JPH0586022B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0586022B2 JPH0586022B2 JP58163219A JP16321983A JPH0586022B2 JP H0586022 B2 JPH0586022 B2 JP H0586022B2 JP 58163219 A JP58163219 A JP 58163219A JP 16321983 A JP16321983 A JP 16321983A JP H0586022 B2 JPH0586022 B2 JP H0586022B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diffraction
- deflection
- electron beam
- scanning
- primary electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 19
- 238000002003 electron diffraction Methods 0.000 claims description 11
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 101100112083 Arabidopsis thaliana CRT1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100238301 Arabidopsis thaliana MORC1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100519629 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) PEX2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100468521 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) RFX1 gene Proteins 0.000 description 1
- 238000000386 microscopy Methods 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/295—Electron or ion diffraction tubes
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は試料表面の結晶性を分析する走査型反
射電子回折顕微装置の改良に関し、特に、反射回
折像を蛍光板上でなく陰極線管上に表示すること
を可能にすることによつて、装置の小型化、操作
性向上、画像処理能力の向上を図る機構に関する
ものである。
射電子回折顕微装置の改良に関し、特に、反射回
折像を蛍光板上でなく陰極線管上に表示すること
を可能にすることによつて、装置の小型化、操作
性向上、画像処理能力の向上を図る機構に関する
ものである。
従来の走査型反射電子回折顕微装置では、試料
表面上の分析点の結晶構造を知るために、蛍光板
上に反射回折像を形成する。しかし、反射回折像
から充分な情報を得るためには蛍光板が大きくな
り結果として装置が大型化する、反射回折像中の
回折スポツトを選択する場合に機械的操作にたよ
らざるえなく操作性が良くない、反射回折像を画
像処理する場合二次元画像を画素分割して記憶す
る等の特別な装置を必要とする、という欠点が従
来装置にはあり、何らかの対策が望まれていた。
表面上の分析点の結晶構造を知るために、蛍光板
上に反射回折像を形成する。しかし、反射回折像
から充分な情報を得るためには蛍光板が大きくな
り結果として装置が大型化する、反射回折像中の
回折スポツトを選択する場合に機械的操作にたよ
らざるえなく操作性が良くない、反射回折像を画
像処理する場合二次元画像を画素分割して記憶す
る等の特別な装置を必要とする、という欠点が従
来装置にはあり、何らかの対策が望まれていた。
したがつて、本発明の目的は、反射回折像を蛍
光板上ではなく、陰極線管上に得ることを可能に
することによつて、小型で、操作性が良く、画像
処理能力の大きい走査型反射電子回折顕微装置を
提供することにある。
光板上ではなく、陰極線管上に得ることを可能に
することによつて、小型で、操作性が良く、画像
処理能力の大きい走査型反射電子回折顕微装置を
提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明において
は、試料と蛍光板あるいは電子検出器との間に偏
向系及びアパーチヤを設け、偏向系によりある角
度幅内の反射電子線を偏向し、そのときアパーチ
ヤを通過する電子による光信号あるいは電気信号
を陰極線管の輝度変調信号に変換することによつ
て陰極線管上に反射回折像を得ることを可能にす
