JPH0572027A - 受光モジユ−ル - Google Patents
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- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 耐雑音特性の良い、小型の、応答速度の早
い、誤動作を生じにくい受光モジュ−ルを提供する。 【構成】 電源電位に接続されるフレ−ム上に、受光素
子とそれに直接接続される増幅器を有する回路素子とを
載置し、これら受光素子と回路素子を樹脂で一体に覆
う。そして受光素子と回路素子のフレ−ムに接続される
電極上に同一導電型の半導体基板を設ける。
い、誤動作を生じにくい受光モジュ−ルを提供する。 【構成】 電源電位に接続されるフレ−ム上に、受光素
子とそれに直接接続される増幅器を有する回路素子とを
載置し、これら受光素子と回路素子を樹脂で一体に覆
う。そして受光素子と回路素子のフレ−ムに接続される
電極上に同一導電型の半導体基板を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光リモコンなどに好適な
受光モジュ−ルに関する。
受光モジュ−ルに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、オ−ディオ装置、空調機器、テレ
ビジョン受信器など多くの室内機器においては、赤外光
が雑音に強くまた比較的多くの情報量を短時間に伝達で
きるので、発光ダイオ−ドと受光素子を利用した光リモ
コンが使用されている。その光リモコンに用いる受光モ
ジュ−ルは例えば実開平１−１０２８３４号公報に示さ
れるように、受光素子と回路素子をプリント基板上に載
置し、シ−ルドケ−スに収納してこれを構成している。
ビジョン受信器など多くの室内機器においては、赤外光
が雑音に強くまた比較的多くの情報量を短時間に伝達で
きるので、発光ダイオ−ドと受光素子を利用した光リモ
コンが使用されている。その光リモコンに用いる受光モ
ジュ−ルは例えば実開平１−１０２８３４号公報に示さ
れるように、受光素子と回路素子をプリント基板上に載
置し、シ−ルドケ−スに収納してこれを構成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかして上述の受光モ
ジュ−ルでは、受光素子と回路素子との配線が複雑なた
め両者間で雑音を拾い易い。またプリント基板を用いる
ため占有体積が大きいという欠点が有る。そこで一つの
半導体基板上に受光素子と回路素子を集積することが試
みられるが、実用に至っていない。何故ならば受光素子
の出力が低く、応答速度が遅く、あるいは回路素子に光
が当ることにより誤動作を生じ易いからである。故に本
発明は上述の欠点を鑑みてなされたものであり、すなわ
ち雑音を拾いにくく、小型の、応答速度の早い、誤動作
を生じにくい受光モジュ−ルを提供するものである。
ジュ−ルでは、受光素子と回路素子との配線が複雑なた
め両者間で雑音を拾い易い。またプリント基板を用いる
ため占有体積が大きいという欠点が有る。そこで一つの
半導体基板上に受光素子と回路素子を集積することが試
みられるが、実用に至っていない。何故ならば受光素子
の出力が低く、応答速度が遅く、あるいは回路素子に光
が当ることにより誤動作を生じ易いからである。故に本
発明は上述の欠点を鑑みてなされたものであり、すなわ
ち雑音を拾いにくく、小型の、応答速度の早い、誤動作
を生じにくい受光モジュ−ルを提供するものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、電源電位に接続されるフレ−ム上に、受
光素子とそれに直接接続される増幅器を有する回路素子
とを載置し、これら受光素子と回路素子を樹脂で一体に
覆う。そして受光素子と回路素子のフレ−ムに接続され
る電極上に同一導電型の半導体基板を設けるものであ
る。より好ましくは、回路素子の周辺に遮光性樹脂を覆
い、受光素子と遮光性樹脂を透光性樹脂で覆う。
