JPH0575577B2 - - Google Patents
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- JPH0575577B2 JPH0575577B2 JP60067535A JP6753585A JPH0575577B2 JP H0575577 B2 JPH0575577 B2 JP H0575577B2 JP 60067535 A JP60067535 A JP 60067535A JP 6753585 A JP6753585 A JP 6753585A JP H0575577 B2 JPH0575577 B2 JP H0575577B2
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- JP
- Japan
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- copper plate
- bonding
- ppm
- circuit board
- copper
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- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/022—Processes for manufacturing precursors of printed circuits, i.e. copper-clad substrates
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Description
［発明の技術分野］
本発明はセラミツクス基板に銅板を直接接合し
て得られるセラミツクス回路基板に関する。 ［発明の技術的背景とその問題点］ 近年、高出力トランジスタモジユール用、実装
用等に使用されるセラミツクス回路基板の製造方
法として、セラミツクス基板の所定位置に回路構
成する銅板を接触配置させ、銅の融点（1083℃）
以下、銅−酸化銅の共晶温度（1065℃〜1083℃）
に加熱して両者を直接接合させる方法が検討され
ている。この方法は接合面に銅−酸素の共晶を生
成させて接合させるもので、雰囲気中の含有酸素
濃度を0.03〜0.1vol％にするか、あるいは銅板中
の含有酸素濃度を100〜2000ppmにコントロール
する必要がある。 しかしながら、このようなセラミツクス回路基
板の製造法によれば含有酸素濃度のコントロール
幅が大きいので接合強度にばらつきが生じ、また
時によつては銅板の表面に酸化膜が部分的に生
じ、半田がつきにくくなるという問題があつた。 ［発明の目的］ 本発明はこのような問題を解消するためなされ
たもので、接合熱処理後における銅板中の含有酸
素濃度をより適正にコントロールすることにより
セラミツクス基板と銅板との接合が安定してい
て、しかも銅板表面の半田濡れ性が良好なセラミ
ツクス回路基板を提供することを目的としてい
る。 ［発明の概要］ すなわち本発明はセラミツクス基板に銅板を接
触させ、加熱して両者を直接接合させてなるセラ
ミツクス回路基板において、接合後の銅板中の含
有酸素濃度が100〜500ppmであることを特徴とし
ている。 本発明において接合後の銅板中の含有酸素濃度
を100〜500ppm、好ましくは150〜400ppmに限定
した理由は、100ppmより少ないと接合が不充分
になり、500ppmより多いこと銅板表面に酸化膜
が生じて半田濡れが悪くなることによる。 本発明のセラミツクス回路基板を製造するため
には銅板中の含有酸素濃度が200〜600ppm、好ま
しくは300〜500ppmのタフピツチ銅を用いること
が好ましい。200ppm以下では接合後において所
要の銅板中の含有酸素濃度を得にくく、600ppm
以上では圧延加工が困難になるからである。この
ような銅板をアルミナ等のセラミツクス基板の所
定位置に配置し、含有酸素濃度が100ppm以下の
不活性ガス雰囲気中で、1065℃〜1038℃、好まし
くは1070〜1075℃に加熱して接合する。ガス雰囲
気中の酸素濃度が100ppmをこえると銅板表面に
酸化膜が形成されるので好ましくない。加熱時間
は２〜30分間とする。このようにして接合前の銅
板中の含有酸素濃度および熱処理条件を限定する
ことにより、接合後の銅板中の含有酸素濃度が
100〜500ppmと限定された本発明のセラミツクス
回路基板が得られる。 ［発明の実施例］ 次に本発明の実施例について説明する。 実施例１〜３、比較例１、２ 純度約96％のアルミナ製のセラミツクス基板
に、含有酸素濃度が次表に示す値のタフピツチ電
解銅からなる銅板を配置し、窒素ガス中で1070〜
1075℃×５分間の条件で加熱して両者を接合し
た。接合後の銅板中の含有酸素濃度およびこれら
のセラミツクス回路基板の接着力および半田濡れ
性は同表に示す通りであつた。
て得られるセラミツクス回路基板に関する。 ［発明の技術的背景とその問題点］ 近年、高出力トランジスタモジユール用、実装
用等に使用されるセラミツクス回路基板の製造方
法として、セラミツクス基板の所定位置に回路構
成する銅板を接触配置させ、銅の融点（1083℃）
以下、銅−酸化銅の共晶温度（1065℃〜1083℃）
に加熱して両者を直接接合させる方法が検討され
ている。この方法は接合面に銅−酸素の共晶を生
成させて接合させるもので、雰囲気中の含有酸素
濃度を0.03〜0.1vol％にするか、あるいは銅板中
の含有酸素濃度を100〜2000ppmにコントロール
する必要がある。 しかしながら、このようなセラミツクス回路基
板の製造法によれば含有酸素濃度のコントロール
幅が大きいので接合強度にばらつきが生じ、また
時によつては銅板の表面に酸化膜が部分的に生
じ、半田がつきにくくなるという問題があつた。 ［発明の目的］ 本発明はこのような問題を解消するためなされ
たもので、接合熱処理後における銅板中の含有酸
素濃度をより適正にコントロールすることにより
セラミツクス基板と銅板との接合が安定してい
て、しかも銅板表面の半田濡れ性が良好なセラミ
ツクス回路基板を提供することを目的としてい
る。 ［発明の概要］ すなわち本発明はセラミツクス基板に銅板を接
触させ、加熱して両者を直接接合させてなるセラ
ミツクス回路基板において、接合後の銅板中の含
有酸素濃度が100〜500ppmであることを特徴とし
ている。 本発明において接合後の銅板中の含有酸素濃度
を100〜500ppm、好ましくは150〜400ppmに限定
した理由は、100ppmより少ないと接合が不充分
になり、500ppmより多いこと銅板表面に酸化膜
が生じて半田濡れが悪くなることによる。 本発明のセラミツクス回路基板を製造するため
には銅板中の含有酸素濃度が200〜600ppm、好ま
しくは300〜500ppmのタフピツチ銅を用いること
が好ましい。200ppm以下では接合後において所
要の銅板中の含有酸素濃度を得にくく、600ppm
以上では圧延加工が困難になるからである。この
ような銅板をアルミナ等のセラミツクス基板の所
定位置に配置し、含有酸素濃度が100ppm以下の
不活性ガス雰囲気中で、1065℃〜1038℃、好まし
くは1070〜1075℃に加熱して接合する。ガス雰囲
気中の酸素濃度が100ppmをこえると銅板表面に
酸化膜が形成されるので好ましくない。加熱時間
は２〜30分間とする。このようにして接合前の銅
板中の含有酸素濃度および熱処理条件を限定する
ことにより、接合後の銅板中の含有酸素濃度が
100〜500ppmと限定された本発明のセラミツクス
回路基板が得られる。 ［発明の実施例］ 次に本発明の実施例について説明する。 実施例１〜３、比較例１、２ 純度約96％のアルミナ製のセラミツクス基板
に、含有酸素濃度が次表に示す値のタフピツチ電
解銅からなる銅板を配置し、窒素ガス中で1070〜
1075℃×５分間の条件で加熱して両者を接合し
た。接合後の銅板中の含有酸素濃度およびこれら
のセラミツクス回路基板の接着力および半田濡れ
性は同表に示す通りであつた。
【表】
［発明の効果］
以上の実施例からも明らかなように本発明のセ
ラミツクス回路基板では接合後の同板中の含有酸
素濃度が限定されることにより安定した接着力が
得られ、しかも銅板表面に酸化膜の生成がなく、
良好な半田濡れ性を有している。
ラミツクス回路基板では接合後の同板中の含有酸
素濃度が限定されることにより安定した接着力が
得られ、しかも銅板表面に酸化膜の生成がなく、
良好な半田濡れ性を有している。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ セラミツクス基板に銅板を接触させ、加熱し
て両者を直接接合させてなるセラミツクス回路基
板において、接合後の銅板中の含有酸素濃度が
100〜500ppmであることを特徴とするセラミツク
ス回路基板。 ２ 接合前の銅板中の含有酸素濃度が200〜
600ppmである特許請求の範囲第１項記載のセラ
ミツクス回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6753585A JPS61227035A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | セラミツクス回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6753585A JPS61227035A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | セラミツクス回路基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61227035A JPS61227035A (ja) | 1986-10-09 |
| JPH0575577B2 true JPH0575577B2 (ja) | 1993-10-20 |
Family
ID=13347767
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6753585A Granted JPS61227035A (ja) | 1985-03-30 | 1985-03-30 | セラミツクス回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61227035A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0632354B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1994-04-27 | 株式会社住友金属セラミックス | セラミック回路基板およびセラミック回路基板の製造方法 |
| JP3011433B2 (ja) * | 1990-05-25 | 2000-02-21 | 株式会社東芝 | セラミックス回路基板の製造方法 |
| JP4557354B2 (ja) * | 2000-03-27 | 2010-10-06 | 株式会社東芝 | セラミックス銅回路基板の製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5237914A (en) * | 1975-07-30 | 1977-03-24 | Gen Electric | Method of directly combining metal to ceramics and metal |
-
1985
- 1985-03-30 JP JP6753585A patent/JPS61227035A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5237914A (en) * | 1975-07-30 | 1977-03-24 | Gen Electric | Method of directly combining metal to ceramics and metal |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61227035A (ja) | 1986-10-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |