JPH057844B2 - - Google Patents

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JPH057844B2
JPH057844B2 JP61138346A JP13834686A JPH057844B2 JP H057844 B2 JPH057844 B2 JP H057844B2 JP 61138346 A JP61138346 A JP 61138346A JP 13834686 A JP13834686 A JP 13834686A JP H057844 B2 JPH057844 B2 JP H057844B2
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JP
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coil
magnetic field
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transistor
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Hisatoshi Baba
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Priority to DE8787305339T priority patent/DE3781474T2/de
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Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は電磁石の磁界発生装置に係り、特に高
速に磁界を切換え得る電磁石駆動方法に関する。
(従来の技術) 従来磁界を発生させるための装置として、電磁
石を用いた電磁変換装置が知られている。
テープレコーダ等の磁気ヘツドに用いられる電
磁石においては、磁気ヘツドとテープとを接触さ
せて情報の記録再生を行うようにしてあるため、
磁気ヘツドの近傍においてのみ大きな磁束密度が
得られれば十分であるので、その分装置の小型化
が容易であり、しかも電磁石の応答性は良好に得
られる。又、該磁気ヘツドの左右両極のギヤツプ
等を調整することにより、磁束を集中させること
ができるので、該装置を小型化しても大きな磁束
密度を得ることができる。
(発明が解決しようとする問題点) しかしながら、近年情報の記録再生のための装
置として多用されつつある光磁気デイスク装置に
おけるバイアス磁界発生用の電磁石においては、
電磁石から数mm離れてもなお数百〜数kOeの磁束
密度が必要とされている。これは、磁化媒体が磁
気デイスク表面から1.2mm程度内側にあり、さら
に該デイスクが回転する際、同デイスクの面振れ
により、デイスク面が垂直方向に1mm程度上下動
するので、磁化媒体を電磁石から2mm程度以内に
近づけることは困難であるからである。
したがつて、光磁気デイスク装置の場合におい
ては、所要の磁束密度を得るために比較的大きな
電磁石を用いざるを得ない。
又、光磁気デイスクでは情報の記録時と消去時
でバイアス磁界の方向を切換える必要があり、こ
の記録再生の切換えを迅速に行なわなければ情報
の授受スピードが低下するという不都合が生じ
る。このため、従来から、駆動段において電磁石
のコイルに流れる電流を帰還させることにより、
磁界の変化時においては大きな電圧を電磁石のコ
イルの両端に印加し、磁界の立上がり後において
は電磁石のコイルに適当な電圧を印加するという
電流駆動段が用いられていた。
しかしながらこの場合においても、所要切換時
間を数ms以下にするのに高い電源電圧を印加す
るか、若しくは電磁石のコイルの巻数を減らして
インダクタンスを減少させて大電流で駆動させる
必要があり、いずれにしても駆動段における消費
電力が大きくなるという欠点があつた。
(問題点を解決するための手段) 上述した従来の問題点は、通電によつて磁界を
発生する第1のコイルと、該第1のコイルとほぼ
同一空間に磁界を発生するように配置され、第1
のコイルより小さいインダクタンスを持つ第2の
コイルと、該第2のコイルにまず通電し、第2の
コイルから発生する磁界又は第2のコイルに流れ
る電流が所定レベルになつたことを検知したら、
前記第1のコイルに通電して所定レベルの磁界を
保持するように動作する駆動手段とから成る光磁
気記録装置のバイアス磁界発生装置により解決す
ることができる。
(実施例) 以下本発明の実施例を添付図面に基づいて説明
する。
第1図および第2図は本発明の概念を説明する
ための図である。
1は電磁石、1aは第1コイル、1bは第2コ
イルである。第2コイル1bは磁界立上げ時に用
