JPH0591734A - チヨツパー方式dcdcコンバータ - Google Patents

チヨツパー方式dcdcコンバータ

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JPH0591734A
JPH0591734A JP24558791A JP24558791A JPH0591734A JP H0591734 A JPH0591734 A JP H0591734A JP 24558791 A JP24558791 A JP 24558791A JP 24558791 A JP24558791 A JP 24558791A JP H0591734 A JPH0591734 A JP H0591734A
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JP
Japan
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voltage
capacitor
output
choke coil
input
Prior art date
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Pending
Application number
JP24558791A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuyuki Tanaka
一幸 田中
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 出力電圧V0が所定の電圧よりも低い状態か
ら所定の状態になる過渡状態のときのチョークコイル,
FET,ダンパーダイオードに流れる過渡電流を低くお
さえるようにしたチョッパー方式DCDCコンバータを
提供することを目的とする。 【構成】 入力した直流電圧をスイッチングするスイッ
チング素子のFET1と、チョークコイル3,ダンパー
ダイオード2と、チョークコイル3の他端に電流検出抵
抗10と第2のコンデンサ11を接続し、電流検出抵抗
10の他端を第1のコンデンサ8に、第2コンデンサ1
1の他端と、第1のコンデンサ8の電圧を分圧する分圧
器9の出力をエラーアンプ6の入力側に接続する。エラ
ーアンプ6は基準電圧と入力電圧とを比較し、比較結果
を制御回路5に出力する。制御回路5はエラーアンプ6
からの比較結果出力に従い、発振器7から出力した三角
状波の信号のスライスレベルを変化させスイッチング素
子FET1のオン/オフのデューディを変化させてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、チョッパー方式DCD
Cコンバータ(以下、DCDCコンバータと称す)に関
する。
【0002】
【従来の技術】近年、各種の電源機器が電子機器分野に
使用されるようになり、特にDCDCコンバータは小型
化のために利用される分野が拡大されてきた。
【0003】以下に従来のチョッパー方式DCDCコン
バータについて図面を参照しながら説明する。
【0004】図3に示すように、FET1,ダンパーダ
イオード2,チョークコイル3,ドライブ回路4,制御
回路5,エラーアンプ6,発振器7,コンデンサ8,分
圧器9で構成されている。
【0005】以上のように構成されたチョッパー方式D
CDCコンバータについて、以下その動作を説明する。
【0006】まず、FET1は入力直流電圧Vinをスイ
ッチングしてチョークコイル3に電流を供給する。ダン
パーダイオード2はFET1のオフ期間チョークコイル
3に電流を流す。一方ダンパーダイオード2のアノード
側は基準電位として接地電位に接続している。チョーク
コイル3に流れる電流はコンデンサ8により平滑化さ
れ、直流出力電圧V0を出力する。直流出力電圧V0は分
圧器9により分圧されエラーアンプ6に入力する。ここ
で、コンデンサ8の他端は基準電位として接地電位に接
続している。
【0007】前記エラーアンプ6は基準電圧と入力した
電圧とを比較し、比較結果を制御回路5に出力する。制
御回路5はエラーアンプ6からの比較結果によって、発
振器7から出力する三角状波のスライスレベルを変化さ
せFET1のオン/オフのデューティを変化させるよう
ドライブ回路4を介してFET1をスイッチングする。
【0008】FET1のオン/オフのデューディは、エ
ラーアンプ6からの比較結果で、エラーアンプに入力し
た電圧が基準電圧よりも高い場合はオン期間を短く、低
い場合は長くなるようにする。
【0009】かくして、DCDCコンバータの入力電圧
inが出力電圧V0に効率よく変換される。
【0010】なお、分圧器9は抵抗で構成しているが、
外部からコントロールが可能な図4に示すようにも構成
できる。図4で抵抗91,92と電流源93で構成され
るが、その分圧出力は(数1)で示される。
【0011】
【数1】
【0012】ここで分圧器入力電圧をV0、抵抗91の
値をR1、抵抗92の値をR2、電流源93に流れる電流
をIとしている。
【0013】以上のように、電流源93に流れる電流を
制御することで分圧器9の出力電圧を制御できる。
【0014】図4の分圧器を図3に示される分圧器9に
用いれば電流源の電流を制御することでDCDCコンバ
ータの出力電圧を制御できる。
【0015】つぎに、図3のDCDCコンバータにおい
て、出力電圧V0が所定の電圧よりも低い状態から所定
の電圧になる過渡状態のときの動作を図5を用いて説明
する。図5はDCDCコンバータ出力電圧V0とチョー
クコイルに流れる電流ILの時間的な変化を示したもの
である。同図で時間T0のときV0は20V、ILはOA
である。T0とT1間に電流ILは急激に増加しT1のとき
には25Aになる。
【0016】これはチョッパー方式DCDCコンバータ
では、出力電圧V0が所定の電圧値に満たない場合、F
ETのオン期間を長くする。するとオフ期間が短くなる
ため、チョークコイルの電流がすべてオフ期間にコンデ
ンサに流しきれないため過渡的に増加するのである。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、出力電圧V0が所定の電圧よりも低い状態
から所定の電圧になる過渡状態のときチョークコイルの
電流が急激に増加する。そのため、チョークコイルに電
流を供給するFETの電流やダンパーダイオードの電流
も急激に増加して、FETなどのスイッチング素子と
か、ダンパーダイオードが破壊してしまうといった問題
点を有していた。
【0018】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
ので、出力電圧V0が所定の電圧よりも低い状態から所
定の電圧になる過渡状態のときのチョークコイル,FE
T,ダンパーダイオードに流れる過渡電流を低くおさえ
るようにしたDCDCコンバータを提供することを目的
とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明のチョッパー方式DCDCコンバータは、入力
した直流電圧をスイッチングするスイッチング素子と、
スイッチング素子の一端に直流電圧を入力し、他端にチ
ョークコイルと、ダンパーダイオードのカソードを接続
し、ダンパーダイオードのアノードは基準電位の接地電
位に接続する。チョークコイルの他端に電流検出抵抗と
第2のコンデンサを接続し、電流検出抵抗の他端を第1
のコンデンサに、第2のコンデンサの他端と、第1のコ
ンデンサ両端の電圧を分圧する分圧器の出力をエラーア
ンプの入力に接続する。第1のコンデンサの他端は基準
電位の接地電位に接続する。
【0020】エラーアンプは基準電圧と入力電圧とを比
較し、比較結果を制御回路に出力し、制御回路は前記エ
ラーアンプからの比較結果出力にしたがい、発振器から
出力した三角状波の信号のスライスレベルを変化させス
イッチング素子のオン/オフのデューティを変化させて
いる。
【0021】FETのオン/オフのデューティは、エラ
ーアンプからの比較結果が、エラーアンプに入力された
電圧が基準電圧よりも高い場合にはオン期間を短く、低
い場合には長くなるような構成を有している。
【0022】
【作用】本発明は上記した構成において、チョークコイ
ルとチョークコイルに流れる電流を平滑する第1のコン
デンサとの間に電流検出抵抗を接続し、チョークコイル
と電流検出抵抗の接続された端子より第2のコンデンサ
を接続し第2のコンデンサの他端をエラーアンプの入力
に接続する。
【0023】出力電圧V0が所定の電圧よりも低い状態
から所定の電圧になる過渡状態のときチョークコイルに
流れる電流が増加すると、チョークコイルと第1のコン
デンサの間に挿入した電流検出抵抗にチョークコイルに
流れる電流に比例した電圧が発生する。
【0024】チョークコイルの電流に比例した電圧を第
2のコンデンサにてエラーアンプに入力すると過渡状態
でのスイッチング素子のオン期間を短く設定でき、この
結果、過渡電流を低く抑えることとなる。
【0025】
【実施例】以下、本発明の一実施例について、図面を参
照しながら説明する。
【0026】図1において、図3に示した従来例と同じ
内容を示す素子には同一の符号を付してある。
【0027】図1において、FET1,ダンパーダイオ
ード2,チョークコイル3,ドライブ回路4,制御回路
5,エラーアンプ6,発振器7,第1のコンデンサ8,
分圧器9,電流検出用抵抗10,第2のコンデンサ11
などで回路が成立っている。
【0028】以上のように構成されたチョッパー方式D
CDCコンバータについて、図1を用いてその動作を説
明する。
【0029】安定状態での基本的な動作は従来例の図3
と同様のため説明は省く。出力電圧V0が所定の電圧よ
りも低い状態から所定の電圧になる過渡状態のときの動
作を説明する。
【0030】出力電圧V0が所定の電圧よりも低い状態
から所定の電圧になる過渡状態のとき、チョークコイル
3に流れる電流が増加する。チョークコイル3と平滑用
第1のコンデンサ8の間に挿入した電流検出抵抗10に
チョークコイル3に流れる電流に比例した電圧が発生す
る。
【0031】チョークコイル3に流れる電流に比例した
電圧を第2のコンデンサ11を通してエラーアンプ6に
入力する。エラーアンプ6には第2のコンデンサ11か
らの電圧と分圧器9からの電圧が加算された電圧が入力
されることになる。
【0032】エラーアンプ6は基準電圧と入力電圧とを
比較し、比較結果を制御回路5から出力する。基準電圧
としては2.5V程度が用いられる。
【0033】出力電圧V0が所定の電圧よりも低い状態
では分圧器9からの出力電圧は2.5V以下であるの
で、最悪状態では、分圧器9の出力を無視して、電流検
出抵抗10とチョークコイル3との交点の電圧が2.5
V以上になるとエラーアンプ6はFET1のオン期間を
減少させる方向の出力を制御回路5に出力する。
【0034】この結果、出力電圧V0が所定の電圧より
も低い状態から所定の電圧になる過渡状態でのチョーク
コイル3の過渡電流が(数2)に示される値に抑えられ
る。ただし、エラーアンプ6の基準電圧を2.5V、電
流検出抵抗10の抵抗値を1Ωとする。
【0035】
【数2】
【0036】図2は過渡状態の出力電圧V0と過渡電流
Lを示した図であるが、過渡状態での電流が低くおさ
えられているのがわかる。
【0037】なお、低減する電流値は電流検出抵抗値お
よび基準電圧によって任意に設定できることはいうまで
もない。
【0038】本実施例ではスイッチング素子にFETを
用いたが、バイポーラトランジスタや、SCRなどのス
イッチング素子でも同様の効果がある。
【0039】さらに、スイッチングのオン/オフのデュ
ーディを変化させて安定化させる方式を示したが、発振
周波数を変化させる方式のDCDCコンバータでも同様
の効果がある。
【0040】
【発明の効果】以上のように本発明は、出力電圧V0
所定の電圧よりも低い状態から所定の電圧になる過渡状
態のときのチョークコイル,FET,ダンパーダイオー
ドに流れる過渡電流を、従来では25Aであったもの
が、2.5Aと低減できるといった効果のある優れたチ
ョッパー方式DCDCコンバータを実現できるものであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例のチョッパー方式DCDCコ
ンバータの回路図
【図2】同実施例の過渡状態の出力電圧と過渡電流の特
性図
【図3】従来のチョッパー方式DCDCコンバータの回
路図
【図4】外部制御可能な分圧器の回路図
【図5】従来回路での過渡状態の出力電圧と過渡電流の
特性図
【符号の説明】
1 FET 2 ダンパーダイオード 3 チョークコイル 4 ドライブ回路 5 制御回路 6 エラーアンプ 7 発振器 8 第1のコンデンサ 9 分圧器 10 電流検出抵抗 11 第2のコンデンサ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 入力直流電圧をスイッチングするスイッ
    チング素子と、前記スイッチング素子の一端に直流電圧
    を入力し、他端にチョークコイルとダンパーダイオード
    のカソードを接続し、前記ダンパーダイオードのアノー
    ドは基準電位に接続し、前記チョークコイルの他端に電
    流検出抵抗と第2のコンデンサを接続し、前記電流検出
    抵抗の他端を第1のコンデンサに、前記第2のコンデン
    サの他端と、第1のコンデンサの電圧を分圧する分圧器
    の出力とをエラーランプの入力に接続し、前記第1のコ
    ンデンサの他端は基準電位に接続し、前記エラーランプ
    は基準電圧と入力電圧とを比較し、比較結果を制御回路
    に出力するようになし、前記制御回路は前記エラーアン
    プからの比較結果出力に従い、発振器から出力した三角
    状波の信号のスライスレベルを変化させ前記スイッチン
    グ素子のオン/オフのデューティを変化させるようにし
    たチョッパー方式DCDCコンバータ。
JP24558791A 1991-09-25 1991-09-25 チヨツパー方式dcdcコンバータ Pending JPH0591734A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0675543A2 (en) * 1994-03-31 1995-10-04 Seiko Instruments Inc. Semiconductor device including protection means and manufacturing method thereof
US6731563B1 (en) 2000-06-08 2004-05-04 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Data backup device and step-up/step-down power supply

Cited By (3)

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EP0675543A3 (en) * 1994-03-31 1996-10-16 Seiko Instr Inc Semiconductor device with a protective agent and manufacturing process.
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