JPH0589451A - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JPH0589451A JPH0589451A JP27323891A JP27323891A JPH0589451A JP H0589451 A JPH0589451 A JP H0589451A JP 27323891 A JP27323891 A JP 27323891A JP 27323891 A JP27323891 A JP 27323891A JP H0589451 A JPH0589451 A JP H0589451A
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- JP
- Japan
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- film
- magnetic
- plasma
- recording medium
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- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 摩擦特性および耐久性に優れた磁気記録媒体
とする。 【構成】 磁性層である強磁性薄膜表面あるいはさらに
磁性層上にプラズマ重合膜を成膜したときはプラズマ重
合膜表面をプラズマ処理して、表面を活性化し、これ
に、末端に二重結合を有するフッ素系モノマーをグラフ
ト重合させる。
とする。 【構成】 磁性層である強磁性薄膜表面あるいはさらに
磁性層上にプラズマ重合膜を成膜したときはプラズマ重
合膜表面をプラズマ処理して、表面を活性化し、これ
に、末端に二重結合を有するフッ素系モノマーをグラフ
ト重合させる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、強磁性薄膜を有する磁
気記録媒体に関する。
気記録媒体に関する。
【0002】
【従来の技術】強磁性薄膜を磁性層とする連続薄膜型の
磁気記録媒体が種々実用化されている。
磁気記録媒体が種々実用化されている。
【0003】このうち、計算機等に用いられるハードタ
イプの磁気ディスクでは、剛性基板上に強磁性薄膜を設
層している。ハードタイプの磁気ディスクに記録再生を
行なう磁気ヘッドとしては、各種浮上型磁気ヘッドが用
いられている。
イプの磁気ディスクでは、剛性基板上に強磁性薄膜を設
層している。ハードタイプの磁気ディスクに記録再生を
行なう磁気ヘッドとしては、各種浮上型磁気ヘッドが用
いられている。
【0004】このような場合には、コンタクト・スター
ト・ストップ(CSS)時に、磁気ディスクは磁気ヘッ
ドにより損傷を受ける。また、記録密度を高めるために
は、磁気ヘッドの浮上量をできるだけ小さくしようとい
う要請が強いが、このときCSS時のディスクの損傷は
より一層大きくなる。
ト・ストップ(CSS)時に、磁気ディスクは磁気ヘッ
ドにより損傷を受ける。また、記録密度を高めるために
は、磁気ヘッドの浮上量をできるだけ小さくしようとい
う要請が強いが、このときCSS時のディスクの損傷は
より一層大きくなる。
【0005】このような耐久性を高めるためには、ディ
スク表面に各種固体潤滑剤を用いたトップコート膜を設
ける必要がある。例えば、特開平2−161612号で
は、磁性層上に、Ar圧を調節して、2層のカーボンス
パッタトップコート膜を設ける旨が提案されている。し
かし、スパッタ時のAr圧を下げて、成膜しても、潤滑
性が十分でない。
スク表面に各種固体潤滑剤を用いたトップコート膜を設
ける必要がある。例えば、特開平2−161612号で
は、磁性層上に、Ar圧を調節して、2層のカーボンス
パッタトップコート膜を設ける旨が提案されている。し
かし、スパッタ時のAr圧を下げて、成膜しても、潤滑
性が十分でない。
【0006】一方、磁気記録媒体用の固体トップコート
膜としては、各種プラズマ重合膜が知られている。例え
ば、米国特許第348,883号明細書では、磁性層上
に、炭化水素を用いたプラズマ重合膜上にフッ素を含む
有機材料を用いたプラズマ重合膜を積層したトップコー
ト膜を形成している。しかし、従来のプラズマ重合膜ト
ップコートは、いずれもハードディスク用としては耐久
性や摩擦特性の点で十分でない。
膜としては、各種プラズマ重合膜が知られている。例え
ば、米国特許第348,883号明細書では、磁性層上
に、炭化水素を用いたプラズマ重合膜上にフッ素を含む
有機材料を用いたプラズマ重合膜を積層したトップコー
ト膜を形成している。しかし、従来のプラズマ重合膜ト
ップコートは、いずれもハードディスク用としては耐久
性や摩擦特性の点で十分でない。
【0007】また、強磁性薄膜を磁性層とする磁気記録
媒体の1つとして磁気テープがある。近年磁気テープは
ますます高密度化しており、中でもCoを主体としNi
等を添加した強磁性金属薄膜を用いた磁気テープは、飽
和磁束密度が大きくしかも保磁力が高いので、盛んに研
究されている。
媒体の1つとして磁気テープがある。近年磁気テープは
ますます高密度化しており、中でもCoを主体としNi
等を添加した強磁性金属薄膜を用いた磁気テープは、飽
和磁束密度が大きくしかも保磁力が高いので、盛んに研
究されている。
【0008】この型の磁気テープは種々の方法で製造さ
れるが、特に優れた方法としては、非磁性基体上に斜め
蒸着法により強磁性金属薄膜を単層膜として形成した
り、2層以上積層して多層構造としたりすることが提案
されている。
れるが、特に優れた方法としては、非磁性基体上に斜め
蒸着法により強磁性金属薄膜を単層膜として形成した
り、2層以上積層して多層構造としたりすることが提案
されている。
【0009】磁気テープの非磁性基体としては、通常、
ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムが用いら
れている。
ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルムが用いら
れている。
【0010】このような樹脂フィルム上に蒸着により磁
性層を形成すると、樹脂フィルムを通して水分や空気が
侵入し、磁性層が腐食して記録・再生時の電磁変換特性
等が劣化する。また、耐久性の点でも不十分である。
性層を形成すると、樹脂フィルムを通して水分や空気が
侵入し、磁性層が腐食して記録・再生時の電磁変換特性
等が劣化する。また、耐久性の点でも不十分である。
【0011】このようなことから、樹脂フィルムと磁性
層との間に下地膜を、また磁性層上にトップコート膜を
設ける旨の提案が種々なされている。この場合の下地膜
には各種金属膜やプラズマ重合膜、またトップコート膜
にはプラズマ重合膜が用いられている。しかし、このよ
うな下地膜やトップコート膜では、水や酸素等を遮断す
る効果は、ある程度、得られるものの、潤滑性が十分で
ない。
層との間に下地膜を、また磁性層上にトップコート膜を
設ける旨の提案が種々なされている。この場合の下地膜
には各種金属膜やプラズマ重合膜、またトップコート膜
にはプラズマ重合膜が用いられている。しかし、このよ
うな下地膜やトップコート膜では、水や酸素等を遮断す
る効果は、ある程度、得られるものの、潤滑性が十分で
ない。
【0012】また、磁気記録媒体の潤滑保護膜に、両親
媒性の物質を用いて形成した累積膜(LB膜)を用いる
旨の提案もなされている。(特開平1−103681号
等)。しかし、このものでは、両親媒性の物質をフッ素
系化合物等とすることによって、ある程度の潤滑性は得
られるものの、耐久性に乏しく、応力や摺動により剥離
してしまう。
媒性の物質を用いて形成した累積膜(LB膜)を用いる
旨の提案もなされている。(特開平1−103681号
等)。しかし、このものでは、両親媒性の物質をフッ素
系化合物等とすることによって、ある程度の潤滑性は得
られるものの、耐久性に乏しく、応力や摺動により剥離
してしまう。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、摩擦
特性に優れ、かつ耐久性が高い磁気記録媒体を提供する
ことにある。
特性に優れ、かつ耐久性が高い磁気記録媒体を提供する
ことにある。
【0014】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
(1)〜(6)の本発明により達成される。
(1)〜(6)の本発明により達成される。
【0015】(1)基体上に強磁性薄膜を有する磁気記
録媒体において、強磁性薄膜表面をプラズマ処理して活
性化し、この活性化した強磁性薄膜表面に、末端に二重
結合を有するフッ素系モノマーをグラフト重合したこと
を特徴とする磁気記録媒体。
録媒体において、強磁性薄膜表面をプラズマ処理して活
性化し、この活性化した強磁性薄膜表面に、末端に二重
結合を有するフッ素系モノマーをグラフト重合したこと
を特徴とする磁気記録媒体。
【0016】(2)前記プラズマ処理後における前記強
磁性薄膜表面の活性点の数が1013〜1018個/cm3 で
ある上記(1)に記載の磁気記録媒体。
磁性薄膜表面の活性点の数が1013〜1018個/cm3 で