決するために、電源電位に接続されるフレ−ム上に、受
光素子とそれに直接接続される増幅器を有する回路素子
とを載置し、これら受光素子と回路素子を樹脂で一体に
覆う。そして受光素子と回路素子のフレ−ムに接続され
る電極上に同一導電型の半導体基板を設けるものであ
る。より好ましくは、回路素子の周辺に遮光性樹脂を覆
い、受光素子と遮光性樹脂を透光性樹脂で覆う。
【０００５】また本発明はフレ−ムに透孔を有する舌片
部を設け、その舌片部を透孔が受光素子の位置に対応す
るようにして樹脂の表面を覆うように構成したものであ
る。
部を設け、その舌片部を透孔が受光素子の位置に対応す
るようにして樹脂の表面を覆うように構成したものであ
る。
【０００６】
【作用】上述の様に、同一導電型の半導体基板を有する
受光素子と回路素子を同一フレ−ム上に載置することに
より、微弱信号を扱う部分が十分近接し、関係する面積
も小さくなる。故に雑音の影響を受けにくくなる。また
受光素子も単独に製作するので最適の比抵抗を選択する
事により、受光素子の出力を高めて応答速度を早くでき
る。さらに回路素子を遮光性樹脂又は舌片部で覆う事に
より、誤動作を防止する。
受光素子と回路素子を同一フレ−ム上に載置することに
より、微弱信号を扱う部分が十分近接し、関係する面積
も小さくなる。故に雑音の影響を受けにくくなる。また
受光素子も単独に製作するので最適の比抵抗を選択する
事により、受光素子の出力を高めて応答速度を早くでき
る。さらに回路素子を遮光性樹脂又は舌片部で覆う事に
より、誤動作を防止する。
【０００７】
【実施例】以下に本発明の第１実施例を図１、図２、図
３に従って説明する。図１は本実施例に係る受光モジュ
−ルの平面断面図、図２は図１のＡＡ断面図である。こ
れらの図に於て、フレ−ム１は金属性の板からなり、幅
の広い素子固定部１１とリ−ド部１２を有している。リ
−ド部１２に略平行に他のリ−ドフレ−ム１３、１４が
２本配置されている。
３に従って説明する。図１は本実施例に係る受光モジュ
−ルの平面断面図、図２は図１のＡＡ断面図である。こ
れらの図に於て、フレ−ム１は金属性の板からなり、幅
の広い素子固定部１１とリ−ド部１２を有している。リ
−ド部１２に略平行に他のリ−ドフレ−ム１３、１４が
２本配置されている。
【０００８】受光素子２は例えばシリコンＰＩＮホトダ
イオ−ドからなり、フレ−ム１の素子固定部１１に導電
性接着剤を介して固着されている。受光素子２は電極２
１、半導体基板（Ｐ層）２２、Ｉ層２３、空乏層２４、
拡散層（Ｎ層）２５、他の電極２６から構成されてい
る。Ｉ層２３はシリコンに濃度１０14ｃｍ-3程度の燐等
のＰ型不純物を添加されたものである。半導体基板２２
は、このＩ層２３の下部に選択拡散され、濃度１０19〜
１０20ｃｍ-3の燐等のＰ型不純物が添加されている。拡
散層（ｎ層）２５はＩ層２３の上部に部分的に選択拡散
され、濃度１０19〜１０20ｃｍ-3のボロン等のＮ型不純
物が添加されている。空乏層２４はＮ層２５の表面から
Ｉ層２３の内部に部分的に延びて形成されたもので、キ
ャリア濃度が非常に少ない領域である。
イオ−ドからなり、フレ−ム１の素子固定部１１に導電
性接着剤を介して固着されている。受光素子２は電極２
１、半導体基板（Ｐ層）２２、Ｉ層２３、空乏層２４、
拡散層（Ｎ層）２５、他の電極２６から構成されてい
る。Ｉ層２３はシリコンに濃度１０14ｃｍ-3程度の燐等
のＰ型不純物を添加されたものである。半導体基板２２
は、このＩ層２３の下部に選択拡散され、濃度１０19〜
１０20ｃｍ-3の燐等のＰ型不純物が添加されている。拡
散層（ｎ層）２５はＩ層２３の上部に部分的に選択拡散
され、濃度１０19〜１０20ｃｍ-3のボロン等のＮ型不純
物が添加されている。空乏層２４はＮ層２５の表面から
Ｉ層２３の内部に部分的に延びて形成されたもので、キ
ャリア濃度が非常に少ない領域である。
【０００９】回路素子３は素子固定部１１上に導電性接
着剤を介して固着されている。回路素子３は断面図で示
す様に、電極３０１、半導体基板（Ｐ層）３０２、Ｎ+
（埋込層）３０３、Ｎ層３０４、Ｎ+層３０５と３０
