JPH0574596A - 高周波4重極型線形加速器 - Google Patents

高周波4重極型線形加速器

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JPH0574596A
JPH0574596A JP23810791A JP23810791A JPH0574596A JP H0574596 A JPH0574596 A JP H0574596A JP 23810791 A JP23810791 A JP 23810791A JP 23810791 A JP23810791 A JP 23810791A JP H0574596 A JPH0574596 A JP H0574596A
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linear accelerator
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rfq
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Hiroshi Fujisawa
博 藤沢
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 筒状の真空容器1内には、ポスト6・7に支
持されて4本の電極2〜5がイオンの通過経路のまわり
に配置される。真空容器1は、イオン導入側端部とイオ
ン導出側端部とを結ぶ分割線15・15で二分割された
第1分割壁1aと第2分割壁1bとからなり、これらを
接合することにより一つの容器形態を成す。ポスト6は
第1分割壁1aと、ポスト7は第2分割壁1bと一体に
成形されている。 【効果】 構造の簡素化が図られ、組立て工程数が少な
くなるので、生産性の向上を実現できると共に、組立て
精度および再現性が向上し、優れた信頼性が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えばイオン注入装置
等に用いられる高周波4重極(以下、RFQ:Radio Fr
equency Quadrupoleと称する) 型線形加速器に関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】イオン注入装置は、拡散したい不純物を
イオン化し、この不純物イオンを磁界を用いた質量分析
法により選択的に取り出し、電界により加速してイオン
照射対象物に照射することで、イオン照射対象物内に不
純物を注入するものである。そして、このイオン注入装
置は、半導体プロセスにおいてデバイスの特性を決定す
る不純物を任意の量および深さに制御性良く注入できる
ことから、現在の集積回路の製造に重要な装置になって
いる。
【0003】近年、半導体デバイスメーカでは、C−M
OSデバイス製造プロセスにおけるレトログレイドウエ
ルの形成、ROM後書込み等の利点を有する、MeV級
の高エネルギーイオン注入装置の必要性が高まってい
る。
【0004】上記高エネルギーイオン注入装置には、従
来より、イオン加速手段としてRFQ型線形加速器が用
いられている。このRFQ型線形加速器には、図6に示
すように、筒状の真空容器51内に4本の棒(Rod )状
の電極52〜55を互いに90゜の間隔で水平軸まわり
に配置し、これらの電極を導電性のポスト56・57で
支持した構造の、いわゆる4Rod−RFQ型線形加速
器がある。
【0005】上記4Rod−RFQ型線形加速器は、図
示しない高周波電源から供給される高周波電力を受け
て、所定の高エネルギーまでイオンを加速する。
【0006】上記ポスト56は対角線上に相対向する一
対の電極52・53を支持し、また、ポスト57は同じ
く対角線上に相対向する一対の電極54・55を支持し
ている。そして、上記電極52〜55を支持した複数の
ポスト56・57が導電性のベース58に立設されて、
図7に示すように、4Rod−RFQ型線形加速器の1
ユニットとしての電極アセンブリ59が構成されてい
る。
【0007】上記従来の4Rod−RFQ型線形加速器
の製造工程においては、先ず、上記電極アセンブリ59
が組立てられる。この場合、電極52〜55とポスト5
6・57とがボルト等の締結手段によって接続され、さ
らに、ポスト56・57とベース58とがボルト等の締
結手段によって接続される。このとき、ポスト56・5
7とベース58との面接部Aには、例えば表面に銀メッ
キが施されたステンレス線を挟んで締めつけ、電気的コ
ンタクトをとる、いわゆる高周波シール(以下、RFシ
ールと称する)が施される。この後、組立てられた電極
アセンブリ59が真空容器51内の所定位置に固着され
る。このとき、ベース58と真空容器51の内壁との面
接部Bにも、RFシールが施される。
【0008】尚、上記電極52〜55およびポスト56
・57には大きな高周波電流が流れるので、電極52〜
55、およびポスト56・57やベース58といった支
持部材が昇温する。通常、上記各部材の昇温を防ぐた
め、上記各部材内部には、冷却液を流す冷却液路が形成
されている。そして、上記冷却液路と循環ポンプ(図示
せず)とを接続する目的で、上記ベース58の端部から
は、冷却液を上記冷却液路へ導入・導出する冷却液導入
管60および冷却液導出管61が、真空容器51を貫通
して容器外部の循環ポンプへと延びている。そして、上
記冷却液導入管60および冷却液導出管61と真空容器
51との間には真空シールが施されている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の4Rod−RFQ型線形加速器では、部品点数が多
く、また、RFシールや冷却系の真空シールが必要であ
るため、その組立て作業が複雑になる。このため、生産
性が悪く量産には適さないと共に、組立て精度および再
現性も低く加速器の信頼性の面でも問題がある。
【0010】尚、進入イオンが電極52〜55に衝突す
るのは避けられず、電極52〜55が汚染される。さら
に、電極52〜55が経時的に撓むといったような原因
から、共振周波数に変動が生じたり、放電が起きた場
合、上記4Rod−RFQ型線形加速器を分解してメン
テナンスを行う必要が生じる。この場合、装置の分解お
よびメンテナンス後の組立てが面倒であると共に、組立
てられた加速器の再現性の面でも問題がある。
【0011】本発明は、上記に鑑みなされたものであ
り、その目的は、生産性の向上が図れると共に、組立て
精度および再現性の向上を図ることができ、優れた信頼
性を有する4Rod−RFQ型線形加速器を提供するこ
とにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明の高周波4重極型
線形加速器は、上記の課題を解決するために、筒状の真
空容器と、この真空容器内を通過する被加速粒子の通過
経路のまわりに配置された4本の電極を支持する支持部
材とを備えている高周波4重極型線形加速器において、
以下の手段を講じている。
【0013】即ち、上記真空容器は、被加速粒子導入側
端部と被加速粒子導出側端部とを結ぶ分割線で分割され
た複数の分割壁から成り、上記支持部材は、分割壁の少
なくとも一つと一体に成形されている。
【0014】
【作用】上記の構成によれば、筒状の真空容器内には、
支持部材に支持されて4本の電極が被加速粒子の通過経
路のまわりに配置される。
【0015】ここで、上記真空容器は、被加速粒子導入
側端部と被加速粒子導出側端部とを結ぶ分割線で分割さ
れた複数の分割壁からなり、これら複数の分割壁を接合
することにより一つの容器形態を成す。また、支持部材
は、分割壁の少なくとも一つと一体に成形されており、
支持部材と分割壁との間のRFシールは必要ない。
【0016】従って、分割壁と一体に成形された支持部
材に電極を接続し、この後、各分割壁を接合することに
より容易に組立てを行うことができ、生産性の向上が図
れる。また、上記のように、組立て工程数が少なく、構
造の簡素化が図られているので、組立て精度および再現
性が向上し、優れた信頼性が得られる。
【0017】
【実施例】本発明の一実施例について図1ないし図4に
基づいて説明すれば、以下の通りである。
【0018】本実施例に係る4Rod−RFQ型線形加
速器10は、図4に示すように、高エネルギーイオン注
入装置に適用されるが、これに限定されるものではな
い。
【0019】上記イオン注入装置において、引出し電源
22によってイオン源21から引出されたイオンは、質
量分析器23によって質量分析され、所定質量のイオン
(被加速粒子)のみが選択的に導出されて静電加速管2
4に導入される。この静電加速管24は、加速電源25
によって4Rod−RFQ型線形加速器10に適合する
エネルギーまでイオンを加速する。加速されたイオンは
Qレンズ等の集束系26によって整形された後、4Ro
d−RFQ型線形加速器10に導入される。4Rod−
RFQ型線形加速器10は、高周波電源27からの高周
波電力を受けて所定の高エネルギーまで上記イオンを加
速する。この後、上記高エネルギーイオンは、図示しな
い注入室内のウエハ等のターゲット28に照射される。
【0020】上記4Rod−RFQ型線形加速器10
は、図1および図2に示すように、縦断面正方形の筒状
の真空容器1と、被加速粒子としてのイオンの通過経路
のまわりに互いに90゜の間隔で配置された4本の棒
(Rod )状の電極2〜5と、対角線上に相対向する一対
の電極2・3を支持する支持部材としての導電性(例え
ば金属製)のポスト6・6と、対角線上に相対向する一
対の電極4・5を支持する支持部材としての導電性(例
えば金属製)のポスト7・7とを有している。
【0021】本実施例の4Rod−RFQ型線形加速器
10は、共振周波数の比較的高い(例えば、100MH
z以上)小型のものであり、真空容器1が縦断面正方形
(一辺の長さが20cm以下)であっても強度にはなん
ら問題はない。
【0022】上記真空容器1は、イオン導入側端部(被
加速粒子導入側端部)11とイオン導出側端部(被加速
粒子導出側端部)12とを結ぶ分割線15・15で二分
割された分割壁としての縦断面L字状の第1分割壁1a
および第2分割壁1bから成り、これら第1分割壁1a
と第2分割壁1bとを接合することにより1つの容器形
態を成す。上記第1分割壁1aと第2分割壁1bとの接
合は、溶接によるか、または、一般的な真空シールによ
り行われる。
【0023】上記第1分割壁1aには、図2および図3
に示すように、間隔Cをおいて上記ポスト6・6が立設
されており、これら第1容器分割部1aおよびポスト6
・6はNC(Numerical Control )加工により一体に成
形されている。即ち、第1分割壁1aおよびポスト6・
6は一体構造体であり、後述する組立て工程においては
一つの部品として取り扱われる。
【0024】また、上記第2分割壁1bには、図2に示
すように、上記ポスト6・6の間隔Cと同じ間隔をおい
て上記ポスト7・7が立設されており、これら第2容器
分割部1bおよびポスト7・7はNC加工により一体に
成形されている。即ち、第2分割壁1bおよびポスト7
・7も一体構造体であり、組立て工程においては一つの
部品として取り扱われる。
【0025】上記4Rod−RFQ型線形加速器10
は、2対の電極(2・3および4・5)が電極間のキャ
パシタンスとポスト6・7のインダクタンスとで結合さ
れた共振器となり、その構造により共振周波数が決定さ
れる。そして、高周波電源27から電極2〜5に所定周
波数の高周波電力を供給し、これらの中心軸上に4重極
電場ができるように共振させることにより、これを通過
するイオンが所定エネルギーまで加速される。
【0026】尚、上記電極2〜5およびポスト6・7に
は、大きな高周波電流が流れるので、これらは高温にな
る。そこで、電極2〜5内部には冷却液を流す冷却液路
13が形成されている。また、上記冷却液路13に接続
されて第1分割壁1aの外部へと続く冷却液路14が、
ポスト6および第1分割壁1aの内部に形成されてい
る。また、ポスト7および第2分割壁1bの内部にも、
冷却液路13に接続される冷却液路(図示せず)が形成
されている。また、上記冷却液路14の端部からは、冷
却液を上記冷却液路13・14へ導入・導出する冷却液
導入出管9・9が図示しない循環ポンプへと延びてい
る。
【0027】ここで、4Rod−RFQ型線形加速器1
0の組立て工程は、以下のようにして行われる。
【0028】先ず、第1分割壁1aと一体に成形された
ポスト6に、ボルト等の締結手段により電極2・3が接
続される。同様に、第2分割壁1bと一体に成形された
ポスト7に、ボルト等の締結手段により電極4・5が接
続される。
【0029】次に、第1分割壁1aと第2分割壁1bと
を溶接、または真空シールで合体させ、この後、循環ポ
ンプへと延びている冷却液導入出管9が、第1分割壁1
aの冷却液路14の端部と接続されれば、4Rod−R
FQ型線形加速器10の組立ては完了する。組立てられ
た4Rod−RFQ型線形加速器10は、イオン注入装
置の所定位置に組込まれる。
【0030】上記のように、ポスト6と第1分割壁1a
とが、また、ポスト7と第2分割壁1bとが一体に成形
されているので、従来、ポストを支持するために必要で
あったベースを省略できると共に、ポストとベースとの
間のRFシール、およびベースと真空容器との間のRF
シールも不要になる。また、冷却液導入出管9の接続
