JPH0593743A - 交流電圧検出装置 - Google Patents
交流電圧検出装置Info
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- JPH0593743A JPH0593743A JP3253490A JP25349091A JPH0593743A JP H0593743 A JPH0593743 A JP H0593743A JP 3253490 A JP3253490 A JP 3253490A JP 25349091 A JP25349091 A JP 25349091A JP H0593743 A JPH0593743 A JP H0593743A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、小形軽量化を図るとともに、絶縁
信頼性を向上させ、かつ検出精度を高めることを目的と
するものである。 【構成】 外周に深ひだ７ａが形成されている絶縁材料
製の容器７を、交流電路６に吊り下げ、光伝導性を持つ
素子を有する光電界センサ８を容器７内に設け、光電界
センサ８での光の変調度によって交流電路６の電圧を検
出する信号処理部９を光電界センサ８に接続し、容器７
の内壁に遮光処理材11を塗布した。
信頼性を向上させ、かつ検出精度を高めることを目的と
するものである。 【構成】 外周に深ひだ７ａが形成されている絶縁材料
製の容器７を、交流電路６に吊り下げ、光伝導性を持つ
素子を有する光電界センサ８を容器７内に設け、光電界
センサ８での光の変調度によって交流電路６の電圧を検
出する信号処理部９を光電界センサ８に接続し、容器７
の内壁に遮光処理材11を塗布した。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】請求項１及び請求項２の発明は、
交流電路の電圧を検出するための交流電圧検出装置に関
するものである。
交流電路の電圧を検出するための交流電圧検出装置に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１８は例えば『計器用変成器』（1962
年電気書院発行）第９８頁に示された従来の交流電圧検
出装置の要部を示す斜視図である。図において、一次巻
線１及び二次巻線２は、鉄心３に絶縁して設けられてい
る。そして、これらの一次巻線１，二次巻線２及び鉄心
３は、油入タンク（図示せず）に収納されるか、又はエ
ポキシ樹脂などの絶縁物でモールドされるなどして絶縁
される。
年電気書院発行）第９８頁に示された従来の交流電圧検
出装置の要部を示す斜視図である。図において、一次巻
線１及び二次巻線２は、鉄心３に絶縁して設けられてい
る。そして、これらの一次巻線１，二次巻線２及び鉄心
３は、油入タンク（図示せず）に収納されるか、又はエ
ポキシ樹脂などの絶縁物でモールドされるなどして絶縁
される。
【０００３】上記のような従来の交流電圧検出装置にお
いては、検出したい電圧を一次巻線１の端子４ａ，４ｂ
間に印加すると、電磁誘導作用によって二次巻線２の端
子５ａ，５ｂ間に電圧が誘起される。一次巻線１の端子
４ａ，４ｂ間の電圧と、二次巻線２の端子５ａ，５ｂ間
の電圧との比は、一次巻線１と二次巻線２との巻数比に
比例するので、二次巻線２の巻数を一次巻線１の巻数よ
りも少なくすれば、高電圧を低電圧に変換することがで
きる。従って、高電圧を低電圧用の計器で高圧回路から
絶縁して検出することが可能である。
いては、検出したい電圧を一次巻線１の端子４ａ，４ｂ
間に印加すると、電磁誘導作用によって二次巻線２の端
子５ａ，５ｂ間に電圧が誘起される。一次巻線１の端子
４ａ，４ｂ間の電圧と、二次巻線２の端子５ａ，５ｂ間
の電圧との比は、一次巻線１と二次巻線２との巻数比に
比例するので、二次巻線２の巻数を一次巻線１の巻数よ
りも少なくすれば、高電圧を低電圧に変換することがで
きる。従って、高電圧を低電圧用の計器で高圧回路から
絶縁して検出することが可能である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来の交流電圧検出装置においては、交流電圧の電圧
が高くなるほど、一次巻線１の巻数を二次巻線２の巻数
に対して多くしなければならず、また十分な絶縁性能を
確保する必要があるため、全体が大形化し重くなるなど
の問題点があった。また、落雷などによるサージが侵入
した場合には、一次巻線１の端子４ａ，４ｂの近くの巻
線が絶縁破壊して、交流電路事故に発展し、交流電路の
機能が停止する虞れがあるなどの問題点もあった。
た従来の交流電圧検出装置においては、交流電圧の電圧
が高くなるほど、一次巻線１の巻数を二次巻線２の巻数
に対して多くしなければならず、また十分な絶縁性能を
確保する必要があるため、全体が大形化し重くなるなど
の問題点があった。また、落雷などによるサージが侵入
した場合には、一次巻線１の端子４ａ，４ｂの近くの巻
線が絶縁破壊して、交流電路事故に発展し、交流電路の
機能が停止する虞れがあるなどの問題点もあった。
【０００５】請求項１及び請求項２に係る発明は、上記
のような問題点を解決することを課題としてなされたも
のであり、小形軽量化で高絶縁性を有する交流電圧検出
装置を得ることを目的とする。
のような問題点を解決することを課題としてなされたも
のであり、小形軽量化で高絶縁性を有する交流電圧検出
装置を得ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る交
流電圧検出装置は、外周にひだ部が設けられている絶縁
材料製の容器の内部に、光伝導性を有する素子を用いた
光電界センサを、交流電路から間隔をおいて配置し、光
電界センサの周囲に遮光手段を設け、光電界センサでの
光の変調度によって交流電路の電圧を検出する信号処理
部を設けたものである。
流電圧検出装置は、外周にひだ部が設けられている絶縁
材料製の容器の内部に、光伝導性を有する素子を用いた
光電界センサを、交流電路から間隔をおいて配置し、光
電界センサの周囲に遮光手段を設け、光電界センサでの
光の変調度によって交流電路の電圧を検出する信号処理
部を設けたものである。
【０００７】請求項２の発明に係る交流電圧検出装置
は、外周にひだ部が設けられている絶縁材料製の容器を
交流電路に取り付け、この容器内に光電界センサを配置
し、光電界センサでの光の変調度によって交流電路の電
圧を検出する信号処理部を設け、また光電界センサを囲
むように容器に導電部を設けたものである。
は、外周にひだ部が設けられている絶縁材料製の容器を
交流電路に取り付け、この容器内に光電界センサを配置
し、光電界センサでの光の変調度によって交流電路の電
圧を検出する信号処理部を設け、また光電界センサを囲
むように容器に導電部を設けたものである。
【０００８】
【作用】請求項１の発明においては、光電界センサが、
交流電路による電界に応じて光を変調し、この光の変調
度によって信号処理部が交流電路の電圧を検出し、また
容器の外周にひだ部を設けることにより、雨水などによ
る容器表面の漏洩抵抗の変化を抑えて検出精度を向上さ
せ、さらに遮光手段によって外部からの光の侵入を遮断
して、太陽光による光電界センサの検出精度の低下を防
止する。
交流電路による電界に応じて光を変調し、この光の変調
度によって信号処理部が交流電路の電圧を検出し、また
容器の外周にひだ部を設けることにより、雨水などによ
る容器表面の漏洩抵抗の変化を抑えて検出精度を向上さ
せ、さらに遮光手段によって外部からの光の侵入を遮断
して、太陽光による光電界センサの検出精度の低下を防
止する。
【０００９】請求項２の発明においては、光電界センサ
が、交流電路による電界に応じて光を変調し、この光の
変調度によって信号処理部が交流電路の電圧を検出し、
また容器の外周にひだ部を設けることにより、雨水など
による容器表面の漏洩抵抗の変化を抑えて検出精度を向
上させ、さらに容器に導電部を設けることにより、水分
付着による光電界センサへの印加電界の変化を抑える。
が、交流電路による電界に応じて光を変調し、この光の
変調度によって信号処理部が交流電路の電圧を検出し、
また容器の外周にひだ部を設けることにより、雨水など
による容器表面の漏洩抵抗の変化を抑えて検出精度を向
上させ、さらに容器に導電部を設けることにより、水分
付着による光電界センサへの印加電界の変化を抑える。
【００１０】
【実施例】図１は請求項１の発明の第１実施例による交
流電圧検出装置を一部断面で示す構成図である。図にお
いて、６は図中矢印Ｅ方向の電界を発生する交流電路、
７は交流電路６に取り付けられている絶縁材料製（例え
ばエポキシ樹脂製）の容器であり、この容器７は、上部
容器７ａ，下部容器７ｂ及び気密構造を有する底板７ｃ
からなっており、上部容器７ａと下部容器７ｂとの間に
交流電路６を挟持することにより、交流電路６に吊り下
げられている。また、下部容器７ｂの外周には、ひだ部