るように走査型反射電子回折顕微装置を構成した
ことを特徴としている。
は、試料と蛍光板あるいは電子検出器との間に偏
向系及びアパーチヤを設け、偏向系によりある角
度幅内の反射電子線を偏向し、そのときアパーチ
ヤを通過する電子による光信号あるいは電気信号
を陰極線管の輝度変調信号に変換することによつ
て陰極線管上に反射回折像を得ることを可能にす
るように走査型反射電子回折顕微装置を構成した
ことを特徴としている。
以下、本発明を図面を用いて詳細に説明する。
第１図は従来の走査型反射電子回折顕微装置の
基本的な構成を示したものである（Japanese
Journal of Applied Physics Vol.21，No.１，
January，1982 pp.145−153参照）。同図におい
て、加速電源１を有する電子銃２から放出される
一次電子ビーム４は収束レンズ３により真空容器
６内にある試料７の表面に収束される。走査電源
１４により一次電子ビーム用偏向コイル群５を動
作させて一次電子ビーム４を試料７の表面上で走
査させる。そのときに得られる試料７の陰極線管
（以下、CRTと略称する）１３の輝度変調信号に
かえてCRT１３上に試料７の吸収電流像を得る。
この吸収電流像から試料７上の分析すべき場所を
選択する。この分析点に一次電子ビーム４を固定
照射することによつて得られる反射回折線８は蛍
光板９上にのぞき窓１０を通して反射回折像とし
て観測される。この回折像を解析することによつ
て試料７の表面上の任意の場所の結晶状態（試料
７の表面部分を構成する元素の配列状態）を分析
することが可能となる。さらに、アパーチヤ１１
を使用してある特定の回折スポツトを選び、光電
変換素子（例えば、フオトマルチプライヤ）１２
から得られる電気信号を一次電子ビーム４の走査
に同期させてCRT１３の輝度変調信号にかえる
ことによつてCRT１３上に回折顕微像が得られ
る。この回折顕微像から試料７の表面の結晶分布
がわかり、試料７の表面の結晶解析の有力な手段
となる。このように上記走査型反射電子回折顕微
装置は表面の結晶状態をミクロに調べる上で有力
な装置である。しかし、広範囲の反射回折線を蛍
光板９上で観察する必要があるため、蛍光板９が
大きくなり結果として装置が大型化する、ある特
定の回折スポツトを選択する場合、光電変換素子
１２やアパーチヤ１１を機械的に動かす必要があ
り操作性が良くない、反射回折像を画像処理する
場合二次元画像を記憶する等の特別な装置を必要
とする、等の欠点がある。
基本的な構成を示したものである（Japanese
Journal of Applied Physics Vol.21，No.１，
January，1982 pp.145−153参照）。同図におい
て、加速電源１を有する電子銃２から放出される
一次電子ビーム４は収束レンズ３により真空容器
６内にある試料７の表面に収束される。走査電源
１４により一次電子ビーム用偏向コイル群５を動
作させて一次電子ビーム４を試料７の表面上で走
査させる。そのときに得られる試料７の陰極線管
（以下、CRTと略称する）１３の輝度変調信号に
かえてCRT１３上に試料７の吸収電流像を得る。
この吸収電流像から試料７上の分析すべき場所を
選択する。この分析点に一次電子ビーム４を固定
照射することによつて得られる反射回折線８は蛍
光板９上にのぞき窓１０を通して反射回折像とし
て観測される。この回折像を解析することによつ
て試料７の表面上の任意の場所の結晶状態（試料
７の表面部分を構成する元素の配列状態）を分析
することが可能となる。さらに、アパーチヤ１１
を使用してある特定の回折スポツトを選び、光電
変換素子（例えば、フオトマルチプライヤ）１２
から得られる電気信号を一次電子ビーム４の走査
に同期させてCRT１３の輝度変調信号にかえる
ことによつてCRT１３上に回折顕微像が得られ
る。この回折顕微像から試料７の表面の結晶分布
がわかり、試料７の表面の結晶解析の有力な手段
となる。このように上記走査型反射電子回折顕微
装置は表面の結晶状態をミクロに調べる上で有力
な装置である。しかし、広範囲の反射回折線を蛍
光板９上で観察する必要があるため、蛍光板９が
大きくなり結果として装置が大型化する、ある特
定の回折スポツトを選択する場合、光電変換素子
１２やアパーチヤ１１を機械的に動かす必要があ
り操作性が良くない、反射回折像を画像処理する
場合二次元画像を記憶する等の特別な装置を必要
とする、等の欠点がある。
これに対して、次に述べる本発明による装置に
よりこれらの欠点を除去することができる。本発
明による走査型反射電子回折顕微装置の基本構成
を第２図に示す。本発明の最も特徴とする部分は
蛍光板９、のぞき窓１０、アパーチヤ１１、光電
変換素子１２、信号切替スイツチ１５、磁場遮蔽
板１６、反射回折線用偏向コイル群１７、反射回
折線用CRT１８、反射回折線用走査電源１９よ
りなる信号検出部にある。
よりこれらの欠点を除去することができる。本発
明による走査型反射電子回折顕微装置の基本構成
を第２図に示す。本発明の最も特徴とする部分は
