JPH0590528A - シリコン多結晶の凹凸形成方法 - Google Patents
シリコン多結晶の凹凸形成方法Info
- Publication number
- JPH0590528A JPH0590528A JP4057298A JP5729892A JPH0590528A JP H0590528 A JPH0590528 A JP H0590528A JP 4057298 A JP4057298 A JP 4057298A JP 5729892 A JP5729892 A JP 5729892A JP H0590528 A JPH0590528 A JP H0590528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- wafer
- polycrystal
- particles
- polysilicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title abstract description 39
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 47
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 45
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 15
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims 6
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 claims 2
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 claims 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 abstract description 37
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 6
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 abstract description 3
- 230000008961 swelling Effects 0.000 abstract 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 22
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 1
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 239000011882 ultra-fine particle Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/32055—Deposition of semiconductive layers, e.g. poly - or amorphous silicon layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
- H01L28/82—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
- H01L28/84—Electrodes with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation being a rough surface, e.g. using hemispherical grains
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B12/00—Dynamic random access memory [DRAM] devices
- H10B12/01—Manufacture or treatment
- H10B12/02—Manufacture or treatment for one transistor one-capacitor [1T-1C] memory cells
- H10B12/03—Making the capacitor or connections thereto
- H10B12/033—Making the capacitor or connections thereto the capacitor extending over the transistor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/964—Roughened surface
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、ダイナミック・ランダムアクセス
メモリその他のキャパシタの記憶ノードプレートに凹凸
をつけるのに使用できるポリシリコン表層の凹凸形成方
法を提供することを目的とする。 【構成】 ウエハ表面に、ポリシリコンの蒸着に先立っ
て、ポリシリコンに蒸着の際核をつくりポリシリコン小
瘤（３２）を形成させるような材料を被覆する。ポリシ
リコン（３１）は、蒸着の間中、その前に形成されたポ
リシリコン小瘤（３２）を繰り返し被覆していき、安定
でかつ凹凸のあるポリシリコン構造体を完成する。
メモリその他のキャパシタの記憶ノードプレートに凹凸
をつけるのに使用できるポリシリコン表層の凹凸形成方
法を提供することを目的とする。 【構成】 ウエハ表面に、ポリシリコンの蒸着に先立っ
て、ポリシリコンに蒸着の際核をつくりポリシリコン小
瘤（３２）を形成させるような材料を被覆する。ポリシ
リコン（３１）は、蒸着の間中、その前に形成されたポ
リシリコン小瘤（３２）を繰り返し被覆していき、安定
でかつ凹凸のあるポリシリコン構造体を完成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体技術に係り、特
にシリコン多結晶層の表面に凹凸を形成する方法に関す
る。
にシリコン多結晶層の表面に凹凸を形成する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】シリコン多結晶（以下「ポリシリコン」
とも呼ぶ）の凹凸形成方法については、Ｍ．ヨシマル
ら，「ポリシリコン電極の凹凸表面と６４ＭＢ用低温蒸
着Ｓｉ3Ｎ4 およびＳＴＣ（スタックキャパシタセル）
型ＤＲＡＭセル」，沖電気（株）ＶＬＳＩ研究開発研究
所（東京都八王子市）に述べられている。この論文によ
ると、シリコン多結晶の蒸着温度が５７０℃になると、
シリコン多結晶の表面に凹凸（きめ）ができる。さらに
この論文の第１頁第３段落には、この技術をＤＲＡＭ
（ダイナミックＲＡＭ）記憶スタックキャパシタの記憶
ノードセルプレート（Cell Plate）の形成に応用する
と、セルプレートの表面積が、標準スタックキャパシタ
セル（ＳＴＣ）のそれの２．５倍まで増加すると述べて
いる。
とも呼ぶ）の凹凸形成方法については、Ｍ．ヨシマル
ら，「ポリシリコン電極の凹凸表面と６４ＭＢ用低温蒸
着Ｓｉ3Ｎ4 およびＳＴＣ（スタックキャパシタセル）
型ＤＲＡＭセル」，沖電気（株）ＶＬＳＩ研究開発研究
所（東京都八王子市）に述べられている。この論文によ
ると、シリコン多結晶の蒸着温度が５７０℃になると、
シリコン多結晶の表面に凹凸（きめ）ができる。さらに
この論文の第１頁第３段落には、この技術をＤＲＡＭ
（ダイナミックＲＡＭ）記憶スタックキャパシタの記憶
ノードセルプレート（Cell Plate）の形成に応用する
と、セルプレートの表面積が、標準スタックキャパシタ
セル（ＳＴＣ）のそれの２．５倍まで増加すると述べて
いる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法には
２つの大きな短所がある。それは、（１）ポリシリコン
に凹凸を形成するための蒸着中、温度を厳密に制御しな
ければならない（５７０℃±３℃）、および（２）凹凸
を形成したポリシリコンを後に５７０℃以上にすると、
表面の凹凸が平らになってしまうということである。そ
こで、本発明においては、通常のＤＲＡＭ製造方法にお
いてもその表面の凹凸を保持できる、安定で均一な凹凸
のきめをもつポリシリコン表面層を形成する方法を目的
とする。
２つの大きな短所がある。それは、（１）ポリシリコン
に凹凸を形成するための蒸着中、温度を厳密に制御しな
ければならない（５７０℃±３℃）、および（２）凹凸
を形成したポリシリコンを後に５７０℃以上にすると、
表面の凹凸が平らになってしまうということである。そ
こで、本発明においては、通常のＤＲＡＭ製造方法にお
いてもその表面の凹凸を保持できる、安定で均一な凹凸
のきめをもつポリシリコン表面層を形成する方法を目的
とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は、記
憶装置、特にダイナミック・ランダムアクセスメモリ
（ＤＲＡＭ）等の半導体装置におけるキャパシタの記憶
ノードセルプレートに使用されるポリシリコン表面層に
凹凸を与える方法を提供する。以下では、一例として本
発明の方法を通常のスタックキャパシタＤＲＡＭ製造工
程に使用した場合に焦点を絞って説明する。しかし、当
業者なら、本発明の技術をポリシリコンを用いる種々の
半導体装置に応用できるであろうし、そのような場合に
おけるポリシリコンの表面は上述のようなきめを有する
のが好ましい。
憶装置、特にダイナミック・ランダムアクセスメモリ
（ＤＲＡＭ）等の半導体装置におけるキャパシタの記憶
ノードセルプレートに使用されるポリシリコン表面層に
凹凸を与える方法を提供する。以下では、一例として本
発明の方法を通常のスタックキャパシタＤＲＡＭ製造工
程に使用した場合に焦点を絞って説明する。しかし、当
業者なら、本発明の技術をポリシリコンを用いる種々の
半導体装置に応用できるであろうし、そのような場合に
おけるポリシリコンの表面は上述のようなきめを有する
のが好ましい。
【０００５】ＤＲＡＭアレーにおいてキャパシタの記憶
ノードセルプレートに用いられるシリコンウエハは、ポ
リシリコン層の付着に先立って用意しておく。埋め込み
ディジット線には、引き続いてアクセス装置の活性領域
と接触させるため、コンタクトホールを形成した後ポリ
シリコンの付着を行う。このポリシリコンは後にパター
ン付けとドーピング（不純物の添加）を行い、スタック
キャパシタの記憶ノードセルプレートとして使用する。
ノードセルプレートに用いられるシリコンウエハは、ポ
リシリコン層の付着に先立って用意しておく。埋め込み
ディジット線には、引き続いてアクセス装置の活性領域
と接触させるため、コンタクトホールを形成した後ポリ
シリコンの付着を行う。このポリシリコンは後にパター
ン付けとドーピング（不純物の添加）を行い、スタック
キャパシタの記憶ノードセルプレートとして使用する。
【０００６】ポリシリコンは、その付着前に、シリコン
ウエハの表面に二酸化ケイ素あるいはケイ素の超微細粒
子（粒径３０〜３００Ａ）を被覆することによって凹凸
を形成される。また、シリコンウエハは、水や種々の炭
化水素を含む汚染物に晒してもよい。このような微細粒
子あるいは意図的に導入した汚染物は、引き続いて付着
されるポリシリコンに、これを中心として核を形成さ
せ、シリコンウエハ上にポリシリコンの小瘤を生じさせ
る。付着を継続すると、ポリシリコンの小瘤が繰り返し
被覆され、凹凸のあるポリシリコン層ができあがる。
ウエハの表面に二酸化ケイ素あるいはケイ素の超微細粒
子（粒径３０〜３００Ａ）を被覆することによって凹凸
を形成される。また、シリコンウエハは、水や種々の炭
化水素を含む汚染物に晒してもよい。このような微細粒
子あるいは意図的に導入した汚染物は、引き続いて付着
されるポリシリコンに、これを中心として核を形成さ
せ、シリコンウエハ上にポリシリコンの小瘤を生じさせ
る。付着を継続すると、ポリシリコンの小瘤が繰り返し
被覆され、凹凸のあるポリシリコン層ができあがる。
【０００７】本発明に従って形成される凹凸のあるポリ
シリコン層は、種々の用途に用いられるが、とりわけＤ
ＲＡＭセルの容量を増加させるのに使用される。
