JPH0585880A - 単結晶引上装置 - Google Patents
単結晶引上装置Info
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- JPH0585880A JPH0585880A JP3190274A JP19027491A JPH0585880A JP H0585880 A JPH0585880 A JP H0585880A JP 3190274 A JP3190274 A JP 3190274A JP 19027491 A JP19027491 A JP 19027491A JP H0585880 A JPH0585880 A JP H0585880A
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- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
- C30B15/12—Double crucible methods
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- Y10S117/90—Apparatus characterized by composition or treatment thereof, e.g. surface finish, surface coating
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 本願は、気密容器２内に設けられ外ルツボ１
１及び内ルツボ１２からなる二重ルツボ５に半導体融液
６を貯留し半導体単結晶２３を引き上げる単結晶引上装
置１において、内ルツボ１２は単結晶の特性に影響を及
ぼさない無機酸化物からなる支持部材１４により支持さ
れる。また、内ルツボ上部の材料を前記無機酸化物とし
てもよい。前記無機酸化物は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）ま
たはムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）のいずれか１
種であることが好ましい。 【効果】 半導体単結晶の汚染を防止することができ、
該半導体単結晶中の結晶欠陥密度を低減することができ
る。また、万一前記材料がこの半導体単結晶中に固溶し
ても該半導体単結晶の特性に影響を及ぼすことがない。
また、無機酸化物をアルミナまたはムライトとすれば、
支持部材や内ルツボ上部を酸化性雰囲気に対して安定化
させることができる。
１及び内ルツボ１２からなる二重ルツボ５に半導体融液
６を貯留し半導体単結晶２３を引き上げる単結晶引上装
置１において、内ルツボ１２は単結晶の特性に影響を及
ぼさない無機酸化物からなる支持部材１４により支持さ
れる。また、内ルツボ上部の材料を前記無機酸化物とし
てもよい。前記無機酸化物は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）ま
たはムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）のいずれか１
種であることが好ましい。 【効果】 半導体単結晶の汚染を防止することができ、
該半導体単結晶中の結晶欠陥密度を低減することができ
る。また、万一前記材料がこの半導体単結晶中に固溶し
ても該半導体単結晶の特性に影響を及ぼすことがない。
また、無機酸化物をアルミナまたはムライトとすれば、
支持部材や内ルツボ上部を酸化性雰囲気に対して安定化
させることができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、引き上げる半導体単結
晶の炭素汚染や重金属汚染を防止することができ、該半
導体単結晶中の結晶欠陥密度を低減することのできる単
結晶引上装置に関するものである。
晶の炭素汚染や重金属汚染を防止することができ、該半
導体単結晶中の結晶欠陥密度を低減することのできる単
結晶引上装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコン（Ｓｉ）やガリウムヒ素
（ＧａＡｓ）等の半導体単結晶を育成する方法の一つ
に、従来のチョクラルスキー法（ＣＺ法）を改良した連
続ＣＺ法がある。
（ＧａＡｓ）等の半導体単結晶を育成する方法の一つ
に、従来のチョクラルスキー法（ＣＺ法）を改良した連
続ＣＺ法がある。
【０００３】この連続ＣＺ法は、二重ルツボの外ルツボ
に原料を連続供給することにより長尺の半導体単結晶を
育成するもので、大径かつ長尺の半導体単結晶を得るに
は最も優れた方法の一つである。
に原料を連続供給することにより長尺の半導体単結晶を
育成するもので、大径かつ長尺の半導体単結晶を得るに
は最も優れた方法の一つである。
【０００４】この連続ＣＺ法に用いられる単結晶引上装
置は、不活性ガスが低圧で充填された気密容器と、該気
密容器内に設けられ内ルツボ及び外ルツボからなる石英
（ＳｉＯ2）製の二重ルツボと、前記内ルツボを該内ル
ツボの上方で支持する高耐熱性の支持部材と、前記二重
ルツボ内に貯留される半導体融液（加熱溶融された半導
体単結晶の原料）を加熱するヒーターとから概略構成さ
れている。
置は、不活性ガスが低圧で充填された気密容器と、該気
密容器内に設けられ内ルツボ及び外ルツボからなる石英
（ＳｉＯ2）製の二重ルツボと、前記内ルツボを該内ル
ツボの上方で支持する高耐熱性の支持部材と、前記二重
ルツボ内に貯留される半導体融液（加熱溶融された半導
体単結晶の原料）を加熱するヒーターとから概略構成さ
れている。
【０００５】前記支持部材は、高融点金属であるモリブ
デン系の材料（Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔａ等）が好適に用い
られる。
デン系の材料（Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔａ等）が好適に用い
られる。
【０００６】なお、前記二重ルツボの材料は窒化ケイ素
（Ｓｉ3Ｎ4）や炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用いることもあ
り、また、前記支持部材の材料は無定型炭素（グラファ
イト）を用いることもある。
（Ｓｉ3Ｎ4）や炭化ケイ素（ＳｉＣ）を用いることもあ
り、また、前記支持部材の材料は無定型炭素（グラファ
イト）を用いることもある。
【０００７】この単結晶引上装置により半導体単結晶を
育成するには、まず、二重ルツボ内に半導体原料を所定
量投入し、次に気密容器内にＡｒ等の不活性ガスを導入
し、前記二重ルツボを回転させながら半導体原料を単結
晶成長温度以上の温度まで加熱して完全に融解し、この
半導体融液に種結晶を浸漬し回転させつつ垂直上方に引
き上げ半導体単結晶を成長させる。
育成するには、まず、二重ルツボ内に半導体原料を所定
量投入し、次に気密容器内にＡｒ等の不活性ガスを導入
し、前記二重ルツボを回転させながら半導体原料を単結
晶成長温度以上の温度まで加熱して完全に融解し、この
半導体融液に種結晶を浸漬し回転させつつ垂直上方に引
き上げ半導体単結晶を成長させる。
【０００８】この結晶成長過程においては、半導体単結
晶の成長量（引上量）に応じて半導体原料が連続的に外
ルツボに投入され、この投入された半導体原料は外ルツ
ボ内で融解し内ルツボ内に連続的に供給される。
晶の成長量（引上量）に応じて半導体原料が連続的に外
ルツボに投入され、この投入された半導体原料は外ルツ
ボ内で融解し内ルツボ内に連続的に供給される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記の単結
晶引上装置の支持部材においては、機械加工の容易さや
高耐熱性の点からグラファイトもしくはＭｏ，Ｗ等の高
融点金属が多く用いられているが、最近では、これらの
物質が半導体融液や半導体単結晶を汚染する恐れがある
ことがわかり問題になってきている。
晶引上装置の支持部材においては、機械加工の容易さや
高耐熱性の点からグラファイトもしくはＭｏ，Ｗ等の高
融点金属が多く用いられているが、最近では、これらの
物質が半導体融液や半導体単結晶を汚染する恐れがある
ことがわかり問題になってきている。
【００１０】その理由は、例えばＳｉ単結晶を引き上げ
る場合においては、グラファイトはＳｉ融液から発生す
る酸化性のＳｉＯ蒸気と反応することによりＣＯを発生
しこのＣＯがＳｉ融液を汚染することにより、引き上げ
るＳｉ単結晶中に格子欠陥を発生させる（炭素汚染）か
らであり、また、Ｍｏ，Ｗ等の高融点金属はＳｉ融液か
ら発生する酸化性のＳｉＯ蒸気により酸化され、これら
の酸化物がＳｉ単結晶中にとり込まれると積層欠陥と呼
ばれる微小な結晶欠陥が発生する（重金属汚染）からで
ある。
る場合においては、グラファイトはＳｉ融液から発生す
る酸化性のＳｉＯ蒸気と反応することによりＣＯを発生
しこのＣＯがＳｉ融液を汚染することにより、引き上げ
るＳｉ単結晶中に格子欠陥を発生させる（炭素汚染）か
らであり、また、Ｍｏ，Ｗ等の高融点金属はＳｉ融液か
ら発生する酸化性のＳｉＯ蒸気により酸化され、これら
の酸化物がＳｉ単結晶中にとり込まれると積層欠陥と呼
ばれる微小な結晶欠陥が発生する（重金属汚染）からで
ある。
【００１１】従来では、上記の炭素汚染や重金属汚染は
ほとんど問題にされていなかったのであるが、Ｓｉ単結
晶に対してより高純度かつ均質性の高いものが要求され
るに伴い上記の炭素汚染や重金属汚染によるＳｉ単結晶
の特性への影響が極めて大きくなってきており、今日で
はこれらの汚染の影響が無視できなくなってきているた
めである。
ほとんど問題にされていなかったのであるが、Ｓｉ単結
晶に対してより高純度かつ均質性の高いものが要求され
るに伴い上記の炭素汚染や重金属汚染によるＳｉ単結晶
の特性への影響が極めて大きくなってきており、今日で
はこれらの汚染の影響が無視できなくなってきているた
めである。
【００１２】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたも
ので、支持部材や内ルツボの材質を半導体単結晶の特性
に影響を及ぼさない材料に替えることにより、引き上げ
る単結晶の炭素汚染や重金属汚染を防止することがで
き、該半導体単結晶中の炭素濃度を低減させ該半導体単
結晶中の結晶欠陥密度を低減させることができる単結晶
引上装置を提供することにある。
ので、支持部材や内ルツボの材質を半導体単結晶の特性
に影響を及ぼさない材料に替えることにより、引き上げ
る単結晶の炭素汚染や重金属汚染を防止することがで
き、該半導体単結晶中の炭素濃度を低減させ該半導体単
結晶中の結晶欠陥密度を低減させることができる単結晶
引上装置を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は次の様な単結晶引上装置を採用した。すな
わち、請求項１記載の単結晶引上装置は、気密容器の内
部に設けられ内ルツボ及び外ルツボからなる二重ルツボ
に半導体融液を貯留し、該半導体融液より半導体単結晶
を引き上げる単結晶引上装置において、前記内ルツボ
は、前記半導体単結晶の特性に影響を及ぼさない無機酸
化物を主成分とする支持部材により支持してなることを
特徴としている。
に、本発明は次の様な単結晶引上装置を採用した。すな
わち、請求項１記載の単結晶引上装置は、気密容器の内
部に設けられ内ルツボ及び外ルツボからなる二重ルツボ
に半導体融液を貯留し、該半導体融液より半導体単結晶
を引き上げる単結晶引上装置において、前記内ルツボ
は、前記半導体単結晶の特性に影響を及ぼさない無機酸
化物を主成分とする支持部材により支持してなることを
特徴としている。
【００１４】また、請求項２記載の単結晶引上装置は、
気密容器の内部に設けられ内ルツボ及び外ルツボからな
る二重ルツボに半導体融液を貯留し、該半導体融液より
半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装置において、前
記内ルツボの上部は、前記半導体単結晶の特性に影響を
及ぼさない無機酸化物を主成分とする材料からなること
を特徴としている。
気密容器の内部に設けられ内ルツボ及び外ルツボからな
る二重ルツボに半導体融液を貯留し、該半導体融液より
半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装置において、前
記内ルツボの上部は、前記半導体単結晶の特性に影響を
及ぼさない無機酸化物を主成分とする材料からなること
を特徴としている。
【００１５】また、請求項３記載の単結晶引上装置は、
請求項１または２記載の単結晶引上装置において、前記
無機酸化物は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムライト
（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）のいずれか１種であること
を特徴としている。
請求項１または２記載の単結晶引上装置において、前記
無機酸化物は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムライト
（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）のいずれか１種であること
を特徴としている。
【００１６】ここで、前記無機酸化物をアルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）またはムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）のい
ずれか１種とした理由を述べる。
2Ｏ3）またはムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）のい
ずれか１種とした理由を述べる。
【００１７】アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）は、熱的に極めて安
定で耐熱衝撃性、耐化学性、耐摩耗性に優れており、機
械的強度が高く、含有するＡｌ元素が半導体単結晶（特
にＳｉ単結晶）中に固溶しても該半導体単結晶の特性に
影響を及ぼすことがないからである。また、酸素は石英
ルツボ中に含まれており、これも直接には結晶晶質を劣
化させない。
定で耐熱衝撃性、耐化学性、耐摩耗性に優れており、機
械的強度が高く、含有するＡｌ元素が半導体単結晶（特
にＳｉ単結晶）中に固溶しても該半導体単結晶の特性に
影響を及ぼすことがないからである。また、酸素は石英
ルツボ中に含まれており、これも直接には結晶晶質を劣
化させない。
【００１８】また、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２Ｓｉ
Ｏ2）は、熱膨張係数が小さく、高温での強度低下が小
さく、耐熱衝撃性、耐化学性、耐摩耗性に優れており、
含有するＡｌ元素が半導体単結晶中に固溶しても該半導
体単結晶の特性に影響を及ぼすことがないからである。
Ｏ2）は、熱膨張係数が小さく、高温での強度低下が小
さく、耐熱衝撃性、耐化学性、耐摩耗性に優れており、
含有するＡｌ元素が半導体単結晶中に固溶しても該半導
体単結晶の特性に影響を及ぼすことがないからである。
【００１９】上記のアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムライ
ト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）は、含まれるＡｌ2Ｏ3ま
たは３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2の純度が９９．９９％以上
の高純度品が好ましい。
ト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）は、含まれるＡｌ2Ｏ3ま
たは３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2の純度が９９．９９％以上
の高純度品が好ましい。
【００２０】
【作用】本発明の請求項１記載の単結晶引上装置では、
前記支持部材に前記半導体単結晶の特性に影響を及ぼさ
ない無機酸化物を主成分とする材料を用いることによ
り、引き上げる半導体単結晶が炭素や重金属により汚染
されるのを防止する。また、前記半導体単結晶中に前記
無機酸化物が固溶したとしても、該半導体単結晶の特性
に影響を与えることがない。
前記支持部材に前記半導体単結晶の特性に影響を及ぼさ
ない無機酸化物を主成分とする材料を用いることによ
り、引き上げる半導体単結晶が炭素や重金属により汚染
されるのを防止する。また、前記半導体単結晶中に前記
無機酸化物が固溶したとしても、該半導体単結晶の特性
に影響を与えることがない。
【００２１】また、請求項２記載の単結晶引上装置で
は、前記内ルツボの上部に、前記半導体単結晶の特性に
影響を及ぼさない無機酸化物を主成分とする材料を用い
ることにより、引き上げる半導体単結晶が炭素や重金属
により汚染されるのを防止する。また、前記半導体単結
晶中に前記無機酸化物が固溶したとしても、該半導体単
結晶の特性に影響を与えることがない。
は、前記内ルツボの上部に、前記半導体単結晶の特性に
影響を及ぼさない無機酸化物を主成分とする材料を用い
ることにより、引き上げる半導体単結晶が炭素や重金属
により汚染されるのを防止する。また、前記半導体単結
晶中に前記無機酸化物が固溶したとしても、該半導体単
結晶の特性に影響を与えることがない。
【００２２】また、請求項３記載の単結晶引上装置で
は、前記無機酸化物をアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムラ
イト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）のいずれか１種とする
ことにより、前記支持部材または前記内ルツボの上部を
酸化性雰囲気に対して安定化し、引き上げる半導体単結
晶が炭素や重金属により汚染されるのを防止する。ま
た、前記半導体単結晶中にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）または
ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）が固溶したとして
も、該半導体単結晶の特性に影響を与えることがない。
は、前記無機酸化物をアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムラ
イト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）のいずれか１種とする
ことにより、前記支持部材または前記内ルツボの上部を
酸化性雰囲気に対して安定化し、引き上げる半導体単結
晶が炭素や重金属により汚染されるのを防止する。ま
た、前記半導体単結晶中にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）または
ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）が固溶したとして
も、該半導体単結晶の特性に影響を与えることがない。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の単結晶引上装置の各実施態様
について説明する。
について説明する。
【００２４】（第１実施例）まず、本発明に係る単結晶
引上装置の一実施例について図１に基づき説明する。
引上装置の一実施例について図１に基づき説明する。
【００２５】この単結晶引上装置１は、アルゴン（Ａ
ｒ）等の不活性ガスが低圧で充填された気密容器２内に
立設され、上下方向の軸線を中心として所定の角速度で
回転するシャフト３と、該シャフト３上に固定された内
面略半球状のグラファイト製のサセプタ４と、該サセプ
タ４の内面に密着して固定された二重ルツボ５と、該二
重ルツボ５内に貯留されているＳｉ融液（半導体融液：
加熱溶融された半導体単結晶の原料）６を加熱するヒー
ター７と、前記二重ルツボ５に半導体単結晶の原料を連
続的に供給する原料供給装置８とから概略構成されてい
る。
ｒ）等の不活性ガスが低圧で充填された気密容器２内に
立設され、上下方向の軸線を中心として所定の角速度で
回転するシャフト３と、該シャフト３上に固定された内
面略半球状のグラファイト製のサセプタ４と、該サセプ
タ４の内面に密着して固定された二重ルツボ５と、該二
重ルツボ５内に貯留されているＳｉ融液（半導体融液：
加熱溶融された半導体単結晶の原料）６を加熱するヒー
ター７と、前記二重ルツボ５に半導体単結晶の原料を連
続的に供給する原料供給装置８とから概略構成されてい
る。
【００２６】二重ルツボ５は、略半球状の肉厚の石英
（ＳｉＯ2）製の外ルツボ１１と、該外ルツボ１１内に
設けられた略円筒状の肉厚の同質の内ルツボ１２とから
構成されている。そして、該内ルツボ１２の側壁下部に
は、内ルツボ１２と外ルツボ１１とを連通する連通孔１
３が前記側壁下部の周方向に沿って等間隔に複数個形成
されている。
（ＳｉＯ2）製の外ルツボ１１と、該外ルツボ１１内に
設けられた略円筒状の肉厚の同質の内ルツボ１２とから
構成されている。そして、該内ルツボ１２の側壁下部に
は、内ルツボ１２と外ルツボ１１とを連通する連通孔１
３が前記側壁下部の周方向に沿って等間隔に複数個形成
されている。
【００２７】この内ルツボ１２の上端部１２aは、該内
ルツボ１２と略同一径からなる略円筒状の支持部材１４
の下端部１４aの複数箇所に、ボルト１５とナット１６
により固定されている。
ルツボ１２と略同一径からなる略円筒状の支持部材１４
の下端部１４aの複数箇所に、ボルト１５とナット１６
により固定されている。
【００２８】この支持部材１４は、シャフト３と連動し
て該シャフト３と同一の軸線の回りに同一の角速度で回
転するように前記気密容器２に支持されている。
て該シャフト３と同一の軸線の回りに同一の角速度で回
転するように前記気密容器２に支持されている。
【００２９】この支持部材１４、ボルト１５，… 及び
ナット１６，… の材料としては、Ｓｉ融液６の液面か
ら蒸発する酸化性のＳｉＯ蒸気に対して安定であり、か
つ、Ｓｉ単結晶に固溶しても該Ｓｉ単結晶の特性に悪影
響を与えないものであればよく、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）
またはムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）のいずれか
が好適に用いられる。
ナット１６，… の材料としては、Ｓｉ融液６の液面か
ら蒸発する酸化性のＳｉＯ蒸気に対して安定であり、か
つ、Ｓｉ単結晶に固溶しても該Ｓｉ単結晶の特性に悪影
響を与えないものであればよく、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）
またはムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）のいずれか
が好適に用いられる。
【００３０】上記のアルミナ（またはムライト）は、含
まれるＡｌ2Ｏ3（または３Ａｌ2Ｏ3・2SiO2）の純度が９
９．９９％以上の高純度品が好適に用いられる。
まれるＡｌ2Ｏ3（または３Ａｌ2Ｏ3・2SiO2）の純度が９
９．９９％以上の高純度品が好適に用いられる。
【００３１】なお、ムライトよりアルミナの方が成型性
が良いので、特に精密な加工を要求される場合にはアル
ミナを用いる方がよい。
が良いので、特に精密な加工を要求される場合にはアル
ミナを用いる方がよい。
【００３２】この単結晶引上装置１によりＳｉ単結晶
（半導体単結晶）を引き上げる方法について説明する。
（半導体単結晶）を引き上げる方法について説明する。
【００３３】まず、支持部材１４を垂直上方に移動させ
て内ルツボ１２を外ルツボ１１の垂直上方の位置に引き
上げておく。次に、外ルツボ１１内にＳｉ原料を所定量
投入し、気密容器２内を排気し真空状態とする。次に、
該気密容器２内にＡｒ等の不活性ガスを導入し、シャフ
ト３を上下方向の軸線を中心として所定の角速度で回転
させることで前記二重ルツボ５を所定の角速度で回転さ
せながら、ヒーター７に通電し外ルツボ１１内のＳｉ原
料を単結晶成長温度以上の温度まで加熱し、Ｓｉ原料を
完全に融解する。この融解したＳｉ原料はＳｉ融液（半
導体融液）６と呼ばれる。
て内ルツボ１２を外ルツボ１１の垂直上方の位置に引き
上げておく。次に、外ルツボ１１内にＳｉ原料を所定量
投入し、気密容器２内を排気し真空状態とする。次に、
該気密容器２内にＡｒ等の不活性ガスを導入し、シャフ
ト３を上下方向の軸線を中心として所定の角速度で回転
させることで前記二重ルツボ５を所定の角速度で回転さ
せながら、ヒーター７に通電し外ルツボ１１内のＳｉ原
料を単結晶成長温度以上の温度まで加熱し、Ｓｉ原料を
完全に融解する。この融解したＳｉ原料はＳｉ融液（半
導体融液）６と呼ばれる。
【００３４】次に、支持部材１４を垂直下方に移動させ
て内ルツボ１２を外ルツボ１１の底面に載置し、ヒータ
ー７の電力を調整してＳｉ融液６の中央の液面２１付近
を単結晶成長温度に保つ。次に、Ｓｉ種結晶２２をＳｉ
融液６に浸漬し、該Ｓｉ種結晶２２を上下方向の軸線を
中心として回転させながら垂直上方に引き上げＳｉ単結
晶（半導体単結晶）２３を成長させる。
て内ルツボ１２を外ルツボ１１の底面に載置し、ヒータ
ー７の電力を調整してＳｉ融液６の中央の液面２１付近
を単結晶成長温度に保つ。次に、Ｓｉ種結晶２２をＳｉ
融液６に浸漬し、該Ｓｉ種結晶２２を上下方向の軸線を
中心として回転させながら垂直上方に引き上げＳｉ単結
晶（半導体単結晶）２３を成長させる。
【００３５】このＳｉ単結晶２３の成長過程において
は、Ｓｉ単結晶２３の成長量（引上量）に応じてＳｉ原
料が連続的に外ルツボ１１に投入され、この投入された
Ｓｉ原料は外ルツボ１１内で融解し連通孔１３，… を
通って内ルツボ１２内に連続的に供給される。
は、Ｓｉ単結晶２３の成長量（引上量）に応じてＳｉ原
料が連続的に外ルツボ１１に投入され、この投入された
Ｓｉ原料は外ルツボ１１内で融解し連通孔１３，… を
通って内ルツボ１２内に連続的に供給される。
【００３６】ここでは、支持部材１４が酸化性雰囲気に
対して安定であるから、引き上げるＳｉ単結晶２３は炭
素や重金属により汚染されることがなく、また、前記支
持部材１４の材質はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムライ
ト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）であるからこれらの物質
がＳｉ単結晶２３中に固溶したとしても、該Ｓｉ単結晶
２３の特性に影響を与えることがない．
対して安定であるから、引き上げるＳｉ単結晶２３は炭
素や重金属により汚染されることがなく、また、前記支
持部材１４の材質はアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムライ
ト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）であるからこれらの物質
がＳｉ単結晶２３中に固溶したとしても、該Ｓｉ単結晶
２３の特性に影響を与えることがない．
【００３７】以上により、炭素汚染や重金属汚染がなく
結晶欠陥密度の低いＳｉ単結晶２３を引き上げることが
できる。
結晶欠陥密度の低いＳｉ単結晶２３を引き上げることが
できる。
【００３８】以上説明した様に、上記一実施例の単結晶
引上装置１によれば、支持部材１４の材料を、アルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）またはムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２Ｓｉ
Ｏ2）のいずれか１種としたので、支持部材１４を酸化
性雰囲気に対して安定化させることができ、Ｓｉ単結晶
２３の汚染を防止することができる。したがって、該Ｓ
ｉ単結晶２３中の結晶欠陥密度を低減することができ、
このＳｉ単結晶２３の品質を向上させることができる。
また、万一前記材料がＳｉ単結晶２３中に固溶しても特
性に影響を及ぼすことがない。
引上装置１によれば、支持部材１４の材料を、アルミナ
（Ａｌ2Ｏ3）またはムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２Ｓｉ
Ｏ2）のいずれか１種としたので、支持部材１４を酸化
性雰囲気に対して安定化させることができ、Ｓｉ単結晶
２３の汚染を防止することができる。したがって、該Ｓ
ｉ単結晶２３中の結晶欠陥密度を低減することができ、
このＳｉ単結晶２３の品質を向上させることができる。
また、万一前記材料がＳｉ単結晶２３中に固溶しても特
性に影響を及ぼすことがない。
【００３９】以上により、炭素汚染や重金属汚染がなく
結晶欠陥密度の低いＳｉ単結晶２３を引き上げることが
できる単結晶引上装置を提供することが可能になる。
結晶欠陥密度の低いＳｉ単結晶２３を引き上げることが
できる単結晶引上装置を提供することが可能になる。
【００４０】（第２実施例）図２及び図３は、本発明に
係る単結晶引上装置の内ルツボの一実施例を示すもの
で、上述した単結晶引上装置１の内ルツボ１２を変形し
たものである。
係る単結晶引上装置の内ルツボの一実施例を示すもの
で、上述した単結晶引上装置１の内ルツボ１２を変形し
たものである。
【００４１】なお、この変形した内ルツボ３１の構成要
素以外の要素については上述した単結晶引上装置１の各
構成要素と全く同一であるから、これら同一の構成要素
については説明を省略する。
素以外の要素については上述した単結晶引上装置１の各
構成要素と全く同一であるから、これら同一の構成要素
については説明を省略する。
【００４２】内ルツボ３１は、円筒状の石英（Ｓｉ
Ｏ2）製の下部材３２と、該下部材３２と同一径の円筒
状のアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムライト（３Ａｌ2Ｏ3
・２ＳｉＯ2）製の上部材３３とから構成されている。
Ｏ2）製の下部材３２と、該下部材３２と同一径の円筒
状のアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムライト（３Ａｌ2Ｏ3
・２ＳｉＯ2）製の上部材３３とから構成されている。
【００４３】前記下部材３２の上端部３２ａには該上端
部３２ａの内周面を一周するように雌ネジ部３５が形成
されており、前記上部材３３の下端部３３ａには該下端
部３３ａの外周面を一周するように前記雌ネジ部３５と
螺合する雄ネジ部３６が形成されている。
部３２ａの内周面を一周するように雌ネジ部３５が形成
されており、前記上部材３３の下端部３３ａには該下端
部３３ａの外周面を一周するように前記雌ネジ部３５と
螺合する雄ネジ部３６が形成されている。
【００４４】上部材３３の雄ネジ部３６を下部材３２の
雌ネジ部３５に螺合することにより、前記上部材３３と
下部材３２とを一体化した内ルツボ３１とすることがで
きる。
雌ネジ部３５に螺合することにより、前記上部材３３と
下部材３２とを一体化した内ルツボ３１とすることがで
きる。
【００４５】以上説明した様に、上記一実施例の内ルツ
ボ３１によれば、該内ルツボ３１の上部材３３の材質を
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２
ＳｉＯ2）のいずれか１種としたので、この上部材３３
を酸化性雰囲気に対して安定化させることができ、Ｓｉ
単結晶の汚染を防止することができる。したがって、該
Ｓｉ単結晶中の結晶欠陥密度を低減することができ、こ
のＳｉ単結晶の品質を向上させることができる。また、
万一前記材料がＳｉ単結晶に固溶しても特性に影響を及
ぼすことがない。
ボ３１によれば、該内ルツボ３１の上部材３３の材質を
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２
ＳｉＯ2）のいずれか１種としたので、この上部材３３
を酸化性雰囲気に対して安定化させることができ、Ｓｉ
単結晶の汚染を防止することができる。したがって、該
Ｓｉ単結晶中の結晶欠陥密度を低減することができ、こ
のＳｉ単結晶の品質を向上させることができる。また、
万一前記材料がＳｉ単結晶に固溶しても特性に影響を及
ぼすことがない。
【００４６】この一実施例においても、上述した単結晶
引上装置１と同様にＳｉ単結晶の汚染を防止することが
できる単結晶引上装置を提供することが可能になる。
引上装置１と同様にＳｉ単結晶の汚染を防止することが
できる単結晶引上装置を提供することが可能になる。
【００４７】（第３実施例）図４及び図５は、本発明に
係る単結晶引上装置の内ルツボの他の一実施例を示すも
ので、上述した内ルツボ３１を変形したものである。
係る単結晶引上装置の内ルツボの他の一実施例を示すも
ので、上述した内ルツボ３１を変形したものである。
【００４８】この変形した内ルツボ４１についても上述
した各実施例と同様に、この内ルツボ４１の構成要素以
外の要素については上述した単結晶引上装置１の各構成
要素と全く同一であるから、これら同一の構成要素につ
いては説明を省略する。
した各実施例と同様に、この内ルツボ４１の構成要素以
外の要素については上述した単結晶引上装置１の各構成
要素と全く同一であるから、これら同一の構成要素につ
いては説明を省略する。
【００４９】内ルツボ４１は、円筒状の石英（Ｓｉ
Ｏ2）製の下部材４２と、該下部材４２より拡径された
円筒状のアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムライト（３Ａｌ
2Ｏ3・２ＳｉＯ2）製の上部材４３とから構成されてい
る。
Ｏ2）製の下部材４２と、該下部材４２より拡径された
円筒状のアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムライト（３Ａｌ
2Ｏ3・２ＳｉＯ2）製の上部材４３とから構成されてい
る。
【００５０】前記下部材４２の上端部４２ａには径方向
外方へ突出する一対の突起４４，４４が前記下部材４２
の軸線を中心とする対称の位置に形成されており、これ
らの突起４４，４４のそれぞれの中央部には径方向外方
へ延びる断面略半円状の溝４５が形成されている。
外方へ突出する一対の突起４４，４４が前記下部材４２
の軸線を中心とする対称の位置に形成されており、これ
らの突起４４，４４のそれぞれの中央部には径方向外方
へ延びる断面略半円状の溝４５が形成されている。
【００５１】また、前記上部材４３の下端部４３ａには
径方法内方へ突出する一対の幅広の円弧版状の係止片４
６，４６が形成されている。そして、この上部材４３の
側面下方には、この上部材４３の係止片４６と下部材４
２の突起４４とを固定するために用いるピン４７を挿入
するための孔４８が、この上部材４３の軸線を中心とす
る対称の位置にそれぞれ形成されている。
径方法内方へ突出する一対の幅広の円弧版状の係止片４
６，４６が形成されている。そして、この上部材４３の
側面下方には、この上部材４３の係止片４６と下部材４
２の突起４４とを固定するために用いるピン４７を挿入
するための孔４８が、この上部材４３の軸線を中心とす
る対称の位置にそれぞれ形成されている。
【００５２】前記上部材４３と下部材４２とを一体化す
るには、まず、下部材４２の突起４４，４４各々を上部
材４３の係止片４６，４６間各々に垂直下方から挿入
し、次にこの下部材４２を軸線を中心として水平面内に
おいて約９０゜回転させて係止片４６，４６各々の上に
突起４４，４４各々を載置させ、突起４４の溝４５と孔
４８の位置を一致させる。次に、孔４８，４８各々にピ
ン４７を挿入し、このピン４７を溝４５内に固定する
（図５参照）。
るには、まず、下部材４２の突起４４，４４各々を上部
材４３の係止片４６，４６間各々に垂直下方から挿入
し、次にこの下部材４２を軸線を中心として水平面内に
おいて約９０゜回転させて係止片４６，４６各々の上に
突起４４，４４各々を載置させ、突起４４の溝４５と孔
４８の位置を一致させる。次に、孔４８，４８各々にピ
ン４７を挿入し、このピン４７を溝４５内に固定する
（図５参照）。
【００５３】以上説明した様に、上記一実施例の内ルツ
ボ４１によれば、該内ルツボ４１の上部材４３の材質を
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２
ＳｉＯ2）のいずれか１種としたので、この上部材４３
を酸化性雰囲気に対して安定化させることができ、Ｓｉ
単結晶の汚染を防止することができる。したがって、該
Ｓｉ単結晶中の結晶欠陥密度を低減することができ、こ
のＳｉ単結晶の品質を向上させることができる。また、
万一前記材料がＳｉ単結晶に固溶しても特性に影響を及
ぼすことがない。
ボ４１によれば、該内ルツボ４１の上部材４３の材質を
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２
ＳｉＯ2）のいずれか１種としたので、この上部材４３
を酸化性雰囲気に対して安定化させることができ、Ｓｉ
単結晶の汚染を防止することができる。したがって、該
Ｓｉ単結晶中の結晶欠陥密度を低減することができ、こ
のＳｉ単結晶の品質を向上させることができる。また、
万一前記材料がＳｉ単結晶に固溶しても特性に影響を及
ぼすことがない。
【００５４】この一実施例においても、上述した単結晶
引上装置１と同様にＳｉ単結晶の汚染を防止することが
できる単結晶引上装置を提供することが可能になる。
引上装置１と同様にＳｉ単結晶の汚染を防止することが
できる単結晶引上装置を提供することが可能になる。
【００５５】（第４実施例）図６及び図７は、本発明に
係る単結晶引上装置の内ルツボの他の一実施例を示すも
ので、上述した内ルツボ３１，４１を変形したものであ
る。
係る単結晶引上装置の内ルツボの他の一実施例を示すも
ので、上述した内ルツボ３１，４１を変形したものであ
る。
【００５６】この変形した内ルツボ５１についても、上
述した各実施例と同様に、この内ルツボ５１の構成要素
以外の要素については上述した単結晶引上装置１の各構
成要素と全く同一であるから、これら同一の構成要素に
ついては説明を省略する。
述した各実施例と同様に、この内ルツボ５１の構成要素
以外の要素については上述した単結晶引上装置１の各構
成要素と全く同一であるから、これら同一の構成要素に
ついては説明を省略する。
【００５７】内ルツボ５１は、円筒状の石英（Ｓｉ
Ｏ2）製の下部材５２と、該下部材５２より拡径された
円筒状のアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムライト（３Ａｌ
2Ｏ3・２ＳｉＯ2）製の上部材５３とから構成されてい
る。
Ｏ2）製の下部材５２と、該下部材５２より拡径された
円筒状のアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムライト（３Ａｌ
2Ｏ3・２ＳｉＯ2）製の上部材５３とから構成されてい
る。
【００５８】前記下部材５２の上端部５２ａには径方向
外方へ突出する一対の突起５４，５４が前記下部材５２
の軸線を中心とする対称の位置に形成されている。ま
た、前記上部材５３の下端部５３ａの径方向内方には、
下端部５３ａから垂直上方に略Ｌ字型に延び該Ｌ字の先
端が垂直上方に延びる係合溝５５がこの上部材５３の軸
線を中心とする対称の位置にそれぞれ形成されている。
この係合溝５５は突起５４と係合する構成である。
外方へ突出する一対の突起５４，５４が前記下部材５２
の軸線を中心とする対称の位置に形成されている。ま
た、前記上部材５３の下端部５３ａの径方向内方には、
下端部５３ａから垂直上方に略Ｌ字型に延び該Ｌ字の先
端が垂直上方に延びる係合溝５５がこの上部材５３の軸
線を中心とする対称の位置にそれぞれ形成されている。
この係合溝５５は突起５４と係合する構成である。
【００５９】下部材５２の突起５４，５４各々を上部材
５３の係合溝５５，５５各々に係合することにより、前
記上部材５３と下部材５２とを一体化した内ルツボ５１
とすることができる。
５３の係合溝５５，５５各々に係合することにより、前
記上部材５３と下部材５２とを一体化した内ルツボ５１
とすることができる。
【００６０】以上説明した様に、上記一実施例の内ルツ
ボ５１によれば、該内ルツボ５１の上部材５３の材質を
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２
ＳｉＯ2）のいずれか１種としたので、この上部材５３
を酸化性雰囲気に対して安定化させることができ、Ｓｉ
単結晶の汚染を防止することができる。したがって、該
Ｓｉ単結晶中の結晶欠陥密度を低減することができ、こ
のＳｉ単結晶の品質を向上させることができる。また、
万一前記材料がＳｉ単結晶に固溶しても特性に影響を及
ぼすことがない。
ボ５１によれば、該内ルツボ５１の上部材５３の材質を
アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２
ＳｉＯ2）のいずれか１種としたので、この上部材５３
を酸化性雰囲気に対して安定化させることができ、Ｓｉ
単結晶の汚染を防止することができる。したがって、該
Ｓｉ単結晶中の結晶欠陥密度を低減することができ、こ
のＳｉ単結晶の品質を向上させることができる。また、
万一前記材料がＳｉ単結晶に固溶しても特性に影響を及
ぼすことがない。
【００６１】この一実施例においても、上述した単結晶
引上装置１と同様にＳｉ単結晶の汚染を防止することが
できる単結晶引上装置を提供することが可能になる。
引上装置１と同様にＳｉ単結晶の汚染を防止することが
できる単結晶引上装置を提供することが可能になる。
【００６２】なお、上記の各実施例において示した本発
明の支持部材１４及び内ルツボの上部材３３，… のそ
れぞれの構成は、その細部が前記各実施例に限定され
ず、種々の変形が可能である。
明の支持部材１４及び内ルツボの上部材３３，… のそ
れぞれの構成は、その細部が前記各実施例に限定され
ず、種々の変形が可能である。
【００６３】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明の請求項１記
載の単結晶引上装置によれば、気密容器の内部に設けら
れ内ルツボ及び外ルツボからなる二重ルツボに半導体融
液を貯留し、該半導体融液より半導体単結晶を引き上げ
る単結晶引上装置において、前記内ルツボは、前記半導
体単結晶の特性に影響を及ぼさない無機酸化物を主成分
とする支持部材により支持してなることとしたので、引
き上げる半導体単結晶の炭素汚染や重金属汚染を防止す
ることができ、したがって、該半導体単結晶中の結晶欠
陥密度を低減することができ、この半導体単結晶の品質
を向上させることができる。また、万一前記材料がこの
半導体単結晶中に固溶しても該半導体単結晶の特性に影
響を及ぼすことがない。
載の単結晶引上装置によれば、気密容器の内部に設けら
れ内ルツボ及び外ルツボからなる二重ルツボに半導体融
液を貯留し、該半導体融液より半導体単結晶を引き上げ
る単結晶引上装置において、前記内ルツボは、前記半導
体単結晶の特性に影響を及ぼさない無機酸化物を主成分
とする支持部材により支持してなることとしたので、引
き上げる半導体単結晶の炭素汚染や重金属汚染を防止す
ることができ、したがって、該半導体単結晶中の結晶欠
陥密度を低減することができ、この半導体単結晶の品質
を向上させることができる。また、万一前記材料がこの
半導体単結晶中に固溶しても該半導体単結晶の特性に影
響を及ぼすことがない。
【００６４】また、請求項２記載の単結晶引上装置によ
れば、気密容器の内部に設けられ内ルツボ及び外ルツボ
からなる二重ルツボに半導体融液を貯留し、該半導体融
液より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装置におい
て、前記内ルツボの上部は、前記半導体単結晶の特性に
影響を及ぼさない無機酸化物を主成分とする材料からな
ることとしたので、引き上げる半導体単結晶の炭素汚染
や重金属汚染を防止することができ、したがって、該半
導体単結晶中の結晶欠陥密度を低減することができ、こ
の半導体単結晶の品質を向上させることができる。ま
た、万一前記材料がこの半導体単結晶中に固溶しても該
半導体単結晶の特性に影響を及ぼすことがない。
れば、気密容器の内部に設けられ内ルツボ及び外ルツボ
からなる二重ルツボに半導体融液を貯留し、該半導体融
液より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装置におい
て、前記内ルツボの上部は、前記半導体単結晶の特性に
影響を及ぼさない無機酸化物を主成分とする材料からな
ることとしたので、引き上げる半導体単結晶の炭素汚染
や重金属汚染を防止することができ、したがって、該半
導体単結晶中の結晶欠陥密度を低減することができ、こ
の半導体単結晶の品質を向上させることができる。ま
た、万一前記材料がこの半導体単結晶中に固溶しても該
半導体単結晶の特性に影響を及ぼすことがない。
【００６５】また、請求項３記載の単結晶引上装置によ
れば、請求項１または２記載の単結晶引上装置におい
て、前記無機酸化物は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはム
ライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）のいずれか１種であ
ることとしたので、前記支持部材または前記内ルツボの
上部を酸化性雰囲気に対して安定化させることができ、
半導体単結晶の汚染を防止することができ、したがっ
て、該半導体単結晶中の結晶欠陥密度を低減することが
でき、この半導体単結晶の品質を向上させることができ
る。また、万一前記材料が半導体単結晶中に固溶しても
該半導体単結晶の特性に影響を及ぼすことがない。
れば、請求項１または２記載の単結晶引上装置におい
て、前記無機酸化物は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）またはム
ライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）のいずれか１種であ
ることとしたので、前記支持部材または前記内ルツボの
上部を酸化性雰囲気に対して安定化させることができ、
半導体単結晶の汚染を防止することができ、したがっ
て、該半導体単結晶中の結晶欠陥密度を低減することが
でき、この半導体単結晶の品質を向上させることができ
る。また、万一前記材料が半導体単結晶中に固溶しても
該半導体単結晶の特性に影響を及ぼすことがない。
【００６６】以上により、引き上げる半導体単結晶の炭
素汚染や重金属汚染を防止することができ、該半導体単
結晶中の結晶欠陥密度を低減させることのできる単結晶
引上装置を提供することが可能になる。
素汚染や重金属汚染を防止することができ、該半導体単
結晶中の結晶欠陥密度を低減させることのできる単結晶
引上装置を提供することが可能になる。
【図１】本発明の第１実施例の単結晶引上装置を示す概
略断面図である。
略断面図である。
【図２】本発明の第２実施例の単結晶引上装置の内ルツ
ボを示す概略断面図である。
ボを示す概略断面図である。
【図３】本発明の第２実施例の単結晶引上装置の内ルツ
ボを示す概略断面図である。
ボを示す概略断面図である。
【図４】本発明の第３実施例の単結晶引上装置の内ルツ
ボを示す概略断面図である。
ボを示す概略断面図である。
【図５】本発明の第３実施例の単結晶引上装置の内ルツ
ボを示す概略断面図である。
ボを示す概略断面図である。
【図６】本発明の第４実施例の単結晶引上装置の内ルツ
ボを示す概略断面図である。
ボを示す概略断面図である。
【図７】本発明の第４実施例の単結晶引上装置の内ルツ
ボを示す概略断面図である。
ボを示す概略断面図である。
１ 単結晶引上装置 ２ 気密容器 ３ シャフト ４ サセプタ ５ 二重ルツボ ６ Ｓｉ融液（半導体融液） ７ ヒーター ８ 原料供給装置 １１ 外ルツボ １２ 内ルツボ １３ 連通孔 １４ 支持部材 １５ ボルト １６ ナット ２１ 液面 ２２ Ｓｉ種結晶 ２３ Ｓｉ単結晶（半導体単結晶） ３１ 内ルツボ ３２ 下部材 ３３ 上部材 ３５ 雌ネジ部 ３６ 雄ネジ部 ４１ 内ルツボ ４２ 下部材 ４３ 上部材 ４４ 突起 ４５ 溝 ４６ 係止片 ４７ ピン ４８ 孔 ５１ 内ルツボ ５２ 下部材 ５３ 上部材 ５４ 突起 ５５ 係合溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐平 健彰 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社中央研究所内
Claims (3)
- 【請求項１】 気密容器の内部に設けられ内ルツボ及び
外ルツボからなる二重ルツボに半導体融液を貯留し、該
半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装
置において、 前記内ルツボは、前記半導体単結晶の特性に影響を及ぼ
さない無機酸化物を主成分とする支持部材により支持し
てなることを特徴とする単結晶引上装置。 - 【請求項２】 気密容器の内部に設けられ内ルツボ及び
外ルツボからなる二重ルツボに半導体融液を貯留し、該
半導体融液より半導体単結晶を引き上げる単結晶引上装
置において、 前記内ルツボの上部は、前記半導体単結晶の特性に影響
を及ぼさない無機酸化物を主成分とする材料からなるこ
とを特徴とする単結晶引上装置。 - 【請求項３】 前記無機酸化物は、アルミナ（Ａｌ
2Ｏ3）またはムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）のい
ずれか１種であることを特徴とする請求項１または２記
載の単結晶引上装置。
Priority Applications (4)
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|---|---|---|---|
| JP03190274A JP3077273B2 (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 単結晶引上装置 |
| US07/921,896 US5306474A (en) | 1991-07-30 | 1992-07-29 | Apparatus for growing single crystals |
| DE69201693T DE69201693T2 (de) | 1991-07-30 | 1992-07-30 | Vorrichtung zur Züchtung von Einkristallen. |
| EP92113003A EP0525765B1 (en) | 1991-07-30 | 1992-07-30 | Apparatus for growing single crystals |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03190274A JP3077273B2 (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 単結晶引上装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0585880A true JPH0585880A (ja) | 1993-04-06 |
| JP3077273B2 JP3077273B2 (ja) | 2000-08-14 |
Family
ID=16255431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03190274A Expired - Fee Related JP3077273B2 (ja) | 1991-07-30 | 1991-07-30 | 単結晶引上装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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