蛍光板９、のぞき窓１０、アパーチヤ１１、光電
変換素子１２、信号切替スイツチ１５、磁場遮蔽
板１６、反射回折線用偏向コイル群１７、反射回
折線用CRT１８、反射回折線用走査電源１９よ
りなる信号検出部にある。
一次電子ビーム４を試料７の表面に固定したと
きに得られる反射回折線８の一部は磁場遮蔽板１
６を通過し、さらに小さな部分がアパーチヤ１１
を通過して蛍光板９上に輝点を形成する。さら
に、のぞき窓１０を通して光電変換素子１２によ
つてこの輝点による光信号を受けて電気信号に変
換し、反射回折線用CRT１８の輝度変調信号と
して使用する。このとき、反射回折線用走査電源
１９により反射回折線用偏向コイル群１７を動作
させ、磁場遮蔽板１６を通過した反射回折線８を
偏向し、この偏向に同期した輝度変調像を反射回
折線用CRT１８上に表示する。磁場遮蔽板１６
は反射回折線用コイル群を動作させたときに生ず
る磁場を遮蔽し、一次電子ビーム４の照射点を一
定に保つ役割をはたす。
きに得られる反射回折線８の一部は磁場遮蔽板１
６を通過し、さらに小さな部分がアパーチヤ１１
を通過して蛍光板９上に輝点を形成する。さら
に、のぞき窓１０を通して光電変換素子１２によ
つてこの輝点による光信号を受けて電気信号に変
換し、反射回折線用CRT１８の輝度変調信号と
して使用する。このとき、反射回折線用走査電源
１９により反射回折線用偏向コイル群１７を動作
させ、磁場遮蔽板１６を通過した反射回折線８を
偏向し、この偏向に同期した輝度変調像を反射回
折線用CRT１８上に表示する。磁場遮蔽板１６
は反射回折線用コイル群を動作させたときに生ず
る磁場を遮蔽し、一次電子ビーム４の照射点を一
定に保つ役割をはたす。
このようにして得られた反射回折線用CRT１
８上の輝度変調像は、第１図に示す従来装置で蛍
光板９上に得られる反射回折像とまつたく等価な
像になる。また、ある特定回折スポツトを信号と
する回折顕微像は反射回折線用CRT上に表示さ
れている反射回折像中の回折スポツトの位置に
CRTの陰極線を固定し、この状態で信号切替ス
イツチ１５をCRT１３の方に切替え、走査電源
１４により一次電子ビーム４を試料７の表面上で
走査することによつてCRT１３上に得ることが
できる。
８上の輝度変調像は、第１図に示す従来装置で蛍
光板９上に得られる反射回折像とまつたく等価な
像になる。また、ある特定回折スポツトを信号と
する回折顕微像は反射回折線用CRT上に表示さ
れている反射回折像中の回折スポツトの位置に
CRTの陰極線を固定し、この状態で信号切替ス
イツチ１５をCRT１３の方に切替え、走査電源
１４により一次電子ビーム４を試料７の表面上で
走査することによつてCRT１３上に得ることが
できる。
第２図に示す実施例により、反射回折像を取得
する場合に大口径の蛍光板を必要としない、すべ
ての信号取得を電気的に行なえるので操作性が非
常に良く、また走査電源１９の走査に同期して得
られる光電変換素子１２からの電気信号をメモリ
ーに記憶し種々の処理を行なうことによつて信号
のＳ／Ｎを増大させることができる等の画像処理
を容易に行なうことができる、等の効果を得るこ
とができる。
する場合に大口径の蛍光板を必要としない、すべ
ての信号取得を電気的に行なえるので操作性が非
常に良く、また走査電源１９の走査に同期して得
られる光電変換素子１２からの電気信号をメモリ
ーに記憶し種々の処理を行なうことによつて信号
のＳ／Ｎを増大させることができる等の画像処理
を容易に行なうことができる、等の効果を得るこ
とができる。
以上に述べた如く、本発明による走査型反射電
子回折顕微装置は反射回折線像を大口径の蛍光板
上でなく、陰極線管上に得ることを可能にするこ
とによつて、小型で、操作性が良く、画像処理が
容易であるという極めて優れた利点を持つ。
子回折顕微装置は反射回折線像を大口径の蛍光板
上でなく、陰極線管上に得ることを可能にするこ
とによつて、小型で、操作性が良く、画像処理が
容易であるという極めて優れた利点を持つ。
第１図は従来の走査型反射電子回折顕微装置の
基本構成図、第２図は本発明による走査型反射電
子回折顕微装置の基本構成図である。 １……加速電源、２……電子銃、３……収束レ
ンズ、４……一次電子ビーム、５……一次電子ビ
ーム用偏向コイル群、６……真空容器、７……試
料、８……反射回折線、９……蛍光板、１０……
のぞき窓、１１……アパーチヤ、１２……光電変
換素子、１３……陰極線管（CRT）、１４……走
査電源、１５……信号切替スイツチ、１６……磁
場遮蔽板、１７……反射回折線用偏向コイル群、
１８……反射回折線用CRT、１９……反射回折
線用走査電源。
基本構成図、第２図は本発明による走査型反射電
子回折顕微装置の基本構成図である。 １……加速電源、２……電子銃、３……収束レ
ンズ、４……一次電子ビーム、５……一次電子ビ
ーム用偏向コイル群、６……真空容器、７……試
料、８……反射回折線、９……蛍光板、１０……
のぞき窓、１１……アパーチヤ、１２……光電変
換素子、１３……陰極線管（CRT）、１４……走
査電源、１５……信号切替スイツチ、１６……磁
場遮蔽板、１７……反射回折線用偏向コイル群、
１８……反射回折線用CRT、１９……反射回折
線用走査電源。
Claims (1)
- １ 細く収束された一次電子ビームを試料表面上
の選ばれた任意の微小領域に固定照射する手段
と、該試料表面からの反射回折線のうちある特定
の角度範囲内に指向せしめられた反射回折線のみ
を選択的に通過せしめる位置に固定配置されたア
パーチヤと、該アパーチヤを通過した反射回折線
を検出する検出器と、上記試料表面からの上記反
射回折線を上記アパーチヤ上で偏向走査せしめる
反射回折線偏向手段と、該反射回折線偏向手段に
よる上記反射回折線の偏向走査と同期して偏向走
査されかつ上記検出器からの検出信号を輝度変調
信号としてその表示画面上に上記試料表面上の上
記微小領域についての反射回折像を映像表示する
反射回折像表示用陰極線管表示装置と、上記反射
回折線偏向手段による上記反射回折線の偏向位置
を任意に選択された偏向位置に固定する偏向位置
固定手段と、該偏向位置固定手段によつて上記反
射回折線の偏向位置が固定されている間に上記一
次電子ビームを試料表面上で偏向走査せしめる一
次電子ビーム偏向手段と、該一次電子ビーム偏向
手段による上記一次電子ビームの偏向走査と同期
して偏向走査されかつ上記検出器からの検出信号
を輝度変調信号としてその表示画面上に上記試料
表面上の上記一次電子ビームの走査範囲について
の回折顕微像を表示する回折顕微像表示用陰極線
管表示装置とを具備してなることを特徴とする走
査型反射電子回折顕微装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16321983A JPS6056344A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 走査型反射電子回折顕微装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16321983A JPS6056344A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 走査型反射電子回折顕微装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6056344A JPS6056344A (ja) | 1985-04-01 |
| JPH0586022B2 true JPH0586022B2 (ja) | 1993-12-09 |
Family
ID=15769568
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16321983A Granted JPS6056344A (ja) | 1983-09-07 | 1983-09-07 | 走査型反射電子回折顕微装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6056344A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0515943Y2 (ja) * | 1989-01-11 | 1993-04-27 | ||
| JPH071688B2 (ja) * | 1991-02-15 | 1995-01-11 | 株式会社島津製作所 | 走査型反射電子回折顕微鏡 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5363860A (en) * | 1976-11-12 | 1978-06-07 | Siemens Ag | Method of displaying diffraction picture of transmissive scan particleeray microscope |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5510212U (ja) * | 1978-07-06 | 1980-01-23 |
-
1983
- 1983-09-07 JP JP16321983A patent/JPS6056344A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5363860A (en) * | 1976-11-12 | 1978-06-07 | Siemens Ag | Method of displaying diffraction picture of transmissive scan particleeray microscope |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6056344A (ja) | 1985-04-01 |
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