JPH0587760A - ガスセンサ及びその製造方法 - Google Patents
ガスセンサ及びその製造方法Info
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- JPH0587760A JPH0587760A JP7886092A JP7886092A JPH0587760A JP H0587760 A JPH0587760 A JP H0587760A JP 7886092 A JP7886092 A JP 7886092A JP 7886092 A JP7886092 A JP 7886092A JP H0587760 A JPH0587760 A JP H0587760A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＮＨ3（アンモニアガス）を検出するにあた
り、２００〜５００℃で高感度なガスセンサを提供する
こと。 【構成】 ガスセンサ１は筒状アルミナ管２に一対のＰ
t線３，３を巻回し、このＰt線３，３を包むようにＷＯ
3にＰt、Ｒu、Ａu、Ａg、Ｒh及びＰdのうちの少なくと
も１種を添加してなる金属酸化物半導体４を形成してい
る。
り、２００〜５００℃で高感度なガスセンサを提供する
こと。 【構成】 ガスセンサ１は筒状アルミナ管２に一対のＰ
t線３，３を巻回し、このＰt線３，３を包むようにＷＯ
3にＰt、Ｒu、Ａu、Ａg、Ｒh及びＰdのうちの少なくと
も１種を添加してなる金属酸化物半導体４を形成してい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は塩基性ガス、特にＮＨ3
（アンモニアガス）の検出に好適なガスセンサに関す
る。
（アンモニアガス）の検出に好適なガスセンサに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ガスの吸脱着により抵抗値が変化する金
属酸化物半導体に電極を接続し、抵抗値を測定すること
でガスの有無を検出するようにした半導体ガスセンサが
従来からガス漏れ警報器等として使用されている。
属酸化物半導体に電極を接続し、抵抗値を測定すること
でガスの有無を検出するようにした半導体ガスセンサが
従来からガス漏れ警報器等として使用されている。
【０００３】一方、最近ではトイレやキッチン等の住居
内におけるオートベンチレーション（自動換気）を行な
うためのガスセンサの開発が要望されている。つまり、
トイレやキッチン等の悪臭成分の主なものは、硫化水
素、アンモニア、アミン類及びメルカプタン類であり、
快適な住環境を維持するにはこれらのガス濃度が数ｐｐ
ｂ〜数ｐｐｍの範囲で検出できるセンサが必要とされ
る。しかしながら従来の金属酸化物半導体ガスセンサに
よる検出可能濃度は数百ｐｐｍ以上である。
内におけるオートベンチレーション（自動換気）を行な
うためのガスセンサの開発が要望されている。つまり、
トイレやキッチン等の悪臭成分の主なものは、硫化水
素、アンモニア、アミン類及びメルカプタン類であり、
快適な住環境を維持するにはこれらのガス濃度が数ｐｐ
ｂ〜数ｐｐｍの範囲で検出できるセンサが必要とされ
る。しかしながら従来の金属酸化物半導体ガスセンサに
よる検出可能濃度は数百ｐｐｍ以上である。
【０００４】そこで、特開昭５８−７９１４９号、特開
昭６２−２１４７号及び特開昭６３−３１３０４８号に
は、金属酸化物半導体としてのＳnＯ2に更に別の金属
（通常酸化物の形態となっている）を添加して、ガス検
出感度を高めるようにした提案がなされている。
昭６２−２１４７号及び特開昭６３−３１３０４８号に
は、金属酸化物半導体としてのＳnＯ2に更に別の金属
（通常酸化物の形態となっている）を添加して、ガス検
出感度を高めるようにした提案がなされている。
【０００５】ここで、特開昭５８−７９１４９号には添
加金属酸化物として、Ｓb2Ｏ3、ＴiＯ2、Ａl2Ｏ3、Ｌi2
Ｏ及びＣr2Ｏ3が、特開昭６２−２１４７号には添加金
属として、Ｂ、Ａl、Ｓc、Ｇa、Ｙ、Ｉn及びＴlが、特
開昭６３−３１３０４８号には添加金属酸化物として、
ＰbＯ、ＰdＯ及びＺnＯがそれぞれ開示されている。
加金属酸化物として、Ｓb2Ｏ3、ＴiＯ2、Ａl2Ｏ3、Ｌi2
Ｏ及びＣr2Ｏ3が、特開昭６２−２１４７号には添加金
属として、Ｂ、Ａl、Ｓc、Ｇa、Ｙ、Ｉn及びＴlが、特
開昭６３−３１３０４８号には添加金属酸化物として、
ＰbＯ、ＰdＯ及びＺnＯがそれぞれ開示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来か
ら種々の金属酸化物を添加して、ガス検出感度を高める
試みがなされているが、いずれも被検出ガス（ＮＨ3）
に接触してから定常値になるまでの時間と、被検出ガス