６、Ｐ層３０７、ＳｉＯ2層３０８、導電層３０９、導
電層３１０、他の電極３１１、３１２、３１３、３１４
から構成されている。この様に受光素子２と回路素子３
はそれぞれフレ−ム１と接続される電極２１と３０１上
に同一導電型（Ｐ型）の半導体基板２２と３０２を有し
ている。
着剤を介して固着されている。回路素子３は断面図で示
す様に、電極３０１、半導体基板（Ｐ層）３０２、Ｎ+
（埋込層）３０３、Ｎ層３０４、Ｎ+層３０５と３０
６、Ｐ層３０７、ＳｉＯ2層３０８、導電層３０９、導
電層３１０、他の電極３１１、３１２、３１３、３１４
から構成されている。この様に受光素子２と回路素子３
はそれぞれフレ−ム１と接続される電極２１と３０１上
に同一導電型（Ｐ型）の半導体基板２２と３０２を有し
ている。
【００１０】金属細線４１、４２、４３、４４は金等か
らなり、それぞれ受光素子２の他の電極２６と回路素子
３の他の電極３１１との間、素子固定部１１と他の電極
３１３との間、他のリ−ドフレ−ム１３と他の電極３１
２との間、他のリ−ドフレ−ム１４と他の電極３１４と
の間に接続されている。そして好ましくは、この回路素
子３の周辺をカ−ボン入りシリコ−ン等の遮光性樹脂５
が覆う様に設けられている。
らなり、それぞれ受光素子２の他の電極２６と回路素子
３の他の電極３１１との間、素子固定部１１と他の電極
３１３との間、他のリ−ドフレ−ム１３と他の電極３１
２との間、他のリ−ドフレ−ム１４と他の電極３１４と
の間に接続されている。そして好ましくは、この回路素
子３の周辺をカ−ボン入りシリコ−ン等の遮光性樹脂５
が覆う様に設けられている。
【００１１】フレ−ム１の素子固定部１１と受光素子２
と回路素子３又は遮光性樹脂５は、エポキシ樹脂等から
なりかつ受光素子２の必要な波長の光（概ね赤外光）に
対して透光性を有しかつ他の波長の光（特に可視光）に
対して遮光性を有する黒色の樹脂４３で一体に覆われて
いる。次にこの受光モジュ−ルの動作を図３のブロック
図に従い説明する。この図に於て回路素子３は、例えば
ＡＢＬＣ３１５と増幅器３１６とリミッタ３１７とフィ
ルタ３１８と検波回路３１９と波形整形回路３２０とト
ランジスタ３２１と抵抗３２２の各回路からなる。受光
素子２のアノ−ド側（電極２１）はフレ−ム１を介して
アノ−ド共通タイプとして接地電位に接続され、カソ−
ド側（他の電極２６）は回路素子３の入力に接続されて
いる。ＡＢＬＣ３１５はオ−トバイアスロジックレベル
コントロ−ルであり、受光素子２に一定の逆バイアス電
位を与える。他のリ−ドフレ−ム１４に印加される電位
Ｖｃｃは回路素子３内の各回路に電圧を与える。リ−ド
部１２は電源電位、すなわち接地電位に接続されてい
る。この様にして電気信号を変調された赤外光を受けと
った受光素子２からの信号は回路素子３を経て、他のリ
−ドフレ−ム１３に出力信号Ｖｓｓを与える。
と回路素子３又は遮光性樹脂５は、エポキシ樹脂等から
なりかつ受光素子２の必要な波長の光（概ね赤外光）に
対して透光性を有しかつ他の波長の光（特に可視光）に
対して遮光性を有する黒色の樹脂４３で一体に覆われて
いる。次にこの受光モジュ−ルの動作を図３のブロック
図に従い説明する。この図に於て回路素子３は、例えば
ＡＢＬＣ３１５と増幅器３１６とリミッタ３１７とフィ
ルタ３１８と検波回路３１９と波形整形回路３２０とト
ランジスタ３２１と抵抗３２２の各回路からなる。受光
素子２のアノ−ド側（電極２１）はフレ−ム１を介して
アノ−ド共通タイプとして接地電位に接続され、カソ−
ド側（他の電極２６）は回路素子３の入力に接続されて
いる。ＡＢＬＣ３１５はオ−トバイアスロジックレベル
コントロ−ルであり、受光素子２に一定の逆バイアス電
位を与える。他のリ−ドフレ−ム１４に印加される電位
Ｖｃｃは回路素子３内の各回路に電圧を与える。リ−ド
部１２は電源電位、すなわち接地電位に接続されてい
る。この様にして電気信号を変調された赤外光を受けと
った受光素子２からの信号は回路素子３を経て、他のリ
−ドフレ−ム１３に出力信号Ｖｓｓを与える。
