JPH0590554A - 固体撮像素子 - Google Patents

固体撮像素子

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JPH0590554A
JPH0590554A JP3282126A JP28212691A JPH0590554A JP H0590554 A JPH0590554 A JP H0590554A JP 3282126 A JP3282126 A JP 3282126A JP 28212691 A JP28212691 A JP 28212691A JP H0590554 A JPH0590554 A JP H0590554A
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ccd
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▲祐▼昌 熊田
Yoshihiro Hisa
義浩 久
Yasuaki Yoshida
保明 吉田
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    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14643Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14649Infrared imagers
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 p側,n側いずれかの電極を複数画素共通と
したフォトダイオードアレイを有する固体撮像素子にお
いて、各画素の動作点をゼロバイアス付近に均一化さ
せ、光電流の均一化,及びリーク電流の低減を図る。 【構成】 フォトダイオードアレイ1の共通電極5に、
フォトダイオードのpn接合に対して順方向のバイアス
を与える電圧印加手段111を設け、CCD2の入力段
の電極に印加する電圧によりフォトダイオードに印加さ
れる逆バイアスを相殺する構成とした。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、固体撮像素子に関
し、特に基板抵抗が素子特性に影響する固体撮像素子に
おいて、各画素の動作点をゼロバイアス付近に均一化さ
せることのできる固体撮像素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】図5は従来の赤外線撮像装置の一例を示
す斜視図である。図において、1は光電変換を行い信号
電荷を発生する例えば128×128画素からなる2次
元アレイフォトダイオード、2は信号転送用シリコン電
荷結合素子(Si−CCD)、3はフォトダイオード1
とCCD2を接続するインジウム(In)バンプ、4は
入射赤外線である。
【0003】図6は図5の赤外線撮像装置の構造を示す
断面図であり、図において、図5と同一符号は同一又は
相当部分である。カドミウム・テルル(CdTe)基板
11上に配置されたp形水銀・カドミウム・テルル(H
gCdTe)層12表面部には複数のn形不純物注入領
域13が形成されており、各n形不純物注入領域13が
2次元アレイフォトダイオード1の画素領域を構成して
いる。n形不純物注入領域13が形成された領域以外の
p形HgCdTe層13表面の一部にはフォトダイオー
ドの全画素共通のp側電極5が設けられ、またHgCd
Te層12表面及びp側電極5を覆って絶縁膜101が
設けられている。そして、この絶縁膜101にはn形不
純物注入領域13に対応して開口が設けられており、こ
の開口部に各画素のn側電極6が設けられる。Si−C
CD2のp形Si基板21の表面部には、フォトダイオ
ード1の画素領域に対応してn形領域22が形成されて
おり、このn形領域がCCDの入力段となる。Si基板
21の表面上には絶縁膜102が設けられており、n形
領域22に対応して設けられた絶縁膜102の開口部に
は電極7が設けられている。フォトダイオード1の各画
素のn側電極6とCCDの入力段電極7とはインジウム
パンプ3により接続されている。一方、p側電極5はイ
ンジウムバンプ3によりCCDのp形領域に接続され、
ボンディングパッド103よりアルミ配線104を介し
て供給されるCCDの基板電位(GND)が与えられ
る。
【0004】図7は2次元アレイフォトダイオード部1
を示す模式図であり、ここでは説明の簡単のため、3×
3画素のものを示す。図において、p側電極5は全画素
共通で設けられ、n側電極6は2次元アレイフォトダイ
オード1の各画素に対応して設けられる。
【0005】図8はCCD2の入力段からCCDチャネ
ルまでの構成及び各領域のポテンシャルを示す図であ
る。この図に示すCCDは、入力段に電荷蓄積領域を有
する電荷蓄積形CCDである。フォトダイオード1のn
側電極はCCDのn形領域22に接続される。このn形
領域22で構成される入力段領域25に隣接して入力ゲ
ート領域26が配置され、入力ゲート領域26に隣接し
て電荷蓄積領域27が配置され、電荷蓄積領域27に隣
接して転送ゲート領域28が配置され、転送ゲート領域
28に隣接してCCDチャネル領域29が配置される。
17は入力ゲート領域26上に設けられた入力ゲート電
極であり、この入力ゲート電極17に印加されるDC電
圧VG により入力ゲート領域26のポテンシャル高さが
決まり、入力段領域25から蓄積領域27への電荷の入
力量が調節される。18は蓄積領域26上に設けられた
蓄積領域形成用の電極であり、所定の電圧VT が印加さ
れている。19は転送ゲート領域28上に設けられた転
送ゲート電極であり、所定タイミングで印加される信号
φT により転送ゲート領域28のポテンシャルを変化さ
せて、蓄積領域27に蓄積された電荷をCCDチャネル
領域29に転送する。20はCCDチャネル領域29上
に配置された転送電極であり、該転送電極20には所定
タイミングで信号φCCD が印加され、CCDチャネル領
域29に転送された電荷は、チャネル上を順次転送され
る。
【0006】図9は図5のフォトダイオードの電気回路
図であり、図において、8はフォトダイオード1中の周
辺部に配置された画素、9は中央部に配置された画素、
10は画素間の基板抵抗(r,R)である。また、図1
0は各画素のI−V特性を示す図である。
【0007】次に動作について説明する。フォトダイオ
ード1の各画素において、p電極5は画素の周辺部に各
画素共通に設けられており、Si−CCDの基板電位
(GND)に接続されている。一方、n電極6はInバ
ンプ3を介して信号転送用Si−CCD2と電気的に接
続されている。ここで、各画素に入射した赤外線4は電
荷に変換され、Inバンプ3を通ってSi−CCD2へ
移動する。この後、各画素からの電荷は時系列信号とな
って出力され、画像信号となる。
【0008】図8に示すように、Si−CCDには入力
ゲート電極7があり、ここに低いDC電圧(VG )を加
えることにより、Inバンプ3を通ってきた電荷の入力
量を調節することができる。また、このDC電圧
(VG )の大きさに応じて、フォトダイオード1の各画
素には逆バイアス(Vbb)が印加される。図9はこの電
圧印加の様子を示す電気回路図であるが、ここでフォト
ダイオードアレイの周辺画素8と中央画素9では、共通
p電極5までの距離が異なるため基板抵抗10に差が生
じ、結果として各画素にかかる逆バイアス(Vbb)に違
いが生じる。具体的には、周辺画素8にかかる逆バイア
ス及び流れる光電流をVa ,ia 、中央画素9にかかる
逆バイアス及び流れる光電流をVb ,ib とすると、
【0009】 Va =Vbb−r(ia +ib ) Vb =Vbb−R・ib −r(ia +ib )=Va −R・ib
【0010】となり、中央画素9の方が周辺画素8に比
べ、かかる逆バイアスは小さい。このことを図10にあ
てはめると、周辺画素8と中央画素9では、動作バイア
ス点が異なるため、出力される光電流に差が生じる。具
体的には中央画素9の方が周辺画素8に比べ出力される
光電流は少なくなる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従来の赤外線撮像素子
は以上のように構成されているので、周辺画素と中央画
素で出力される光電流にむらが生じるという問題点があ
った。また、逆バイアスを動作点としているため、リー
ク電流の影響を受けやすくなるという問題点もあった。
この問題はp電極を各画素に隣接して形成することによ
って解決できるが、技術的に困難であった。
【0012】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、各画素にかかる逆バイアスをゼ
ロバイアス付近に均一化させることにより、光電流の均
一化,リーク電流の低減を図ることを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】この発明に係る固体撮像
素子は、pn接合の一方の電極を複数画素共通としたフ
ォトダイオードアレイと、該フォトダイオードアレイの
他方の電極に接続され各画素領域にて発生した電荷を転
送する信号転送部とからなるものにおいて、フォトダイ
オードの共通電極に対し、フォトダイオードのpn接合
に順方向の電圧を与える電圧印加手段を備えたものであ
る。
【0014】
【作用】この発明においては、pn接合の一方の電極を
複数画素共通としたフォトダイオードアレイと、該フォ
トダイオードアレイの他方の電極に接続され各画素領域
にて発生した電荷を転送する信号転送部とからなるもの
において、フォトダイオードの共通電極に対し、フォト
ダイオードのpn接合に順方向の電圧を与える電圧印加
手段を備えた構成としたから、信号転送部の入力段のゲ
ートに電圧が与えられることによってフォトダイオード
に印加される逆バイアスを相殺でき、画素の動作点をゼ
ロバイアス付近に均一化させることができる。
【0015】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1は本発明の一実施例による固体撮像素子のフ
ォトダイオード部を示す模式図であり、図において、図
7と同一符号は同一又は相当部分である。p側電極5は
全画素共通で設けられ、n側電極6は2次元アレイフォ
トダイオード1の各画素に対応して設けられる。本実施
例では、共通p側電極5とGND電位の間にDC電源1
11が設けられ、フォトダイオードのp側電極に所定の
電圧Vp が与えられる。
【0016】図2は本発明の一実施例による固体撮像素
子の具体的構成の一例を示す断面図であり、図におい
て、図6と同一符号は同一又は相当部分である。カドミ
ウム・テルル(CdTe)基板11上に配置されたp形
水銀・カドミウム・テルル(HgCdTe)層12表面
部には複数のn形不純物注入領域13が形成されてお
り、各n形不純物注入領域13が2次元アレイフォトダ
イオード1の画素領域を構成している。n形不純物注入
領域13が形成された領域以外のp形HgCdTe層1
3表面の一部にはフォトダイオードの全画素共通のp側
電極5が設けられ、またHgCdTe層12表面及びp
側電極5を覆って絶縁膜101が設けられている。そし
て、この絶縁膜101にはn形不純物注入領域13に対
応して開口が設けられており、この開口部に各画素のn
側電極6が設けられる。Si−CCD2のp形Si基板
21の表面部には、フォトダイオード1の画素領域に対
応してn形領域22が形成されており、このn形領域が
CCDの入力段となる。Si基板21の表面上には絶縁
膜102が設けられており、n形領域22に対応して設
けられた絶縁膜102の開口部には電極7が設けられて
いる。フォトダイオード1の各画素のn側電極6とCC
Dの入力段電極7とはインジウムパンプ3により接続さ
れている。
【0017】本実施例では、p側電極5は従来のように
CCDのp形基板には接続されておらず、インジウムバ
ンプ3により絶縁膜102上に配置されたAl配線10
6に接続され、該Al配線106にはDC電源111よ
りボンディングパッド105を介して所定の電圧Vp
印加されている。また、CCDのp形基板にはボンディ
ングパッド103よりアルミ配線104を介してCCD
の基板電位(GND)が与えられる。
【0018】図3は図1のフォトダイオードの各画素に
かかる電圧を説明するための電気回路図であり、図にお
いて、8はフォトダイオード1中の周辺部に配置された
画素、9は中央部に配置された画素である。また10は
画素間の基板抵抗(r,R)である。図4はフォトダイ
オードの各画素のI−V特性を示す図である。
【0019】次に、この発明の一実施例による赤外線撮
像素子の動作を、図1ないし図4を用いて説明する。従
来例と同様、各画素に入射した赤外線4は電荷に変換さ
れ、Inバンプ3を通ってSi−CCD2へ移動する。
この後、各画素からの電荷は時系列信号となって出力さ
れ、画像信号となる。ここで、共通p電極に印加される
電位Vp が0Vの時、即ちCCDの基板電位と同じであ
る時は、従来の装置と全く等価であり、各画素には逆バ
イアスVbbがかかっている。印加される逆バイアスの大
きさはCCDの入力ゲートに与えられるDC電圧の大き
さに依存するが、通常100mV程度である。本実施例に
おいては、DC電源111によりフォトダイオード1の
p側電極に電圧Vpを与えることにより、各画素にかか
る逆バイアスの値が変化する。
【0020】具体的には周辺画素8にかかる逆バイアス
及び流れる光電流をVa ,ia 、中央画素9にかかる逆
バイアス及び流れる光電流をVb ,ib とすると、
【0021】 Va =Vbb−r(ia +ib )−Vp b =Vbb−R・ib −r(ia +ib )−Vp =Va −R・ib
【0022】となる。ここで、Vp が大きくなるにつ
れ、ib は小さくなるので、Va とVb はその差を縮め
ながらゼロに近づいていく。Vp =Vbb、即ち外部から
かかる実効的な逆バイアスがゼロになったときにVa
b は最もゼロに近づき、