がなくなってからの初期値に戻るまでの回復時間が長
く、且つ低濃度のガスに対する感度が十分ではない。
ら種々の金属酸化物を添加して、ガス検出感度を高める
試みがなされているが、いずれも被検出ガス（ＮＨ3）
に接触してから定常値になるまでの時間と、被検出ガス
がなくなってからの初期値に戻るまでの回復時間が長
く、且つ低濃度のガスに対する感度が十分ではない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、ガスセンサの主体となる金属酸化物をＷＯ3と
し、この金属酸化物に加える添加物をＰt、Ｒu、Ａu、
Ａg、Ｒh及びＰdのうちの少なくとも１種とした。
発明は、ガスセンサの主体となる金属酸化物をＷＯ3と
し、この金属酸化物に加える添加物をＰt、Ｒu、Ａu、
Ａg、Ｒh及びＰdのうちの少なくとも１種とした。
【０００８】
【作用】ガスセンサの主体となる金属酸化物を従来のＳ
nＯ2から酸性の強いＷＯ3とすることで、ＮＨ3に対する
感度が大幅に向上する。
nＯ2から酸性の強いＷＯ3とすることで、ＮＨ3に対する
感度が大幅に向上する。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１及び図２はいずれも本発明に係
るガスセンサの斜視図である。
説明する。ここで、図１及び図２はいずれも本発明に係
るガスセンサの斜視図である。
【００１０】図１に示すガスセンサ１は筒状アルミナ管
２に一対のＰt線３，３を巻回し、このＰt線３，３を包
むようにＷＯ3にＰt、Ｒu、Ａu、Ａg、Ｒh及びＰdのう
ちの少なくとも１種を添加してなる多孔質焼結体からな
る金属酸化物半導体層４を形成している。この金属酸化
物半導体層４の製法について以下に述べる。
２に一対のＰt線３，３を巻回し、このＰt線３，３を包
むようにＷＯ3にＰt、Ｒu、Ａu、Ａg、Ｒh及びＰdのう
ちの少なくとも１種を添加してなる多孔質焼結体からな
る金属酸化物半導体層４を形成している。この金属酸化
物半導体層４の製法について以下に述べる。
【００１１】先ず、パラタングステン酸アンモニウム
｛（ＮＨ4）10Ｗ12Ｏ41・５Ｈ2Ｏ｝を出発原料とし、こ
れを空気中で６００℃．５時間熱分解してＷＯ3の粉末
試料を得る。次いで、この粉末試料にＰt、Ｒu、Ａu、
Ａg、ＲhまたはＰdを添加し、空気中で６００℃．５時
間焼成して得た粉末をビヒクルとともに混練して成形し
た後焼成することで金属酸化物半導体層４を形成する。
｛（ＮＨ4）10Ｗ12Ｏ41・５Ｈ2Ｏ｝を出発原料とし、こ
れを空気中で６００℃．５時間熱分解してＷＯ3の粉末
試料を得る。次いで、この粉末試料にＰt、Ｒu、Ａu、
Ａg、ＲhまたはＰdを添加し、空気中で６００℃．５時
間焼成して得た粉末をビヒクルとともに混練して成形し
た後焼成することで金属酸化物半導体層４を形成する。
【００１２】図２に示すガスセンサ１１はアルミナ基板
１２に一対の櫛形Ａu電極１３，１３を焼成により形成
し、このＡu電極１３，１３が接続する金属酸化物半導
体層１４を同じく焼成によりアルミナ基板１２表面に形
成している。この金属酸化物半導体層１４はＷＯ3にＰ
t、Ｒu、Ａu、Ａg、Ｒh及びＰdのうちの少なくとも１種
を添加している。尚、アルミナ等の基板に金属酸化物半
導体層を薄膜状に形成せず、ある程度の厚みの金属酸化
物半導体層に直接電極を埋設してもよい。
１２に一対の櫛形Ａu電極１３，１３を焼成により形成
し、このＡu電極１３，１３が接続する金属酸化物半導
体層１４を同じく焼成によりアルミナ基板１２表面に形
成している。この金属酸化物半導体層１４はＷＯ3にＰ
t、Ｒu、Ａu、Ａg、Ｒh及びＰdのうちの少なくとも１種
を添加している。尚、アルミナ等の基板に金属酸化物半
導体層を薄膜状に形成せず、ある程度の厚みの金属酸化
物半導体層に直接電極を埋設してもよい。
【００１３】図３はＷＯ3単独からなる素子、ＷＯ3に各
種貴金属（Ｐt、Ｒu、Ａu、Ａg、Ｒh、Ｐd）を0.4ｗｔ
％添加して作製した素子の50ppmＮＨ3に対する温度とガ
ス感度との関係を示すグラフである。この図からＷＯ3
単独では２００℃〜６００℃でのガス感度は５以下であ
るのに対し、上記貴金属を添加した素子のガス感度は３
００℃以上において顕著に高くなることが分る。
種貴金属（Ｐt、Ｒu、Ａu、Ａg、Ｒh、Ｐd）を0.4ｗｔ
％添加して作製した素子の50ppmＮＨ3に対する温度とガ
ス感度との関係を示すグラフである。この図からＷＯ3
単独では２００℃〜６００℃でのガス感度は５以下であ
るのに対し、上記貴金属を添加した素子のガス感度は３
００℃以上において顕著に高くなることが分る。
【００１４】また各種貴金属の添加の効果は、図３から
Ｐt＞Ａu＞Ｒh＞Ｐd≒Ａg＞Ｒu＞無添加の順であるが、
Ｐtを添加した素子は、ＮＨ3から空気に切り替えた時の
回復時間が速く、２００℃におけるガス感度が非常に高
い（６１０）にも拘らず、空気中からＮＨ3中に切り替
えた時の応答が非常に遅い問題があった。これに対し、
Ａuは応答性及びガス感度のいずれにおいても良好な結
果が得られた。
Ｐt＞Ａu＞Ｒh＞Ｐd≒Ａg＞Ｒu＞無添加の順であるが、
Ｐtを添加した素子は、ＮＨ3から空気に切り替えた時の
回復時間が速く、２００℃におけるガス感度が非常に高
い（６１０）にも拘らず、空気中からＮＨ3中に切り替
えた時の応答が非常に遅い問題があった。これに対し、
Ａuは応答性及びガス感度のいずれにおいても良好な結
果が得られた。
【００１５】そこで、Ａuを添加した素子の４５０℃に
おけるＮＨ3濃度とガス感度との関係についての実験結
果を図４に示し、また４５０℃でＮＨ3濃度５０ppmまた
は４５０℃の空気中の条件下でのＡu添加量と素子抵抗
値及びガス感度との関係についての実験結果を図５に示
す。
おけるＮＨ3濃度とガス感度との関係についての実験結
果を図４に示し、また４５０℃でＮＨ3濃度５０ppmまた
は４５０℃の空気中の条件下でのＡu添加量と素子抵抗
値及びガス感度との関係についての実験結果を図５に示
す。
【００１６】図４からは、ＮＨ3濃度が５ppb〜５０ppm
の間ではＮＨ3濃度の対数とガス感度の対数とが直線関
係になり、またＮＨ3濃度が５ppbの場合にはガス感度が
２．３を示すことが分る。また図５からは、空気中の素
子抵抗値はＡu添加量の増加とともに増加し、０．８ｗ
ｔ％で最大となり、その後わずかに減少し、これに対し
ＮＨ3濃度５０ppmの雰囲気中での素子抵抗値はＡu添加
量の増加とともに徐々に増加することが分る。その結
果、図にも示すようにＡu添加量が０．８ｗｔ％付近に
おいてガス感度が最大になる。
の間ではＮＨ3濃度の対数とガス感度の対数とが直線関
係になり、またＮＨ3濃度が５ppbの場合にはガス感度が
２．３を示すことが分る。また図５からは、空気中の素
子抵抗値はＡu添加量の増加とともに増加し、０．８ｗ
ｔ％で最大となり、その後わずかに減少し、これに対し
ＮＨ3濃度５０ppmの雰囲気中での素子抵抗値はＡu添加
量の増加とともに徐々に増加することが分る。その結
果、図にも示すようにＡu添加量が０．８ｗｔ％付近に
おいてガス感度が最大になる。
【００１７】上記のＡu添加量が約０．８ｗｔ％でガス
感度が最大になるのは、Ａu粒子の分散状態を反映して
いると考えられるので、分散状態が異なってくるコロイ
ド吸着法と含浸法によってＡuを添加した場合の応答曲
線（センサ出力）を図６に示す。ここで、コロイド吸着
法は、パラタングステン酸アンモニウムなどを熱分解し
て得たＷＯ3粉末を上記貴金属のコロイド溶液中に添加
攪拌せしめることで、ＷＯ3粉末表面に前記貴金属を吸
着させる方法であり、この方法で得られた原料粉末をビ
ヒクルとともに混練し、アルミナ管２或いはアルミナ基
板１２等に塗布した後焼成することで金属酸化物半導体
層４，１４を形成したガスセンサを得る。一方、含浸法
は塩化金酸（ＨＡuＣl4）等の貴金属塩の水溶液中にＷ
Ｏ3粉末を添加攪拌し、水分を蒸発させ残渣を乾燥させ
て原料粉末とする方法である。
感度が最大になるのは、Ａu粒子の分散状態を反映して
いると考えられるので、分散状態が異なってくるコロイ
ド吸着法と含浸法によってＡuを添加した場合の応答曲
線（センサ出力）を図６に示す。ここで、コロイド吸着
法は、パラタングステン酸アンモニウムなどを熱分解し
て得たＷＯ3粉末を上記貴金属のコロイド溶液中に添加
攪拌せしめることで、ＷＯ3粉末表面に前記貴金属を吸
着させる方法であり、この方法で得られた原料粉末をビ
ヒクルとともに混練し、アルミナ管２或いはアルミナ基
板１２等に塗布した後焼成することで金属酸化物半導体
層４，１４を形成したガスセンサを得る。一方、含浸法
は塩化金酸（ＨＡuＣl4）等の貴金属塩の水溶液中にＷ
Ｏ3粉末を添加攪拌し、水分を蒸発させ残渣を乾燥させ
て原料粉末とする方法である。
【００１８】また図６の応答曲線はいずれも４５０℃、
５０ppmＮＨ3に対するものであり、Ａuの添加量はとも
に０．４ｗｔ％とした。図６からはコロイド吸着法によ
って貴金属を添加したガスセンサの方が含浸法によって
貴金属を添加したガスセンサよりも応答特性及びガス感
度のいずれにおいても優れていることが分る。
５０ppmＮＨ3に対するものであり、Ａuの添加量はとも
に０．４ｗｔ％とした。図６からはコロイド吸着法によ
って貴金属を添加したガスセンサの方が含浸法によって
貴金属を添加したガスセンサよりも応答特性及びガス感
度のいずれにおいても優れていることが分る。
【００１９】これは以下の理由によると考えられる。即
ち、含浸法によって調製したＡu粒子は粒子径が大きく
分散度が悪いため酸化活性が低く、またＷＯ3との電子
的相互作用によって形成される電子欠損層がＷＯ3粒子
表面全体を覆っていないのに対し、コロイド吸着法によ
って調製したＡu粒子は上記とは逆に、粒子径が小さく
添加量が適当な範囲であれば、小さなＡu粒子が高分散
しており、またＷＯ3粒子表面全体が電子欠損層で覆れ
ているからと考えられる。
ち、含浸法によって調製したＡu粒子は粒子径が大きく
分散度が悪いため酸化活性が低く、またＷＯ3との電子
的相互作用によって形成される電子欠損層がＷＯ3粒子
表面全体を覆っていないのに対し、コロイド吸着法によ
って調製したＡu粒子は上記とは逆に、粒子径が小さく
添加量が適当な範囲であれば、小さなＡu粒子が高分散
しており、またＷＯ3粒子表面全体が電子欠損層で覆れ
ているからと考えられる。
【００２０】
【発明の効果】以上に説明した如く本発明によれば、金
属酸化物半導体ガスセンサを構成する主体となる金属酸
化物としてＷＯ3を選定し、これにＰt、Ｒu、Ａu、Ａ
g、Ｒh及びＰdのうちの少なくとも１種を添加したこと
で、ＮＨ3に対するセンサの感度を大幅に高めることが
でき、更に応答速度及び回復速度の双方に優れたガスセ
ンサとすることができる。
属酸化物半導体ガスセンサを構成する主体となる金属酸
化物としてＷＯ3を選定し、これにＰt、Ｒu、Ａu、Ａ
g、Ｒh及びＰdのうちの少なくとも１種を添加したこと
で、ＮＨ3に対するセンサの感度を大幅に高めることが
でき、更に応答速度及び回復速度の双方に優れたガスセ
ンサとすることができる。
【００２１】また、貴金属の添加方法としてコロイド吸
着法を採用することで、他の添加方法によって得られた
ものに比べてガス感度及び応答特性の良いガスセンサが
得られる。
着法を採用することで、他の添加方法によって得られた
ものに比べてガス感度及び応答特性の良いガスセンサが
得られる。
【図１】本発明に係るガスセンサの一例を示す斜視図
【図２】本発明に係るガスセンサの一例を示す斜視図
【図３】各種貴金属を添加したＷＯ3素子の温度とガス
感度との関係を示すグラフ
感度との関係を示すグラフ
【図４】添加物質をＡuとした場合のＮＨ3濃度とガス感
度との関係を示すグラフ
度との関係を示すグラフ
【図５】Ａu添加量と素子抵抗値及びガス感度との関係
を示すグラフ
を示すグラフ
【図６】コロイド吸着法によって貴金属を添加した場合
と含浸法によって貴金属を添加した場合のセンサ出力を
比較したグラフ
と含浸法によって貴金属を添加した場合のセンサ出力を
比較したグラフ
１、１１…ガスセンサ、２、１２…アルミナ、３、１３
…電極、４、１４…金属酸化物半導体層。
…電極、４、１４…金属酸化物半導体層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 千秋 神奈川県茅ケ崎市本村２丁目８番１号 東 陶機器株式会社茅ケ崎工場内
Claims (2)
- 【請求項１】 主体となる金属酸化物に添加物を加えた
金属酸化物半導体に対するガスの吸脱着による抵抗値の
変化を利用したガスセンサにおいて、前記主体となる金
属酸化物をＷＯ3とし、添加物をＰt、Ｒu、Ａu、Ａg、
Ｒh及びＰdのうちの少なくとも１種としたことを特徴と
するガスセンサ。 - 【請求項２】 Ｐt、Ｒu、Ａu、Ａg、Ｒh及びＰdのうち
の少なくとも１種の貴金属を含むコロイド溶液中にＷＯ
3粉末を添加攪拌せしめてＷＯ3粉末表面に前記貴金属を
吸着させ、次いでこの溶液を乾燥して得た原料粉末をビ
ヒクルとともに混練した後に焼成することでガスの吸脱
着によって抵抗値が変化する金属酸化物半導体とするよ
うにしたことを特徴とするガスセンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04078860A JP3097287B2 (ja) | 1991-03-18 | 1992-02-28 | ガスセンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7854991 | 1991-03-18 | ||
| JP3-78549 | 1991-03-18 | ||
| JP04078860A JP3097287B2 (ja) | 1991-03-18 | 1992-02-28 | ガスセンサ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0587760A true JPH0587760A (ja) | 1993-04-06 |
| JP3097287B2 JP3097287B2 (ja) | 2000-10-10 |
Family
ID=26419609
