JPH0587534B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

技術の背景 本発明はフツ化ビニリデン樹脂とポリアルキレ
ンオキシドとからなる組成物に関するものであ
り、特にフツ化ビニリデン樹脂とポリアルキレン
オキシドとからなる誘電特性に優れた新規な組成
物に関するものである。 フツ化ビニリデン樹脂（以下PVDFと略記す
る）は合成樹脂の中でも耐薬品性、耐侯性、耐摩
耗性、電気的特性に優れ且つフツ素樹脂の中では
特に加工性に富んでいるので広く成形物として用
いられている。このPVDFに相溶性のある熱可塑
性樹脂を混合してその性質を更に改善しようとす
る試みが従来から行なわれ、PVDFにポリ酢酸ビ
ニル、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルア
クリレート、ポリビニルメチルケトン等を配合し
た成形組成物が知られており、これらの熱可塑性
樹脂の添加によるPVDFの加工性、機械的性質の
向上が報告されている。 一方、PVDFは近年誘電体材料として実用化さ
れつつあるが、PVDFの誘電率は非常に優れてい
るものの誘電正接（tanδ）が比較的大きく、また
高温における誘電率（ε′）が大きくなり誘電率の
温度特性がポリスチレン、ポリエチレンテレフタ
レート等他の誘電体材料に較べて劣つている。各
温度における誘電率の値が広い温度範囲に亘つて
比較的均一であることはその材料がコンデンサー
として用いられた場合、その電気回路が安定に作
動する温度領域が広がるため温度の変化による誤
動作などを防ぐことが可能となり望ましいことで
ある。 発明の概要 本発明等はこのPVDFの誘電特性を他の熱可塑
性樹脂と混合することにより改善すべく鋭意検討
した結果、PVDFにポリアルキレンオキシドを一
定の割合で混合することにより誘電率がポリエチ
レンテレフタレートより優れ、且つ誘電率の値が
広い温度範囲に亘つて比較的均一となるのみなら
ず誘電正接はPVDFよりも小さいという優れた誘
電特性を有する組成物が得られることを見出し
た。 一般にポリアルキレンオキシド、特にポリオキ
シメチレンもしくはポリエチレンオキシドは非常
に高い結晶化度をもつため、これらのポリアルキ
レンオキシドとPVDFが充分な相溶性をもつて混
合するとは従来予測されておらず、そのための
PVDFとポリアルキレンオキシドとからなる組成
物は未だ知られていなかつた。本発明はこのよう
なポリアルキレンオキシドがPVDFと充分な相溶
性をもち、しかもその混合物は容易にフイルム状
に成形することができるばかりでなく、該フイル
ムの電気的性質が極めて優れていることを見出し
たことに基づくものである。 発明の具体的な説明 以下本発明を詳細に説明する。 本発明の組成物に使用されるPVDFとしてはフ
ツ化ビニリデンホモポリマーもしくはフツ化ビニ
リデン及びこれと共重合可能なエチレン系不飽和
単量体の共重合体があげられる。フツ化ビニリデ
ンと共重合可能なエチレン系不飽和単量体として
はフツ化ビニル、トリフロロエチレン、モノクロ
ロトリフロロエチレン、四フツ化エチレン、六フ
ツ化プロピレン等のフツ素系単量体が好ましく使
用される。これらのフツ化ビニリデン共重合体に
おいてフツ化ビニリデンは60モル％以上含まれて
いることが望ましい。 ポリアルキレンオキシドとはエーテル結合を主
鎖中に含む線状高分子化合物を称し、例えばポリ
オキシメチレン、ポリアセトアルデヒト、ポリエ
チレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、シク
ロオキサブタン重合体、３，３−ジクロルメチル
オキサシクロブタン重合体等が単独もしくは２種
類以上混合して用いられるが、その電気的特性の
優れている点からポリオキシメチレンが好ましく
使用される。PVDFとポリアルキレンオキシドは
PVDF95〜50重量％とポリアルキレンオキシド５
〜50重量％の割合で用いられる。PVDFの割合が
前記範囲の上限値である95重量よりも多いと誘電
率の温度特性が悪くなり、又下限値である50重量
％よりも少ないと誘電率が低下してしまい本発明
の組成物として使用できなくなる。 本発明の組成物は成形性にも優れており、加熱
成形により各種の成形体に成形され、特にフイル
ムないしシート状成形品にすることが可能であ
る。フイルムないしシート化のための加熱成形法
としては一般の公知の成形法が用いられ、たとえ
ば熱プレス、エクストルーダー、カレンダーロー
ル、インフレーシヨン法等による加熱成形が用い
られる。特にフイルムに成形する場合には、更に
ロール圧延もしくはインフレーシヨン法により１
軸又は多軸に延伸することが可能である。 このようにして得られた本発明の組成物のフイ
ルムは優れた電気的特性を有する。例えばその誘
電率ε′は30ヘルツ（Hz）で−30℃以上、80℃以下
の温度において4.5以上の値であり、かつ誘電率
ε′の温度特性（20℃のε′を基準として各温度の
ε′の増減を％で表わしたもの）が−30℃から80℃
迄の温度において±25％以下であり、しかも誘電
正接tanδの値がPVDF自身の値よりも小さいとい
う優れた電気的性質を示す。通常PVDFは誘電率
ε′の値が広い温度範囲にわたつて10以上ではある
がε′の温度特性は不均一で高温度では30％以上変
動する。又誘電正接tanδの値も比較的高い値を示
す。一方、ポリアルキレンオキシド、特にポリオ
キシメチレンはε′の温度特性は−30℃〜80℃に亘
つて10％以下の変動を示すだけであつて優れてい
るが、ε′の値は4.0以下と低いため高い誘電率の
望まれる分野では不利となる。 本発明の組成分から得られたフイルムは、これ
ら両者の欠点を補つた従来知られたフイルムに比
し誘電率が高く、その温度特性が優れ、誘電正接
も比較的小さいという優れた誘電特性を示すもの
である。更に、延伸したフイルムでは誘電率の温
度特性が更に改良されるという利点を有する。 本発明の組成物はこのように優れた誘電特性を
有するため、そのフイルムはコンデンサーフイル
ム等として極めて有用である。更にこの組成物は
一般の機械部品等の成型物にも利用することがで
きる。 以下、実施例につき説明するが、本発明の範囲
が本実施例に限定されるものではない。 実施例 １ ポリオキシメチレン（ポリプラスチツクス(株)
製、商品名ジユラコンU10−01）とポリフツ化ビ
ニリデン（呉羽化学(株)製、商品名KF＃1000）を
重量％で50：50の割合に混合し、ダイ出口約210
℃でインフレーシヨン法により厚さ10μのフイル
ムに成形した。 このフイルムにアルミニウム蒸着により電極を
つけ、30Hzにおける各温度のε′およびtanδの値を
測定した。この結果を表−１に示す。尚Δε′は20
℃におけるε′に対する各温度のε′の増減を％で表
わしたものである。

【表】 表１の結果から、フイルムのε′の値はポリブレ
ンドによつてPVDFよりも低下するが、従来コン
デンサーとしてよく用いられているポリスチレン
やポリエチレンテレフタレートにくらべると大き
く、また温度特性はPVDFにくらべ格段に改良さ
れていることがわかる。 実施例 ２ 実施例１で得られたフイルムを温度120℃、速
度50％／minで２倍に延伸した。この延伸された
フイルムの各温度におけるε′およびtanδの測定値
を表−２に示す。

【表】 表−２の結果から、実施例２で得られたフイル
ムは実施例１のフイルムにくらべて高温側でε′の
温度特性の改善されていることがわかる。 実施例 ３ 実施例１と同様の方法でポリオキシメチレンと
ポリフツ化ビニリデンを重量％で40：60の割合に
混合し、実施例１と同様の方法で厚さ15μのフイ
ルムを得た。このフイルムの各温度におけるε′，
Δε′，tanδの値を測定し、その結果を表−３に示
す。

【表】 表−３の結果から、実施例３で得られたフイル
ムが優れた静電特性を有することがわかる。 比較例 １ ポリオキシメチレン（ジユラコンU10−01）の
薄膜を実施例１と同様にインフレーシヨン法によ
つて製造した。得られたフイルムの厚さは6μで
あつた。このフイルムの各温度におけるε′，Δε′，
tanδの測定値を表−４に示す。

【表】 表−４の結果から、このフイルムは温度特性の
点ですぐれているが、ε′の値が低いために用途の
制限される点で本発明の組成物よりも著しく不利
である。 比較例 ２ ポリフツ化ビニリデン（KF＃1000）を実施例
１と同様な方法で薄膜化し、得られた厚さ5μの
フイルムの各温度におけるε′，Δε′，tanδの測定
値を表−５に示す。

【表】 表−５の結果から、ポリフツ化ビニリデンの
ε′値は他の高分子物質、特にコンデンサーとして
従来用いられているものにくらべてすぐれた値を
示しているが、温度特性は本発明の組成物に比較
して不均一であり、tanδも大きい欠点がある。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ フツ化ビニリデン樹脂95〜50重量％とポリア
   ルキレンオキシド５〜50重量％とからなるフツ化
   ビニリデン樹脂組成物。 ２ ポリアルキレンオキシドがポリオキシメチレ
   ンである特許請求の範囲第１項記載のフツ化ビニ
   リデン樹脂組成物。