としての深ひだ７ｄが形成されている。さらに、底板７
ｃと大地との間には、空隙ｄが介在している。
流電圧検出装置を一部断面で示す構成図である。図にお
いて、６は図中矢印Ｅ方向の電界を発生する交流電路、
７は交流電路６に取り付けられている絶縁材料製（例え
ばエポキシ樹脂製）の容器であり、この容器７は、上部
容器７ａ，下部容器７ｂ及び気密構造を有する底板７ｃ
からなっており、上部容器７ａと下部容器７ｂとの間に
交流電路６を挟持することにより、交流電路６に吊り下
げられている。また、下部容器７ｂの外周には、ひだ部
としての深ひだ７ｄが形成されている。さらに、底板７
ｃと大地との間には、空隙ｄが介在している。
【００１１】８は容器７内に収納されている光電界セン
サであり、この光電界センサ８は、例えばＢＧＯやＢＳ
Ｏなど、光伝導性を有するポッケルス素子を用いたもの
で、交流電路６による電界に応じて光を変調（強度変
調）する。９は光ファイバ10を介して光電界センサ８に
接続されている信号処理部（回路）であり、この信号処
理部９は、光電界センサ８に光を送信するとともに、光
電界センサ８で変調された光を受信し、電界の強度に比
例した電気信号を出力することにより交流電路６の電圧
を検出する。
サであり、この光電界センサ８は、例えばＢＧＯやＢＳ
Ｏなど、光伝導性を有するポッケルス素子を用いたもの
で、交流電路６による電界に応じて光を変調（強度変
調）する。９は光ファイバ10を介して光電界センサ８に
接続されている信号処理部（回路）であり、この信号処
理部９は、光電界センサ８に光を送信するとともに、光
電界センサ８で変調された光を受信し、電界の強度に比
例した電気信号を出力することにより交流電路６の電圧
を検出する。
【００１２】11は下部容器７ｂの内壁面に塗布され、下
部容器７ｂを透過する太陽光を遮光する遮光手段として
の遮光処理材であり、この遮光処理材11により、下部容
器７ｂ内に遮光部12が形成されている。13及び14はそれ
ぞれ遮光部12内に設けられ、光電界センサ８が接続され
ている上部電極及び下部電極である。
部容器７ｂを透過する太陽光を遮光する遮光手段として
の遮光処理材であり、この遮光処理材11により、下部容
器７ｂ内に遮光部12が形成されている。13及び14はそれ
ぞれ遮光部12内に設けられ、光電界センサ８が接続され
ている上部電極及び下部電極である。
【００１３】上記のように構成された交流電圧検出装置
においては、交流電路６に電圧が印加されると、その周
囲に電圧に応じた電界が発生する。この電界内に置かれ
た光電界センサ８は、信号処理部９からの光を電界に応
じて変調し、再び信号処理部９に送信する。信号処理部
９では、この光の変調度から交流電路６の電圧を検出す
る。
においては、交流電路６に電圧が印加されると、その周
囲に電圧に応じた電界が発生する。この電界内に置かれ
た光電界センサ８は、信号処理部９からの光を電界に応
じて変調し、再び信号処理部９に送信する。信号処理部
９では、この光の変調度から交流電路６の電圧を検出す
る。
【００１４】このような装置では、光電界センサ８を用
いたので、電圧が高くなっても大形化することはなく、
全体が小形軽量化される。また、光電界センサ８と信号
処理部９との間は、光信号伝送路によって接続されるの
で、絶縁性が向上し、光電界センサ８と交流電路６との
間の絶縁破壊による交流電路事故を防止することができ
る。
いたので、電圧が高くなっても大形化することはなく、
全体が小形軽量化される。また、光電界センサ８と信号
処理部９との間は、光信号伝送路によって接続されるの
で、絶縁性が向上し、光電界センサ８と交流電路６との
間の絶縁破壊による交流電路事故を防止することができ
る。
【００１５】図２は図１の交流電圧検出装置の等価回路
図であり、Ｃ1は交流電路６と上部電極13との間の静電
容量、Ｃ2は上部電極13と下部電極14との間の静電容
量、Ｃ3は光電界センサ８の内部の素子の静電容量、Ｃ4
は下部電極14と底板７ｃとの間の静電容量、Ｃ5は底板
７ｃと大地との間の静電容量、Ｒ1は下部容器７ｂの表
面の漏洩抵抗、Ｒ2は光電界センサ８の内部の素子の抵
抗である。
図であり、Ｃ1は交流電路６と上部電極13との間の静電
容量、Ｃ2は上部電極13と下部電極14との間の静電容
量、Ｃ3は光電界センサ８の内部の素子の静電容量、Ｃ4
は下部電極14と底板７ｃとの間の静電容量、Ｃ5は底板
７ｃと大地との間の静電容量、Ｒ1は下部容器７ｂの表
面の漏洩抵抗、Ｒ2は光電界センサ８の内部の素子の抵
抗である。
【００１６】交流電路６に交流電圧が印加されると、し
かるべき分圧によりＣ2両端に電圧が発生する。この電
圧を光電界センサ８で検出することにより、交流電路６
の電位を検出する（空間分圧方式）。ところが、光電界
センサ８にＢＧＯやＢＳＯを用いた場合、下部容器７ｂ
を透過する太陽光の有無により信号処理部９の出力が大
きく変化してしまう。つまり、太陽光が照射された場合
の出力は、照射されない場合に比べて負へ大きく変化す
る。これは、ポッケルス素子であるＢＧＯやＢＳＯに特
有の現象である。即ち、ＢＧＯやＢＳＯに光を照射する
と、それらの光伝導性により、結晶中の抵抗率が低下す
る。従って、光電界センサ８に太陽光が照射されると、
図２のＲ2が低下して、Ｃ2両端の電圧分担が変化してし
まう。
かるべき分圧によりＣ2両端に電圧が発生する。この電
圧を光電界センサ８で検出することにより、交流電路６
の電位を検出する（空間分圧方式）。ところが、光電界
センサ８にＢＧＯやＢＳＯを用いた場合、下部容器７ｂ
を透過する太陽光の有無により信号処理部９の出力が大
きく変化してしまう。つまり、太陽光が照射された場合
の出力は、照射されない場合に比べて負へ大きく変化す
る。これは、ポッケルス素子であるＢＧＯやＢＳＯに特
有の現象である。即ち、ＢＧＯやＢＳＯに光を照射する
と、それらの光伝導性により、結晶中の抵抗率が低下す
る。従って、光電界センサ８に太陽光が照射されると、
図２のＲ2が低下して、Ｃ2両端の電圧分担が変化してし
まう。
【００１７】これに対して、上記実施例の装置では、遮
光処理材11により形成された遮光部12内に光電界センサ
８が配置されているので、光電界センサ８に対する太陽
光の影響はなく、太陽光による検出精度の低下は防止さ
れる。
光処理材11により形成された遮光部12内に光電界センサ
８が配置されているので、光電界センサ８に対する太陽
光の影響はなく、太陽光による検出精度の低下は防止さ
れる。
【００１８】また、容器７の表面に沿って連続的に雨水
が流れたり、容器７の表面全体に塵埃や塩分などが付着
したりすると、漏洩抵抗Ｒ1が大きく変化する。このよ
うに、漏洩抵抗Ｒ1が変化すると、光電界センサ８で検
出される電界が変化してしまい、交流電圧検出の精度が
低下してしまう。
が流れたり、容器７の表面全体に塵埃や塩分などが付着
したりすると、漏洩抵抗Ｒ1が大きく変化する。このよ
うに、漏洩抵抗Ｒ1が変化すると、光電界センサ８で検
出される電界が変化してしまい、交流電圧検出の精度が
低下してしまう。
【００１９】しかし、上記実施例の容器７は、下部容器
７ｂに深ひだ７ｄが設けられているので、表面に沿って
連続的に雨水が流れたり、表面全体に塵埃や塩分などが
付着したりすることがない。従って、外部環境の変化に
よる光電界センサ８の出力変化が小さく、検出精度が向
上し安定する。
７ｂに深ひだ７ｄが設けられているので、表面に沿って
連続的に雨水が流れたり、表面全体に塵埃や塩分などが
付着したりすることがない。従って、外部環境の変化に
よる光電界センサ８の出力変化が小さく、検出精度が向
上し安定する。
【００２０】なお、容器７の形状は上記実施例に限定さ
れるものではなく、例えば鳥などが止まるのを防止する
ために頂部を円錐状又は半球状にするなどしてもよい。
また、ひだ部を複数設けるなどしてもよい。また、上記
実施例では容器７を交流電路６に吊り下げるものを示し
たが、容器７は交流電路６との間に空隙を介して配置し
てもよい。さらに、上記実施例ではエポキシ樹脂製の容
器７を示したが、例えば碍子など、他の絶縁材料製のも
のでもよい。
れるものではなく、例えば鳥などが止まるのを防止する
ために頂部を円錐状又は半球状にするなどしてもよい。
また、ひだ部を複数設けるなどしてもよい。また、上記
実施例では容器７を交流電路６に吊り下げるものを示し
たが、容器７は交流電路６との間に空隙を介して配置し
てもよい。さらに、上記実施例ではエポキシ樹脂製の容
器７を示したが、例えば碍子など、他の絶縁材料製のも
のでもよい。
【００２１】さらにまた、上記実施例では遮光手段とし
て遮光処理材11を示したが、例えば図３に示すように、
絶縁性材料に遮光用の顔料又は染料を混合して遮光下部
容器７ｅを形成し、これに遮光手段を兼用させてもよ
い。また、例えば図４に示すように、遮光手段として遮
光用ケース15を用い、この内部に光電界センサ８を収納
してもよい。
て遮光処理材11を示したが、例えば図３に示すように、
絶縁性材料に遮光用の顔料又は染料を混合して遮光下部
容器７ｅを形成し、これに遮光手段を兼用させてもよ
い。また、例えば図４に示すように、遮光手段として遮
光用ケース15を用い、この内部に光電界センサ８を収納
してもよい。
【００２２】次に、図５は請求項２の発明の第１実施例
による交流電圧検出装置を一部断面で示す構成図、図６
は図５の容器の底面図であり、図１と同一又は相当部分
には同一符号を付し、その説明を省略する。図におい
て、21は交流電路６に密着して貫通され、かつ大地電位
部に対して空隙ｄを介して配置されているエポキシ樹脂
製の容器であり、この容器21の内部には、光電界センサ
８が収容されている。また、容器21の円筒状の胴体部の
外周には、ひだ部としての深ひだ21ａが形成されてい
る。22は容器21の深ひだ21ａの外周面上に光電界センサ
８を囲むように円筒状に塗布されている導電部としての
導電性塗料であり、この導電性塗料22には、銀粉やカー
ボンが充填されている。また、導電性塗料21は、光電界
センサ８の素子の厚みＬ1以上の幅Ｌ2で塗布されてい
る。
による交流電圧検出装置を一部断面で示す構成図、図６
は図５の容器の底面図であり、図１と同一又は相当部分
には同一符号を付し、その説明を省略する。図におい
て、21は交流電路６に密着して貫通され、かつ大地電位
部に対して空隙ｄを介して配置されているエポキシ樹脂
製の容器であり、この容器21の内部には、光電界センサ
８が収容されている。また、容器21の円筒状の胴体部の
外周には、ひだ部としての深ひだ21ａが形成されてい
る。22は容器21の深ひだ21ａの外周面上に光電界センサ
８を囲むように円筒状に塗布されている導電部としての
導電性塗料であり、この導電性塗料22には、銀粉やカー
ボンが充填されている。また、導電性塗料21は、光電界
センサ８の素子の厚みＬ1以上の幅Ｌ2で塗布されてい
る。
【００２３】図７は図５の装置の等価回路図である。図
において、Ｃ6は光電界センサ８と交流電路６との間の
浮遊静電容量、Ｃ7は光電界センサ８の静電容量、Ｃ8は
光電界センサ８と容器21との間の静電容量、Ｃ9は光電
界センサ８と大地電位部との間の浮遊静電容量、Ｒ3は
容器21の表面の漏洩抵抗である。
において、Ｃ6は光電界センサ８と交流電路６との間の
浮遊静電容量、Ｃ7は光電界センサ８の静電容量、Ｃ8は
光電界センサ８と容器21との間の静電容量、Ｃ9は光電
界センサ８と大地電位部との間の浮遊静電容量、Ｒ3は
容器21の表面の漏洩抵抗である。
【００２４】上記のように構成された交流電圧検出装置
においては、図１に示したものと同様に、光電界センサ
８により交流電路６の電圧を検出することができるの
で、電圧が高くなっても大形化することはなく、全体が
小形軽量化され、また絶縁性が向上して交流電路事故が
防止される。
においては、図１に示したものと同様に、光電界センサ
８により交流電路６の電圧を検出することができるの
で、電圧が高くなっても大形化することはなく、全体が
小形軽量化され、また絶縁性が向上して交流電路事故が
防止される。
【００２５】また、深ひだ21ａに加えて、容器21に導電
性塗料22を塗布したので、降雨，降雪等により誘電率の
大きい水分が容器22の表面に付着しても、導電性塗料22
の部分の電界分布の変化は無く、従って光電界センサ８
への印加電界の変化は小さくなる。導電性塗料22を塗布
すると、光電界センサ８の印加電界が小さくなるので、
Ｓ／Ｎは低下するが、Ｓ／Ｎの低下は光電界センサ８の
電界感度を向上させることにより補うことができる。ま
た、Ｓ／Ｎ低下による誤差増大よりも、導電性塗料22を
塗布することによる水分付着時の電界変化低減効果の方
が大きいので、電圧検出の総合的な誤差は低減すること
になる。即ち、交流電圧検出装置の検出精度がさらに向
上する。
性塗料22を塗布したので、降雨，降雪等により誘電率の
大きい水分が容器22の表面に付着しても、導電性塗料22
の部分の電界分布の変化は無く、従って光電界センサ８
への印加電界の変化は小さくなる。導電性塗料22を塗布
すると、光電界センサ８の印加電界が小さくなるので、
Ｓ／Ｎは低下するが、Ｓ／Ｎの低下は光電界センサ８の
電界感度を向上させることにより補うことができる。ま
た、Ｓ／Ｎ低下による誤差増大よりも、導電性塗料22を
塗布することによる水分付着時の電界変化低減効果の方
が大きいので、電圧検出の総合的な誤差は低減すること
になる。即ち、交流電圧検出装置の検出精度がさらに向
上する。
【００２６】また、上記実施例では導電性塗料22の幅Ｌ
2を光電界センサ８の素子の厚みＬ1以上にしたので、光
電界センサ８に影響する範囲の電界の変動をより確実に
抑えることができる。
2を光電界センサ８の素子の厚みＬ1以上にしたので、光
電界センサ８に影響する範囲の電界の変動をより確実に
抑えることができる。
【００２７】なお、上記実施例ではエポキシ樹脂製の容
器21を示したが、これに限定されるものではなく、例え
ば硝子製のものでもよい。また、容器21の形状も上記実
施例に限定されるものではなく、例えば図８及び図９に
示すように、くびれ部21ｂを形成して、漏洩抵抗Ｒ3の
変化をさらに小さく抑えるようにしてもよい。
器21を示したが、これに限定されるものではなく、例え
ば硝子製のものでもよい。また、容器21の形状も上記実
施例に限定されるものではなく、例えば図８及び図９に
示すように、くびれ部21ｂを形成して、漏洩抵抗Ｒ3の
変化をさらに小さく抑えるようにしてもよい。
【００２８】さらに、上記実施例では導電部として導電
性塗料22を示したが、導電性のものであれば他のもので
あってもよく、例えば図１０及び図１１に示すように、
金属製円筒23を容器21の外周に装着してもよい。さらに
また、上記実施例では導電部を深ひだ21ａの外周面上に
設けたが、例えば図１２及び図１３に示すように、容器
21の深ひだ21ａの内側の表面上に導電性塗料22や金属製
円筒23を設けてもよい。また、図１４及び図１５に示す
ように、容器21の内部に金属製円筒23を収容したり埋め
込んだりしてもよい。
性塗料22を示したが、導電性のものであれば他のもので
あってもよく、例えば図１０及び図１１に示すように、
金属製円筒23を容器21の外周に装着してもよい。さらに
また、上記実施例では導電部を深ひだ21ａの外周面上に
設けたが、例えば図１２及び図１３に示すように、容器
21の深ひだ21ａの内側の表面上に導電性塗料22や金属製
円筒23を設けてもよい。また、図１４及び図１５に示す
ように、容器21の内部に金属製円筒23を収容したり埋め
込んだりしてもよい。
【００２９】また、例えば図１６及び図１７に示すよう
に、磁性体からなるＣ字状の鉄心24を容器21内に収納
し、この鉄心24の端部間に光磁界センサ25を配置し、交
流電路６の電流を電圧と同時に検出できるようにしても
よい。さらに、上記実施例では光電界センサ８と信号処
理部９との間の光信号伝送路として光ファイバ10を用い
たものを示したが、空間を利用した光伝送であってもよ
い。さらにまた、光電界センサ８は、光伝導性を持たな
い素子を使用したものであってもよい。
に、磁性体からなるＣ字状の鉄心24を容器21内に収納
し、この鉄心24の端部間に光磁界センサ25を配置し、交
流電路６の電流を電圧と同時に検出できるようにしても
よい。さらに、上記実施例では光電界センサ８と信号処
理部９との間の光信号伝送路として光ファイバ10を用い
たものを示したが、空間を利用した光伝送であってもよ
い。さらにまた、光電界センサ８は、光伝導性を持たな
い素子を使用したものであってもよい。
【００３０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明の
交流電圧検出装置は、光電界センサを利用して交流電圧
を検出するので、全体を小形軽量化することができると
ともに、絶縁信頼性を高くすることができ、また容器の
外周にひだ部が設けられているので、雨水などによる容
器表面の漏洩抵抗の変化を小さくすることができ、これ
により検出精度を向上させることができ、さらに光電界
センサの周囲に遮光手段を設けたので、光伝導性を有す
る素子を用いた光電界センサを使用する場合に、太陽光
による検出精度の低下を防止することができるなどの効
果を奏する。
交流電圧検出装置は、光電界センサを利用して交流電圧
を検出するので、全体を小形軽量化することができると
ともに、絶縁信頼性を高くすることができ、また容器の
外周にひだ部が設けられているので、雨水などによる容
器表面の漏洩抵抗の変化を小さくすることができ、これ
により検出精度を向上させることができ、さらに光電界
センサの周囲に遮光手段を設けたので、光伝導性を有す
る素子を用いた光電界センサを使用する場合に、太陽光
による検出精度の低下を防止することができるなどの効
果を奏する。
【００３１】また、請求項２の発明の交流電圧検出装置
