JPH0574226B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0574226B2 JPH0574226B2 JP59186516A JP18651684A JPH0574226B2 JP H0574226 B2 JPH0574226 B2 JP H0574226B2 JP 59186516 A JP59186516 A JP 59186516A JP 18651684 A JP18651684 A JP 18651684A JP H0574226 B2 JPH0574226 B2 JP H0574226B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stage
- electrostrictive elements
- moving stage
- moving
- electrostrictive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000008602 contraction Effects 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、半導体装置などで使用される試料を
移動させるための移動ステージ装置、特に微小な
位置決めが要求される移動テーブル装置に関す
る。
移動させるための移動ステージ装置、特に微小な
位置決めが要求される移動テーブル装置に関す
る。
従来、電子ビーム露光装置等で試料を移動させ
位置決めを行なうためのステージとして、第３図
に示すように、粗動用のステージ１と微動用のス
テージ２を備えているのが一般的であつた。この
ような構成のステージでは、粗動用のステージで
大まかな位置決めをし、その後、微動用のステー
ジで最終的な高精度位置決めを行なうものであ
る。
位置決めを行なうためのステージとして、第３図
に示すように、粗動用のステージ１と微動用のス
テージ２を備えているのが一般的であつた。この
ような構成のステージでは、粗動用のステージで
大まかな位置決めをし、その後、微動用のステー
ジで最終的な高精度位置決めを行なうものであ
る。
しかしながら、このような構造では、粗動用、
微動用としての軸受機構３，４を同軸に２つもた
なければならない欠点があつた。また第４図に示
すように例えばボールネジ５の軸６を回転させナ
ツト部７を直進的に動かす構造においてナツト部
７をさらに微動用モータ８で回転させることによ
りテーブル９を微動する方法がある。しかし最近
の半導体装置においては0.005μｍ以下の位置決め
が要求されていてこれを、上記構造によつて位置
決めするにはナツト部７の半径を非常に大きくし
なければならなくなる。
微動用としての軸受機構３，４を同軸に２つもた
なければならない欠点があつた。また第４図に示
すように例えばボールネジ５の軸６を回転させナ
ツト部７を直進的に動かす構造においてナツト部
７をさらに微動用モータ８で回転させることによ
りテーブル９を微動する方法がある。しかし最近
の半導体装置においては0.005μｍ以下の位置決め
が要求されていてこれを、上記構造によつて位置
決めするにはナツト部７の半径を非常に大きくし
なければならなくなる。
本発明はこれらの欠点を除去し、比較的簡単に
0.005μｍの位置決め精度を、従来の構造を大幅に
変更することなく実施できる方法を提供するもの
である。
0.005μｍの位置決め精度を、従来の構造を大幅に
変更することなく実施できる方法を提供するもの
である。
本発明の移動ステージ装置は、移動ステージと
この移動ステージを移動させるための粗動用駆動
手段とを備え、前記移動ステージと前記粗動用駆
動手段とを微動用の電歪素子を介して連結させ、
前記ステージの粗動および微動を行う移動ステー
ジ装置において、前記粗動用駆動手段あるいは前
記ステージの一方の少なくとも一部分に形成され
る第１の突出部と、この第１の突出部を両側より
挟むように配置される第１および第２の電歪素子
と、これら第１および第２の電歪素子を挟むよう
に前記粗動用駆動手段あるいは前記ステージの他
方の少なくとも一部分に形成される第２の突出部
と、前記第１および第２の電歪素子の一方を伸長
させる時に他方を同量だけ収縮させるための伸縮
制御を行う制御手段とを備えてなることを特徴と
している。
この移動ステージを移動させるための粗動用駆動
手段とを備え、前記移動ステージと前記粗動用駆
動手段とを微動用の電歪素子を介して連結させ、
前記ステージの粗動および微動を行う移動ステー
ジ装置において、前記粗動用駆動手段あるいは前
記ステージの一方の少なくとも一部分に形成され
る第１の突出部と、この第１の突出部を両側より
挟むように配置される第１および第２の電歪素子
と、これら第１および第２の電歪素子を挟むよう
に前記粗動用駆動手段あるいは前記ステージの他
方の少なくとも一部分に形成される第２の突出部
と、前記第１および第２の電歪素子の一方を伸長
させる時に他方を同量だけ収縮させるための伸縮
制御を行う制御手段とを備えてなることを特徴と
している。
〔発明の効果〕
従来のボールネジ機構を大幅に変更すること
なく高精度位置決めが可能である。
なく高精度位置決めが可能である。
0.005μｍ以下の位置決めが簡単に行なえる。
バツクラツシユがなくかつ高い応答周波数特
性のため、正確な高速位置決めが可能である。
性のため、正確な高速位置決めが可能である。
従来のように粗・微動ステージを２段設ける
ことがなく構造が簡単である。
ことがなく構造が簡単である。
発熱の心配がなく、温度安定性にすぐれてい
る、真空中でも使用可能である。
る、真空中でも使用可能である。
〔発明の実施例〕
第１図は本発明の一実施例である。ボールネジ
部１０の回転はナツト部１１に伝えられ、回転を
直進運動に変える。ステージにはナツト部１１を
保持固定可能なように切欠き部１２が設けられ、
その中にナツト部１１、２個の電歪素子１３がシ
リーズで接続固定されている。
部１０の回転はナツト部１１に伝えられ、回転を
直進運動に変える。ステージにはナツト部１１を
保持固定可能なように切欠き部１２が設けられ、
その中にナツト部１１、２個の電歪素子１３がシ
リーズで接続固定されている。
本発明の基本的な考え方では、ナツト部１１、
電歪素子１３、切欠部１２とそれぞれ直列に接続
している形で十分であるが、図示したようにナツ
ト部１１をはむように電歪素子１３が配置されて
いる。この理由は、１個の電歪素子１３でステー
ジを保持した場合、電歪素子の横方向剛性が弱い
ためにナツトの偏心などによつて破損する可能性
を少なくするためと、電歪素子１３が温度変化に
よつて伸び縮みすることによつて位置決め精度が
低下するのを防ぐことにある。
電歪素子１３、切欠部１２とそれぞれ直列に接続
している形で十分であるが、図示したようにナツ
ト部１１をはむように電歪素子１３が配置されて
いる。この理由は、１個の電歪素子１３でステー
ジを保持した場合、電歪素子の横方向剛性が弱い
ためにナツトの偏心などによつて破損する可能性
を少なくするためと、電歪素子１３が温度変化に
よつて伸び縮みすることによつて位置決め精度が
低下するのを防ぐことにある。
すなわち、ナツト部１１を図示のごとく電歪素
子ではさんで支持することにより、温度変化が生
じても互いに伸びたり縮んだりすることによつて
キヤンセルできるためである。また横方向剛性も
２倍となる。
子ではさんで支持することにより、温度変化が生
じても互いに伸びたり縮んだりすることによつて
キヤンセルできるためである。また横方向剛性も
２倍となる。
通常電歪素子は切欠部中に圧入、接着、ボルト
固定で支持される。図のような構成では、電歪素
子１３ａが伸びると同量だけ素子１３ｂを縮める
必要がある。これには、極性の異なつた電圧をそ
れぞれ印加する方式（すなわち、例えば基準電圧
に対してそれぞれプラス、マイナスの電圧を印加
する）と、印加する電圧は同じであるが伸び縮み
する特性が反対の素子を用いる方法とがあり、ど
ちらでも良い。要するにプツシユプル方式で駆動
されれば良いことである。。
固定で支持される。図のような構成では、電歪素
子１３ａが伸びると同量だけ素子１３ｂを縮める
必要がある。これには、極性の異なつた電圧をそ
れぞれ印加する方式（すなわち、例えば基準電圧
に対してそれぞれプラス、マイナスの電圧を印加
する）と、印加する電圧は同じであるが伸び縮み
する特性が反対の素子を用いる方法とがあり、ど
ちらでも良い。要するにプツシユプル方式で駆動
されれば良いことである。。
このように構成された本発明の移動ステージ装
置は、粗動用駆動部たるボールネジ部１０および
ナツト部１１でステージの粗位置決めを行つた
後、電歪素子１３ａ，１３ｂによつて微小な位置
決めを行うことができる。
置は、粗動用駆動部たるボールネジ部１０および
ナツト部１１でステージの粗位置決めを行つた
後、電歪素子１３ａ，１３ｂによつて微小な位置
決めを行うことができる。
本発明は特にボールネジ部などに取付ける必要
はない。ステージを動かす連続棒の途中に上記に
示したプツシユプル方式の電歪素子構成をつくれ
ばよいことになる。
はない。ステージを動かす連続棒の途中に上記に
示したプツシユプル方式の電歪素子構成をつくれ
ばよいことになる。
また第３図の素子はボールネジの軸を対称に円
筒状になつていても良い。また第２図に示すよう
にしてもよい。
筒状になつていても良い。また第２図に示すよう
にしてもよい。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２
図は本発明の変形実施例を示す構成図、第３図は
従来の位置決めステージの構成を示す斜視図、第
４図は従来の位置決めステージの駆動部の第３図
とは異なる例を示す構成図である。 １…粗動用ステージ、２…微動用ステージ、３
…軸受（例えば空気軸受）、４…軸受、５…ボー
ルネジ又はリードスクリユー、６…軸、７…ナツ
ト部、８…微動用モータ、９…ステージ、１０…
ボールネジ又はリードスクリユー（粗動用駆動
部）、１１…ナツト部（粗動用駆動部）、１２…切
欠き部、１３…電歪素子。
図は本発明の変形実施例を示す構成図、第３図は
従来の位置決めステージの構成を示す斜視図、第
４図は従来の位置決めステージの駆動部の第３図
とは異なる例を示す構成図である。 １…粗動用ステージ、２…微動用ステージ、３
…軸受（例えば空気軸受）、４…軸受、５…ボー
ルネジ又はリードスクリユー、６…軸、７…ナツ
ト部、８…微動用モータ、９…ステージ、１０…
ボールネジ又はリードスクリユー（粗動用駆動
部）、１１…ナツト部（粗動用駆動部）、１２…切
欠き部、１３…電歪素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 移動ステージとこの移動ステージを移動させ
るための粗動用駆動手段とを備え、前記移動ステ
ージと前記粗動用駆動手段とを微動用の電歪素子
を介して連結させ、前記ステージの粗動および微
動を行う移動ステージ装置において、 前記粗動用駆動手段あるいは前記ステージの一
方の少なくとも一部に形成される第１の突出部
と、 この第１の突出部を両側より挟むように配置さ
れる第１および第２の電歪素子と、 これら第１および第２の電歪素子を挟むように
前記粗動用駆動手段あるいは前記ステージの他方
の少なくとも一部分に形成される第２の突出部
と、 前記第１および第２の電歪素子の一方を伸長さ
せる時に他方を同量だけ収縮させるための伸縮制
御を行う制御手段と、 を備えてなることを特徴とする移動ステージ装
置。 ２ 前記第１および第２の電歪素子として伸縮特
性が同一の電歪素子を用い、前記制御手段を前記
第１および第２の電歪素子の各々に同時に極性の
異なる電圧を印加可能に構成したことを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の移動ステージ装
置。 ３ 前記第１および第２の電歪素子として伸縮特
性が反対の電歪素子を用い、前記制御手段を前記
第１および第２の電歪素子の各々に同時に極性が
同じ電圧を印加可能に構成したことを特徴とする
特許請求の範囲第１項記載の移動ステージ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186516A JPS6165427A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 移動ステ−ジ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59186516A JPS6165427A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 移動ステ−ジ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6165427A JPS6165427A (ja) | 1986-04-04 |
| JPH0574226B2 true JPH0574226B2 (ja) | 1993-10-18 |
Family
ID=16189861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59186516A Granted JPS6165427A (ja) | 1984-09-07 | 1984-09-07 | 移動ステ−ジ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6165427A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2681950B2 (ja) * | 1987-11-30 | 1997-11-26 | 株式会社島津製作所 | 薄膜断面分析装置 |
| JP4863773B2 (ja) * | 2006-06-02 | 2012-01-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 電子顕微鏡装置およびブレーキ機構 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4926477A (ja) * | 1972-07-07 | 1974-03-08 | ||
| JPS5830129A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | Hitachi Ltd | 精密平面移動装置 |
| JPS5850008A (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-24 | Toshiba Corp | 高精度移動テ−ブル装置 |
-
1984
- 1984-09-07 JP JP59186516A patent/JPS6165427A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4926477A (ja) * | 1972-07-07 | 1974-03-08 | ||
| JPS5830129A (ja) * | 1981-08-17 | 1983-02-22 | Hitachi Ltd | 精密平面移動装置 |
| JPS5850008A (ja) * | 1981-09-21 | 1983-03-24 | Toshiba Corp | 高精度移動テ−ブル装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6165427A (ja) | 1986-04-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |