JPH0582432A - 半導体装置の製造装置 - Google Patents
半導体装置の製造装置Info
- Publication number
- JPH0582432A JPH0582432A JP24224691A JP24224691A JPH0582432A JP H0582432 A JPH0582432 A JP H0582432A JP 24224691 A JP24224691 A JP 24224691A JP 24224691 A JP24224691 A JP 24224691A JP H0582432 A JPH0582432 A JP H0582432A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- processing chamber
- semiconductor device
- photoresist
- manufacturing apparatus
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】処理室内の雰囲気を排除する際に、ウェハー上
のフォトレジスト等の膜口の偏差を小とし、かつ、ごみ
の影響を小とする。 【構成】処理室３内の雰囲気を排除する排気口を、ウェ
ハー２と水平な位置に設置する。 【効果】ウェハーの邪魔板としての要因を排除でき、処
理室内の気体の流れを層流に保つことにより、ウェハー
上のフォトレジスト等の膜厚の偏差を小とし、かつ、ゴ
ミの発生を防止できる。
のフォトレジスト等の膜口の偏差を小とし、かつ、ごみ
の影響を小とする。 【構成】処理室３内の雰囲気を排除する排気口を、ウェ
ハー２と水平な位置に設置する。 【効果】ウェハーの邪魔板としての要因を排除でき、処
理室内の気体の流れを層流に保つことにより、ウェハー
上のフォトレジスト等の膜厚の偏差を小とし、かつ、ゴ
ミの発生を防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造装置に
かかり、特にフォトレジストの塗布及び現像装置に関す
る。
かかり、特にフォトレジストの塗布及び現像装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置の製造装置
は、半導体基板（以下ウェハーという）上にフォトレジ
ストを塗布し、一様な厚さをもつフォトレジスト膜を形
成し、別に設置された露光装置により、フォトレジスト
膜上にパターンを焼き付け、再びこの半導体装置の製造
装置で現像し、ウェハー上にフォトレジストパターンを
形成する装置である。
は、半導体基板（以下ウェハーという）上にフォトレジ
ストを塗布し、一様な厚さをもつフォトレジスト膜を形
成し、別に設置された露光装置により、フォトレジスト
膜上にパターンを焼き付け、再びこの半導体装置の製造
装置で現像し、ウェハー上にフォトレジストパターンを
形成する装置である。
【０００３】近年、半導体集積回路の高集積化に伴い、
このフォトレジストパターンの微細化が進み、処理室内
の雰囲気管理が重要な課題となってきた。
このフォトレジストパターンの微細化が進み、処理室内
の雰囲気管理が重要な課題となってきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】先述した従来の半導体
装置の製造装置では処理室内の排気を行う排気口が処理
室内の気流に対してウェハー自体が邪魔板の役割を果た
すようになっていた。そのため、ウェハー上に渦を伴っ
た乱流が発生してしまい、フォトレジスト膜の膜厚バラ
ツキを誘発しかつ処理室内のごみを巻き上げてしまい、
製品の品質に対して重大な問題を引きおこす要因となっ
ていた。
装置の製造装置では処理室内の排気を行う排気口が処理
室内の気流に対してウェハー自体が邪魔板の役割を果た
すようになっていた。そのため、ウェハー上に渦を伴っ
た乱流が発生してしまい、フォトレジスト膜の膜厚バラ
ツキを誘発しかつ処理室内のごみを巻き上げてしまい、
製品の品質に対して重大な問題を引きおこす要因となっ
ていた。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、ウェハーを処
理室内で真空吸着後、回転運動させ、薬液にて処理を行
う半導体装置の製造装置において、処理室内の雰囲気を
排気する排気口をウェハーと水平な位置に設けることに
より、ウェハー周辺の気体流れを円滑にすることを特徴
としている。
理室内で真空吸着後、回転運動させ、薬液にて処理を行
う半導体装置の製造装置において、処理室内の雰囲気を
排気する排気口をウェハーと水平な位置に設けることに
より、ウェハー周辺の気体流れを円滑にすることを特徴
としている。
【０００６】
【実施例】次に本発明について図面をい参照して説明す
る。
る。
【０００７】図２は従来の半導体装置の製造装置の処理
室の断面図であり、図１は本発明の一実施例の処理断面
図である。
室の断面図であり、図１は本発明の一実施例の処理断面
図である。
【０００８】図２及び図１に示すようにカバー１で形成
される処理室３と、この処理室３内に収納されるウェハ
ー２を搭載し高速回転するチャック４と、フォトレジス