シリコン層は、種々の用途に用いられるが、とりわけＤ
ＲＡＭセルの容量を増加させるのに使用される。
【０００８】
【実施例】ＤＲＡＭメモリアレーを製造する際における
凹凸形成の好ましい態様は、順に図２、図３および図１
に示される工程を含む。
凹凸形成の好ましい態様は、順に図２、図３および図１
に示される工程を含む。
【０００９】図２を参照すると、シリコンウエハ１０
は、ＤＲＡＭメモリアレーにおける記憶ノードセルプレ
ートの形成に先立ってこの段階まで仕上げられる。標準
的なスタックキャパシタセルの製造方法においては、デ
ィジット線１３をシリコンウエハ１０から分離するフィ
ールド酸化膜１２を形成する。ディジット線１３は、垂
直誘電体スペーサ１４と誘電体層１８、およびこの両者
に跨がる誘電体層１５によって隔離される。記憶ノード
キャパシタプレートのための活性領域１７に以下の工程
でアクセスを与えるため、コンタクトホール１６が開口
される。
は、ＤＲＡＭメモリアレーにおける記憶ノードセルプレ
ートの形成に先立ってこの段階まで仕上げられる。標準
的なスタックキャパシタセルの製造方法においては、デ
ィジット線１３をシリコンウエハ１０から分離するフィ
ールド酸化膜１２を形成する。ディジット線１３は、垂
直誘電体スペーサ１４と誘電体層１８、およびこの両者
に跨がる誘電体層１５によって隔離される。記憶ノード
キャパシタプレートのための活性領域１７に以下の工程
でアクセスを与えるため、コンタクトホール１６が開口
される。
【００１０】図３を参照すると、微細粒子２１（好まし
くは粒径が約１００Ａ）は、露出した誘電体層１５、垂
直誘電体スペーサ１４、誘電体層１８および活性領域１
７の表面を均一に被覆している。これらの微細粒子２１
としては、例えば噴霧器で露出ウエハの表面に均一に分
散することができるケイ素（Ｓｉ）や二酸化ケイ素（Ｓ
ｉＯ2 ）を用いることができる。変形例として、ウエハ
表面を、このウエハ表面に汚染物として残留する水や種
々の炭化水素もしくは化学物質に晒す方法がある。さら
に他の変形例として、ＳｉＯ2 やＳｉの微細粒子を、ア
ルコールを主体とする溶媒などの液体と混ぜ合わせた
後、フォトレジストを被覆・形成するときのような通常
の液体高速回転技術を用いてウエハ上に微細粒子の皮膜
を形成する方法がある。こうして微細粒子を混ぜた溶液
で皮膜を形成した後、ウエハを乾燥させて溶液を揮発さ
せ、ウエハ表面に接着した微細粒子だけを残留させる。
もう一つの変形例は、微細粒子がコロイド状に分散した
液槽にウエハを浸す方法である。ウエハは液槽から取り
した後乾燥され、ウエハ表面に接着した微細粒子だけが
残留する。このようにして微細粒子をウエハ表面に存在
させると、この微細粒子を被覆しながらポリシリコンを
付着させる工程の初期の段階に影響を与え、後述するよ
うにポリシリコンの小瘤が形成される。
くは粒径が約１００Ａ）は、露出した誘電体層１５、垂
直誘電体スペーサ１４、誘電体層１８および活性領域１
７の表面を均一に被覆している。これらの微細粒子２１
としては、例えば噴霧器で露出ウエハの表面に均一に分
散することができるケイ素（Ｓｉ）や二酸化ケイ素（Ｓ
ｉＯ2 ）を用いることができる。変形例として、ウエハ
表面を、このウエハ表面に汚染物として残留する水や種
々の炭化水素もしくは化学物質に晒す方法がある。さら
に他の変形例として、ＳｉＯ2 やＳｉの微細粒子を、ア
ルコールを主体とする溶媒などの液体と混ぜ合わせた
後、フォトレジストを被覆・形成するときのような通常
の液体高速回転技術を用いてウエハ上に微細粒子の皮膜
を形成する方法がある。こうして微細粒子を混ぜた溶液
で皮膜を形成した後、ウエハを乾燥させて溶液を揮発さ
せ、ウエハ表面に接着した微細粒子だけを残留させる。
もう一つの変形例は、微細粒子がコロイド状に分散した
液槽にウエハを浸す方法である。ウエハは液槽から取り
した後乾燥され、ウエハ表面に接着した微細粒子だけが
残留する。このようにして微細粒子をウエハ表面に存在
させると、この微細粒子を被覆しながらポリシリコンを
付着させる工程の初期の段階に影響を与え、後述するよ
うにポリシリコンの小瘤が形成される。
【００１１】さて図１を参照すると、ポリシリコン層３
１が化学蒸着によって形成されているが、ポリシリコン
層３１蒸着の初期段階において、微細粒子２１または他
のウエハ表面に意図的に存在させた化学汚染物質は、ポ
リシリコン３１に核をつくらせ、この核を基にポリシリ
コン小瘤３２を形成させる。蒸着が続くと、ポリシリコ
ン小瘤３２は繰り返して被覆され、ポリシリコン３１の
凹凸表面を完成させる。
１が化学蒸着によって形成されているが、ポリシリコン
層３１蒸着の初期段階において、微細粒子２１または他
のウエハ表面に意図的に存在させた化学汚染物質は、ポ
リシリコン３１に核をつくらせ、この核を基にポリシリ
コン小瘤３２を形成させる。蒸着が続くと、ポリシリコ
ン小瘤３２は繰り返して被覆され、ポリシリコン３１の
凹凸表面を完成させる。
【００１２】この後、通常のＤＲＡＭ用スタックキャパ
シタの製造技術により、スタックキャパシタが完成され
る。
シタの製造技術により、スタックキャパシタが完成され
る。
【００１３】上述の好ましい態様においては、本発明の
方法をＤＲＡＭ用スタックキャパシタの製造に適用した
例を説明したが、当業者にとっては、本発明の方法をポ
リシリコンを用いる種々の半導体製造工程に適用するこ
とが可能であろう。そして、そのようなポリシリコンの
表面は上述のようなきめを有するのが好ましい。また、
当業者にとっては、本発明の範囲および主旨を逸脱しな
い範囲で種々の変形を施すことが可能であろう。
方法をＤＲＡＭ用スタックキャパシタの製造に適用した
例を説明したが、当業者にとっては、本発明の方法をポ
リシリコンを用いる種々の半導体製造工程に適用するこ
とが可能であろう。そして、そのようなポリシリコンの
表面は上述のようなきめを有するのが好ましい。また、
当業者にとっては、本発明の範囲および主旨を逸脱しな
い範囲で種々の変形を施すことが可能であろう。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に寄れば、
ＤＲＡＭスタックキャパシタの記憶ノードセルプレート
等に使用されるポリシリコンにその通常の製造工程にお
いても、温度変化に対して安定で、均一な凹凸を与える
ことができる。
ＤＲＡＭスタックキャパシタの記憶ノードセルプレート
等に使用されるポリシリコンにその通常の製造工程にお
いても、温度変化に対して安定で、均一な凹凸を与える
ことができる。
【図１】本発明の方法を適用したウエハの断面図。
【図２】ＤＲＡＭ用ポリシリコン記憶ノードセルプレー
トを形成する直前まで処置を施したシリコンウエハの断
面図。
トを形成する直前まで処置を施したシリコンウエハの断
面図。
【図３】図２のシリコンウエハに引き続いて前処理を施
したシリコンウエハの断面図。
したシリコンウエハの断面図。
１０ シリコンウエハ １２ フィールド酸化膜 １３ ディジット線 １４ 垂直誘電体スペーサ １５ 誘電体層 １６ コンタクトホール １７ 活性領域 １８ 誘電体層 ２１ 微細粒子 ３１ ポリシリコン ３２ ポリシリコン小瘤
Claims (10)
- 【請求項１】 シリコンウエハ表面に付着するシリコン
多結晶に凹凸を形成する方法であって、 ａ）粒径３０〜３００Ａの粒子（２１）を溶液と混合
し、高速回転法によりこの混合溶液でシリコンウエハ表
面を被覆し、このウエハを乾燥して液体を揮発させ、ウ
エハ表面に付着した粒子（２１）を均一に残留させる前
処理工程と、 ｂ）前記ウエハ表面にシリコン多結晶（３１）の初期層
を付着し、このシリコン多結晶初期層により前記粒子
（２１）を被覆してシリコン多結晶の小瘤（３２）を形
成する工程と、 ｃ）引き続いて同質のシリコン多結晶層（３１）を前記
ウエハの表面に重ねて付着させ、前記シリコン多結晶の
小瘤（３２）を被覆してシリコン多結晶の構造体に凹凸
を形成させる工程を含む方法。 - 【請求項２】 前記溶液はアルコールを主体とする溶媒
を含む請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記溶液は粒子（２１）がコロイド状に
分散した溶液を含む請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 前記溶液はスラリを含む請求項１記載の
方法。 - 【請求項５】 シリコンウエハ表面に付着するシリコン
多結晶に凹凸を形成する方法であって、 ａ）粒径３０〜３００Ａの粒子（２１）がコロイド状に
分散した溶液を含む液槽に浸漬し、このウエハを乾燥し
て液体を揮発させ、ウエハ表面に付着した粒子（２１）
を残留させる前処理工程と、 ｂ）前記ウエハ表面にシリコン多結晶（３１）の初期層
を付着し、このシリコン多結晶初期層により前記粒子
（２１）を被覆してシリコン多結晶の小瘤（３２）を形
成する工程と、 ｃ）引き続いて同質のシリコン多結晶層（３１）を前記
ウエハの表面に重ねて付着させ、前記シリコン多結晶の
小瘤（３２）を被覆してシリコン多結晶の構造体に凹凸
を形成させる工程を含む方法。 - 【請求項６】 既存のシリコンウエハ表面に付着するシ
リコン多結晶に凹凸を形成する方法であって、 ａ）シリコンウエハを水に浸漬し、粒径３０〜３００Ａ
の粒子（２１）をウエハ表面に分散させる前処理工程
と、 ｂ）前記ウエハ表面にシリコン多結晶（３１）の初期層
を付着し、このシリコン多結晶初期層により前記粒子
（２１）を被覆してシリコン多結晶の小瘤（３２）を形
成する工程と、 ｃ）引き続いて同質のシリコン多結晶層（３１）を前記
ウエハの表面に重ねて付着させ、前記シリコン多結晶の
小瘤（３２）を被覆してシリコン多結晶の構造体に凹凸
を形成させる工程を含む方法。 - 【請求項７】 シリコンウエハ表面に付着するシリコン
多結晶に凹凸を形成する方法であって、 ａ）シリコンウエハを水に浸漬し、粒径３０〜３００Ａ
の粒子（２１）をウエハ表面に分散させる前処理工程
と、 ｂ）前記ウエハ表面にシリコン多結晶（３１）の初期層
を付着し、このシリコン多結晶初期層により前記粒子
（２１）を被覆してシリコン多結晶の小瘤（３２）を形
成する工程と、 ｃ）引き続いて同質のシリコン多結晶層（３１）を前記
ウエハの表面に重ねて付着させ、前記シリコン多結晶の
小瘤（３２）を被覆してシリコン多結晶の構造体に凹凸
を形成させる工程を含む方法。 - 【請求項８】 前記粒子（２１）はケイ素を含む請求項
１、５、６および７のいずれか一項記載の方法。 - 【請求項９】 前記粒子（２１）は二酸化ケイ素を含む
請求項１、５、６および７のいずれか一項記載の方法。 - 【請求項１０】 前記シリコン多結晶の構造体はダイナ
ミック・ランダムアクセスメモリ装置におけるキャパシ
タセルの記憶ノードプレートを含む請求項１、５、６お
よび７のいずれか一項記載の方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/653839 | 1991-02-11 | ||
| US07/653,839 US5102832A (en) | 1991-02-11 | 1991-02-11 | Methods for texturizing polysilicon |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590528A true JPH0590528A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=24622483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4057298A Pending JPH0590528A (ja) | 1991-02-11 | 1992-02-12 | シリコン多結晶の凹凸形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5102832A (ja) |
| JP (1) | JPH0590528A (ja) |
| DE (1) | DE4203822A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5798545A (en) * | 1994-12-28 | 1998-08-25 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor storage device |