いられるものであり、第1コイル1aより少い巻
数で巻回されている。
又、第1コイル1aと第2コイル1bは、第1
図に示すように夫々第1スイツチ2a及び第2ス
イツチ2bを介して、相互に接続されており、接
続された1端はアースされ、他端は電圧+Vを印
加できるようにされている。
以上のような構成からなつているので、磁界を
発生するには、まず第2スイツチ2bを入れて第
2コイル1bに電流を流す。
この第2コイル1bは、第1コイル1aに比し
インダクタンスが小さく、又直流抵抗が小さいの
で電圧+Vを印加すると急激に電流が流れ、それ
に伴い電磁石1に発生する磁界も急激に立上る。
そして、第2コイル1bにより発生する磁界又は
該コイルに流れる電流が規定レベルになつたこと
を検知した後、第1スイツチ2aを入れて第2ス
イツチ2bを切ることにより第1コイル1aに電
流が流れ電磁石1から発生する磁界が保持され
る。保持すべき磁界の強さにより、第1コイル1
a及び第2コイル1bの巻数、直流抵抗あるいは
電圧+Vを設定する。
第2図には他の実施例の概念図が示してある。
同図において、第1コイル1a及び第2コイル1
bは連続的に電磁石1に巻回されており、第2コ
イル1bにおける巻数が少なくなるような位置で
第2スイツチ2bが接続され、該第2スイツチ2
bは第1コイル1a側の端部に接続された第1ス
イツチ2aと連結され電圧+Vを印加できるよう
にされている。又、第2コイル1b側の端部はア
ースされている。
該実施例における作用は前記実施例におけると
同様であるが、前記実施例の説明中第1スイツチ
2aを入れた後第2スイツチ2bを切ることによ
り、該実施例においては第1コイル1aと第2コ
イル1bに電流が流れて電磁石1から発生する磁
界が保持されることになる。
次に、トランジスタをスイツチに用いて磁界の
反転を可能にした他の実施例について第3図及び
第4図を用いて説明する。
第3図において、1は電磁石、1aは第1コイ
ル、1bは第2コイルであり、第2コイル1bは
第1コイル1aより少なく巻回されており、従つ
て前記と同様の作用を有している。Tr1a,Tr
1b,Tr2a,Tr2b,Tr3a,Tr3bはト
ランジスタでありスイツチング動作をする。3は
ダイオードである。
以上のような構成からなる本実施例の動作を第
4図に示したタイミングチヤートを合わせて用い
説明する。
時刻t0においては全てのトランジスタがOFFの
状態になつておりコイルに電流が流れず磁界は発
生しない。次に時刻t1で正磁界(第3図の結線で
は上方向に磁束が発生する)を発生させるには、
トランジスタTr1a,Tr2bをONにし、第2
コイル1bに電圧を印加する。時刻t2において第
2コイル1bから発生する磁界又は第2コイル1
bに流れる電流が所定レベルになつたことを検知
したら、検知信号を入力してトランジスタTr3
bをONにし、トランジスタTr2bをOFFにす
ることにより第1コイル1aを有効にし磁界を保
持する。時刻t3においてトランジスタTr3bを
OFFにすることにより磁界は消滅する。
同様に時刻t4において逆方向の磁界を発生させ
るにはトランジスタTr1b,Tr2aをONにし、
第2コイル1bに逆方向の電圧を印加して逆磁界
を立上げ、その後時刻t5において、第2コイル1
bから発生する磁界又は第2コイル1bに流れる
電流が所定レベルになつたことを検知したら、検
知信号を入力してトランジスタTr3aをONに
し、トランジスタTr2aをONにして逆方向の一
定磁界を得る。時刻t6でトランジスタをOFFにす
ることにより磁界が消滅する。
なお、第3図中のダイオード3は、電磁石1の
磁界の変化に伴つて発生する誘起電圧を阻止する
ために設けられたものである。
又、トランジスタを完全なスイツチング動作と
すると磁界の消滅時において非常に大きな誘起電
圧が発生するので、これを防止するには磁界の消
滅時のスイツチング時間を長くする構成とすれば
よい。正逆方向の磁束密度に差異を持たせるに
は、トランジスタの出力側に適当な抵抗を挿入す
ることによりなし得る。
又、第1コイル1a及び第2コイル1bは巻数
又は導線の断面積如何により適宜立上り時間を設
定することができ所定の電源電圧等に適合させる
ことが可能である。
又、以上の実施例においては、第1及び第2の
コイルを使用した例を示したが、本発明において
はこれに限定されるものではなく、それ以上の複
数のコイルを用いて、任意のコイルを選ぶことに
より立上り速度の調整をすることができる。又、
スイツチング素子としてはVFET、GTOサイリ
スタなどを用いることができる。
又、第1コイル1a及び第2コイル1bのそれ
ぞれに別々の電源を用いて電圧を印加するように
すれば、各コイルの巻数の比を大きくとらなくて
すみ誘起電圧を低くすることができる。
(発明の効果) 以上説明したように本発明の磁界発生装置によ