ある上記(1)に記載の磁気記録媒体。
【0017】(3)基体上に強磁性薄膜を有し、この強
磁性薄膜上にプラズマ重合膜を有する磁気記録媒体にお
いて、プラズマ重合膜表面をプラズマ処理して活性化
し、この活性化したプラズマ重合膜表面に、末端に二重
結合を有するフッ素系モノマーをグラフト重合したこと
を特徴とする磁気記録媒体。
磁性薄膜上にプラズマ重合膜を有する磁気記録媒体にお
いて、プラズマ重合膜表面をプラズマ処理して活性化
し、この活性化したプラズマ重合膜表面に、末端に二重
結合を有するフッ素系モノマーをグラフト重合したこと
を特徴とする磁気記録媒体。
【0018】(4)前記プラズマ処理後における前記プ
ラズマ重合膜表面の活性点の数が1013〜1018個/cm
3 である上記(3)に記載の磁気記録媒体。
ラズマ重合膜表面の活性点の数が1013〜1018個/cm
3 である上記(3)に記載の磁気記録媒体。
【0019】(5)前記グラフト重合用フッ素系モノマ
ーは、分子量が100〜300である上記(1)ないし
(4)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
ーは、分子量が100〜300である上記(1)ないし
(4)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【0020】(6)前記プラズマ処理は、バイアス電圧
を印加しながら行なうものである上記(1)ないし
(5)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
を印加しながら行なうものである上記(1)ないし
(5)のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【0021】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。
に説明する。
【0022】本発明の磁気記録媒体では、磁性層である
強磁性薄膜表面を、または強磁性薄膜上にプラズマ重合
膜をトップコート膜として有するときはプラズマ重合膜
表面を、プラズマ処理して活性化し、この活性化した表
面に、末端に二重結合を有するフッ素系モノマーをグラ
フト重合している。
強磁性薄膜表面を、または強磁性薄膜上にプラズマ重合
膜をトップコート膜として有するときはプラズマ重合膜
表面を、プラズマ処理して活性化し、この活性化した表
面に、末端に二重結合を有するフッ素系モノマーをグラ
フト重合している。
【0023】このときのフッ素系モノマーは、化1に示
されるものであることが好ましい。
されるものであることが好ましい。
【0024】
【化1】
【0025】化1において、Rは、各々、フッ素または
ペルフルオロカーボン基を表し、それぞれのRは、同一
でも異なっていてもよく、特に一方のRはFであること
が好ましい。
ペルフルオロカーボン基を表し、それぞれのRは、同一
でも異なっていてもよく、特に一方のRはFであること
が好ましい。
【0026】Rで表されるペルフルオロカーボン基とし
ては、具体的に、以下のものが挙げられる。 1)F−(CF2 )n − (n=1、2、3) 2)F−(CF=CF)n − (n=1、2) 3)F−(CF2 −CF=CF)n − (n=1) 4)上記1)と上記2)とが適当な割合で混合した基
[ただし、上記3)で表される基を除く。] 5)ペルフルオロポリエン系の基[ただし、上記2)、
3)、4)で表される基を除く。]
ては、具体的に、以下のものが挙げられる。 1)F−(CF2 )n − (n=1、2、3) 2)F−(CF=CF)n − (n=1、2) 3)F−(CF2 −CF=CF)n − (n=1) 4)上記1)と上記2)とが適当な割合で混合した基
[ただし、上記3)で表される基を除く。] 5)ペルフルオロポリエン系の基[ただし、上記2)、
3)、4)で表される基を除く。]
【0027】なお、Rの分子量は18〜219とするこ
とが好ましく、本発明におけるフッ素系モノマーは、分
子量は100〜300であることが好ましい。
とが好ましく、本発明におけるフッ素系モノマーは、分
子量は100〜300であることが好ましい。
【0028】このようなフッ素系モノマーの具体例とし
ては、テトラフルオロエチレン、ペルフルオロプロペ
ン、ペルフルオロブテン、ペルフルオロブタジエン、ペ
ルフルオロイソブテン、ペルフルオロペンテン等が挙げ
られ、常温、常圧で気体または液体であるものが好まし
い。
ては、テトラフルオロエチレン、ペルフルオロプロペ
ン、ペルフルオロブテン、ペルフルオロブタジエン、ペ
ルフルオロイソブテン、ペルフルオロペンテン等が挙げ
られ、常温、常圧で気体または液体であるものが好まし
い。
【0029】このようなフッ素系モノマーを用いること
により、グラフト重合を有効に行なうことができる。な
かでも、常温、常圧で気体であるものが、取扱い上便利
であり、分子運動が活発となるため重合度も高くなる。
により、グラフト重合を有効に行なうことができる。な
かでも、常温、常圧で気体であるものが、取扱い上便利
であり、分子運動が活発となるため重合度も高くなる。
【0030】特に、テトラフルオロエチレン、ペルフル
オロプロペン等の使用が好ましい。
オロプロペン等の使用が好ましい。
【0031】本発明において、グラフト重合を行なうに
際し、まず基体に磁性層として強磁性薄膜を有するも
の、あるいはこの強磁性薄膜上にさらにプラズマ重合膜
を設けたものを基材とし、磁性層表面あるいはプラズマ
重合膜表面、すなわち基材表面にプラズマガスを作用さ
せてプラズマ処理を行ない、基材表面を活性化する。す
なわち、プラズマ処理によって基材表面にラジカルを発
生させる。
際し、まず基体に磁性層として強磁性薄膜を有するも
の、あるいはこの強磁性薄膜上にさらにプラズマ重合膜
を設けたものを基材とし、磁性層表面あるいはプラズマ
重合膜表面、すなわち基材表面にプラズマガスを作用さ
せてプラズマ処理を行ない、基材表面を活性化する。す
なわち、プラズマ処理によって基材表面にラジカルを発
生させる。
【0032】このラジカルは、グラフト重合を行なう上
での活性点となるもので、基材表面における活性点の数
は、プラズマ処理後において1013〜1018個/cm3 、
好ましくは1015〜1018個/cm3 とすればよい。
での活性点となるもので、基材表面における活性点の数
は、プラズマ処理後において1013〜1018個/cm3 、
好ましくは1015〜1018個/cm3 とすればよい。
【0033】すなわち、この活性点は1個以上の不対電
子をもつ分子または原子であるラジカルに由来するもの
であり、分子または原子内の不対電子数というべきもの
である。
子をもつ分子または原子であるラジカルに由来するもの
であり、分子または原子内の不対電子数というべきもの
である。
【0034】従って、活性点の数は、電子スピン共鳴
(ESR)スペクトルの解析によって求めることができ
る。
(ESR)スペクトルの解析によって求めることができ
る。
【0035】活性点の数を、このような範囲とすること
によって、本発明の効果を得るに十分なグラフト重合を
行なうことができる。1013個/cm3 未満では活性点が
不足して十分なグラフト重合を行なうことができず、ま
た1018個/cm3 をこえると磁性層に与えるダメージが
大きくなって磁気記録媒体としたときの出力が低下して
しまう。
によって、本発明の効果を得るに十分なグラフト重合を
行なうことができる。1013個/cm3 未満では活性点が
不足して十分なグラフト重合を行なうことができず、ま
た1018個/cm3 をこえると磁性層に与えるダメージが
大きくなって磁気記録媒体としたときの出力が低下して
しまう。
【0036】プラズマ処理は、発生したラジカルを逃す
ことがないような所定の容器を用いて行なえばよく、A
r、O2 、N2 、He、H2 等の無機ガスを処理ガスと
して用いる。すなわち、系内を10-5Torrにまで排気し
た後、処理ガスにて置換し圧力を0.1Pa〜5Paとし、
プラズマ出力を50〜500W 、プラズマ周波数DC〜
13.56MHz で、プラズマを発生させる。また、この
ときに基材にバイアス電圧を印加するこにより、ラジカ
ル発生の効率が良化し、さらに効果が増大する。プラズ
マ処理時間は5〜10分程度で行なう。
ことがないような所定の容器を用いて行なえばよく、A
r、O2 、N2 、He、H2 等の無機ガスを処理ガスと
して用いる。すなわち、系内を10-5Torrにまで排気し
た後、処理ガスにて置換し圧力を0.1Pa〜5Paとし、
プラズマ出力を50〜500W 、プラズマ周波数DC〜
13.56MHz で、プラズマを発生させる。また、この
ときに基材にバイアス電圧を印加するこにより、ラジカ
ル発生の効率が良化し、さらに効果が増大する。プラズ
マ処理時間は5〜10分程度で行なう。
【0037】グラフト重合は、上記の処理後、一旦処理
ガスを排気した後、モノマーを導入する。モノマーは純
ガス、または特級以上のものを用いると不純物による活
性点の失活がない。モノマーはガス状態であれば、圧力
1〜100Pa程度にまで導入し、所定時間重合を行な
う。
ガスを排気した後、モノマーを導入する。モノマーは純
ガス、または特級以上のものを用いると不純物による活
性点の失活がない。モノマーはガス状態であれば、圧力
1〜100Pa程度にまで導入し、所定時間重合を行な
う。
【0038】一方、液状のモノマーであれば、減圧下モ
ノマーをベーキングシステム(液体供給装置)より導入
するか、ディップによるか、または注入口より液体をシ
リンダーより供給するかすればよい。
ノマーをベーキングシステム(液体供給装置)より導入
するか、ディップによるか、または注入口より液体をシ
リンダーより供給するかすればよい。
【0039】なお、このようなグラフト重合体の生成
は、X線光電子分光法(ESCA)、接触角変化により
確認することができる。
は、X線光電子分光法(ESCA)、接触角変化により
確認することができる。
【0040】本発明におけるプラズマ処理およびグラフ
ト重合の処理方式は、反応系に基材全体を設置して処理
するバッチ式としても、基材を反応系に順次通過させて
処理する連続方式としてもよい。連続方式は、磁気テー
プ等の長尺なものを対象するときに適用される。
ト重合の処理方式は、反応系に基材全体を設置して処理
するバッチ式としても、基材を反応系に順次通過させて
処理する連続方式としてもよい。連続方式は、磁気テー
プ等の長尺なものを対象するときに適用される。
【0041】本発明では、このようにして磁性層あるい
はプラズマ重合膜上にグラフト重合体を形成することに
より、フッ素系化合物に由来する潤滑性が磁気記録媒体
表面に付与される。すなわち、潤滑保護膜としての役割
を果たす。すなわち、摩擦力は、接触部におけるせん断
応力と真実接触面積とに比例して大きくなるが、本発明
では、せん断応力を小さくすることにより摩擦力を減少
しようとするものである。
はプラズマ重合膜上にグラフト重合体を形成することに
より、フッ素系化合物に由来する潤滑性が磁気記録媒体
表面に付与される。すなわち、潤滑保護膜としての役割
を果たす。すなわち、摩擦力は、接触部におけるせん断
応力と真実接触面積とに比例して大きくなるが、本発明
では、せん断応力を小さくすることにより摩擦力を減少
しようとするものである。
【0042】また、グラフト重合を行なっているので、
潤滑保護膜としての耐久性も十分である。
潤滑保護膜としての耐久性も十分である。
【0043】さらに、潤滑性のみならず、磁性層の表面
を被覆することになるので、磁性層上における化学反応
も防止することができ、磁気記録媒体の劣化を防止する
ことができる。
を被覆することになるので、磁性層上における化学反応
も防止することができ、磁気記録媒体の劣化を防止する
ことができる。
【0044】本発明の磁気記録媒体の好適例の1つとし
て、ハードタイプの磁気ディスクがあり、まず、これに
ついて説明する。
て、ハードタイプの磁気ディスクがあり、まず、これに
ついて説明する。
【0045】<基体>本発明の磁気ディスクで用いる基
体は、非磁性の剛性材質であれば特に制限はなく、強磁
性薄膜蒸着時の熱に耐える各種樹脂、金属、セラミック
ス等はいずれも使用可能である。この場合、剛性基板と
しては、特に樹脂製の剛性基板であることが好ましい。
樹脂製の基板では耐久性が低下するので、本発明の効果
は増大する。なお、基板が剛性であるとは、いわゆるフ
ロッピーディスク用のフレキシブルな基板を排除する意
である。このため、基板のヤング率をE、厚さをtとし
たとき、E・t3 ≧1×107 dyn・cm、より好ましくは
E・t3 ≧3×107 dyn・cmであることが好ましい。
体は、非磁性の剛性材質であれば特に制限はなく、強磁
性薄膜蒸着時の熱に耐える各種樹脂、金属、セラミック
ス等はいずれも使用可能である。この場合、剛性基板と
しては、特に樹脂製の剛性基板であることが好ましい。
樹脂製の基板では耐久性が低下するので、本発明の効果
は増大する。なお、基板が剛性であるとは、いわゆるフ
ロッピーディスク用のフレキシブルな基板を排除する意
である。このため、基板のヤング率をE、厚さをtとし
たとき、E・t3 ≧1×107 dyn・cm、より好ましくは
E・t3 ≧3×107 dyn・cmであることが好ましい。
【0046】用いる樹脂には特に制限がなく、熱可塑性
樹脂、熱硬化性樹脂、放射線硬化性樹脂等何れの樹脂を
使用してもよい。
樹脂、熱硬化性樹脂、放射線硬化性樹脂等何れの樹脂を
使用してもよい。
【0047】この場合、基板をキャスティング法で成型
する場合は、例えば、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ア
クリル樹脂、ポリスチレン、ポリアミド、シリコーン樹
脂、ポリエステルおよびこれらの変性体等が使用でき
る。
する場合は、例えば、ポリウレタン、エポキシ樹脂、ア
クリル樹脂、ポリスチレン、ポリアミド、シリコーン樹
脂、ポリエステルおよびこれらの変性体等が使用でき
る。
【0048】インジェクション法で成型する場合は、例
えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニル樹
脂、塩化ビニリデン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ポリ
スチレン、アクリロニトリル−スチレン共重合体、アク
リロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリ
ル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート、、ポリアセタ
ール、ポリエステル、ポリサルホン、ポリオキシベンジ
レン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルケトン、ポ
リエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイ
ド、ポリケトンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド
イミド、ポリアクリルイミド、ポリエーテルイミド、ポ
リオレフィン、アモルファスポリオレフィンおよびこれ
らの変性体等が使用できる。
えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニル樹
脂、塩化ビニリデン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、ポリ
スチレン、アクリロニトリル−スチレン共重合体、アク
リロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリ
ル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート、、ポリアセタ
ール、ポリエステル、ポリサルホン、ポリオキシベンジ
レン、ポリエーテルサルホン、ポリエーテルケトン、ポ
リエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイ
ド、ポリフェニレンエーテル、ポリフェニレンオキサイ
ド、ポリケトンサルファイド、ポリイミド、ポリアミド
イミド、ポリアクリルイミド、ポリエーテルイミド、ポ
リオレフィン、アモルファスポリオレフィンおよびこれ
らの変性体等が使用できる。
【0049】樹脂基板の寸法は目的に応じて選定すれば
よいが、通常、厚さ0.8〜1.9mm程度、直径60〜
130mm程度である。
よいが、通常、厚さ0.8〜1.9mm程度、直径60〜
130mm程度である。
【0050】なお、剛性の基板としては、前記のとお
り、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金等の金
属、ガラス、セラミックス等も使用可能である。また、
基板上には、下地層が設けられていてもよい。下地層の
材質には特に制限がなく、各種の無機材料、有機材料、
金属ないし合金等を用いればよく、成膜方法や膜厚等も
目的や用途等に応じて適宜選択すればよい。このような
下地層のうち、金属下地層には例えばNi−Pメッキ下
地層、Crスパッタ下地層等がある。
り、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金等の金
属、ガラス、セラミックス等も使用可能である。また、
基板上には、下地層が設けられていてもよい。下地層の
材質には特に制限がなく、各種の無機材料、有機材料、
金属ないし合金等を用いればよく、成膜方法や膜厚等も
目的や用途等に応じて適宜選択すればよい。このような
下地層のうち、金属下地層には例えばNi−Pメッキ下
地層、Crスパッタ下地層等がある。
【0051】<磁性層>必要に応じて下地層を設けた基
板上には、直接あるいは中間層を介して磁性層が形成さ
れる。
板上には、直接あるいは中間層を介して磁性層が形成さ
れる。
【0052】本発明の磁性層は、強磁性薄膜である。薄
膜の材質には特に制限がなく、例えば、Fe、Coおよ
びNiから選ばれる1種以上を含有する強磁性金属の連
続薄膜、特にCo系の連続薄膜で構成すればよい。
膜の材質には特に制限がなく、例えば、Fe、Coおよ
びNiから選ばれる1種以上を含有する強磁性金属の連
続薄膜、特にCo系の連続薄膜で構成すればよい。
【0053】磁性層の組成の具体例としては、Co−N
i合金、Co−Ni−Cr合金、Co−Cr合金、Co
−Cr−B合金、Co−Cr−Mn合金、Co−Cr−
Mn−B合金、Co−Cr−Ta合金、Co−Cr−S
i−Al合金、Co−V合金、Co−Ni−P合金、C
o−P合金、Co−Zn−P合金、Co−Ni−Pt合
金、Co−Pt合金、Co−Pt−Cr合金、Co−N
i−Mn−Re−P合金等が挙げられる。なお、これら
合金には、必要に応じ、O、N、Si、Al、Mn、A
r等の元素が0.1重量%程度以下含有されていてもよ
い。この他、γ−Fe2 O3 等の強磁性の酸化物薄膜で
あってもよい。磁性層の膜厚は、300〜1000A が
好ましい。300A 未満では、記録再生時における出力
が不十分であり、1000A をこえると出力は十分であ
るが、記録密度が低下するため、不利である。
i合金、Co−Ni−Cr合金、Co−Cr合金、Co
−Cr−B合金、Co−Cr−Mn合金、Co−Cr−
Mn−B合金、Co−Cr−Ta合金、Co−Cr−S
i−Al合金、Co−V合金、Co−Ni−P合金、C
o−P合金、Co−Zn−P合金、Co−Ni−Pt合
金、Co−Pt合金、Co−Pt−Cr合金、Co−N
i−Mn−Re−P合金等が挙げられる。なお、これら
合金には、必要に応じ、O、N、Si、Al、Mn、A
r等の元素が0.1重量%程度以下含有されていてもよ
い。この他、γ−Fe2 O3 等の強磁性の酸化物薄膜で
あってもよい。磁性層の膜厚は、300〜1000A が
好ましい。300A 未満では、記録再生時における出力
が不十分であり、1000A をこえると出力は十分であ
るが、記録密度が低下するため、不利である。
【0054】下地層と、磁性層との間には、必要に応じ
て、非磁性中間層が設けられる。例えば、磁性層をCo
−Ni、Co−Ni−Cr、Co−Cr、Co−Cr−
Ta、Co−Ni−P、Co−Zn−P、Co−Ni−
Mn−Re−P等にて構成する場合、非磁性中間層を設
けることにより、磁性層のエピタキシャル成長を良好に
行なうことができ、磁気特性が向上する。非磁性中間層
は、例えば、CrおよびWから選ばれる1種以上、特に
Crおよび/またはWを含有する連続薄膜にて構成すれ
ばよい。この場合、用いる金属は単体でも合金でもよい
が、合金の場合、前記金属を80重量%以上含有するこ
とが好ましい。
て、非磁性中間層が設けられる。例えば、磁性層をCo
−Ni、Co−Ni−Cr、Co−Cr、Co−Cr−
Ta、Co−Ni−P、Co−Zn−P、Co−Ni−
Mn−Re−P等にて構成する場合、非磁性中間層を設
けることにより、磁性層のエピタキシャル成長を良好に
行なうことができ、磁気特性が向上する。非磁性中間層
は、例えば、CrおよびWから選ばれる1種以上、特に
Crおよび/またはWを含有する連続薄膜にて構成すれ
ばよい。この場合、用いる金属は単体でも合金でもよい
が、合金の場合、前記金属を80重量%以上含有するこ
とが好ましい。
【0055】非磁性中間層の膜厚は、500〜5000
A が好ましい。500A 未満では、コバルト合金のエピ
タキシャル成長が十分に行なわれないため良好な磁気特
性が得られない。5000A をこえると、磁気特性が、
ほぼ一定値に収束してくるため、磁気特性上意味がな
く、量産上不利である。
A が好ましい。500A 未満では、コバルト合金のエピ
タキシャル成長が十分に行なわれないため良好な磁気特
性が得られない。5000A をこえると、磁気特性が、
ほぼ一定値に収束してくるため、磁気特性上意味がな
く、量産上不利である。
【0056】このような非磁性中間層や前記磁性層は、
それぞれ、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティン
グ、CVD等の各種気相成膜法にて成膜すればよく、特
にスパッタリングにて成膜することが好ましい。
それぞれ、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティン
グ、CVD等の各種気相成膜法にて成膜すればよく、特
にスパッタリングにて成膜することが好ましい。
【0057】<トップコート膜>このような磁性層上に
は、トップコート膜を設けてもよく、トップコート膜
は、プラズマ重合膜とすればよい。
は、トップコート膜を設けてもよく、トップコート膜
は、プラズマ重合膜とすればよい。
【0058】プラズマ重合膜としては、炭素および水素
を含むプラズマ重合膜が好ましい。このようなプラズマ
重合膜を形成する原料ソースとしては、炭素および水素
を含有する種々のものを用いることができるが、通常操
作性の良いことから、常温で気体のメタン、エタン、プ
ロパン、ブタン、ペンタン、エチレン、プロピレン、ブ
テン、ブタジエン、アセチレン、メチルアセチレン、そ
の他の飽和ないし不飽和の炭化水素の1種以上を、Cお
よびH源として用いる。また必要に応じて常温で液体の
炭化水素を原料としてもよい。
を含むプラズマ重合膜が好ましい。このようなプラズマ
重合膜を形成する原料ソースとしては、炭素および水素
を含有する種々のものを用いることができるが、通常操
作性の良いことから、常温で気体のメタン、エタン、プ
ロパン、ブタン、ペンタン、エチレン、プロピレン、ブ
テン、ブタジエン、アセチレン、メチルアセチレン、そ
の他の飽和ないし不飽和の炭化水素の1種以上を、Cお
よびH源として用いる。また必要に応じて常温で液体の
炭化水素を原料としてもよい。
【0059】このような原料を用いて形成されるプラズ
マ重合膜の膜厚は、50〜400A、より好ましくは1
00〜300A とすることが好ましい。膜厚が400A
をこえると、スペーシングロスが増大し、また、この5
0A 未満となると耐久性が低下する。なお、膜厚の測定
はエリプソメーター等を用いればよい。このような膜厚
の制御は、プラズマ重合膜形成時の反応時間、原料ガス
流量等を制御すればよい。
マ重合膜の膜厚は、50〜400A、より好ましくは1
00〜300A とすることが好ましい。膜厚が400A
をこえると、スペーシングロスが増大し、また、この5
0A 未満となると耐久性が低下する。なお、膜厚の測定
はエリプソメーター等を用いればよい。このような膜厚
の制御は、プラズマ重合膜形成時の反応時間、原料ガス
流量等を制御すればよい。
【0060】膜中のCの含有量は30at%以上、特に6
0〜90at%とするのが好ましい。また、膜中のHの含
有量は40at%以下、特に10〜40at%とすることが
好ましい。このような組成とすることにより、耐久性が
向上する。これらの含有量は、オージェ分光分析(AE
S)、SIMSおよびCHNコーダーにて求めればよ
い。
0〜90at%とするのが好ましい。また、膜中のHの含
有量は40at%以下、特に10〜40at%とすることが
好ましい。このような組成とすることにより、耐久性が
向上する。これらの含有量は、オージェ分光分析(AE
S)、SIMSおよびCHNコーダーにて求めればよ
い。
【0061】プラズマ重合膜は公知の方法に従い、前述
の原料ガスの放電プラズマを基体に接触させることによ
り重合膜を形成するものである。電極配置、印加電流、
処理時間、動作圧力等は通常の条件とすればよい。
の原料ガスの放電プラズマを基体に接触させることによ
り重合膜を形成するものである。電極配置、印加電流、
処理時間、動作圧力等は通常の条件とすればよい。
【0062】また処理条件はW/(F・M)[ここで、
Wはプラズマ投入電力(Joule/sec)であり、Fは有機原
料ガス流量、Mは原料ガス分子量でF・Mの単位はkg/s
ec]値が108Joule/kg 以上、特に5×108 〜1×1
010Joule/kgで行なわれることが好ましい。この値が1
08Joule/kg 未満であると、プラズマ重合膜の緻密さが
不十分となる。なお、キャリアガスとして、Ar、N
2 、He、H2 などを使用してもよい。プラズマ発生源
としては、高周波放電の他に、マイクロ波放電、直流放
電、交流放電等いずれでも利用できる。
Wはプラズマ投入電力(Joule/sec)であり、Fは有機原
料ガス流量、Mは原料ガス分子量でF・Mの単位はkg/s
ec]値が108Joule/kg 以上、特に5×108 〜1×1
010Joule/kgで行なわれることが好ましい。この値が1
08Joule/kg 未満であると、プラズマ重合膜の緻密さが
不十分となる。なお、キャリアガスとして、Ar、N
2 、He、H2 などを使用してもよい。プラズマ発生源
としては、高周波放電の他に、マイクロ波放電、直流放
電、交流放電等いずれでも利用できる。
【0063】また、各種シランないしシロキサンなどの
有機ケイ素化合物を原料ソースとして用いてプラズマ重
合膜を形成してもよい。
有機ケイ素化合物を原料ソースとして用いてプラズマ重
合膜を形成してもよい。
【0064】<潤滑保護膜>磁性層表面あるいはプラズ
マ重合膜をトップコート膜として設けるときにはトップ
コート膜表面に前記のようにグラフト重合体を形成し、
潤滑保護膜として用いる。これにより、十分な潤滑性が
付与される。
マ重合膜をトップコート膜として設けるときにはトップ
コート膜表面に前記のようにグラフト重合体を形成し、
潤滑保護膜として用いる。これにより、十分な潤滑性が
付与される。
【0065】なお、従来、潤滑性を増すために、トップ
コート膜上に液体潤滑層を設層することが行なわれてい
たが、本発明の潤滑保護膜を用いることによって液体潤
滑層をさらに設層する必要はなくなる。
コート膜上に液体潤滑層を設層することが行なわれてい
たが、本発明の潤滑保護膜を用いることによって液体潤
滑層をさらに設層する必要はなくなる。
【0066】<媒体構造>本発明の磁気記録媒体におい
ては基板には、溝を形成することが好ましい。溝の形
状、パターン、寸法等には特に制限がないが、溝をディ
スクの周方向に形成することが好ましい。溝は、基板を
回転させながら研磨テープ等を作用させ、基板表面に、
同心円状等に不規則に形成したいわゆるテクスチャー加
工による溝であっても、基板表面に成形時に同心円状、
渦巻状等に規則的に形成した溝であっても、あるいは、
両者であってもよい。規則的な溝は、トラッキング用の
グルーブとして使用することができ、記録密度が向上す
る。
ては基板には、溝を形成することが好ましい。溝の形
状、パターン、寸法等には特に制限がないが、溝をディ
スクの周方向に形成することが好ましい。溝は、基板を
回転させながら研磨テープ等を作用させ、基板表面に、
同心円状等に不規則に形成したいわゆるテクスチャー加
工による溝であっても、基板表面に成形時に同心円状、
渦巻状等に規則的に形成した溝であっても、あるいは、
両者であってもよい。規則的な溝は、トラッキング用の
グルーブとして使用することができ、記録密度が向上す
る。
【0067】このような場合の溝の寸法や溝配置間隔
は、溝の幅が0.1〜10μm 、特に0.5〜2μm 程
度、溝間間隙が0.1〜10μm 、特に0.5〜2μm
程度、溝の深さが100〜5000A 、特に500〜1
000A 程度が好ましい。
は、溝の幅が0.1〜10μm 、特に0.5〜2μm 程
度、溝間間隙が0.1〜10μm 、特に0.5〜2μm
程度、溝の深さが100〜5000A 、特に500〜1
000A 程度が好ましい。
【0068】なお、グルーブには情報が記録されないた
め、グルーブは磁気ヘッドの位置に関係なくガードバン
ドとなる。このため、基板に、グルーブを設ければ、ト
ラッキングサーボの精度が比較的低くて済み、サーボ信
号に使用される記録面の面積を少なくできる。また、隣
接トラックからのクロストークが著しく減少する。
め、グルーブは磁気ヘッドの位置に関係なくガードバン
ドとなる。このため、基板に、グルーブを設ければ、ト
ラッキングサーボの精度が比較的低くて済み、サーボ信
号に使用される記録面の面積を少なくできる。また、隣
接トラックからのクロストークが著しく減少する。
【0069】また、連続薄膜型の磁性層の場合、ディス
ク周方向に、前記寸法の溝を特に規則的に形成するとき
には、磁性層のクラック発生がより一層防止され、ディ
スク周方向の配向性が向上し、ディスク周方向の保磁力
が向上する。
ク周方向に、前記寸法の溝を特に規則的に形成するとき
には、磁性層のクラック発生がより一層防止され、ディ
スク周方向の配向性が向上し、ディスク周方向の保磁力
が向上する。
【0070】また、以上では、主に片面記録型磁気ディ
スクを説明してきたが、本発明は、両面記録型の磁気デ
ィスクであってもよい。
スクを説明してきたが、本発明は、両面記録型の磁気デ
ィスクであってもよい。
【0071】<記録再生>このような磁気ディスク媒体
と組合わせて用いられる磁気ヘッドは、浮上型磁気ヘッ
ドである。浮上型磁気ヘッドとしては、メタル・イン・
ギャップ(MIG)型の磁気ヘッドまたは薄膜型の磁気
ヘッドが好適である。
と組合わせて用いられる磁気ヘッドは、浮上型磁気ヘッ
ドである。浮上型磁気ヘッドとしては、メタル・イン・
ギャップ(MIG)型の磁気ヘッドまたは薄膜型の磁気
ヘッドが好適である。
【0072】MIG型磁気ヘッドは、一対のコアの少な
くとも一方のギャップ部対向面に、これらのコアよりも
飽和磁束密度の高い軟磁性薄膜を有する磁気ヘッドであ
る。MIG型磁気ヘッドでは、軟磁性薄膜から強力な磁
束を磁性層に印加できるため、高い保磁力を有する磁性
層に有効な記録を行なうことができる。また、本発明で
は、MIG型の磁気ヘッドの1種であるいわゆるエンハ
ンスト・デュアルギャップ・レングス(EDG)型の磁
気ヘッドを用いてもよい。
くとも一方のギャップ部対向面に、これらのコアよりも
飽和磁束密度の高い軟磁性薄膜を有する磁気ヘッドであ
る。MIG型磁気ヘッドでは、軟磁性薄膜から強力な磁
束を磁性層に印加できるため、高い保磁力を有する磁性
層に有効な記録を行なうことができる。また、本発明で
は、MIG型の磁気ヘッドの1種であるいわゆるエンハ
ンスト・デュアルギャップ・レングス(EDG)型の磁
気ヘッドを用いてもよい。
【0073】MIG型ヘッドは、スライダ本体とコアが
一体となっているモノリシックヘッドであっても、非極
性のスライダ本体の一部にフェライトコアを埋め込んだ
コンポジットヘッドであってもよい。モノリシックヘッ
ドにあっては、エアベアリング面はコア材質であるMn
−Znフェライト等のフェライトから構成される。ま
た、コンポジットヘッドのスライダは、一般にCaTi
O3 等から構成される。
一体となっているモノリシックヘッドであっても、非極
性のスライダ本体の一部にフェライトコアを埋め込んだ
コンポジットヘッドであってもよい。モノリシックヘッ
ドにあっては、エアベアリング面はコア材質であるMn
−Znフェライト等のフェライトから構成される。ま
た、コンポジットヘッドのスライダは、一般にCaTi
O3 等から構成される。
【0074】さらに、薄膜ヘッドのスライダ本体は、一
般にAl2 O3 ・TiC等から形成される。
般にAl2 O3 ・TiC等から形成される。
【0075】このような浮上型ヘッドの浮上量は、スラ
イダの形状変更、ジンバル、サスペンション等の荷重変
更、磁気ディスクの回転数の変更などにより種々の値に
設定することができる。本発明では通常、デジタル信号
を記録するので、飽和記録を行なう。また、飽和記録を
行なうので、オーバーライト記録が可能である。
イダの形状変更、ジンバル、サスペンション等の荷重変
更、磁気ディスクの回転数の変更などにより種々の値に
設定することができる。本発明では通常、デジタル信号
を記録するので、飽和記録を行なう。また、飽和記録を
行なうので、オーバーライト記録が可能である。
【0076】また、本発明の磁気記録媒体の他の好適例
としては、磁気テープがあり、次に、これについて説明
する。
としては、磁気テープがあり、次に、これについて説明
する。
【0077】<非磁性基体>本発明の磁気テープで用い
る非磁性基体の材質に特に制限はなく、強磁性金属薄膜
蒸着時の熱に耐える各種フィルム、例えばポリエチレン
テレフタレート等を用いることができる。また特開昭6
3−10315号公報に記載の各材料が使用可能であ
る。
る非磁性基体の材質に特に制限はなく、強磁性金属薄膜
蒸着時の熱に耐える各種フィルム、例えばポリエチレン
テレフタレート等を用いることができる。また特開昭6
3−10315号公報に記載の各材料が使用可能であ
る。
【0078】<下地膜>下地膜はプラズマ重合膜または
酸化物蒸着膜から形成されることが好ましい。プラズマ
重合膜は、炭素、あるいは炭素および水素を含むものが
好ましい。このようなプラズマ重合膜を形成する原料ソ
ースとしては、炭素または炭素および水素を含有する種
々のものを用いることができるが、通常操作性の良いこ
とから、常温で気体のメタン、エタン、プロパン、ブタ
ン、ペンタン、エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジ
エン、アセチレン、メチルアセチレン、その他の飽和な
いし不飽和の炭化水素の1種以上を、CおよびH源とし
て用いる。また必要に応じて常温で液体の炭化水素を原
料としてもよい。さらに、各種シランないしシロキサン
など有機系化合物を用いて、炭素と、ケイ素と、水素や
酸素を含むプラズマ重合膜としてもよい。
酸化物蒸着膜から形成されることが好ましい。プラズマ
重合膜は、炭素、あるいは炭素および水素を含むものが
好ましい。このようなプラズマ重合膜を形成する原料ソ
ースとしては、炭素または炭素および水素を含有する種
々のものを用いることができるが、通常操作性の良いこ
とから、常温で気体のメタン、エタン、プロパン、ブタ
ン、ペンタン、エチレン、プロピレン、ブテン、ブタジ
エン、アセチレン、メチルアセチレン、その他の飽和な
いし不飽和の炭化水素の1種以上を、CおよびH源とし
て用いる。また必要に応じて常温で液体の炭化水素を原
料としてもよい。さらに、各種シランないしシロキサン
など有機系化合物を用いて、炭素と、ケイ素と、水素や
酸素を含むプラズマ重合膜としてもよい。
【0079】このような原料を用いて形成されるプラズ
マ重合膜の膜厚は、50〜1000A 、より好ましくは
500〜800A 程度とする。膜厚が厚すぎると量産上
不利であり、またこの50A 未満となると下地膜として
の実効が低下する。なお、膜厚の測定はエリプソメータ
ー等を用いればよい。このような膜厚の制御は、プラズ
マ重合膜形成時の反応時間、原料ガス流量等を制限すれ
ばよい。