は、光電界センサを利用して交流電圧を検出するので、
全体を小形軽量化することができるとともに、絶縁信頼
性を高くすることができ、また容器の外周にひだ部が設
けられているので、雨水などによる容器表面の漏洩抵抗
の変化を小さくすることができ、これにより検出精度を
向上させることができ、さらに光電界センサを囲むよう
に容器に導電部を設けたので、光電界センサへの印加電
界の変化を小さくすることができ、検出精度をさらに向
上させることができるなどの効果を奏する。
は、光電界センサを利用して交流電圧を検出するので、
全体を小形軽量化することができるとともに、絶縁信頼
性を高くすることができ、また容器の外周にひだ部が設
けられているので、雨水などによる容器表面の漏洩抵抗
の変化を小さくすることができ、これにより検出精度を
向上させることができ、さらに光電界センサを囲むよう
に容器に導電部を設けたので、光電界センサへの印加電
界の変化を小さくすることができ、検出精度をさらに向
上させることができるなどの効果を奏する。
【図１】請求項１の発明の第１実施例による交流電圧検
出装置を示す構成図である。
出装置を示す構成図である。
【図２】図１の装置の等価回路図である。
【図３】請求項１の発明の第２実施例を示す構成図であ
る。
る。
【図４】請求項１の発明の第３実施例を示す構成図であ
る。
る。
【図５】請求項２の発明の第１実施例による交流電圧検
出装置を示す構成図である。
出装置を示す構成図である。
【図６】図５の容器の底面図である。
【図７】図５の装置の等価回路図である。
【図８】請求項２の発明の第２実施例を示す構成図であ
る。
る。
【図９】図８の容器の底面図である。
【図１０】請求項２の発明の第３実施例を示す構成図で
ある。
ある。
【図１１】図１０の容器の底面図である。
【図１２】請求項２の発明の第４実施例を示す構成図で
ある。
ある。
【図１３】図１２の容器の底面図である。
【図１４】請求項２の発明の第５実施例を示す構成図で
ある。
ある。
【図１５】図１４の容器の底面図である。
【図１６】請求項２の発明の第６実施例を示す構成図で
ある。
ある。
【図１７】図１６の容器の底面図である。
【図１８】従来例を示す斜視図である。
６ 交流電路 ７ 容器 ７ａ 深ひだ（ひだ部） ７ｅ 遮光下部容器（遮光手段） ８ 光電界センサ ９ 信号処理部 11 遮光処理材（遮光手段） 15 遮光用ケース（遮光手段） 21 容器 21ａ 深ひだ（ひだ部） 22 導電性塗料（導電部） 23 金属製円筒（導電部）
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年６月２９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】図７は図５の装置の等価回路図である。図
において、Ｃ6は光電界センサ８と交流電路６との間の
浮遊静電容量、Ｃ7は光電界センサ８の静電容量、Ｃ8は
光電界センサ８と容器21の下部との間の静電容量、Ｃ9
は容器21の下部と大地電位部との間の浮遊静電容量、Ｒ
3は容器21の表面の漏洩抵抗である。
において、Ｃ6は光電界センサ８と交流電路６との間の
浮遊静電容量、Ｃ7は光電界センサ８の静電容量、Ｃ8は
光電界センサ８と容器21の下部との間の静電容量、Ｃ9
は容器21の下部と大地電位部との間の浮遊静電容量、Ｒ
3は容器21の表面の漏洩抵抗である。
フロントページの続き (72)発明者 農蘇 正和 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 渡辺 政美 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社伊丹製作所内 (72)発明者 今井 光男 尼崎市塚口本町８丁目１番１号 三菱電機 株式会社伊丹製作所内
Claims (2)
- 【請求項１】 外周にひだ部が設けられている絶縁材料
製の容器と、 交流電路に対して間隔をおいて前記容器内に設けられ、
かつ光伝導性を持つ素子を有しており、前記交流電路に
よる電界に応じて光を変調する光電界センサと、 この光電界センサの周囲に設けられ、前記容器外からの
光を遮断する遮光手段と、 前記光電界センサでの光の変調度によって前記交流電路
の電圧を検出する信号処理部とを備えていることを特徴
とする交流電圧検出装置。 - 【請求項２】 交流電路に取り付けられており、外周に