【００１２】次に、カソ−ド共通タイプとして、本発明
の第２実施例を図４に従って説明する。図４は本実施例
に係る受光モジュ−ルのブロック図である。図４で示し
た番号の内、図１ないし図３と同じ番号は同じ部品であ
る事を示す。受光素子２ａは第１実施例で示した受光素
子２のＰ層とＮ層を逆転させたものである。すなわちＩ
層２３ａはシリコンにボロン等のＮ型不純物を添加さ
れ、半導体基板２２ａはボロン等のＮ型不純物が添加さ
れ、拡散層（Ｐ層）２５ａは燐等のＰ型不純物が添加さ
れたものである。
の第２実施例を図４に従って説明する。図４は本実施例
に係る受光モジュ−ルのブロック図である。図４で示し
た番号の内、図１ないし図３と同じ番号は同じ部品であ
る事を示す。受光素子２ａは第１実施例で示した受光素
子２のＰ層とＮ層を逆転させたものである。すなわちＩ
層２３ａはシリコンにボロン等のＮ型不純物を添加さ
れ、半導体基板２２ａはボロン等のＮ型不純物が添加さ
れ、拡散層（Ｐ層）２５ａは燐等のＰ型不純物が添加さ
れたものである。
【００１３】回路素子３ａは概ね第１実施例で示した回
路素子３のＰ層とＮ層を逆転させたものであり、半導体
基板３０２ａはＮ型である。但しトランジスタ３２１は
第１実施例と同じＮＰＮ型を用いる。受光素子２ａのカ
ソ−ド側（電極２１）はフレ−ム１を介してカソ−ド共
通タイプとしてプラス電位に接続され、アノ−ド側（他
の電極２６）は回路素子３ａの入力に接続されている。
リ−ド部１２に印加される電源電位Ｖｃｃは回路素子３
ａ内の各回路にその電位を与える。他のリ−ドフレ−ム
１４は接地電位に接続されている。この様にして変調さ
れた赤外光は受光素子２ａを経て、回路素子３ａによ
り、他のリ−ドフレ−ム１３に出力信号Ｖｓｓを与え
る。
路素子３のＰ層とＮ層を逆転させたものであり、半導体
基板３０２ａはＮ型である。但しトランジスタ３２１は
第１実施例と同じＮＰＮ型を用いる。受光素子２ａのカ
ソ−ド側（電極２１）はフレ−ム１を介してカソ−ド共
通タイプとしてプラス電位に接続され、アノ−ド側（他
の電極２６）は回路素子３ａの入力に接続されている。
リ−ド部１２に印加される電源電位Ｖｃｃは回路素子３
ａ内の各回路にその電位を与える。他のリ−ドフレ−ム
１４は接地電位に接続されている。この様にして変調さ
れた赤外光は受光素子２ａを経て、回路素子３ａによ
り、他のリ−ドフレ−ム１３に出力信号Ｖｓｓを与え
る。
【００１４】さらに本実施例の受光モジュ−ルに用いた
受光素子２ａの光吸収効率特性を図５に従い説明する。
この図に於て横軸は空乏層２４ａの厚さ（μｍ）であ
り、縦軸は光吸収効率（％）、すなわち発生フォトン数
を入射フォトン数で割ったものの百分率である。この中
で特性Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆは受光素子２ａが受ける光の
波長であり、それぞれ７００、７８０、９００、９４
０、１０００ｎｍである。赤外光（９３０〜９５０ｎ
ｍ）を効率よく（９０％以上）受けるには空乏層の厚さ
が１１０μｍ以上必要な事が判かる。
受光素子２ａの光吸収効率特性を図５に従い説明する。
この図に於て横軸は空乏層２４ａの厚さ（μｍ）であ
り、縦軸は光吸収効率（％）、すなわち発生フォトン数
を入射フォトン数で割ったものの百分率である。この中
で特性Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆは受光素子２ａが受ける光の
波長であり、それぞれ７００、７８０、９００、９４
０、１０００ｎｍである。赤外光（９３０〜９５０ｎ
ｍ）を効率よく（９０％以上）受けるには空乏層の厚さ
が１１０μｍ以上必要な事が判かる。
【００１５】従来の様に半導体基板上に受光素子を一体
化して製造すると、その受光素子内のＩ層はエピタキシ
ャル法で製造されるため、Ｉ層の不純物濃度は十分小さ
くならない。（１０16ｃｍ-3程度）故にＩ層の比抵抗が
小さいので空乏層の厚さを厚くする事ができない。これ
に対して本実施例では、受光素子２ａは回路素子３ａと
独立して製造されるので、受光素子２ａのＩ層２３ａの
不純物濃度を１０14ｃｍ-3程度と小さく設定することが
できる。故にＩ層２３ａの比抵抗が（５００〜３０００
Ωｃｍと）大きくなるので、空乏層の厚さは例えば１１
０μｍ以上と厚く製造することができる。従って赤外光
を効率よく（９０％以上）受光することができ、受光素
子２ａの感度が高くなり、応答速度が早くなる。
化して製造すると、その受光素子内のＩ層はエピタキシ
ャル法で製造されるため、Ｉ層の不純物濃度は十分小さ
くならない。（１０16ｃｍ-3程度）故にＩ層の比抵抗が
小さいので空乏層の厚さを厚くする事ができない。これ
に対して本実施例では、受光素子２ａは回路素子３ａと
独立して製造されるので、受光素子２ａのＩ層２３ａの
不純物濃度を１０14ｃｍ-3程度と小さく設定することが
できる。故にＩ層２３ａの比抵抗が（５００〜３０００
Ωｃｍと）大きくなるので、空乏層の厚さは例えば１１
０μｍ以上と厚く製造することができる。従って赤外光
を効率よく（９０％以上）受光することができ、受光素
子２ａの感度が高くなり、応答速度が早くなる。
【００１６】次にシ−ルドケ−スを用いた本発明の第３
実施例を図６に従って説明する。以下の説明に於て第１
実施例又は第２実施例と同じ番号のものは同じ物である
ことを示す。図６は、本実施例に係る受光モジュ−ルの
斜視図であり、図１のフレ−ムの素子固定部１１の延長
上にコ字状の舌片部を設けこれを折り曲げたものであ
る。すなわちフレ−ム７１の先端に設けた舌片部７２に
透孔７３を設け、その透孔７３が受光素子２又は２ａの
位置に対応するように、そして素子固定部と舌片部７２
の主表面が略平行になるように折り曲げ加工して舌片部
７２で樹脂６０の表面を覆う。透孔７３は受光素子２又
は２ａの光導入孔となり、受光素子２又は２ａと回路素
子３又は３ａはフレ−ム７１が少なくとも３面、図の例
では５面であるが、舌片部を箱型に加工しておけば６面
を覆うことができる。またフレ−ムの薄い場合や、折り
曲げをしてもフレ−ムが少し元に戻り樹脂６０とフレ−
ムの間隔が大きくなるような場合には、樹脂６０の側面
に小さな突起を設け、舌片部７２の側面折曲部に孔もし
くは爪を設け、これらを係止させればフレ−ムは所定の
箱状に形成できる。
実施例を図６に従って説明する。以下の説明に於て第１
実施例又は第２実施例と同じ番号のものは同じ物である
ことを示す。図６は、本実施例に係る受光モジュ−ルの
斜視図であり、図１のフレ−ムの素子固定部１１の延長
上にコ字状の舌片部を設けこれを折り曲げたものであ
る。すなわちフレ−ム７１の先端に設けた舌片部７２に
透孔７３を設け、その透孔７３が受光素子２又は２ａの
位置に対応するように、そして素子固定部と舌片部７２
の主表面が略平行になるように折り曲げ加工して舌片部
７２で樹脂６０の表面を覆う。透孔７３は受光素子２又
は２ａの光導入孔となり、受光素子２又は２ａと回路素
子３又は３ａはフレ−ム７１が少なくとも３面、図の例
では５面であるが、舌片部を箱型に加工しておけば６面
を覆うことができる。またフレ−ムの薄い場合や、折り
曲げをしてもフレ−ムが少し元に戻り樹脂６０とフレ−
ムの間隔が大きくなるような場合には、樹脂６０の側面
に小さな突起を設け、舌片部７２の側面折曲部に孔もし
くは爪を設け、これらを係止させればフレ−ムは所定の
箱状に形成できる。
【００１７】なおシ−ルドを設ける他の方法としては、
フレ−ムの上に素子が載置されこのフレ−ムが所定電位
に接続されることを利用して、このフレ−ムの一部を樹
脂から突出させ、樹脂全体を導電性熱収縮チュ−ブで覆
い、そのチュ−ブが突出したフレ−ムと電気的に接触す
るように構成することでも構成できる。なお以上の説明
に於て、受光素子２、２ａとしてＰＩＮホトダイオ−ド
を例示したが、その他にホトトランジスタやホトダイオ
−ドなどにも適用可能である。
フレ−ムの上に素子が載置されこのフレ−ムが所定電位
に接続されることを利用して、このフレ−ムの一部を樹
脂から突出させ、樹脂全体を導電性熱収縮チュ−ブで覆
い、そのチュ−ブが突出したフレ−ムと電気的に接触す
るように構成することでも構成できる。なお以上の説明
に於て、受光素子２、２ａとしてＰＩＮホトダイオ−ド
を例示したが、その他にホトトランジスタやホトダイオ
−ドなどにも適用可能である。
【００１８】
【発明の効果】本発明は上述のように、同一導電型の半
導体基板を有する受光素子と回路素子をそれぞれ電極を
介して同一フレ−ムに載置する。故に受光素子と回路素
子の電位が一定電位に固定されることで、いわゆるフロ
−ティングによる出力変動がない。そして、両素子を直
接接続するので微弱信号を扱う部分が十分近接し、関係
する面積も小さくなる。故に耐雑音特性が良好となる。
更に受光素子を回路素子と独立して設けるので、受光素
子のＩ層の不純物濃度を小さくすることにより、Ｉ層の
比抵抗が大きくなる。故に空乏層の厚みが大きくなり、
光吸収効率が高くなるので受光素子の感度が高くなり、
応答速度も早くなる。本発明はまた、プリント基板を用
いないでフレ−ムに直接素子を載置するのでモジュ−ル
が小型となる。
導体基板を有する受光素子と回路素子をそれぞれ電極を
介して同一フレ−ムに載置する。故に受光素子と回路素
子の電位が一定電位に固定されることで、いわゆるフロ
−ティングによる出力変動がない。そして、両素子を直
接接続するので微弱信号を扱う部分が十分近接し、関係
する面積も小さくなる。故に耐雑音特性が良好となる。
更に受光素子を回路素子と独立して設けるので、受光素
子のＩ層の不純物濃度を小さくすることにより、Ｉ層の
比抵抗が大きくなる。故に空乏層の厚みが大きくなり、
光吸収効率が高くなるので受光素子の感度が高くなり、
応答速度も早くなる。本発明はまた、プリント基板を用
いないでフレ−ムに直接素子を載置するのでモジュ−ル
が小型となる。
【００１９】本発明はさらに、舌片部によって樹脂を覆
うことでシ−ルド効果を簡単にかつ確実に得ることがで
きる。その場合、透孔によって受光素子には光が導かれ
るが同じ平面内にある回路素子はフレ−ムにより光が遮
られるので、回路素子が光エネルギ−によって誤動作す
ることはない。また本発明は回路素子の周辺を遮光性樹
脂で覆う事により、光が遮ぎられるので、回路素子が光
エネルギ−によって誤動作しない。そして受光素子を透
光性樹脂で覆うので、受光素子には適正な光が導かれ
る。
うことでシ−ルド効果を簡単にかつ確実に得ることがで
きる。その場合、透孔によって受光素子には光が導かれ
るが同じ平面内にある回路素子はフレ−ムにより光が遮
られるので、回路素子が光エネルギ−によって誤動作す
ることはない。また本発明は回路素子の周辺を遮光性樹
脂で覆う事により、光が遮ぎられるので、回路素子が光
エネルギ−によって誤動作しない。そして受光素子を透
光性樹脂で覆うので、受光素子には適正な光が導かれ
る。
【図１】本発明の第１実施例に係る受光モジュ−ルの平
面断面図である。
面断面図である。
【図２】図１のＡＡ断面図である。
【図３】本発明の第１実施例に係る受光モジュ−ルのブ
ロック図である。
ロック図である。
【図４】本発明の第２実施例に係る受光モジュ−ルのブ
ロック図である。
ロック図である。
【図５】本発明の第２実施例に係る受光モジュ−ルの光
吸収効率特性図である。
吸収効率特性図である。
【図６】本発明の第３実施例に係る受光モジュ−ルの斜
視図である。
視図である。
１ フレ−ム ２、２ａ 受光素子 ３、３ａ 回路素子 ５ 遮光性樹脂 ６ 樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 晋 鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取 三洋電機株式会社内 (72)発明者 田中 堅太郎 鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取 三洋電機株式会社内 (72)発明者 山根 幹仁 鳥取県鳥取市南吉方３丁目201番地 鳥取 三洋電機株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】 電源電位に接続されるフレ−ムと、その
フレ−ムに載置された受光素子と、前記フレ−ムに載置
され前記受光素子に直接配線が施された増幅器を有する
回路素子と、前記受光素子と前記回路素子を一体に覆う
樹脂とを具備し、前記受光素子と前記回路素子はそれぞ
れ前記フレ−ムと接続される電極上に同一導電型の半導
体基板を有する事を特徴とする受光モジュ−ル。 - 【請求項２】 前記回路素子の周辺が遮光性樹脂で覆わ
れ、かつ前記受光素子と前記遮光性樹脂が透光性樹脂で
覆われた事を特徴とする請求項１の受光モジュ−ル。 - 【請求項３】 素子固定部と透孔を有する舌片部とを有
するフレ−ムと、その素子固定部に載置された回路素子
と受光素子と、その回路素子と受光素子と前記素子固定
部を覆う樹脂とを具備し、前記舌片部は前記透孔が前記
受光素子の位置に対応するようにして前記樹脂の表面を
覆ってなる事を特徴とする受光モジュ−ル。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4965692A JP3177287B2 (ja) | 1991-03-07 | 1992-03-06 | 受光モジュ−ル |
| US07/902,625 US5291054A (en) | 1991-06-24 | 1992-06-23 | Light receiving module for converting light signal to electric signal |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-41789 | 1991-03-07 | ||
| JP4178991 | 1991-03-07 | ||
| JP4965692A JP3177287B2 (ja) | 1991-03-07 | 1992-03-06 | 受光モジュ−ル |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001010179A Division JP3696094B2 (ja) | 1991-03-07 | 2001-01-18 | 受光モジュ−ル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0572027A true JPH0572027A (ja) | 1993-03-23 |
| JP3177287B2 JP3177287B2 (ja) | 2001-06-18 |
Family
ID=26381453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4965692A Expired - Lifetime JP3177287B2 (ja) | 1991-03-07 | 1992-03-06 | 受光モジュ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3177287B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11112299B2 (en) | 2018-03-15 | 2021-09-07 | Omron Corporation | Small photoelectric sensor |
-
1992
- 1992-03-06 JP JP4965692A patent/JP3177287B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11112299B2 (en) | 2018-03-15 | 2021-09-07 | Omron Corporation | Small photoelectric sensor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3177287B2 (ja) | 2001-06-18 |
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