JPH0590133A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPH0590133A JPH0590133A JP3248834A JP24883491A JPH0590133A JP H0590133 A JPH0590133 A JP H0590133A JP 3248834 A JP3248834 A JP 3248834A JP 24883491 A JP24883491 A JP 24883491A JP H0590133 A JPH0590133 A JP H0590133A
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- Japan
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- temperature
- wafer
- load lock
- lock chamber
- load
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70808—Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
-
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- Toxicology (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高精度かつ高スループットが得られるＸ線露
光装置を提供することを目的としている。 【構成】 Ｘ線露光装置本体とこの露光装置にウェハを
供給するウェハ供給部分に雰囲気を置換するロードロッ
ク室を配置し、このロードロック室において、カセット
で供給されるウェハとは別に、ロードロックに取り付け
られ、ウェハ上の温度変化を測定するためのダミーウェ
ハ１と、ダミーウェハの上に接着され、ウェハの温度変
化を計測する温度検出素子２と、ロードロック室内の圧
力を計る圧力検出素子３とロードロック室に任意な温度
のＨｅを供給することのできる温度調節機能の付いたＨ
ｅ供給部４と、ロードロック室の雰囲気を一定にかき混
ぜ、室内を均一温度に保つ雰囲気撹はん部５とを備え、
ダミーウェハ上の温度と本体内部の温度との差が最も少
なくなるようにＨｅ供給部の温度を調節し、ウェハの温
度の変化を最小にすることにより高精度かつ高スループ
ットが得られる。
光装置を提供することを目的としている。 【構成】 Ｘ線露光装置本体とこの露光装置にウェハを
供給するウェハ供給部分に雰囲気を置換するロードロッ
ク室を配置し、このロードロック室において、カセット
で供給されるウェハとは別に、ロードロックに取り付け
られ、ウェハ上の温度変化を測定するためのダミーウェ
ハ１と、ダミーウェハの上に接着され、ウェハの温度変
化を計測する温度検出素子２と、ロードロック室内の圧
力を計る圧力検出素子３とロードロック室に任意な温度
のＨｅを供給することのできる温度調節機能の付いたＨ
ｅ供給部４と、ロードロック室の雰囲気を一定にかき混
ぜ、室内を均一温度に保つ雰囲気撹はん部５とを備え、
ダミーウェハ上の温度と本体内部の温度との差が最も少
なくなるようにＨｅ供給部の温度を調節し、ウェハの温
度の変化を最小にすることにより高精度かつ高スループ
ットが得られる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばシンクロトロン
放射光（以下ＳＲと略する）等のＸ線を用いて露光を行
うＸ線露光装置に関するものである。
放射光（以下ＳＲと略する）等のＸ線を用いて露光を行
うＸ線露光装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体露光装置の光源としてＳＲ
等のＸ線を利用することが注目されている。露光に用い
られるＸ線はふつう波長が１ｎｍ程度の軟Ｘ線である
が、この波長領域の軟Ｘ線は非常に激しく減衰するた
め、Ｘ線露光装置においてはＸ線の光路近傍あるいは装
置全体を密閉容器で密閉し、密閉容器内をＨｅ等Ｘ線を
通しやすい気体で満たして露光を行うことが一般的とな
っている。このためウェハの供給はロードロック方式を
採用し、ウェハをいれたカセットをロードロック室にセ
ットし、室内を一旦真空にした後、Ｈｅを供給するよう
な方法が取られている。ここでロードロック室を一旦真
空にする際、室内は断熱膨張がおこり、温度が低下す
る。ロードロック室中にあるウェハの温度も同じく低下
しするが、マスクに対して１：１のプロキシミティー露
光でマスクとウェハの相対位置を精密に合わせるために
は、ウェハの温度変化による熱変形を極力防ぐか、熱変
形したウェハが元に戻るまで十分な安定時間をとるかす
る必要がある。このため、図２に示すように、従来はロ
ードロック室内にヒータ２１を配し、断熱膨張によって
奪われる熱をヒータによって供給する方法が取られてい
た。
等のＸ線を利用することが注目されている。露光に用い
られるＸ線はふつう波長が１ｎｍ程度の軟Ｘ線である
が、この波長領域の軟Ｘ線は非常に激しく減衰するた
め、Ｘ線露光装置においてはＸ線の光路近傍あるいは装
置全体を密閉容器で密閉し、密閉容器内をＨｅ等Ｘ線を
通しやすい気体で満たして露光を行うことが一般的とな
っている。このためウェハの供給はロードロック方式を
採用し、ウェハをいれたカセットをロードロック室にセ
ットし、室内を一旦真空にした後、Ｈｅを供給するよう
な方法が取られている。ここでロードロック室を一旦真
空にする際、室内は断熱膨張がおこり、温度が低下す
る。ロードロック室中にあるウェハの温度も同じく低下
しするが、マスクに対して１：１のプロキシミティー露
光でマスクとウェハの相対位置を精密に合わせるために
は、ウェハの温度変化による熱変形を極力防ぐか、熱変
形したウェハが元に戻るまで十分な安定時間をとるかす
る必要がある。このため、図２に示すように、従来はロ
ードロック室内にヒータ２１を配し、断熱膨張によって
奪われる熱をヒータによって供給する方法が取られてい
た。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示すような機構では、次のような問題点が生じていた。
すなわちまず、ロードロック室内が真空に近くなったと
き、熱を伝える媒体としての雰囲気がなくなり、ヒータ
から発生する熱はほとんどが伝熱の形で周囲の部材に影
響を与える。つまりロードロックのカセット内にセット
されたウェハは、ヒータからカセットを経てようやく伝
わることになる。したがってウェハ上にはなかなか熱が
伝わらず、伝わっても、温度の分布のむらが生じること
になる。また、ローダー，カセット，ウェハなど熱伝導
率が異なり、単にヒータを露光機本体の温度から決定さ
れる温度にしても、ウェハ上での正確な温度は解からな
いという問題があった。したがってマスクとウェハの重
ね合わせ精度が上がらない、また温度安定のための時間
が必要になるなどの影響を与えていた。
示すような機構では、次のような問題点が生じていた。
すなわちまず、ロードロック室内が真空に近くなったと
き、熱を伝える媒体としての雰囲気がなくなり、ヒータ
から発生する熱はほとんどが伝熱の形で周囲の部材に影
響を与える。つまりロードロックのカセット内にセット
されたウェハは、ヒータからカセットを経てようやく伝
わることになる。したがってウェハ上にはなかなか熱が
伝わらず、伝わっても、温度の分布のむらが生じること
になる。また、ローダー，カセット，ウェハなど熱伝導
率が異なり、単にヒータを露光機本体の温度から決定さ
れる温度にしても、ウェハ上での正確な温度は解からな
いという問題があった。したがってマスクとウェハの重
ね合わせ精度が上がらない、また温度安定のための時間
が必要になるなどの影響を与えていた。
【０００４】上記課題を解決するために、本発明はまず
熱の供給をＨｅからおこなう方法に変え、さらに熱伝導
率がおなじであるダミーウェハを介して温度を測定する
ことによって、ロードロック内のウェハ上の温度が最小
の時間でかつ均一に露光機本体の温度にできるロードロ
ック室を提供するものである。
熱の供給をＨｅからおこなう方法に変え、さらに熱伝導
率がおなじであるダミーウェハを介して温度を測定する
ことによって、ロードロック内のウェハ上の温度が最小
の時間でかつ均一に露光機本体の温度にできるロードロ
ック室を提供するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のＸ線露光装置のロードロック室は、カセッ
トで供給されるウェハとは別に、ダミーウェハと、前記
ダミーウェハの上に装着された、温度検出素子とを備
え、さらにロードロック室に任意な温度のＨｅを供給す
ることのできる温度調節機能の付いたＨｅ供給部と、ロ
ードロック室の雰囲気を撹はんする撹はん部とを備えた
ことを特徴としている。
に、本発明のＸ線露光装置のロードロック室は、カセッ
トで供給されるウェハとは別に、ダミーウェハと、前記
ダミーウェハの上に装着された、温度検出素子とを備
え、さらにロードロック室に任意な温度のＨｅを供給す
ることのできる温度調節機能の付いたＨｅ供給部と、ロ
ードロック室の雰囲気を撹はんする撹はん部とを備えた
ことを特徴としている。
【０００６】
【作用】以下、図３を用いてこの作用を説明する。図３
は本発明のＸ線露光装置のロードロック部分の簡略図で
あり、３０がロードロックチャンバ、３１はロードロッ
ク圧力検出素子、３２がローダ、３３がカセットであ
る。さらに３４は雰囲気を撹はんする撹はん部、３５は
ダミーウェハ、３６はダミーウェハ上につけられた温度
検出素子である。また３７はロードロック室にＨｅを供
給する部分であり、供給するＨｅを任意な温度に設定で
きるものとする。ここで、ロードロック室において、供
給される熱はすべて３７を通過するＨｅからであり、供
給される熱は３４の撹はん部により、ロードロック内に
均一になると考えることができる。真空引きをおこなう
と、室内は温度が低下するが、このとき、３７から真空
引きされるよりも流量は少ないが、高温のＨｅを供給す
ると断熱膨張による温度低下が軽減される。３７から供
給されるＨｅの量と熱量は３１からのロードロック室の
圧力と、３６のダミーウェハ上の温度から決定可能であ
る。
は本発明のＸ線露光装置のロードロック部分の簡略図で
あり、３０がロードロックチャンバ、３１はロードロッ
ク圧力検出素子、３２がローダ、３３がカセットであ
る。さらに３４は雰囲気を撹はんする撹はん部、３５は
ダミーウェハ、３６はダミーウェハ上につけられた温度
検出素子である。また３７はロードロック室にＨｅを供
給する部分であり、供給するＨｅを任意な温度に設定で
きるものとする。ここで、ロードロック室において、供
給される熱はすべて３７を通過するＨｅからであり、供
給される熱は３４の撹はん部により、ロードロック内に
均一になると考えることができる。真空引きをおこなう
と、室内は温度が低下するが、このとき、３７から真空
引きされるよりも流量は少ないが、高温のＨｅを供給す
ると断熱膨張による温度低下が軽減される。３７から供
給されるＨｅの量と熱量は３１からのロードロック室の
圧力と、３６のダミーウェハ上の温度から決定可能であ
る。
【０００７】以上のように本発明は上記した構成によっ
て、断熱膨張による温度低下を軽減でき、かつウェハを
均一に温度変化させることがでる。さらにウェハ温度を
正確に計測でき、ウェハ上の温度が露光装置本体と異な
っていてもわずかな時間で同じにすることも可能であ
る。
て、断熱膨張による温度低下を軽減でき、かつウェハを
均一に温度変化させることがでる。さらにウェハ温度を
正確に計測でき、ウェハ上の温度が露光装置本体と異な
っていてもわずかな時間で同じにすることも可能であ
る。
【０００８】
【実施例】以下本発明の一実施例のＸ線露光装置のロー
ドロックについて、図面を参照しながら説明する。
ドロックについて、図面を参照しながら説明する。
【０００９】図１は本発明の第１の実施例におけるＸ線
露光装置である。図１において、１はダミーウェハ、２
は測温抵抗体（ＰＴ−１００）、３は圧力センサーであ
る。また４は温度調節が可能なＨｅ供給部、５は雰囲気
の強制循環をおこなう撹はん部である。さらに６はウェ
ハカセット、７はウェハ、８はローダ、９はローダのベ
ース、１０はロードロック外壁である。以上のように構
成されたロードロック室について、以下、そのＨｅ置換
時の動作について説明する。
露光装置である。図１において、１はダミーウェハ、２
は測温抵抗体（ＰＴ−１００）、３は圧力センサーであ
る。また４は温度調節が可能なＨｅ供給部、５は雰囲気
の強制循環をおこなう撹はん部である。さらに６はウェ
ハカセット、７はウェハ、８はローダ、９はローダのベ
ース、１０はロードロック外壁である。以上のように構
成されたロードロック室について、以下、そのＨｅ置換
時の動作について説明する。
【００１０】まず、Ｈｅ置換するときは真空バルブ１１
を開放する。するとロードロック室内の圧力は下がり、
温度もさがる。したがって、ウェハ７およびダミーウェ
ハ１は温度がさがる。本体の平衡温度に比べ、側温抵抗
体２との温度差が増えると、Ｈｅ供給部の温度を上げる
ように設定しておき、３は圧力センサーにより、予め設
定していた圧力になると、予め定められた時間だけＨｅ
供給部のバルブを開き高温のＨｅをロードロック内に供
給する。そして撹はん部５で撹はんされ、ロードロック
の室内は一時的に圧力の減少が緩やかになり、室内の温
度も均一に上昇する。露光機本体の平衡温度とダミーウ
ェハの温度との差と供給するＨｅ温度の設定および、バ
ルブを開ける圧力、バルブを開けている時間は実験によ
り最適な条件を求めておけば、この置換時の真空引きの
ときほぼ等温変化をさせることも不可能ではない。
を開放する。するとロードロック室内の圧力は下がり、
温度もさがる。したがって、ウェハ７およびダミーウェ
ハ１は温度がさがる。本体の平衡温度に比べ、側温抵抗
体２との温度差が増えると、Ｈｅ供給部の温度を上げる
ように設定しておき、３は圧力センサーにより、予め設
定していた圧力になると、予め定められた時間だけＨｅ
供給部のバルブを開き高温のＨｅをロードロック内に供
給する。そして撹はん部５で撹はんされ、ロードロック
の室内は一時的に圧力の減少が緩やかになり、室内の温
度も均一に上昇する。露光機本体の平衡温度とダミーウ
ェハの温度との差と供給するＨｅ温度の設定および、バ
ルブを開ける圧力、バルブを開けている時間は実験によ
り最適な条件を求めておけば、この置換時の真空引きの
ときほぼ等温変化をさせることも不可能ではない。
【００１１】以上のように本実施例によれば、ロードロ
ック室内に、圧力検出素子と、カセットで供給されるウ
ェハとは別に、ダミーウェハと、前記ダミーウェハの上
に装着された、温度検出素子とを備え、さらにロードロ
ック室に任意な温度のＨｅを供給することのできる温度
調節機能の付いたＨｅ供給部と、ロードロック室の雰囲
気を撹はんする撹はん部とを備えることにより、ロード
ロック内のウェハ上の温度変化を極力抑えることができ
かつ均一に露光機本体の温度にできるロードロックを提
供することができる。
ック室内に、圧力検出素子と、カセットで供給されるウ
ェハとは別に、ダミーウェハと、前記ダミーウェハの上
に装着された、温度検出素子とを備え、さらにロードロ
ック室に任意な温度のＨｅを供給することのできる温度
調節機能の付いたＨｅ供給部と、ロードロック室の雰囲
気を撹はんする撹はん部とを備えることにより、ロード
ロック内のウェハ上の温度変化を極力抑えることができ
かつ均一に露光機本体の温度にできるロードロックを提
供することができる。
【００１２】なお、本発明の構成要素を満たせば、本実
施例として記載した以外の方法でもロードロックのＨｅ
置換時にウェハの温度を制御することは可能である。
施例として記載した以外の方法でもロードロックのＨｅ
置換時にウェハの温度を制御することは可能である。
【００１３】
【発明の効果】以上のように本発明は、ウェハロードロ
ック室の雰囲気の置換時にウェハの温度変化を少なく、
また温度均一性を保ちながら、正確に温度を制御できる
ので、温度の変化によるマスクとウェハの重ね合わせ精
度の劣化を防止でき、また温度安定のための時間を少な
くすることができるため、Ｘ線露光機として、高精度か
つ高スループットが望める。
ック室の雰囲気の置換時にウェハの温度変化を少なく、
また温度均一性を保ちながら、正確に温度を制御できる
ので、温度の変化によるマスクとウェハの重ね合わせ精
度の劣化を防止でき、また温度安定のための時間を少な
くすることができるため、Ｘ線露光機として、高精度か
つ高スループットが望める。
【図１】本発明の一実施例におけるロードロック装置の
構成図
構成図
【図２】従来のロードロック装置の簡略構成図
【図３】本発明のロードロック装置の簡略構成図
１ ダミーウェハ ２ 温度測定素子 ３ 圧力センサ ４ 温度調節が可能なＨｅの供給部 ５ 撹はん部 ６ ウェハカセット ７ ウェハ ８ ローダ ９ ローダベース １０ ロードロック外壁 １１ 真空引き用バルブ １２ 空気供給バルブ １３ Ｈｅ供給バルブ ２０ ロードロック外壁 ２１ ヒータ ２２ ウェハカセット ２３ ウェハ ２４ 空気供給部 ２５ Ｈｅ供給部 ２６ 真空引きバルブ ２７ ローダ ２８ ローダベース ２９ メインチャンバ ３１ 圧力センサ ３２ ローダ ３３ ウェハカセット ３４ ロードロック撹はん部 ３５ ダミーウェハ ３６ 温度検出素子 ３７ 温度調節付きＨｅ供給部
Claims (1)
- 【請求項１】 露光装置本体にウェハを供給するウェハ
供給部分として、雰囲気を置換する機能を持つロードロ
ック室を配置したＸ線露光装置において、このロードロ
ック室内に、圧力検出素子と、カセットで供給されるウ
ェハとは別に、ダミーウェハと、前記ダミーウェハの上
に装着された、温度検出素子とを備え、さらにロードロ
ック室に任意な温度のＨｅを供給することのできる温度
調節機能を付いたＨｅ供給部と、ロードロック室の雰囲
気を撹はんする撹はん部とを備えたことを特徴とするＸ
線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3248834A JPH0590133A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3248834A JPH0590133A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0590133A true JPH0590133A (ja) | 1993-04-09 |
Family
ID=17184120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3248834A Pending JPH0590133A (ja) | 1991-09-27 | 1991-09-27 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0590133A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001020650A1 (fr) * | 1999-09-14 | 2001-03-22 | Nikon Corporation | Systeme d'exposition, dispositif d'exposition, dispositif d'application, dispositif de developpement, et procede de regulation de l'environnement de traitement de plaquette dans le systeme d'exposition |
| CN110426870A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-11-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种液晶滴下组件和液晶滴下机 |
-
1991
- 1991-09-27 JP JP3248834A patent/JPH0590133A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001020650A1 (fr) * | 1999-09-14 | 2001-03-22 | Nikon Corporation | Systeme d'exposition, dispositif d'exposition, dispositif d'application, dispositif de developpement, et procede de regulation de l'environnement de traitement de plaquette dans le systeme d'exposition |
| CN110426870A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-11-08 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种液晶滴下组件和液晶滴下机 |
| CN110426870B (zh) * | 2019-07-09 | 2022-04-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种液晶滴下组件和液晶滴下机 |
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