が、真空容器1の外側から行えるので、従来必要であっ
た冷却系の真空シールも省略できる。
【0031】本実施例に係る4Rod−RFQ型線形加
速器10は、このような構造の簡素化から、生産性に優
れ、量産に適する。また、上記4Rod−RFQ型線形
加速器10を分解してメンテナンスを行う際の分解およ
びメンテナンス後の組立てが容易である。さらに、組立
て精度および再現性が向上し、従来に比べて加速器の信
頼性が格段に向上する。
【0032】尚、本実施例では、真空容器1を2つの分
割壁に分割しているが、3つ以上の分割壁に分割しても
よい。但し、分割壁が多くなれば、部品点数が増加する
ので、二分割が最も好ましい。
【0033】また、本実施例では、ポスト6は第1分割
壁1aと、ポスト7は第2分割壁1bと一体に成形され
ているが、ポスト6・7が共に第1分割壁1a(または
第2分割壁1b)と一体に成形されていてもよい。
【0034】また、本実施例の4Rod−RFQ型線形
加速器は、共振周波数の比較的高い小型のものであり、
真空容器1が縦断面正方形であるが、これに限定され
ず、筒状の真空容器1の縦断面形状は何ら問うものでは
ない。但し、装置がある一定以上大型になれば、真空容
器1は強度的に円筒形にする必要がある。この場合、例
えば図5(図1ないし図3に示した部材と同一の機能を
有する部材には、同一の符号を付記している)に示すに
ように、ポスト6と一体に成形された縦断面半円状の第
1分割壁1cと、ポスト7と一体に成形された縦断面半
円状の第2分割壁1dとを接合して真空容器1を形成す
るようにすればよい。
【0035】
【発明の効果】本発明の高周波4重極型線形加速器は、
以上のように、筒状の真空容器は、被加速粒子導入側端
部と被加速粒子導出側端部とを結ぶ分割線で分割された
複数の分割壁から成り、真空容器内で電極を支持する支
持部材は、分割壁の少なくとも一つと一体に成形されて
いる構成である。
【0036】それゆえ、構造の簡素化が図られ、組立て
工程数が少なくなるので、生産性の向上を実現できると
共に、組立て精度および再現性が向上し、優れた信頼性
が得られるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例を示すものであり、4Rod
−RFQ型線形加速器を示す縦断面である。
【図2】図1のX−X線矢視断面図である。
【図3】上記高周波4重極型線形加速器におけるポスト
が一体に成形されている第1分割壁を示す概略の斜視図
である。
【図4】上記4Rod−RFQ型線形加速器が適用され
ているイオン注入装置の一例を示す概略構成図である。
【図5】本発明の他の実施例を示すものであり、円筒形
の真空容器を有する4Rod−RFQ型線形加速器を示
す縦断面である。
【図6】従来例を示すものであり、4Rod−RFQ型
線形加速器を示す縦断面である。
【図7】上記4Rod−RFQ型線形加速器における電
極支持ユニットを示す斜視図である。
【符号の説明】
1 真空容器 1a 第1分割壁(分割壁) 1b 第2分割壁(分割壁) 2〜5 電極 6・7 ポスト(支持部材) 10 4Rod−RFQ型線形加速器(高周波4重
極型線形加速器) 11 イオン導入側端部(被加速粒子導入側端部) 12 イオン導出側端部(被加速粒子導出側端部) 15 分割線

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】筒状の真空容器と、この真空容器内を通過
    する被加速粒子の通過経路のまわりに配置された4本の
    電極を支持する支持部材とを備えている高周波4重極型
    線形加速器において、 上記真空容器は、被加速粒子導入側端部と被加速粒子導
    出側端部とを結ぶ分割線で分割された複数の分割壁から
    成り、上記支持部材は、分割壁の少なくとも一つと一体
    に成形されていることを特徴とする高周波4重極型線形
    加速器。
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WO1998044767A1 (fr) * 1997-03-27 1998-10-08 Nissin Electric Co., Ltd. Accelerateur haute frequence et dispositif d'implantation ionique

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