JPH0580721B2 - - Google Patents
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- JPH0580721B2 JPH0580721B2 JP25297084A JP25297084A JPH0580721B2 JP H0580721 B2 JPH0580721 B2 JP H0580721B2 JP 25297084 A JP25297084 A JP 25297084A JP 25297084 A JP25297084 A JP 25297084A JP H0580721 B2 JPH0580721 B2 JP H0580721B2
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- Japan
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- magnetic recording
- recording medium
- binary information
- differential amplifier
- magnetic
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- 239000000284 extract Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005347 demagnetization Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
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- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
Landscapes
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気記録再生装置、特に磁気抵抗素子
を読取り素子とする再生ヘツドと直流消磁ヘツド
とを備える磁気記録再生装置に関する。
を読取り素子とする再生ヘツドと直流消磁ヘツド
とを備える磁気記録再生装置に関する。
磁気抵抗（magneto resistive：MR）素子は、
磁性導体に磁界を印加した時その抵抗値が変化す
る性質すなわち磁気抵抗効果を応用した素子であ
り、これを読取り素子として用いる再生ヘツドを
磁気抵抗ヘツド（MRヘツド）と称する。
磁性導体に磁界を印加した時その抵抗値が変化す
る性質すなわち磁気抵抗効果を応用した素子であ
り、これを読取り素子として用いる再生ヘツドを
磁気抵抗ヘツド（MRヘツド）と称する。
第２図はMR素子の特性を示す図であり、横軸
および縦軸は、それぞれ磁界強度Ｈおよび抵抗値
ρであり、磁界強度Ｈの正負に対し抵抗値ρが偶
関数的に変化することを示している。
および縦軸は、それぞれ磁界強度Ｈおよび抵抗値
ρであり、磁界強度Ｈの正負に対し抵抗値ρが偶
関数的に変化することを示している。
MR素子を再生ヘツドの読取り素子として用い
る場合、図示のようなρ−Ｈ曲線の非直線性を除
くため、導体バイアス法・シヤント法あるいは相
互バイアス法等が提案されている。
る場合、図示のようなρ−Ｈ曲線の非直線性を除
くため、導体バイアス法・シヤント法あるいは相
互バイアス法等が提案されている。
これらのうち、相互バイアス法は一対のMR素
子の出力を差動増幅器を介して取り出すことによ
つて、前記の非直線性による影響を除いたもので
あつて、高密度記録の再生に適し高出力が得られ
るという利点のほか、コモンモードのノイズに強
いという利点がある。
子の出力を差動増幅器を介して取り出すことによ
つて、前記の非直線性による影響を除いたもので
あつて、高密度記録の再生に適し高出力が得られ
るという利点のほか、コモンモードのノイズに強
いという利点がある。
ところで、磁気記録再生装置においては、一般
に、磁化反転を利用して磁気記録媒体に対し２値
情報を記録し、記録された２値情報の読取り（再
生）においては、再生ヘツドを介して得られる再
生信号のピークを検出し、これによつて磁気記録
媒体上の磁化反転部を検出するのであるが、前記
再生信号中のピークが時間軸方向に移動する（こ
れをピークシフトと称する）ことがあり、そのた
めに記録情報の再生が正しく行われないことがあ
る。
に、磁化反転を利用して磁気記録媒体に対し２値
情報を記録し、記録された２値情報の読取り（再
生）においては、再生ヘツドを介して得られる再
生信号のピークを検出し、これによつて磁気記録
媒体上の磁化反転部を検出するのであるが、前記
再生信号中のピークが時間軸方向に移動する（こ
れをピークシフトと称する）ことがあり、そのた
