JPH0575169B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0575169B2 JPH0575169B2 JP60295201A JP29520185A JPH0575169B2 JP H0575169 B2 JPH0575169 B2 JP H0575169B2 JP 60295201 A JP60295201 A JP 60295201A JP 29520185 A JP29520185 A JP 29520185A JP H0575169 B2 JPH0575169 B2 JP H0575169B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- base
- collector
- layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60295201A JPS62152164A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60295201A JPS62152164A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62152164A JPS62152164A (ja) | 1987-07-07 |
| JPH0575169B2 true JPH0575169B2 (enExample) | 1993-10-20 |
Family
ID=17817505
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60295201A Granted JPS62152164A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | バイポ−ラトランジスタの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62152164A (enExample) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2526627B2 (ja) * | 1988-03-14 | 1996-08-21 | 日本電気株式会社 | バイポ―ラトランジスタ |
| JP2008116075A (ja) * | 2006-11-01 | 2008-05-22 | Tgk Co Ltd | 膨張弁 |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP60295201A patent/JPS62152164A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62152164A (ja) | 1987-07-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0206787B1 (en) | Heterojunction bipolar transistor and method of manufacturing same | |
| JPH038340A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
| JPH0797589B2 (ja) | ヘテロ接合型バイポ−ラトランジスタの製造方法 | |
| JP3507828B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ及びその製造方法 | |
| JP2576828B2 (ja) | 高利得misトランジスタ | |
| JP3874919B2 (ja) | 化合物半導体装置 | |
| JPH0575170B2 (enExample) | ||
| JPH0575169B2 (enExample) | ||
| JPS6218761A (ja) | ヘテロ接合トランジスタの製造方法 | |
| JP2623655B2 (ja) | バイポーラトランジスタおよびその製造方法 | |
| JPH0452627B2 (enExample) | ||
| JPH0577172B2 (enExample) | ||
| JPH0453108B2 (enExample) | ||
| JPH0577173B2 (enExample) | ||
| JPH09246281A (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
| JPS63188968A (ja) | バイポ−ラトランジスタの製造方法 | |
| JPH0577174B2 (enExample) | ||
| JP2841380B2 (ja) | ヘテロ接合バイポーラトランジスタ | |
| JPH0453109B2 (enExample) | ||
| JPH0453110B2 (enExample) | ||
| JPH0453107B2 (enExample) | ||
| JPS6381977A (ja) | ヘテロ接合バイポ−ラトランジスタ | |
| JPS6216569A (ja) | ヘテロ接合トランジスタおよびその製造方法 | |
| JPS6218762A (ja) | ヘテロ接合トランジスタおよびその製造方法 | |
| KR0155220B1 (ko) | 신규한 바이폴라 트랜지스터 및 그의 제조방법 |