ト液，現像液及び洗浄液をウェハー２に滴下するノズル
等（図示せず）と、処理室３と接続される排気管とを有
して構成される。
される処理室３と、この処理室３内に収納されるウェハ
ー２を搭載し高速回転するチャック４と、フォトレジス
ト液，現像液及び洗浄液をウェハー２に滴下するノズル
等（図示せず）と、処理室３と接続される排気管とを有
して構成される。
【０００９】従来の処理室では、図２に示すように処理
室３の気流は排気管５を通過して排出されるが、点線で
その気流を示すように、ウェハー２の影響により処理室
２内に渦を伴った乱流を発生させてしまっている。この
為にウェハー２上の膜厚バラツキを誘発しかつ処理室３
内のゴミをまき上げてしまい、製品の品質に重大な影響
を与えていた。
室３の気流は排気管５を通過して排出されるが、点線で
その気流を示すように、ウェハー２の影響により処理室
２内に渦を伴った乱流を発生させてしまっている。この
為にウェハー２上の膜厚バラツキを誘発しかつ処理室３
内のゴミをまき上げてしまい、製品の品質に重大な影響
を与えていた。
【００１０】そこで本発明では図１に示すように処理室
３内の排気を行う排気口をウェハー２と水平に設置しそ
こに排気管１５を接続することにより、ウェハー２自体
の邪魔板としての影響を排除し、点線で気流を示すごと
く処理室３内の気流を層流状態のまま排出することが可
能となる。この為に気流によるウェハー２上の膜口に与
える影響を排除でき、かつ処理室３内のゴミまき上げを
防ぐことが可能となる。
３内の排気を行う排気口をウェハー２と水平に設置しそ
こに排気管１５を接続することにより、ウェハー２自体
の邪魔板としての影響を排除し、点線で気流を示すごと
く処理室３内の気流を層流状態のまま排出することが可
能となる。この為に気流によるウェハー２上の膜口に与
える影響を排除でき、かつ処理室３内のゴミまき上げを
防ぐことが可能となる。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、処理室内
の雰囲気を排除するための排気口をウェハーと水平な位
置に設置することにより、膜厚のバラツキ及び処理室内
のゴミ発生を押さえられるという効果を有する。
の雰囲気を排除するための排気口をウェハーと水平な位
置に設置することにより、膜厚のバラツキ及び処理室内
のゴミ発生を押さえられるという効果を有する。
【図１】図１は本発明の一実施例の処理室の断面図であ
る。
る。
【図２】図２は従来の半導体装置の製造装置の処理室の
断面図である。
断面図である。
１ カバー ２ ウェハー ３ 処理室 ４ チャック ５，１５ 排気管 ａ 排気方向
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板を処理室内にて真空吸着後回
転運動させ、薬液にて処理を行う半導体装置の製造装置
において、前記処理室内の雰囲気を排気する排気ダクト
を前記半導体基板と水平な位置で前記半導体基板の円周
側にとりつけたことを特徴とする半導体装置の製造装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24224691A JPH0582432A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体装置の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24224691A JPH0582432A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体装置の製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582432A true JPH0582432A (ja) | 1993-04-02 |
Family
ID=17086423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24224691A Pending JPH0582432A (ja) | 1991-09-24 | 1991-09-24 | 半導体装置の製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0582432A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009032777A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
-
1991
- 1991-09-24 JP JP24224691A patent/JPH0582432A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009032777A (ja) * | 2007-07-25 | 2009-02-12 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
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