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP04078860A Expired - Fee Related JP3097287B2 (ja) | 1991-03-18 | 1992-02-28 | ガスセンサ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3097287B2 (ja) |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6310606B1 (en) | 1992-03-05 | 2001-10-30 | Brad A. Armstrong | Multi-plane sheet connected sensors |
| US6343991B1 (en) | 1997-10-01 | 2002-02-05 | Brad A. Armstrong | Game control with analog pressure sensor |
| US6344791B1 (en) | 1998-07-24 | 2002-02-05 | Brad A. Armstrong | Variable sensor with tactile feedback |
| US6347997B1 (en) | 1997-10-01 | 2002-02-19 | Brad A. Armstrong | Analog controls housed with electronic displays |
| US6351205B1 (en) | 1996-07-05 | 2002-02-26 | Brad A. Armstrong | Variable-conductance sensor |
| US6404584B2 (en) | 1997-10-01 | 2002-06-11 | Brad A. Armstrong | Analog controls housed with electronic displays for voice recorders |
| US6415707B1 (en) | 1997-10-01 | 2002-07-09 | Brad A. Armstrong | Analog controls housed with electronic displays for coffee makers |
| US6532000B2 (en) | 1997-10-01 | 2003-03-11 | Brad A. Armstrong | Analog controls housed with electronic displays for global positioning systems |
| US6726566B2 (en) | 2000-01-14 | 2004-04-27 | Sony Computer Entertainment Inc. | Method for changing viewpoints using pressure-sensitive means, recording medium providing software program therefor, and entertainment system |
| US6929547B2 (en) * | 2000-01-14 | 2005-08-16 | Sony Computer Entertainment Inc. | Recording medium, method of using a computer and computer for executing role-playing games |
| JP2007139713A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Kyushu Univ | ガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法 |
| US7341694B2 (en) | 2002-09-25 | 2008-03-11 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ammonia sensor |
| JP5113908B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-01-09 | 北陸電気工業株式会社 | ガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法 |
| JP2014092524A (ja) * | 2012-11-06 | 2014-05-19 | Fis Inc | 半導体ガスセンサ素子 |
| CN110426420A (zh) * | 2019-08-08 | 2019-11-08 | 东北大学 | 一种由纳米棒自组装而成的wo3微米梭的nh3气敏元件及其制备方法 |
| CN110998305A (zh) * | 2017-08-09 | 2020-04-10 | 世美特株式会社 | 气体传感器、气体检测装置、气体检测方法及包括气体传感器、气体检测装置的装置 |
| CN112362716A (zh) * | 2020-11-05 | 2021-02-12 | 武汉科技大学 | 一种新型氨气传感器芯片及其制备方法 |
-
1992
- 1992-02-28 JP JP04078860A patent/JP3097287B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6310606B1 (en) | 1992-03-05 | 2001-10-30 | Brad A. Armstrong | Multi-plane sheet connected sensors |
| US6351205B1 (en) | 1996-07-05 | 2002-02-26 | Brad A. Armstrong | Variable-conductance sensor |
| US6563415B2 (en) | 1996-07-05 | 2003-05-13 | Brad A. Armstrong | Analog sensor(s) with snap-through tactile feedback |
| US6415707B1 (en) | 1997-10-01 | 2002-07-09 | Brad A. Armstrong | Analog controls housed with electronic displays for coffee makers |
| US6347997B1 (en) | 1997-10-01 | 2002-02-19 | Brad A. Armstrong | Analog controls housed with electronic displays |
| US6404584B2 (en) | 1997-10-01 | 2002-06-11 | Brad A. Armstrong | Analog controls housed with electronic displays for voice recorders |
| US6538638B1 (en) | 1997-10-01 | 2003-03-25 | Brad A. Armstrong | Analog controls housed with electronic displays for pagers |
| US6470078B1 (en) | 1997-10-01 | 2002-10-22 | Brad A. Armstrong | Analog controls housed with electronic displays for telephones |
| US6496449B1 (en) | 1997-10-01 | 2002-12-17 | Brad A. Armstrong | Analog controls housed with electronic displays for clocks |
| US6343991B1 (en) | 1997-10-01 | 2002-02-05 | Brad A. Armstrong | Game control with analog pressure sensor |
| US6518953B1 (en) * | 1997-10-01 | 2003-02-11 | Brad A. Armstrong | Analog controls housed with electronic displays for remote controllers having feedback display screens |
| US6529185B1 (en) | 1997-10-01 | 2003-03-04 | Brad A. Armstrong | Analog controls housed with electronic displays for electronic books |
| US6532000B2 (en) | 1997-10-01 | 2003-03-11 | Brad A. Armstrong | Analog controls housed with electronic displays for global positioning systems |
| US6344791B1 (en) | 1998-07-24 | 2002-02-05 | Brad A. Armstrong | Variable sensor with tactile feedback |
| US6469691B1 (en) | 1999-05-11 | 2002-10-22 | Brad A. Armstrong | Analog controls housed with electronic displays for hand-held web browsers |
| US6559831B1 (en) | 1999-05-11 | 2003-05-06 | Brad A. Armstrong | Analog controls housed with electronic displays for personal digital assistants |
| US6504527B1 (en) | 1999-05-11 | 2003-01-07 | Brad A. Armstrong | Analog controls housed with electronic displays for computer monitors |
| US6726566B2 (en) | 2000-01-14 | 2004-04-27 | Sony Computer Entertainment Inc. | Method for changing viewpoints using pressure-sensitive means, recording medium providing software program therefor, and entertainment system |
| US6749506B2 (en) * | 2000-01-14 | 2004-06-15 | Sony Computer Entertainment Inc. | Method for changing viewpoints using pressure-sensitive means, recording medium providing software program therefor, and entertainment system |
| US6929547B2 (en) * | 2000-01-14 | 2005-08-16 | Sony Computer Entertainment Inc. | Recording medium, method of using a computer and computer for executing role-playing games |
| US7341694B2 (en) | 2002-09-25 | 2008-03-11 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Ammonia sensor |
| JP2007139713A (ja) * | 2005-11-22 | 2007-06-07 | Kyushu Univ | ガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法 |
| JP5113908B2 (ja) * | 2008-08-29 | 2013-01-09 | 北陸電気工業株式会社 | ガスセンサ用金属酸化物半導体材料の製造方法 |
| US8529799B2 (en) | 2008-08-29 | 2013-09-10 | Hokuriku Electric Industry Co., Ltd. | Manufacturing method of metal oxide semiconductor material for gas sensor |
| JP2014092524A (ja) * | 2012-11-06 | 2014-05-19 | Fis Inc | 半導体ガスセンサ素子 |
| CN110998305A (zh) * | 2017-08-09 | 2020-04-10 | 世美特株式会社 | 气体传感器、气体检测装置、气体检测方法及包括气体传感器、气体检测装置的装置 |
| US11531013B2 (en) | 2017-08-09 | 2022-12-20 | Semitec Corporation | Gas sensor, gas detection device, gas detection method, and device provided with gas sensor or gas detection device |
| CN110426420A (zh) * | 2019-08-08 | 2019-11-08 | 东北大学 | 一种由纳米棒自组装而成的wo3微米梭的nh3气敏元件及其制备方法 |
| CN112362716A (zh) * | 2020-11-05 | 2021-02-12 | 武汉科技大学 | 一种新型氨气传感器芯片及其制备方法 |
Also Published As
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