【0023】 Va =−r(ia +ib ) Vb =−R・ib −r(ia +ib )=Va −R・ib
【0024】となる(この時、ia ,ib は最小値をと
る)。図4に示すように、ゼロバイアスに近づくにつれ
て、周辺画素の出力する光電流ia と中央画素の出力す
る光電流ib の差は小さくなり、出力のバラツキは低減
することとなる。
【0025】このように本実施例では、フォトダイオー
ドアレイの各画素に印加される逆バイアスVbbと同程度
のDC電圧を共通p電極に印加する構成としたから、各
画素の動作点がゼロバイアス付近に均一化することがで
き、周辺画素と中央画素の出力のバラツキ及びリーク電
流による影響を低減できる。
【0026】なお、上記実施例では、DC電源が固定電
位のものを示したが、図11に示すように可変電位のD
C電源112を用いるようにすれば、フォトダイオード
を所望のバイアス値で使用することができる。これによ
り、常に最適な素子特性での動作が可能となる。
【0027】また、上記実施例では、共通p電極の電位
の調整にDC電源を用いたが、所望の動作を満たすもの
であれば、他の方式でもかまわない。また、上記実施例
では赤外線撮像素子の場合について説明したが、素子基
板抵抗が特性に影響を与えるような固体撮像素子であれ
ば、本発明を適用することにより、上記実施例と同様の
効果を奏する。
【0028】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、pn
接合の一方の電極を複数画素共通としたフォトダイオー
ドアレイと、該フォトダイオードアレイの他方の電極に
接続され各画素領域にて発生した電荷を転送する信号転
送部とからなるものにおいて、フォトダイオードの共通
電極に対し、フォトダイオードのpn接合に順方向の直
流電圧を与える直流電圧印加手段を備えた構成としたか
ら、信号転送部の入力段のゲートに電圧が与えられるこ
とによってフォトダイオードに印加される逆バイアスを
相殺でき、画素の動作点をゼロバイアス付近に均一化さ
せることができ、これにより、画素ごとの光電流の出力
むらの低減、及びリーク電流による悪影響を低減を図る
ことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例による固体撮像素子のフォト
ダイオードを示す模式図である。
【図2】本発明の一実施例による固体撮像素子の構成を
示す断面図である。
【図3】図1に示すフォトダイオードアレイの各画素に
かかる電圧を説明するための電気回路図である。
【図4】本発明の一実施例による固体撮像素子のフォト
ダイオードの各画素のI−V特性を示す図である。
【図5】従来の赤外線撮像素子を示す斜視図である。
【図6】従来の赤外線撮像素子の構成を示す断面図であ
る。
【図7】従来の赤外線撮像素子のフォトダイオードを示
す模式図である。
【図8】従来のCCDの入力段からCCDチャネルまで
の構成及び各領域のポテンシャルを示す図である。
【図9】図7に示すフォトダイオードアレイの各画素に
かかる電圧を説明するための電気回路図である。
【図10】従来の赤外線撮像素子のフォトダイオードの
各画素のI−V特性を示す図である。
【図11】本発明の他の実施例による固体撮像素子の構
成を示す断面図である。
【符号の説明】
1 128×128の画素からなる2次元アレイフ
ォトダイオード 2 信号転送用Si−CCD 3 インジウムバンプ 4 入射赤外線 5 共通p側電極 6 n側電極 7 入力電極 8 フォトダイオード1中の周辺画素 9 フォトダイオード1中の中央部画素 10 画素間の基板抵抗 111 共通p電極とGNDの間に設けられたDC電源

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 第1導電型半導体層中に形成された複数
    の第2導電型領域で構成される画素領域と、上記第1導
    電型半導体層上に形成された複数画素共通の電極とを有
    するフォトダイオードアレイと、 上記第2導電型領域に接続され各画素領域にて発生した
    電荷を転送する信号転送部とからなる固体撮像素子にお
    いて、 上記第1導電型半導体層に対し、上記第1導電型半導体
    層と上記第2導電型領域間に形成される接合に順方向の
    電圧を与える電圧印加手段を備えたことを特徴とする固
    体撮像素子。
JP3282126A 1991-09-30 1991-09-30 固体撮像素子 Expired - Lifetime JP2809908B2 (ja)

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