JPH0577104U - ウエハキャリア - Google Patents

ウエハキャリア

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Publication number
JPH0577104U
JPH0577104U JP2724592U JP2724592U JPH0577104U JP H0577104 U JPH0577104 U JP H0577104U JP 2724592 U JP2724592 U JP 2724592U JP 2724592 U JP2724592 U JP 2724592U JP H0577104 U JPH0577104 U JP H0577104U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
wafer carrier
metal
carrier
sio
Prior art date
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Pending
Application number
JP2724592U
Other languages
English (en)
Inventor
睦夫 椋田
宣也 樋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Precision Products Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Precision Products Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ウエハキャリア10の表面に半導体ウエハ2
0の切片が突き刺さるのを防ぐ。ウエハキャリア10の
価格を下げる。 【構成】 ウエハキャリア10を金属により構成する。
その金属の表面に、SiO2 からなる蒸着膜を被覆す
る。金属はコストが安く、加工も容易である。SiO2
からなる蒸着膜は、緻密で硬く、半導体ウエハ20の切
片の突き刺さりおよび汚染を防ぐことができる。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、半導体ウエハを収納するウエハキャリアに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、半導体ウエハの製造工程においては、半導体ウエハがウエハキャリ アに収納されて様々な処理に供される。このウエハキャリアは、25枚程度の半 導体ウエハを垂直かつ等間隔に並べて保持するようになっており、その種類は多 い。しかし、材質としてはテフロン、石英等の限られた物質しか用いられていな い。
【0003】 これは、半導体ウエハを保持するのに必要な剛性をもち、しかも、半導体ウエ ハを汚染するおそれがなく、更に半導体ウエハを処理する際にキャリア自身が反 応するおそれがないなどの多くの要求がウエハキャリアに求められ、それらの要 求を高水準で満足させる物質が極めて少ないことによる。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
テフロン、石英はこれらの要求を満たす数少ない物質である。しかし、テフロ ン製のウエハキャリアは、表面が軟らかいために、その表面にウエハ端部の切片 が突き刺さり、これがパーティクルの原因になるという問題があった。
【0005】 一方、石英製のウエハキャリアは、表面が硬く、ウエハ切片が突き刺さる危険 はない。しかし、石英は高価な上に加工が難しく、そのウエハキャリアは極めて 高価なものになっていた。
【0006】 本考案の目的は、低価格でウエハ切片が表面に突き刺さるおそれもないウエハ キャリアを提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本考案のウエハキャリアは、金属により構成し、その金属表面にSiO2 から なる蒸着膜を被覆したことを特徴とする。
【0008】
【作用】
金属は、高剛性で安価であり、加工も容易である。金属表面に被覆したSiO 2 からなる蒸着膜は、緻密で硬度が高く、ウエハ切片がウエハキャリアの表面に 突き刺さるのを防ぐと共に、金属によるウエハの汚染を防ぎ、更にウエハ処理の 際に膜自体が反応を起こすおそれもない。
【0009】
【実施例】
以下に本考案の実施例を図1により説明する。
【0010】 ウエハキャリア10は、内底面から両内側面にかけて形成された溝11によっ て、半導体ウエハ20を垂直に支持するようになっている。この溝11は、半導 体ウエハ20の並列方向に所定の間隔をあけて複数設けられている。
【0011】 このウエハキャリア10は、安価軽量で加工が容易なアルミニウムにより構成 されている。アルミニウムは純アルミニウムに限らず各種アルミニウム合金を含 む。アルミニウムの表面には、SiO2 からなる蒸着膜が全面にわたって被覆さ れている。蒸着膜の被覆は、例えばCVD法により行うことができ、膜厚は0.5 〜1.0μmが望ましい。
【0012】 表面にSiO2 からなる蒸着膜を被覆したアルミニウム製のウエハキャリア1 0は、次の特長を有する。
【0013】 軽量である。 材料コストが安く、加工も容易であり、蒸着に要するコストを含めても、石 英製ウエハキャリアより低価格となる。 蒸着膜が緻密で高硬度のため、キャリア表面にウエハ切片が突き刺さらない 。従って、ウエハ切片の突き刺さりに起因するパーティクルの発生を防ぐことが できる。 蒸着膜は、それ自体がウエハを汚染しない上に、金属からの分子粒子等の放 出を阻止し、金属によるウエハ汚染も防ぐ。 蒸着膜は更に、ウエハ処理の際に処理ガスや処理液と反応するおそれもなく 、反応生成物によるウエハの汚染を防ぐ。
【0014】 なお,上記実施例は、金属としてアルミニウムを用いているが、重量増加等を いとわなければ、ステンレス鋼等の他の金属を使用することもできる。また、使 用条件によっては、半導体ウエハが接する金属表面にのみ蒸着膜を部分被覆した 構成とすることもできる。
【0015】
【考案の効果】
以上の説明から明らかなように、本考案のウエハキャリアは、シリコン製キャ リアで問題となるウエハ切片の突き刺さりがなく、これに起因するパーティクル の発生を防ぐことができる。石英製のキャリアに比べて安価で丈夫である。また 、キャリア自体がウエハ汚染の原因になることがない。
【図面の簡単な説明】
【図1】ウエハキャリアの概略構成を示す斜視図であ
る。
【符号の説明】
10 ウエハキャリア 20 半導体ウエハ

Claims (2)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 金属により構成し、その金属表面にSi
    2 からなる蒸着膜を被覆したことを特徴とするウエハ
    キャリア。
  2. 【請求項2】 前記金属がアルミニウムであることを特
    徴とする請求項1に記載のウエハキャリア。
JP2724592U 1992-03-30 1992-03-30 ウエハキャリア Pending JPH0577104U (ja)

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JP2724592U JPH0577104U (ja) 1992-03-30 1992-03-30 ウエハキャリア

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JP2724592U JPH0577104U (ja) 1992-03-30 1992-03-30 ウエハキャリア

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JPH0577104U true JPH0577104U (ja) 1993-10-19

Family

ID=12215698

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