂ ／Ｒａ₁ を夫々0.85乃至1.15の範
囲内又は1.50以上にする研磨工程と、表面研磨したアモ
ルファスカーボン基板をドライエッチングするエッチン
グ工程とを有することを特徴とする。

【０００８】

【作用】本願発明者等はアモルファスカーボン基板がも
つ性質に着目してそのテクスチャー処理方法について種
々研究を重ねた。その結果、アモルファスカーボン基板
を所定の表面粗さに研磨した後に、酸化性雰囲気中にて
所定の温度で加熱処理することにより、アモルファスカ
ーボン基板を磁気ディスク用として適切な表面粗さに処
理することができるということを見い出し、この原理の
下に完成した発明を特願昭2-410434，2-410436として既
に出願した。

【０００９】即ち、所定の表面粗さに研磨されたアモル
ファスカーボン基板を300乃至1000℃、好ましくは 400
乃至 700℃に加熱すると、Ｃ＋Ｏ₂ →ＣＯ₂ の酸化反応
が起こり、カーボンがガス化されてその研磨面に微細な
凹凸が形成される。従って、処理温度及び時間等の加熱
処理の条件をコントロールすることによりアモルファス
カーボン基板を適切な表面粗さに容易に処理することが
でき、その表面が必要以上に粗くなることはない。これ
により、磁気ディスクのヘッド吸着を防止することがで
きると共に、アモルファスカーボン基板上に形成される
磁性膜の特性を改善することができ、磁気ヘッドの浮上
高さを従来より小さくすることができる。

【００１０】このように、前記先行出願に係る発明によ
り、従来のテクスチャー処理では得られない効果が得ら
れ、その所期の目的は達成されたものの、その後、以下
に示す不十分な点も見られるようになった。

【００１１】即ち、前記先行出願に係る発明は、カーボ
ンと酸素とのケミカル反応を利用したものであり、この
ケミカルテクスチャーは、結晶粒、結晶粒の集合体及び
研磨痕から表面の凹凸を構成している。このため、テク
スチャーの粗さが粗くなるにつれて、研磨痕の影響が大
きくなり、これにより深いスクラッチが発生する場合が
ある。この深いスクラッチが基板の半径方向に発生する
と、ビットシフト等のメディアエラーを引き起こす。

【００１２】また、ハードディスクにおいて、安定した
ヘッドの浮上を促進するため、均一なテクスチャー処理
が必要である。しかし、大気中の酸素ガスを使用したカ
ーボン基板のテクスチャー処理方法においては、処理温
度の変動による粗さの変化が比較的大きい。しかも、加
熱炉内の温度分布は、高温になるほど、その温度制御が
難しくなる。また、酸化反応が激しく起きるような温度
域では、大気の対流状態から基板位置によって酸化量が
異なるという難点がある。これらの要因から、テクスチ
ャー処理面の粗さが不均一になりやすい。

【００１３】更に、基板に、有機物、金属又は金属イオ
ン等の異物が付着した場合には、その部分でカーボン基
板の酸化が促進されやすく、これによりピット状の欠陥
が発生しやすい。異物の付着は基板表面に生じる場合
と、基板欠陥に浸透している場合とがあり、後者の場合
は、洗浄により除去しにくいため、特に問題となる。

【００１４】そこで、本願発明者らが、種々検討を進め
た結果、加速イオンを基板表面に衝突させ、物理的なエ
ネルギによってテクスチャー処理を行うことによって、
上述の難点を解消できることを見いだした。即ち、本願
発明は、研磨工程の後に、イオンミリング又は逆スパッ
タリング等のドライエッチングにより、その物理的なエ
ネルギを利用してテクスチャー処理を行うことを特徴と
する。

【００１５】イオンミリングはＡｒ，Ｏ₂，Ｆ₂，Ｎ₂等
のガス分子のうち、１種又は２種以上の分子にバイアス
を印加してイオン化した後、このイオンをニュートラル
フィルタを通して基板に衝突させる。この衝突エネルギ
により基板原子の結合を切断することによって、基板表
面をエッチングする。なお、このイオンミリングは一般
的に磁気ヘッドの微細加工（エッチング工程）に使用さ
れている。

【００１６】一方、逆スパッタリングもイオンミリング
と同様にＡｒ，Ｎ₂分子にバイアスを印加してイオン化
した後、このイオンを基板表面に衝突させる。一般的
に、逆スパッタリングは、スパッタリングによって成膜
する際に、このスパッタリングに先立ち、基板表面をエ
ッチングして基板を清浄化するために行うものである。

【００１７】所定の粗さに研磨した基板表面を、このド
ライエッチング法によりエッチングすることによって、
基板表面に微細な凹凸からなるテクスチャー処理を施す
ことができる。この場合に、ドライエッチングは、基板
表面の全体を均一にエッチングして均一なテクスチャー
を施すことができる。これにより、スクラッチの拡大が
抑制される。また、処理温度は低温であるので、テクス
チャー処理面の粗さも均一である。また、ゴミなどが基
板表面に付着しにくいので、ピットの発生も抑制するこ
とができる。更に、このドライエッチングは磁気ディス
ク製造用の成膜ラインで処理することができるので、後
工程の磁気ディスク成膜ラインと同一のラインで処理で
き、効率的に処理することができる。

【００１８】次に、表面研磨工程におけるアモルファス
カーボン基板の表面粗さＲａ及び円周方向の表面粗さＲ
ａ₁ と半径方向の表面粗さＲａ₂ との比Ｒａ₂ ／Ｒａ₁
の限定理由について説明する。ランダム配向 基板面に対するテクスチャーの方向性をランダム配向に
すると、即ち、アモルファスカーボン基板の表面粗さＲ
ａが円周方向又は半径方向に偏らないようにすると、磁
気ディスクとして実用する際の記録再生エラー及びノイ
ズ（Ｓ／Ｎ比）を低減することができ、その記録密度を
高めることができる。

【００１９】このテクスチャーのランダム配向性は加熱
処理前の表面研磨により決定される。しかしながら、表
面研磨後におけるアモルファスカーボン基板の円周方向
の表面粗さＲａ₁ と半径方向の表面粗さＲａ₂ との比Ｒ
ａ₂ ／Ｒａ₁ が0.85乃至1.15から外れると、磁気ディス
クの記録再生エラー及びノイズ（Ｓ／Ｎ比）が増加す
る。このため、表面研磨後におけるアモルファスカーボ
ン基板の円周方向の表面粗さＲａ₁ と半径方向の表面粗
さＲａ₂ との比Ｒａ₂ ／Ｒａ₁ は0.85乃至1.15にする。

【００２０】表面研磨後におけるアモルファスカーボン
基板の表面粗さ（平均面粗さ）Ｒａが 5Åより小さい
と、磁気ディスクとして実用する際に磁気ヘッドの吸着
が生じやすい。一方、表面粗さＲａが40Åを超えると、
磁気ヘッドの浮上高さを約 0.1μｍ以下にすることが困
難になる。このため、表面研磨後におけるアモルファス
カーボン基板の表面粗さＲａは 5乃至40Åにする。

【００２１】このように、本発明に係る磁気ディスク用
アモルファスカーボン基板は磁気ディスクの記録密度を
高めることができると共に、磁気ヘッドの浮上高さを小
さくすることができるので、特に高性能の磁気ディスク
に使用するのに好適である。次に、アモルファスカーボ
ン基板を上述の表面粗さに研磨するための研磨方法につ
いて説明する。

【００２２】砥粒としてはアモルファスカーボン基板と
同等以上の硬度を有し、工業的に安価なものを使用す
る。例えば、ダイヤモンド、アルミナ、ＳｉＣ、ＺｒＯ
₂ 、酸化セリウム及びＳｉＯ₂ からなる群から選択され
た少なくとも 1種の砥粒を使用することが好ましい。こ
の場合、その平均粒径が 1μｍを超えると、研磨時にア
モルファスカーボン基板の表面にスクラッチが発生する
ため、表面粗さを所望の精度にすることが困難である。
更に、スクラッチが発生すると、次工程の加熱処理によ
りスクラッチ部分が局所的に酸化され、溝状に拡大して
基板欠陥となるため、磁気ディスクとしての実用上の耐
久性が低下する。また、上記以外の砥粒を使用すること
も可能であるが、砥粒としての切削力が不十分である
と、アモルファスカーボン基板の表面に所謂オレンジピ
ールという微小な窪みが発生する。

【００２３】定盤としてはＳｎ又はＣｕ等からなる軟質
定盤を使用することが好ましい。アモルファスカーボン
基板はＡｌ基板に比して脆いため、鋳鉄等からなる硬質
定盤を使用すると、砥粒が硬質定盤上を転がってアモル
ファスカーボン基板の表面にスクラッチ、オレンジピー
ル及びチッピング等の欠陥が頻繁に発生する。一方、軟
質定盤を使用した場合、砥粒が軟質定盤に若干埋没して
転がらないため、上述の不都合が生じることはない。

【００２４】なお、上述の軟質定盤は所定期間使用した
後、粗れた表面をドレッシングする必要がある。そこ
で、軟質定盤又は硬質定盤の表面に硬度が60以上のポリ
ウレタン等からなる硬質パッドを被着したものを使用す
ることができる。この場合、軟質定盤と同様にしてアモ
ルファスカーボン基板の表面に欠陥が生じることがない
と共に、定盤の表面をドレッシングする替わりに硬質パ
ッドを交換するだけで良く、処理コストを低減できると
いう利点がある。

【００２５】このように本発明においては、平均粒径が
1μｍ以下のダイヤモンド、アルミナ、ＳｉＣ、ＺｒＯ
₂ 、酸化セリウム及びＳｉＯ₂ からなる群から選択され
た少なくとも 1種の砥粒を使用して、軟質定盤又はその
表面に硬度が60以上の硬質パッドが被着された定盤によ
り、アモルファスカーボン基板をラップ研磨することが
好ましい。

【００２６】テクスチャーの方向性は以下に示すように
してランダム配向にすることができる。即ち、上述の砥
粒のスラリーを滴下した軟質定盤（又は硬質パッド）上
において、アモルファスカーボン基板を加圧しながら、
このアモルファスカーボン基板を自転させると共に公転
させる。これにより、アモルファスカーボン基板の表面
が砥粒により不規則に切削されるため、表面研磨後のア
モルファスカーボン基板の円周方向の表面粗さＲａ₁ と
半径方向の表面粗さＲａ₂ との比Ｒａ₂ ／Ｒａ₁ を0.85
乃至1.15にすることができる。円周方向配向 ランダム配向の場合と異なり、円周方向配向の場合に
は、この円周方向の磁気特性を向上させることができ
る。この場合に、表面研磨後におけるアモルファスカー
ボン基板の表面粗さ（平均面粗さ）Ｒａが 5Åより小さ
いと、磁気ディスクとして実用する際に磁気ヘッドの吸
着が生じやすい。一方、表面粗さＲａが50Åを超える
と、磁気ヘッドの浮上高さを従来より小さくすることが
困難になる。このため、表面研磨後におけるアモルファ
スカーボン基板の表面粗さＲａは 5乃至50Åにする。

【００２７】磁気ディスク用アモルファスカーボン基板
をテクスチャー処理する主目的は磁気ヘッドの吸着防止
であるが、基板面に対するテクスチャーの方向性を同心
円状の円周配向にすると、即ち、アモルファスカーボン
基板の表面粗さＲａを円周方向に比して半径方向に大き
くすると、円周方向の保磁力及び角形比を半径方向のそ
れに比して 2乃至 3割向上させることができる。そし
て、記録再生時において磁気ヘッドは磁気ディスクに対
して相対的に円周方向に移動するので、上述の如くテク
スチャーの方向性を円周配向にすると、磁性膜の円周方
向の磁気特性を著しく向上させることができる。従っ
て、磁性膜（メディア層）にＰｔ又はＴａ等の高価な元
素を添加することにより磁性膜の磁気特性を向上させる
必要がない。このテクスチャーの円周配向性は加熱処理
前の表面研磨により決定される。しかしながら、表面研
磨後におけるアモルファスカーボン基板の円周方向の表
面粗さＲａ₁ と半径方向の表面粗さＲａ₂ との比Ｒａ₂
／Ｒａ₁ が1.50未満であると、テクスチャーの円周配向
が不十分であって円周方向のメディア層の磁気特性の向
上が不十分になる。このため、表面研磨後におけるアモ
ルファスカーボン基板の円周方向の表面粗さＲａ₁ と半
径方向の表面粗さＲａ₂ との比Ｒａ₂ ／Ｒａ₁は1.50以
上にする。

【００２８】このように、本発明に係る磁気ディスク用
アモルファスカーボン基板は、磁気ヘッドの浮上高さを
小さくすることができると共に、Ｐｔ又はＴａ等の高価
な元素を添加しなくてもメディア層の磁気特性を向上さ
せることができるので、特に低コストの磁気ディスクに
使用するのに好適である。

【００２９】次に、アモルファスカーボン基板を円周方
向配向で上述の表面粗さに研磨するための研磨方法につ
いて説明する。

【００３０】研磨工程においては、従来の磁気ディスク
用Ａｌ基板を機械的にテクスチャー処理する場合に使用
するテープポリッシャー等の研磨材が有効である。即
ち、アモルファスカーボン基板を回転させた状態で研磨
材を前記アモルファスカーボン基板に接触させつつ、こ
の研磨材を前記アモルファスカーボン基板の半径方向
に、例えば基板の外周部から内周部に向けて移動させ
る。前記研磨材には微粉状の砥粒を付着させた研磨テー
プを使用することができる。砥粒としてはアモルファス
カーボン基板と同等以上の硬度を有し、工業的に安価な
もの、例えば、ダイヤモンド、アルミナ、ＳｉＣ、Ｚｒ
Ｏ₂ 、酸化セリウム及びＳｉＯ₂ 等を使用する。これに
より、アモルファスカーボン基板の表面はその回転に伴
って前記砥粒により切削される。従って、基板の回転
数、使用する研磨テープの番手及び研磨テープの移動速
度等を適宜選択することにより、表面研磨後におけるア
モルファスカーボン基板の表面粗さＲａを 5乃至50Åに
すると共に円周方向の表面粗さＲａ₁ と半径方向の表面
粗さＲａ₂ との比Ｒａ₂ ／Ｒａ₁ を1.50以上にすること
ができ、前記アモルファスカーボン基板の表面に同心円
状の条痕を形成することができる。

【００３１】なお、本発明におけるアモルファスカーボ
ン基板とは、ガラス質炭素に超高温ＨＩＰ（熱間静水圧
加圧）処理を施すことにより、気孔を殆ど消失させて密
度を1.80g/cm³ 以上と高くし、その特性をグラファイト
に近付けた高密度アモルファスカーボンからなるもので
ある。

【００３２】

【実施例】以下、本発明の実施例及び本願特許請求の範
囲から外れる比較例に係る磁気ディスク用アモルファス
カーボン基板のテクスチャー処理方法について説明す
る。 イオンミリングによるテクスチャー処理の場合 ２．５インチのアモルファスカーボン基板を鏡面研磨
し、表面粗さＲａが２０Åの研磨面を得た。この研磨工
程はランダム配向である。次いで、イオンミリング装置
のサンプルホルダに基板を設置し、処理時間及び照射角
度を種々変更してイオンミリング処理を行った。このテ
クスチャー処理条件は下記のとおりである。また、得ら
れたテクスチャー処理面の表面粗さを下記表１に示す。
更に、下記表２は、表１の角度０°及び処理時間３０分
の場合の粗さのばらつきを、酸素（大気中）ガス雰囲気
下での加熱によりテクスチャー処理した場合の粗さのば
らつきと比較して示す。

【００３３】装置；ＤＣ三層スパッタ装置 印加電圧；６００Ｖ 印加電流；２８ｍＡ 処理時間；０乃至３０分 エッチングイオン；Ａｒ 気圧；２×１０^-4torr 温度；２５０℃ エッチング角度；０°，４５°

【００３４】

【表１】

【００３５】

【表２】

【００３６】この表１から明らかなように、本実施例は
処理時間とエッチング角度を調整することにより表面粗
さＲａを２０乃至１００Åの範囲に制御することが可能
である。また、これらの条件の外に、印加電圧、印加電
流及びイオン源を選択することにより、その表面粗さを
制御することができる。なお、最適の処理時間は他の条
件によっても影響されるが、生産性及び製造コストを勘
案すれば、３０分以内が好ましい。

【００３７】表２に示すように、本願の先行出願のよう
に、表面研磨後、１気圧の大気中で加熱することにより
テクスチャー処理した場合には、スクラッチ及びピット
が認められ、また表面粗さのばらつきも比較的大きいの
に対し、本実施例のイオンミリングにより表面を凹凸化
した場合は、目視又は顕微鏡による検査の結果、スクラ
ッチ及びピットが認められないと共に、粗さ測定装置に
よる粗さのばらつきが小さい。また、本実施例のエッチ
ングにおいては、基板温度の影響は小さく、基板を加熱
しない場合にも加熱した場合と粗さの程度に実質的な相
違はない。逆スパッタリング 研磨工程は前述のイオンミリングの場合と同一である。
逆スパッタリングの条件は以下に示すとおりである。

【００３８】装置；ＤＣ三層スパッタリング装置 バイアス電力；１９７Ｗ 処理時間；５乃至６０分 エッチングイオン；Ａｒ 気圧；１．４×１０^-4torr 温度；室温 この場合の処理時間と表面粗さ及び表面性状との関係を
下記表３に示す。

【００３９】

【表３】

【００４０】この表３から明らかなように、処理時間を
適宜選択することにより、表面粗さを任意のものに設定
することができる。特に、この処理時間の外に、印加電
圧、印加電流、及びイオン源等を種々選択することによ
り、表面粗さＲａを２０乃至１００Åの範囲に制御する
ことができる。本実施例における処理時間は生産性及び
製造コスト等を勘案して、６０分以内が好ましい。逆エ
ッチングに及ぼす基板温度の影響は少ないため、基板を
加熱しても得られた粗さに対する相違は少ない。また、
本実施例においては、ピット及びスクラッチは顕微鏡観
察で認められなかった。

【００４１】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、磁
気ディスク用アモルファスカーボン基板の表面を研磨す
ることにより、その表面粗さＲａを 5乃至40Åにすると
共に円周方向の表面粗さＲａ₁ と半径方向の表面粗さＲ
ａ₂ との比Ｒａ₂ ／Ｒａ₁ を0.85乃至1.15以上にする
か、又は表面粗さＲａを5乃至50Åにすると共に、円周
方向の表面粗さＲａ₁と半径方向の表面粗さＲａ₂との比
Ｒａ₂／Ｒａ₁を1.50以上にした後、この基板をイオンミ
リング又は逆スパッタリング等のドライエッチング処理
するから、テクスチャーをランダム配向又は円周方向配
向にしてその表面粗さを適切なものにすることができ
る。このため、磁気ディスクに対する磁気ヘッドの吸着
を防止することができると共に、磁気ヘッドの浮上高さ
を従来より小さくしてアモルファスカーボン基板上に形
成される磁性膜の記録再生特性を向上させることができ
る。

【００４２】また、テクスチャーの形成は、ドライエッ
チングにより行うから、表面粗さを均一にすることがで
きる。そして、本発明によれば、スクラッチが拡大せ
ず、ピットの発生も抑制される。更に、本発明のドライ
エッチング工程は、後工程で行う磁性膜の成膜装置（ス
パッタライン）でも実施できるので、格別の装置を設け
る必要がないため、基板の汚染を防止できると共に、製
造コストを低減することができる。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 アモルファスカーボン基板の表面を研磨
   することによりその表面粗さＲａを 5乃至40Åにすると
   共に円周方向の表面粗さＲａ₁ と半径方向の表面粗さＲ
   ａ₂ との比Ｒａ₂ ／Ｒａ₁ を0.85乃至1.15にする研磨工
   程と、表面研磨したアモルファスカーボン基板をドライ
   エッチングするエッチング工程とを有することを特徴と
   する磁気ディスク用アモルファスカーボン基板のテクス
   チャー処理方法。
2. 【請求項２】 前記研磨工程は、平均粒径が 1μｍ以下
   のダイヤモンド、アルミナ、ＳｉＣ、ＺｒＯ₂ 、酸化セ
   リウム及びＳｉＯ₂ からなる群から選択された少なくと
   も 1種の砥粒を使用して軟質定盤によりアモルファスカ
   ーボン基板をラップ研磨することを特徴とする請求項１
   に記載の磁気ディスク用アモルファスカーボン基板のテ
   クスチャー処理方法。
3. 【請求項３】 前記研磨工程は平均粒径が 1μｍ以下の
   ダイヤモンド、アルミナ、ＳｉＣ、ＺｒＯ₂ 、酸化セリ
   ウム及びＳｉＯ₂ からなる群から選択された少なくとも
   1種の砥粒を使用してその表面に硬度が60以上の硬質パ
   ッドが被着された定盤によりアモルファスカーボン基板
   をラップ研磨することを特徴とする請求項１に記載の磁
   気ディスク用アモルファスカーボン基板のテクスチャー
   処理方法。
4. 【請求項４】 アモルファスカーボン基板の表面を研磨
   することによりその表面粗さＲａを 5乃至50Åにすると
   共に円周方向の表面粗さＲａ₁ と半径方向の表面粗さＲ
   ａ₂ との比Ｒａ₂ ／Ｒａ₁ を1.50以上にする研磨工程
   と、表面研磨したアモルファスカーボン基板をドライエ
   ッチングするエッチング工程とを有することを特徴とす
   る磁気ディスク用アモルファスカーボン基板のテクスチ
   ャー処理方法。
5. 【請求項５】 前記研磨工程は、アモルファスカーボン
   基板を回転させた状態で研磨材を前記アモルファスカー
   ボン基板に接触させつつその半径方向に移動させること
   により前記アモルファスカーボン基板の表面に同心円状
   の条痕を形成することを特徴とする請求項４に記載の磁
   気ディスク用アモルファスカーボン基板のテクスチャー
   処理方法。