Families Citing this family (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5244842A (en) * | 1991-12-17 | 1993-09-14 | Micron Technology, Inc. | Method of increasing capacitance by surface roughening in semiconductor wafer processing |
| USRE35420E (en) * | 1991-02-11 | 1997-01-07 | Micron Technology, Inc. | Method of increasing capacitance by surface roughening in semiconductor wafer processing |
| KR960002097B1 (ko) * | 1992-02-28 | 1996-02-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치의 커패시터 제조방법 |
| JPH0620958A (ja) * | 1992-04-10 | 1994-01-28 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 粗いシリコン表面の形成およびその応用 |
| JP3156878B2 (ja) * | 1992-04-30 | 2001-04-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP3024721B2 (ja) * | 1992-10-14 | 2000-03-21 | 新日本製鐵株式会社 | 半導体記憶装置の製造方法 |
| DE69433696T2 (de) | 1993-11-02 | 2004-08-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma | Halbleiterbauelement mit einem Aggregat von Mikro-Nadeln aus Halbleitermaterial |
| US6734451B2 (en) | 1993-11-02 | 2004-05-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Aggregate of semiconductor micro-needles and method of manufacturing the same, and semiconductor apparatus and method of manufacturing the same |
| US5466626A (en) * | 1993-12-16 | 1995-11-14 | International Business Machines Corporation | Micro mask comprising agglomerated material |
| US5429972A (en) * | 1994-05-09 | 1995-07-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of fabricating a capacitor with a textured polysilicon interface and an enhanced dielectric |
| KR0165496B1 (ko) * | 1995-03-22 | 1998-12-15 | 윤종용 | 고집적 반도체장치의 캐패시터 제조방법 |
| US5856007A (en) * | 1995-07-18 | 1999-01-05 | Sharan; Sujit | Method and apparatus for forming features in holes, trenches and other voids in the manufacturing of microelectronic devices |
| US5885882A (en) * | 1995-07-18 | 1999-03-23 | Micron Technology, Inc. | Method for making polysilicon electrode with increased surface area making same |
| US5612558A (en) * | 1995-11-15 | 1997-03-18 | Micron Technology, Inc. | Hemispherical grained silicon on refractory metal nitride |
| US5801413A (en) * | 1995-12-19 | 1998-09-01 | Micron Technology, Inc. | Container-shaped bottom electrode for integrated circuit capacitor with partially rugged surface |
| US6015986A (en) * | 1995-12-22 | 2000-01-18 | Micron Technology, Inc. | Rugged metal electrodes for metal-insulator-metal capacitors |
| US5830793A (en) * | 1995-12-28 | 1998-11-03 | Micron Technology, Inc. | Method of selective texfturing for patterned polysilicon electrodes |
| US5937310A (en) * | 1996-04-29 | 1999-08-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reduced bird's beak field oxidation process using nitrogen implanted into active region |
| US6027970A (en) * | 1996-05-17 | 2000-02-22 | Micron Technology, Inc. | Method of increasing capacitance of memory cells incorporating hemispherical grained silicon |
| US5849624A (en) * | 1996-07-30 | 1998-12-15 | Mircon Technology, Inc. | Method of fabricating a bottom electrode with rounded corners for an integrated memory cell capacitor |
| US5882993A (en) | 1996-08-19 | 1999-03-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Integrated circuit with differing gate oxide thickness and process for making same |
| US6033943A (en) * | 1996-08-23 | 2000-03-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Dual gate oxide thickness integrated circuit and process for making same |
| US6069052A (en) * | 1996-10-07 | 2000-05-30 | Mosel Vitelic, Inc. | Process and structure for increasing capacitance of stack capacitor |
| US5849628A (en) * | 1996-12-09 | 1998-12-15 | Micron Technology, Inc. | Method of producing rough polysilicon by the use of pulsed plasma chemical vapor deposition and products produced by same |
| US5872376A (en) * | 1997-03-06 | 1999-02-16 | Advanced Micro Devices, Inc. | Oxide formation technique using thin film silicon deposition |
| US5920763A (en) * | 1997-08-21 | 1999-07-06 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for improving the structural integrity of stacked capacitors |
| US6010935A (en) * | 1997-08-21 | 2000-01-04 | Micron Technology, Inc. | Self aligned contacts |
| US6048763A (en) | 1997-08-21 | 2000-04-11 | Micron Technology, Inc. | Integrated capacitor bottom electrode with etch stop layer |
| US5962914A (en) * | 1998-01-14 | 1999-10-05 | Advanced Micro Devices, Inc. | Reduced bird's beak field oxidation process using nitrogen implanted into active region |
| US6531364B1 (en) | 1998-08-05 | 2003-03-11 | Advanced Micro Devices, Inc. | Advanced fabrication technique to form ultra thin gate dielectric using a sacrificial polysilicon seed layer |
| US6207584B1 (en) * | 2000-01-05 | 2001-03-27 | International Business Machines Corp. | High dielectric constant material deposition to achieve high capacitance |
| US6559007B1 (en) | 2000-04-06 | 2003-05-06 | Micron Technology, Inc. | Method for forming flash memory device having a tunnel dielectric comprising nitrided oxide |
| US6455372B1 (en) | 2000-08-14 | 2002-09-24 | Micron Technology, Inc. | Nucleation for improved flash erase characteristics |
| US6544908B1 (en) * | 2000-08-30 | 2003-04-08 | Micron Technology, Inc. | Ammonia gas passivation on nitride encapsulated devices |
| US6620675B2 (en) | 2001-09-26 | 2003-09-16 | International Business Machines Corporation | Increased capacitance trench capacitor |
| US6653199B2 (en) * | 2001-10-09 | 2003-11-25 | Micron Technology, Inc. | Method of forming inside rough and outside smooth HSG electrodes and capacitor structure |
| US6794704B2 (en) * | 2002-01-16 | 2004-09-21 | Micron Technology, Inc. | Method for enhancing electrode surface area in DRAM cell capacitors |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59123279A (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置作製方法 |
| JPS63239937A (ja) * | 1987-03-27 | 1988-10-05 | Canon Inc | 半導体多結晶膜の形成方法 |
-
1991
- 1991-02-11 US US07/653,839 patent/US5102832A/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-02-10 DE DE4203822A patent/DE4203822A1/de not_active Withdrawn
- 1992-02-12 JP JP4057298A patent/JPH0590528A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5798545A (en) * | 1994-12-28 | 1998-08-25 | Nippon Steel Corporation | Semiconductor storage device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE4203822A1 (de) | 1992-08-13 |
| US5102832A (en) | 1992-04-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0590528A (ja) | シリコン多結晶の凹凸形成方法 | |
| US5112773A (en) | Methods for texturizing polysilicon utilizing gas phase nucleation | |
| US5182232A (en) | Metal silicide texturizing technique | |
| US6008086A (en) | Method of deposting uniform dielectric film deposition on textured surfaces | |
| JP2716406B2 (ja) | 半導体素子のキャパシター製造方法 | |
| KR930009593B1 (ko) | 고집적 반도체 메모리장치 및 그 제조방법(HCC Cell) | |
| KR940007391B1 (ko) | 고집적 반도체 메모리장치의 제조방법 | |
| US5324679A (en) | Method for manufacturing a semiconductor device having increased surface area conductive layer | |
| JP3056973B2 (ja) | 高誘電率材料を使用する記憶キャパシタの製造方法 | |
| JPH079946B2 (ja) | 絨毛形のキャパシタ構造を有する半導体メモリ装置の製造方法 | |
| JP3494852B2 (ja) | 半導体素子のコンタクト配線方法及びこれを利用したキャパシタの製造方法 | |
| US5854095A (en) | Dual source gas methods for forming integrated circuit capacitor electrodes | |
| US5885867A (en) | Methods of forming hemispherical grained silicon layers including anti-nucleation gases | |
| JP2602512B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR20000044553A (ko) | 백금 전극을 갖는 캐패시터 제조 방법 | |
| JP2000196035A (ja) | メモリ素子のキャパシタ製造方法 | |
| JP2902621B2 (ja) | 半導体装置のキャパシタ製造方法 | |
| US5234854A (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
| JPH09232529A (ja) | 半導体記憶装置およびその製造方法 | |
| KR100195188B1 (ko) | 반도체메모리장치의 제조방법 | |
| US20220139915A1 (en) | Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure | |
| JPH08148584A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
| JPH04368172A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US6228749B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
| KR950013382B1 (ko) | 커패시터 및 그 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040727 |