ひだ部が設けられている絶縁材料製の容器と、 この容器内に設けられ、前記交流電路による電界に応じ
て光を変調する光電界センサと、 この光電界センサでの光の変調度によって前記交流電路
の電圧を検出する信号処理部と、 前記光電界センサを囲むように前記容器に設けられてい
る導電部とを備えていることを特徴とする交流電圧検出
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253490A JP2735418B2 (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 交流電圧検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3253490A JP2735418B2 (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 交流電圧検出装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0593743A true JPH0593743A (ja) | 1993-04-16 |
| JP2735418B2 JP2735418B2 (ja) | 1998-04-02 |
Family
ID=17252109
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3253490A Expired - Fee Related JP2735418B2 (ja) | 1991-10-01 | 1991-10-01 | 交流電圧検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2735418B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008070265A (ja) * | 2006-09-14 | 2008-03-27 | Toshiba Corp | 光ｖｔ装置 |
| WO2008132974A1 (ja) * | 2007-04-18 | 2008-11-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | 光ｖｔ装置 |
| WO2020152820A1 (ja) | 2019-01-24 | 2020-07-30 | 三菱電機株式会社 | 電圧測定装置及びガス絶縁開閉装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6350762A (ja) * | 1986-08-20 | 1988-03-03 | Chubu Electric Power Co Inc | 電圧検出用碍子 |
| JPS6396568A (ja) * | 1986-10-13 | 1988-04-27 | Chubu Electric Power Co Inc | 三相電線路の検電装置 |
| JPS63300969A (ja) * | 1987-05-31 | 1988-12-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 電圧検出装置 |
| JPH03120761A (ja) * | 1989-10-03 | 1991-05-22 | Ngk Insulators Ltd | 高電圧用光電圧検出器 |
-
1991
- 1991-10-01 JP JP3253490A patent/JP2735418B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2020152820A1 (ja) | 2019-01-24 | 2020-07-30 | 三菱電機株式会社 | 電圧測定装置及びガス絶縁開閉装置 |
| US11486906B2 (en) | 2019-01-24 | 2022-11-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Voltage measuring device and gas-insulated switching apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2735418B2 (ja) | 1998-04-02 |
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