れば、数百〜数kOeという大きな磁界を数ms程
度の時間で高速に切換えることができ、電磁石の
駆動段において単一の電圧源によつても消費電力
に無駄がなくなる。
又、本発明の磁界発生装置を光磁気デイスク装
置のバイアス磁界発生用電磁石に適用すると、情
報の記録に先立つて、例えば光ヘツドのシーク中
から電磁石を駆動する必要がないため該装置の電
源を容量を小さくすることができる。さらに、該
シーク中に電磁石から発生する磁界により光ヘツ
ドすなわちキヤリツジを引きつけたり反発したり
する外力が発生しないから安定したシーク動作を
得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明の実施例の概念図、
第3図は本発明の他の実施例の概念図であり、ス
イツチとしてトランジスタを用いたもの、第4図
は第3図における磁界発生に関するタイミングチ
ヤートである。 1……電磁石、1a……第1コイル、1b……
第2コイル、2a……第1スイツチ、2b……第
2スイツチ、Tr1〜Tr3……トランジスタ、3
……ダイオード。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 光磁気記録媒体に情報の記録または消去を行
    うためのバイアス磁界を発生する光磁気記録装置
    のバイアス磁界発生装置において、 通電によつて磁界を発生する第1のコイルと、
    該第1のコイルとほぼ同一空間に磁界を発生する
    ように配置され、第1のコイルより小さいインダ
    クタンスを持つ第2のコイルと、該第2のコイル
    にまず通電し、第2のコイルから発生する磁界又
    は第2のコイルに流れる電流が所定レベルになつ
    たことを検知したら、前記第1のコイルに通電し
    て所定レベルの磁界を保持するように動作する駆
    動手段とから成ることを特徴とする光磁気記録装
    置のバイアス磁界発生装置。
JP61138346A 1986-06-16 1986-06-16 光磁気記録装置のバイアス磁界発生装置 Granted JPS62295406A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61138346A JPS62295406A (ja) 1986-06-16 1986-06-16 光磁気記録装置のバイアス磁界発生装置
US07/060,303 US4841407A (en) 1986-06-16 1987-06-10 Magnetic field generator having a plurality of coils for generating magnetic field in substantially the same space and method of driving the same
EP87305339A EP0251561B1 (en) 1986-06-16 1987-06-16 Magnetic field generator
DE8787305339T DE3781474T2 (de) 1986-06-16 1987-06-16 Magnetfelderzeuger.

Applications Claiming Priority (1)

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JP61138346A JPS62295406A (ja) 1986-06-16 1986-06-16 光磁気記録装置のバイアス磁界発生装置

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JPS62295406A JPS62295406A (ja) 1987-12-22
JPH057844B2 true JPH057844B2 (ja) 1993-01-29

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JP5706716B2 (ja) * 2011-02-28 2015-04-22 ボッシュ株式会社 コモンレール式燃料噴射制御装置用電磁アクチュエータ、コモンレール式燃料噴射制御装置用電磁アクチュエータのバックアップ方法、及び、コモンレール式燃料噴射制御装置用電磁アクチュエータのバックアップ装置
CN112524655B (zh) * 2020-12-08 2022-02-25 珠海格力电器股份有限公司 磁场控制电路、离子火焰控制方法、装置及等离子灶具

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JPS62295406A (ja) 1987-12-22

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