めに記録情報の再生が正しく行われないことがあ
る。
したがつて、磁気記録再生装置においては、前
記ピークシフトあるいはその影響を減少するよう
に設計されることが重要である。
記ピークシフトあるいはその影響を減少するよう
に設計されることが重要である。
第３図ａは前記相互バイアス法によつて構成さ
れるMRヘツドの原理図を示す図である。
れるMRヘツドの原理図を示す図である。
図において、１と２は同じ特性を有する一対の
MR素子であり、磁気記録媒体３の走行方向（矢
印Ｔ）に対し微小距離ｌ（例えば0.5μm）を隔て
薄膜プロセスによつて構成されている。
MR素子であり、磁気記録媒体３の走行方向（矢
印Ｔ）に対し微小距離ｌ（例えば0.5μm）を隔て
薄膜プロセスによつて構成されている。
MR素子１および２には、それぞれ、定電流源
４および５によつて矢印方向にセンス電流Isが流
されている。
４および５によつて矢印方向にセンス電流Isが流
されている。
各センス電流Isは、それぞれ相互に、MR素子
１および同２に対しバイアス磁界Hbおよび−Hb
を与える（第３図ｂ参照）とともに、矢印Ｔ方向
に相対的に走行する磁気記録媒体３が作る磁界強
度の変化によつてMR素子１および同２に生ずる
抵抗変化を、電圧変化として検出するために与え
るものであり、このようにしてMR素子１および
同２によつて得られた電圧変化は、それぞれコン
デンサ６と７とを介し差動増幅器８に入力され
る。
１および同２に対しバイアス磁界Hbおよび−Hb
を与える（第３図ｂ参照）とともに、矢印Ｔ方向
に相対的に走行する磁気記録媒体３が作る磁界強
度の変化によつてMR素子１および同２に生ずる
抵抗変化を、電圧変化として検出するために与え
るものであり、このようにしてMR素子１および
同２によつて得られた電圧変化は、それぞれコン
デンサ６と７とを介し差動増幅器８に入力され
る。
第３図ｂにおいて、ＡおよびＢは、それぞれ、
MR素子１および同２に与えられる磁界強度Ｈの
変化を、またA′およびB′は、それぞれ、MR素子
１および同２の抵抗値ρの変化を例示したもので
あるが、MR素子は、その組成・薄膜プロセス条
件等によつて、安定な特性を得ることが非常に困
難であり、また適正なバイアスが変化して直線性
が失われることがある。
MR素子１および同２に与えられる磁界強度Ｈの
変化を、またA′およびB′は、それぞれ、MR素子
１および同２の抵抗値ρの変化を例示したもので
あるが、MR素子は、その組成・薄膜プロセス条
件等によつて、安定な特性を得ることが非常に困
難であり、また適正なバイアスが変化して直線性
が失われることがある。
このよな場合には、磁気記録媒体３の走行によ
つて、一対のMR素子１および２に与えられる磁
界強度Ｈが、それぞれ、ＡおよびＢのように対称
的に変化しても、MR素子１および２の出力は、
それぞれA′およびB′のように非対称的に変化し、
共にピークの高さは負よりも正の方が大きい。
つて、一対のMR素子１および２に与えられる磁
界強度Ｈが、それぞれ、ＡおよびＢのように対称
的に変化しても、MR素子１および２の出力は、
それぞれA′およびB′のように非対称的に変化し、
共にピークの高さは負よりも正の方が大きい。
一方、前記のように、MR素子１と同２は、磁
気記録媒体３の走行方向Ｔに対し微小距離ｌを隔
てて設けられている。このため、磁気記録媒体３
の走行速度をｖとすると、MR素子１と同２とに
よつて検出される抵抗値の変化にはΔt＝ｌ／ｖ
の時間差が生ずる。
気記録媒体３の走行方向Ｔに対し微小距離ｌを隔
てて設けられている。このため、磁気記録媒体３
の走行速度をｖとすると、MR素子１と同２とに
よつて検出される抵抗値の変化にはΔt＝ｌ／ｖ
の時間差が生ずる。
その結果、差動増幅器８の入力と出力との間係
は第３図ｃに示すような関係になる。すなわち、
実線はMR素子１から与えられる入力、鎖線は
MR素子２から与えられ入力（符号を反転して示
す）であり、また点線はその出力（ただしピーク
の前後のみを示す）である。
は第３図ｃに示すような関係になる。すなわち、
実線はMR素子１から与えられる入力、鎖線は
MR素子２から与えられ入力（符号を反転して示
す）であり、また点線はその出力（ただしピーク
の前後のみを示す）である。
通常、MR素子１と同２の出力信号は裾の部分
では重なつていおり、このような信号が差動増幅
器８に入力されると、差動増幅器８の出力のピー
クは、二つの入力信号のピークの中央よりも高い
方のピークに片寄つたところに生じる。
では重なつていおり、このような信号が差動増幅
器８に入力されると、差動増幅器８の出力のピー
クは、二つの入力信号のピークの中央よりも高い
方のピークに片寄つたところに生じる。
したがつて、MR素子１から与えられる入力
（実線）のピークを基準にすると、差動増幅器８
の出力（点線）の正のピークの遅れΔt1、および
