JPH0575170B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0575170B2 JPH0575170B2 JP60295211A JP29521185A JPH0575170B2 JP H0575170 B2 JPH0575170 B2 JP H0575170B2 JP 60295211 A JP60295211 A JP 60295211A JP 29521185 A JP29521185 A JP 29521185A JP H0575170 B2 JPH0575170 B2 JP H0575170B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- collector
- layer
- base
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60295211A JPS62152165A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60295211A JPS62152165A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62152165A JPS62152165A (ja) | 1987-07-07 |
| JPH0575170B2 true JPH0575170B2 (enrdf_load_stackoverflow) | 1993-10-20 |
Family
ID=17817639
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60295211A Granted JPS62152165A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62152165A (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5138408A (en) * | 1988-04-15 | 1992-08-11 | Nec Corporation | Resonant tunneling hot carrier transistor |
| US5012318A (en) * | 1988-09-05 | 1991-04-30 | Nec Corporation | Hybrid semiconductor device implemented by combination of heterojunction bipolar transistor and field effect transistor |
| JP2687519B2 (ja) * | 1988-12-06 | 1997-12-08 | 日本電気株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2770583B2 (ja) * | 1991-02-22 | 1998-07-02 | 日本電気株式会社 | コレクタトップ型ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法 |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP60295211A patent/JPS62152165A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62152165A (ja) | 1987-07-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4746626A (en) | Method of manufacturing heterojunction bipolar transistors | |
| JPH01103869A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
| JP3507828B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 | |
| JP2851044B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0575170B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| JP3874919B2 (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JPS6218761A (ja) | ヘテロ接合トランジスタの製造方法 | |
| JP2623655B2 (ja) | バイポーラトランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH0575169B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| JPH0452627B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| JPH0577172B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| JPH0577173B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| JPH0577174B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| JPH0453108B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| JPS6216569A (ja) | ヘテロ接合トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPS6218762A (ja) | ヘテロ接合トランジスタおよびその製造方法 | |
| JP2841380B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
| JPH0453110B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| JPH0453106B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| JPH02292830A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS63188968A (ja) | バイポ−ラトランジスタの製造方法 | |
| JPH031542A (ja) | バイポーラトランジスタの製造方法 | |
| JPH0453109B2 (enrdf_load_stackoverflow) | ||
| JP2580281B2 (ja) | バイポーラトランジスタ素子 | |
| JPH0453107B2 (enrdf_load_stackoverflow) |