マ重合膜の膜厚は、50〜1000A 、より好ましくは
500〜800A 程度とする。膜厚が厚すぎると量産上
不利であり、またこの50A 未満となると下地膜として
の実効が低下する。なお、膜厚の測定はエリプソメータ
ー等を用いればよい。このような膜厚の制御は、プラズ
マ重合膜形成時の反応時間、原料ガス流量等を制限すれ
ばよい。
【0080】膜中のCの含有量は30〜100at%とす
るのが好ましい。また、膜中のHの含有量は40at%以
下とすることが好ましい。さらにSi含有量は、70at
%以下とすることが好ましい。
るのが好ましい。また、膜中のHの含有量は40at%以
下とすることが好ましい。さらにSi含有量は、70at
%以下とすることが好ましい。
【0081】なお、プラズマ重合膜は、前記と同様にし
て形成すればよい。
て形成すればよい。
【0082】このようなプラズマ重合膜は、基体上、特
にプラズマ処理された基体上に形成されることが好まし
い。基体表面をプラズマ処理することによって、基体と
の接着力が向上し、ひいてはこの基体とプラズマ重合膜
との接着力が向上する。基体表面のプラズマ処理は、原
則として、無機ガスを処理ガスとして用いる点を除い
て、プラズマ重合膜を形成するときと同様に行なえばよ
い。
にプラズマ処理された基体上に形成されることが好まし
い。基体表面をプラズマ処理することによって、基体と
の接着力が向上し、ひいてはこの基体とプラズマ重合膜
との接着力が向上する。基体表面のプラズマ処理は、原
則として、無機ガスを処理ガスとして用いる点を除い
て、プラズマ重合膜を形成するときと同様に行なえばよ
い。
【0083】このように、より好ましい態様としてプラ
ズマ処理された基体上には、前述のプラズマ重合膜が形
成され、さらにこのプラズマ重合膜上には直接あるいは
下地膜を介して磁性層が形成される。
ズマ処理された基体上には、前述のプラズマ重合膜が形
成され、さらにこのプラズマ重合膜上には直接あるいは
下地膜を介して磁性層が形成される。
【0084】本発明の磁気記録媒体で用いる下地膜の他
の例は酸化物の連続薄膜である。
の例は酸化物の連続薄膜である。
【0085】酸化物の連続薄膜の組成には、特に制限は
なく、公知のいずれのものも使用できるが、磁性層のク
ラック防止能や耐久性がより一層向上する点で、SiO
x (1≦x≦2)、ZrO2 、Al2 O3 、TiO2 、
Ta2 O5 、Si−Al−O−N系化合物、La−Si
−O−N系化合物等が好適である。
なく、公知のいずれのものも使用できるが、磁性層のク
ラック防止能や耐久性がより一層向上する点で、SiO
x (1≦x≦2)、ZrO2 、Al2 O3 、TiO2 、
Ta2 O5 、Si−Al−O−N系化合物、La−Si
−O−N系化合物等が好適である。
【0086】酸化物の膜厚は50〜1000A 、特に5
00〜800A程度が好ましい。50A 未満では磁性層
のクラックを防止できず、1000A をこえると基体の
損傷をもたらすことがあり量産上も不利である。
00〜800A程度が好ましい。50A 未満では磁性層
のクラックを防止できず、1000A をこえると基体の
損傷をもたらすことがあり量産上も不利である。
【0087】酸化物蒸着膜は、蒸着、スパッタリング、
イオンプレーティング、CVD等の各種気相成膜法にて
成膜すればよいが、特に蒸着にて成膜することが好まし
い。
イオンプレーティング、CVD等の各種気相成膜法にて
成膜すればよいが、特に蒸着にて成膜することが好まし
い。
【0088】<磁性層>Coを主成分とし、斜め蒸着法
により形成される1層または2層以上の強磁性金属薄膜
から構成されることが好ましい。
により形成される1層または2層以上の強磁性金属薄膜
から構成されることが好ましい。
【0089】斜め蒸着法は、例えば、供給ロールから繰
り出された長尺フィルム状の非磁性基体を回転する冷却
ドラムの表面に添わせて送りながら、一個以上の定置金
属源から斜め蒸着をし、巻き取りロールに巻き取るもの
である。
り出された長尺フィルム状の非磁性基体を回転する冷却
ドラムの表面に添わせて送りながら、一個以上の定置金
属源から斜め蒸着をし、巻き取りロールに巻き取るもの
である。
【0090】この際、成膜時の強磁性金属成分の入射角
と基体法線との角度をθとしたとき、θは変化し、初期
のθmax から、最終のθmin の範囲で蒸着が行なわれ
る。そして、強磁性薄膜蒸着時のθmax は80〜90度
であることが好ましく、θminは10〜60度であるこ
とが好ましい。
と基体法線との角度をθとしたとき、θは変化し、初期
のθmax から、最終のθmin の範囲で蒸着が行なわれ
る。そして、強磁性薄膜蒸着時のθmax は80〜90度
であることが好ましく、θminは10〜60度であるこ
とが好ましい。
【0091】磁性層を構成する各強磁性金属薄膜は、N
iを含有するCo−Ni合金であることが好ましく、特
にモル比でCoを約80%、Niを約20%含有する合
金が好適である。
iを含有するCo−Ni合金であることが好ましく、特
にモル比でCoを約80%、Niを約20%含有する合
金が好適である。
【0092】また、必要に応じてCrを10%以下含有
していてもよく、特開昭63−10315号公報等に記
載されている各種金属やその他の金属成分を含有してい
てもよい。
していてもよく、特開昭63−10315号公報等に記
載されている各種金属やその他の金属成分を含有してい
てもよい。
【0093】さらに、必要に応じて少量の酸素を各層の
表面層に含有させたり、この他非磁性層を介在させたり
して、耐食性等を向上させることができる。
表面層に含有させたり、この他非磁性層を介在させたり
して、耐食性等を向上させることができる。
【0094】磁性層全体の厚さは、1200〜3000
A 程度であることが好ましい。このとき出力を十分に大
きくすることができる。
A 程度であることが好ましい。このとき出力を十分に大
きくすることができる。
【0095】蒸着金属粒子の入射角は蒸着初期のθmax
から最終のθmin まで連続的に変化し、非磁性基体表面
にCoを主成分とする強磁性金属の柱状結晶粒子を弧状
一方向に成長させ、整列させるものである。磁性層を多
層構成とする場合は、この工程を繰り返し行なう。
から最終のθmin まで連続的に変化し、非磁性基体表面
にCoを主成分とする強磁性金属の柱状結晶粒子を弧状
一方向に成長させ、整列させるものである。磁性層を多
層構成とする場合は、この工程を繰り返し行なう。
【0096】<トップコート膜>このような磁性層上に
は、必要に応じトップコート膜が設けられる。トップコ
ート膜はプラズマ重合膜であることが好ましく、その成
膜法、膜材質等は下地層の場合に準ずればよい。
は、必要に応じトップコート膜が設けられる。トップコ
ート膜はプラズマ重合膜であることが好ましく、その成
膜法、膜材質等は下地層の場合に準ずればよい。
【0097】このようなトップコート膜の膜厚は10〜
50A 、特に20〜30A とするのが好ましい。膜厚が
50A をこえるとスペーシングスロスが増大する。10
A 未満ではトップコート膜としての実効が少なくなる。
膜厚の測定法、制御方法は前述の方法に準拠すればよ
い。
50A 、特に20〜30A とするのが好ましい。膜厚が
50A をこえるとスペーシングスロスが増大する。10
A 未満ではトップコート膜としての実効が少なくなる。
膜厚の測定法、制御方法は前述の方法に準拠すればよ
い。
【0098】<潤滑保護膜>磁性層表面あるいはプラズ
マ重合膜をトップコート膜として設けるときにはトップ
コート膜表面に前記のようにグラフト重合体を形成、潤
滑保護膜として用いる。これにより十分な潤滑性が付与
される。
マ重合膜をトップコート膜として設けるときにはトップ
コート膜表面に前記のようにグラフト重合体を形成、潤
滑保護膜として用いる。これにより十分な潤滑性が付与
される。
【0099】なお、磁気テープでは、スペーシングロス
の点でトップコート膜を設けないほうが有利なことが多
い。このようなとき、磁性層上に直接グラフト重合体を
形成する方法を採用することは、磁性層を保護する上で
も好ましい。
の点でトップコート膜を設けないほうが有利なことが多
い。このようなとき、磁性層上に直接グラフト重合体を
形成する方法を採用することは、磁性層を保護する上で
も好ましい。
【0100】磁気テープでは、このほか、バックコート
層や中間層など種々の構成層を付加することもできる。
層や中間層など種々の構成層を付加することもできる。
【0101】本発明の磁気記録媒体は、上記例に限ら
ず、強磁性薄膜を磁性層とし、トップコート膜を設ける
ときにはプラズマ重合膜とするような構成のものであれ
ば、いずれであってもよい。
ず、強磁性薄膜を磁性層とし、トップコート膜を設ける
ときにはプラズマ重合膜とするような構成のものであれ
ば、いずれであってもよい。
【0102】
【実施例】以下、本発明を実施例によって具体的に説明
する。
する。
【0103】実施例1 外径φ3.5インチ、厚さ1.27mmのポリカーボネー
ト製のディスク状剛性基板を射出成形により製造した。
この基板表面にはグルーブを形成した。
ト製のディスク状剛性基板を射出成形により製造した。
この基板表面にはグルーブを形成した。
【0104】グルーブは、ディスクの周方向に形成し、
断面はほぼ矩形とし、その寸法は幅0.8μm 、ランド
部幅0.8μm 、深さ400〜700A とした。この基
板上に、CH4 を原料ガスとして用いて、膜厚200A
のプラズマ重合膜の下地層を形成した。この下地層上に
膜厚500A のCo−Ni−Cr磁性層を成膜した。磁
性層の成膜は、DC−マグネトロンスパッタにて行っ
た。スパッタ条件は動作圧力を1Paとし、Ar雰囲気
中で行なった。なお、ターゲットは、Co70Ni20Cr
10を用いた。これを磁気ディスクサンプルNo. 1とす
る。
断面はほぼ矩形とし、その寸法は幅0.8μm 、ランド
部幅0.8μm 、深さ400〜700A とした。この基
板上に、CH4 を原料ガスとして用いて、膜厚200A
のプラズマ重合膜の下地層を形成した。この下地層上に
膜厚500A のCo−Ni−Cr磁性層を成膜した。磁
性層の成膜は、DC−マグネトロンスパッタにて行っ
た。スパッタ条件は動作圧力を1Paとし、Ar雰囲気
中で行なった。なお、ターゲットは、Co70Ni20Cr
10を用いた。これを磁気ディスクサンプルNo. 1とす
る。
【0105】磁気ディスクサンプルNo. 1において、特
開平2−161612号公報に記載の方法に準じて、カ
ーボンスパッタ膜を磁性層上に形成するほかは、同様に
して磁気ディスクサンプルNo. 2を作製した。
開平2−161612号公報に記載の方法に準じて、カ
ーボンスパッタ膜を磁性層上に形成するほかは、同様に
して磁気ディスクサンプルNo. 2を作製した。
【0106】また、磁気ディスクサンプルNo. 1におい
て、特開昭1−103681号実施例に記載のサンプル
No. 1に準じて、C4 F9 (CH2 )16COOHのLB
膜(累積数:3)を磁性層上に形成するほかは、同様に
して磁気ディスクサンプルNo.3を作製した。
て、特開昭1−103681号実施例に記載のサンプル
No. 1に準じて、C4 F9 (CH2 )16COOHのLB
膜(累積数:3)を磁性層上に形成するほかは、同様に
して磁気ディスクサンプルNo.3を作製した。
【0107】また、磁気ディスクサンプルNo. 1におい
て、CH4 を原料ガスとして下記の条件でプラズマ重合
膜を磁性層上に形成するほかは、同様にして磁気ディス
クサンプルNo. 4を作製した。
て、CH4 を原料ガスとして下記の条件でプラズマ重合
膜を磁性層上に形成するほかは、同様にして磁気ディス
クサンプルNo. 4を作製した。
【0108】プラズマ重合条件 W/(F・M) : 1.05×109 Joule/kg CH4 の流量: 40 SCCM 動作圧力: 0.1 Torr プラズマ出力: 500 W プラズマ周波数: 13.56 MHz
【0109】このときのプラズマ重合膜の膜厚は200
A とした。
A とした。
【0110】さらに、磁気ディスクサンプルNo. 1にお
いて、磁性層表面に、表1に示すように、プラズマ処理
を行ない、磁性層表面を活性化し、フッ素系モノマーを
グラフト重合するほかは、同様にして磁気ディスクサン
プルNo. 5〜No. 9を作製した。
いて、磁性層表面に、表1に示すように、プラズマ処理
を行ない、磁性層表面を活性化し、フッ素系モノマーを
グラフト重合するほかは、同様にして磁気ディスクサン
プルNo. 5〜No. 9を作製した。
【0111】また、磁気ディスクサンプルNo. 4におい
て、プラズマ重合膜表面に、表1に示すように、プラズ
マ処理を行ない、プラズマ重合膜表面を活性化し、フッ
素系モノマーをグラフト重合するほかは、同様にして磁
気ディスクサンプルNo. 10〜No. 12を作製した。な
お、磁気ディスクサンプルNo. 6、No. 11では、プラ
ズマ処理の際に、バイアス電圧を印加したものである。
また、プラズマ処理時間は、5〜10分程度の範囲内の
時間とし、適宜選択して行なった。
て、プラズマ重合膜表面に、表1に示すように、プラズ
マ処理を行ない、プラズマ重合膜表面を活性化し、フッ
素系モノマーをグラフト重合するほかは、同様にして磁
気ディスクサンプルNo. 10〜No. 12を作製した。な
お、磁気ディスクサンプルNo. 6、No. 11では、プラ
ズマ処理の際に、バイアス電圧を印加したものである。
また、プラズマ処理時間は、5〜10分程度の範囲内の
時間とし、適宜選択して行なった。
【0112】このような磁気ディスクサンプルNo. 1〜
No. 12について、Mn−Znフェライトモノリシック
MIGヘッドを用いて以下の評価を行なった。
No. 12について、Mn−Znフェライトモノリシック
MIGヘッドを用いて以下の評価を行なった。
【0113】(1)摩擦係数μ 5mm/secの速度でディスクを回転し、ひずみ計でヘッド
にかかる応力を測定し、これからμを算出した。荷重は
10g とした。
にかかる応力を測定し、これからμを算出した。荷重は
10g とした。
【0114】(2)摩擦係数μ’ 100rpm (50cm/secの相対速度)でディスクを回転
し、ヘッドにかかる応力を測定し、これからμ’を算出
した。荷重は10g とした。
し、ヘッドにかかる応力を測定し、これからμ’を算出
した。荷重は10g とした。
【0115】(3)Δμ’(%) 時間0のときの摩擦係数μ’を基準とし、30分摺動後
の摩擦係数の変化率Δμ’(%)を求めた。
の摩擦係数の変化率Δμ’(%)を求めた。
【0116】(4)CSS特性 プラス社製3.5”磁気ディスクドライブを用い、CS
Sの1パスを、静止時間10秒→立ち上がり時間5秒→
定常回転の時間10秒→立ち下がり時間30秒と定義
し、定常状態のディスクの回転数を3600rpm とし、
ディスク中心から22mmの位置で、ディスクの摩擦係数
が1.0以上になったとき、または、磁性層に傷が発生
したときのパス回数を求めた。
Sの1パスを、静止時間10秒→立ち上がり時間5秒→
定常回転の時間10秒→立ち下がり時間30秒と定義
し、定常状態のディスクの回転数を3600rpm とし、
ディスク中心から22mmの位置で、ディスクの摩擦係数
が1.0以上になったとき、または、磁性層に傷が発生
したときのパス回数を求めた。
【0117】結果を表1に示す。なお、表1にはESR
スペクトルより求めた活性点の数等も併記している。
スペクトルより求めた活性点の数等も併記している。
【0118】
【表1】
【0119】表1から、本発明の効果は明らかである。
活性点の数が少なくなると、グラフト重合体の生成量が
十分でないためか本発明の効果は小さくなる(サンプル
No.9、No. 12)。
活性点の数が少なくなると、グラフト重合体の生成量が
十分でないためか本発明の効果は小さくなる(サンプル
No.9、No. 12)。
【0120】なお、サンプルNo. 5およびNo. 10にお
いて、それぞれ、RFを大きくするなどして、活性点の
数を1018個/cm3 をこえるものとするほかは、同様に
してサンプルNo. 13およびNo. 14を作製した。これ
らのものについて、前記と同様に特性を評価したとこ
ろ、潤滑性や耐久性の点では十分なものの、高エネルギ
ーのプラズマを照射するため磁性層に与えるダメージが
大となり出力が低下してしまうことがわかった。
いて、それぞれ、RFを大きくするなどして、活性点の
数を1018個/cm3 をこえるものとするほかは、同様に
してサンプルNo. 13およびNo. 14を作製した。これ
らのものについて、前記と同様に特性を評価したとこ
ろ、潤滑性や耐久性の点では十分なものの、高エネルギ
ーのプラズマを照射するため磁性層に与えるダメージが
大となり出力が低下してしまうことがわかった。
【0121】実施例2 供給ロールから厚さ7μm のポリエチレンテレフタレー
トフィルムを繰り出して、回転する円筒状冷却ドラムの
周囲に添わせて移動させ、、10-4Paの真空に引いた
後、CH4 を原料ガスとして下記の条件にてプラズマ重
合を行ない、下地膜として、プラズマ重合膜を形成し
た。
トフィルムを繰り出して、回転する円筒状冷却ドラムの
周囲に添わせて移動させ、、10-4Paの真空に引いた
後、CH4 を原料ガスとして下記の条件にてプラズマ重
合を行ない、下地膜として、プラズマ重合膜を形成し
た。
【0122】プラズマ重合条件 W/(F・M) : 1.05×109 Joule/kg CH4 の流量: 40 SCCM 動作圧力: 0.1 Torr プラズマ出力: 500 W プラズマ周波数: 13.56 MHz
【0123】得られた下地膜の膜厚は600A であっ
た。なお、プラズマ重合膜はエリプソメータにて測定し
た。
た。なお、プラズマ重合膜はエリプソメータにて測定し
た。
【0124】この下地膜を成膜したポリエチレンテレフ
タレートフィルムを、10-4PaのAr雰囲気で、供給ロ
ールから繰り出して、回転する円筒状冷却ドラムの周囲
に添わせて移動させ20at%Ni−Co合金を斜め蒸着
して強磁性金属薄膜を形成し、巻き取りロールに巻き取
った。
タレートフィルムを、10-4PaのAr雰囲気で、供給ロ
ールから繰り出して、回転する円筒状冷却ドラムの周囲
に添わせて移動させ20at%Ni−Co合金を斜め蒸着
して強磁性金属薄膜を形成し、巻き取りロールに巻き取
った。
【0125】次いで、この巻き取りロールを供給ロール
とし、PETフィルム表面の法線方向を挟んで上記斜め
蒸着時の入射方向と交差する入射方向にて強磁性金属を
斜め蒸着して、2層構成の磁性層を有する磁気テープサ
ンプルNo.21を得た。
とし、PETフィルム表面の法線方向を挟んで上記斜め
蒸着時の入射方向と交差する入射方向にて強磁性金属を
斜め蒸着して、2層構成の磁性層を有する磁気テープサ
ンプルNo.21を得た。
【0126】また、実施例1に準じてLB膜を磁性層上
に形成した磁気テープサンプルNo.22を作製した。
に形成した磁気テープサンプルNo.22を作製した。
【0127】また、下地膜と同条件で膜厚を25A をす
るほかは同様にしてプラズマ重合膜を磁性層上に形成し
て磁気テープサンプルNo. 23を作製した。
るほかは同様にしてプラズマ重合膜を磁性層上に形成し
て磁気テープサンプルNo. 23を作製した。
【0128】さらに、磁気テープサンプルNo. 21にお
いて、磁性層表面に、表2に示すように、プラズマ処理
を行なってフッ素系モノマーをグラフト重合するほか
は、同様にして磁気テープサンプルNo. 24〜No. 28
を作製した。
いて、磁性層表面に、表2に示すように、プラズマ処理
を行なってフッ素系モノマーをグラフト重合するほか
は、同様にして磁気テープサンプルNo. 24〜No. 28
を作製した。
【0129】また、磁気テープサンプルNo. 23におい
て、プラズマ重合膜表面に、表2に示すように、プラズ
マ処理を行なってフッ素系モノマーをグラフト重合する
ほかは、同様にして磁気テープサンプルNo. 29〜No.
31を作製した。なお、磁気テープサンプルNo. 25、
No. 30では、プラズマ処理の際に、バイアス電圧を印
加したものである。また、プラズマ処理時間は、5〜1
0分程度の範囲内の時間とし、適宜選択して行なった。
て、プラズマ重合膜表面に、表2に示すように、プラズ
マ処理を行なってフッ素系モノマーをグラフト重合する
ほかは、同様にして磁気テープサンプルNo. 29〜No.
31を作製した。なお、磁気テープサンプルNo. 25、
No. 30では、プラズマ処理の際に、バイアス電圧を印
加したものである。また、プラズマ処理時間は、5〜1
0分程度の範囲内の時間とし、適宜選択して行なった。
【0130】このような磁気テープサンプルNo. 21〜
No. 31について、8mmビデオデッキ(ソニー社製S9
00)に装填し、下記の評価を行なった。
No. 31について、8mmビデオデッキ(ソニー社製S9
00)に装填し、下記の評価を行なった。
【0131】(1)動摩擦係数μ 初期の動摩擦係数と40℃、80%RHにて1週間保存
後の動摩擦係数を測定した。
後の動摩擦係数を測定した。
【0132】(2)動摩擦係数増加率Δμ(%) 100パス後の動摩擦係数μを想定し、初期のμに対す
る増加率Δμ(%)を求めた。
る増加率Δμ(%)を求めた。
【0133】(3)摺動テスト #1000の研磨テープを貼りつけたドラムにテープを
180度ひっかけていったんを固定し、他端に100g
の重りをのせ、ドラムを回転して磁性層がなくなるまで
の時間を測定した。
180度ひっかけていったんを固定し、他端に100g
の重りをのせ、ドラムを回転して磁性層がなくなるまで
の時間を測定した。
【0134】結果を表2に示す。表2には、ESRスペ
クトルより求めた活性点の数等も併記している。
クトルより求めた活性点の数等も併記している。
【0135】
【表2】
【0136】表1から、本発明の効果は明らかである。
活性点の数が少なくなると、グラフト重合体の生成量が
十分でないためか本発明の効果は小さくなる(サンプル
No.28、No. 31)。
活性点の数が少なくなると、グラフト重合体の生成量が
十分でないためか本発明の効果は小さくなる(サンプル
No.28、No. 31)。
【0137】なお、サンプルNo. 24およびNo. 29に
おいて、それぞれ、RFを大きくするなどして、活性点
の数を1018個/cm3 をこえるものとするほかは、同様
にして、サンプルNo.32およびNo. 33を作製した。
これらのものについて、前記と同様に特性を評価したと
ころ、潤滑性や耐久性の点では十分なものの、高エネル
ギーのプラズマを照射するため磁性層に与えるダメージ
が大となり出力が低下してしまうことがわかった。
おいて、それぞれ、RFを大きくするなどして、活性点
の数を1018個/cm3 をこえるものとするほかは、同様
にして、サンプルNo.32およびNo. 33を作製した。
これらのものについて、前記と同様に特性を評価したと
ころ、潤滑性や耐久性の点では十分なものの、高エネル
ギーのプラズマを照射するため磁性層に与えるダメージ
が大となり出力が低下してしまうことがわかった。
【0138】
【発明の効果】本発明によれば、摩擦特性および耐久性
に優れたものとなる。
に優れたものとなる。
Claims (6)
- 【請求項1】 基体上に強磁性薄膜を有する磁気記録媒
体において、強磁性薄膜表面をプラズマ処理して活性化
し、この活性化した強磁性薄膜表面に、末端に二重結合
を有するフッ素系モノマーをグラフト重合したことを特
徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項2】 前記プラズマ処理後における前記強磁性
薄膜表面の活性点の数が1013〜1018個/cm3 である
請求項1に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項3】 基体上に強磁性薄膜を有し、この強磁性
薄膜上にプラズマ重合膜を有する磁気記録媒体におい
て、プラズマ重合膜表面をプラズマ処理して活性化し、
この活性化したプラズマ重合膜表面に、末端に二重結合
を有するフッ素系モノマーをグラフト重合したことを特
徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項4】 前記プラズマ処理後における前記プラズ
マ重合膜表面の活性点の数が1013〜1018個/cm3 で
ある請求項3に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項5】 前記グラフト重合用フッ素系モノマー
は、分子量が100〜300である請求項1ないし4の
いずれかに記載の磁気記録媒体。 - 【請求項6】 前記プラズマ処理は、バイアス電圧を印
加しながら行なうものである請求項1ないし5のいずれ
かに記載の磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03273238A JP3108156B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP03273238A JP3108156B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0589451A true JPH0589451A (ja) | 1993-04-09 |
JP3108156B2 JP3108156B2 (ja) | 2000-11-13 |
Family
ID=17525046
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03273238A Expired - Fee Related JP3108156B2 (ja) | 1991-09-25 | 1991-09-25 | 磁気記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3108156B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7819081B2 (en) | 2002-10-07 | 2010-10-26 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Plasma film forming system |
-
1991
- 1991-09-25 JP JP03273238A patent/JP3108156B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7819081B2 (en) | 2002-10-07 | 2010-10-26 | Sekisui Chemical Co., Ltd. | Plasma film forming system |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3108156B2 (ja) | 2000-11-13 |
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Legal Events
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---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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