負のピーク遅れΔt2は、それぞれ Δt1＜1/2Δt Δt2＞1/2Δt となり、従つて、 Δt2＞Δt1 となる。
（実線）のピークを基準にすると、差動増幅器８
の出力（点線）の正のピークの遅れΔt1、および
負のピーク遅れΔt2は、それぞれ Δt1＜1/2Δt Δt2＞1/2Δt となり、従つて、 Δt2＞Δt1 となる。
すなわち、差動増幅器８の出力のピークの遅れ
すなわちシフトは、その値が正の場合と負の場合
とによつて異なつた値になり、いわゆる上下非対
称ピークシフトが生ずる。その結果、磁化反転を
正確に検出できないという問題点がある。
すなわちシフトは、その値が正の場合と負の場合
とによつて異なつた値になり、いわゆる上下非対
称ピークシフトが生ずる。その結果、磁化反転を
正確に検出できないという問題点がある。
本発明の磁気記録再生装置は、直流消磁ヘツド
により磁気記録媒体の消磁を行つた後、この磁気
記録媒体に２値情報を記録し、この磁気記録媒体
の走行方向に対し直角な方向に所定の間隔で配置
され、同一方向に流れるバイアス電流を供給され
る一対の磁気抵抗素子によつて、前記２値情報を
読出す。
により磁気記録媒体の消磁を行つた後、この磁気
記録媒体に２値情報を記録し、この磁気記録媒体
の走行方向に対し直角な方向に所定の間隔で配置
され、同一方向に流れるバイアス電流を供給され
る一対の磁気抵抗素子によつて、前記２値情報を
読出す。
そして、前記一対の磁気抵抗素子に対して前記
磁気記録媒体から与えられる磁界の変化に対応し
て各磁気抵抗素子毎に夫々変化する抵抗値の変化
分を抽出して合成した再生信号を送出する差動増
幅器を設けており、前記直流消磁ヘツドに流す直
流電流によつて、前記磁気記録媒体に残留磁化を
与えることにより、前記２値情報の記録領域をず
らし、前記磁気抵抗素子の磁界強度に対する抵抗
値変化量の非直線性と、前記所定の間隔に対応す
る時間差で夫々の磁気抵抗素子から得られる前記
バイアス電流の変化分を合成することによつて発
生する前記差動増幅器が送出する再生信号のピー
クシフトを補正するようにしたものである。
磁気記録媒体から与えられる磁界の変化に対応し
て各磁気抵抗素子毎に夫々変化する抵抗値の変化
分を抽出して合成した再生信号を送出する差動増
幅器を設けており、前記直流消磁ヘツドに流す直
流電流によつて、前記磁気記録媒体に残留磁化を
与えることにより、前記２値情報の記録領域をず
らし、前記磁気抵抗素子の磁界強度に対する抵抗
値変化量の非直線性と、前記所定の間隔に対応す
る時間差で夫々の磁気抵抗素子から得られる前記
バイアス電流の変化分を合成することによつて発
生する前記差動増幅器が送出する再生信号のピー
クシフトを補正するようにしたものである。
すなわち、MRヘツドのピークシフトを直流消
磁のために生ずるピークシフトによつて相殺する
ようにしたものである。
磁のために生ずるピークシフトによつて相殺する
ようにしたものである。
以下に本発明の要旨を第１図に示す実施例によ
つて具体的に説明する。
つて具体的に説明する。
第１図ａは本発明一実施例の構成を示す側断面
図であり、第３図ａと共通の符号は同一対象を指
す他、９１と９２は直流消磁ヘツド９を構成する
磁気コアと消磁コイルを示す。
図であり、第３図ａと共通の符号は同一対象を指
す他、９１と９２は直流消磁ヘツド９を構成する
磁気コアと消磁コイルを示す。
消磁コイル９２に矢印Ｉ方向に消磁電流を印加
すると、磁気コア９１は図示ＮとＳのような極性
に磁化され、その結果、磁気記録媒体３の直流消
磁が行われる。
すると、磁気コア９１は図示ＮとＳのような極性
に磁化され、その結果、磁気記録媒体３の直流消
磁が行われる。
第１図ｂはこの時の磁気記録媒体３の磁化状態
を示す模擬断面図であり、直流消磁によつて、磁
気記録媒体３の走行方向Ｔに対し逆の方向Ｍの残
留磁化が与えられる。
を示す模擬断面図であり、直流消磁によつて、磁
気記録媒体３の走行方向Ｔに対し逆の方向Ｍの残
留磁化が与えられる。
一方、情報の記録によつて、磁気記録媒体３の
走行方向Ｔに対し、反対の方向に磁化される領域
Ｐと同じ方向に磁化される領域Ｑとが生ずる。
走行方向Ｔに対し、反対の方向に磁化される領域
Ｐと同じ方向に磁化される領域Ｑとが生ずる。
磁化反転領域がＱからＰに変化する時に正の磁
化反転信号が得られ、磁化反転領域がＰからＱに
変化する時に負の磁化反転信号が得られるのであ
るが、領域Ｑでは、直流消磁における残留磁化の
ために、残留磁化がない場合（実線）に比し、点
線のように磁化領域が狭められるのに対し、領域
Ｐでは磁化が飽和状態になつているため直流消磁
における残留磁化の影響を受けない。
化反転信号が得られ、磁化反転領域がＰからＱに
変化する時に負の磁化反転信号が得られるのであ
るが、領域Ｑでは、直流消磁における残留磁化の
ために、残留磁化がない場合（実線）に比し、点
線のように磁化領域が狭められるのに対し、領域
Ｐでは磁化が飽和状態になつているため直流消磁
における残留磁化の影響を受けない。
その結果、負の磁化反転信号に対してのみピー
クシフトが与えられ、第３図ｃに示す正のピーク
シフトΔt1および負のピークシフトΔt2のうち、
負のピークシフトΔt2のみを減少させるように作
用し、従つて上下非対称ピークシフトを減少させ
ることが出来る。
クシフトが与えられ、第３図ｃに示す正のピーク
シフトΔt1および負のピークシフトΔt2のうち、
負のピークシフトΔt2のみを減少させるように作
用し、従つて上下非対称ピークシフトを減少させ
ることが出来る。
以上説明したように、本発明によればMRヘツ
ドにおける非対称ピークシフトを減少し、磁気記
録媒体に記録される情報を正確に読み取ることが
出来る。
ドにおける非対称ピークシフトを減少し、磁気記
録媒体に記録される情報を正確に読み取ることが
出来る。
第１図ａは本発明一実施例の構成図、第１図ｂ
は同実施例の説明図、第２図はMR素子の特性
図、第３図ａは従来例の構成図、第３図ｂとｃは
従来例の問題点の説明図である。 図中、１と２はMR素子、３は磁気記録媒体、
４と５は定電流源、８は差動増幅器、９は直流消
磁ヘツドを示す。
は同実施例の説明図、第２図はMR素子の特性
図、第３図ａは従来例の構成図、第３図ｂとｃは
従来例の問題点の説明図である。 図中、１と２はMR素子、３は磁気記録媒体、
４と５は定電流源、８は差動増幅器、９は直流消
磁ヘツドを示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 直流消磁ヘツドにより磁気記録媒体の消磁を
行つた後、該磁気記録媒体に２値情報を記録し、
該磁気記録媒体の走行方向に対し直角な方向に所
定の間隔で配置され、同一方向に流れるバイアス
電流を供給される一対の磁気抵抗素子によつて、
該２値情報を読出す磁気記録再生装置であつて、 前記一対の磁気抵抗素子に対して前記磁気記録
媒体から与えられる磁界の変化に対応して各磁気
抵抗素子毎に夫々変化する抵抗値の変化分を抽出
して合成した再生信号を送出する差動増幅器を設
け、 前記直流消磁ヘツドに流す直流電流によつて、
前記磁気記録媒体に残留磁化を与えることによ
り、前記２値情報の記録領域をずらし、前記磁気
抵抗素子の磁界強度に対する抵抗値変化量の非直
線性と、前記所定の間隔に対応する時間差で夫々
の磁気抵抗素子から得られる前記バイアス電流の
変化分を合成することによつて発生する前記差動
増幅器が送出する再生信号のピークシフトを補正
するようにしたことを特徴とする磁気記録再生装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25297084A JPS61131203A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 磁気記録再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25297084A JPS61131203A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 磁気記録再生装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61131203A JPS61131203A (ja) | 1986-06-18 |
| JPH0580721B2 true JPH0580721B2 (ja) | 1993-11-10 |
Family
ID=17244685
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25297084A Granted JPS61131203A (ja) | 1984-11-30 | 1984-11-30 | 磁気記録再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61131203A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07134804A (ja) * | 1993-09-17 | 1995-05-23 | Fujitsu Ltd | 記録再生装置及び記録再生方法 |
-
1984
- 1984-11-30 JP JP25297084A patent/JPS61131203A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61131203A (ja) | 1986-06-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |