JPH0571168B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0571168B2 JPH0571168B2 JP61129578A JP12957886A JPH0571168B2 JP H0571168 B2 JPH0571168 B2 JP H0571168B2 JP 61129578 A JP61129578 A JP 61129578A JP 12957886 A JP12957886 A JP 12957886A JP H0571168 B2 JPH0571168 B2 JP H0571168B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- layer
- energy
- coating
- amount
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 10
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 claims description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体デバイス等の製造方法及び製
造装置に関する。
造装置に関する。
従来、この種の多層レジスト構造は、例えば分
子量の相異なる二層のレジスト構造を、種別の異
なるレジストの段階的な塗布により得ることが行
なわれ、リフトオフ法と呼ばれる半導体デバイス
製造方法に使用するため、逆テーパー断面形状の
開口パターンを形成することが行なわれていた。
子量の相異なる二層のレジスト構造を、種別の異
なるレジストの段階的な塗布により得ることが行
なわれ、リフトオフ法と呼ばれる半導体デバイス
製造方法に使用するため、逆テーパー断面形状の
開口パターンを形成することが行なわれていた。
上述した従来の種別の異なるレジストを用いる
手法では、所望する分子量、または溶解速度を有
するレジスト材料を選択し、機能を材料自身の性
質として伴なわせることが必要であつた。
手法では、所望する分子量、または溶解速度を有
するレジスト材料を選択し、機能を材料自身の性
質として伴なわせることが必要であつた。
従つて、一つの材料に対して多くの機能を伴な
わせることは実用上困難であり、例えば粘度、分
子量、溶解速度等レジスト材料の性質を全ての点
で所望する機能に合致させることは、材料選択の
範囲を非常に小さくする結果を招く欠点がある。
わせることは実用上困難であり、例えば粘度、分
子量、溶解速度等レジスト材料の性質を全ての点
で所望する機能に合致させることは、材料選択の
範囲を非常に小さくする結果を招く欠点がある。
また、多種のレジストを段階的に塗布する方法
では、処理設備の面でも、各種レジスト専用の機
構を必要とする欠点もある。
では、処理設備の面でも、各種レジスト専用の機
構を必要とする欠点もある。
本発明によるレジスト塗布法は、少なくとも３
層以上の多層レジスト構造であつて、塗布と光又
は荷電粒子線等のエネルギー照射とを組合わせ反
復処理することにより同種レジストの塗布に対し
て溶解速度の異なる多層レジスト構造を形成し、
逆テーパー状の開口断面形状が得られるように膜
厚方向にレジスト感度を設計したことを特徴とす
る。
層以上の多層レジスト構造であつて、塗布と光又
は荷電粒子線等のエネルギー照射とを組合わせ反
復処理することにより同種レジストの塗布に対し
て溶解速度の異なる多層レジスト構造を形成し、
逆テーパー状の開口断面形状が得られるように膜
厚方向にレジスト感度を設計したことを特徴とす
る。
次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。ウ
エハー２は、回転装置１及び、レジスト滴下ノズ
ル４からなる塗布機構により、レジスト３が塗布
される。この後、赤外線ヒーター５及び赤外線ヒ
ーターカバー６から構成された乾燥機構により塗
布膜として形成される。さらにこの後、紫外線ラ
ンプ７及び紫外線ランプカバー８からなるエネル
ギー照射機構により、ウエハー上の塗布膜上に紫
外線が全面一括照射される。
エハー２は、回転装置１及び、レジスト滴下ノズ
ル４からなる塗布機構により、レジスト３が塗布
される。この後、赤外線ヒーター５及び赤外線ヒ
ーターカバー６から構成された乾燥機構により塗
布膜として形成される。さらにこの後、紫外線ラ
ンプ７及び紫外線ランプカバー８からなるエネル
ギー照射機構により、ウエハー上の塗布膜上に紫
外線が全面一括照射される。
以上の処理を反復することにより、多層レジス
ト構造を得ることができる。この様子を第２図に
示す。第２図ａにおいて、ウエハー２上の、塗布
膜として形成された第１層レジスト３１に対し、
赤外線ランプ７よりの光が照射される。
ト構造を得ることができる。この様子を第２図に
示す。第２図ａにおいて、ウエハー２上の、塗布
膜として形成された第１層レジスト３１に対し、
赤外線ランプ７よりの光が照射される。
この際、第１層レジスト３１に対し、Ｐという
エネルギー量が照射されたとする。次に第２図ｂ
に示すように、第２層レジスト３２を形成し、再
びＰというエネルギー量を与えると、一層のレジ
ストあたりのエネルギー吸収を考え、透過率Ｔと
すれば、この時第２層レジストにはＰというエネ
ルギー量又、下層の第１層レジストにはＴ・Ｐと
いうエネルギー量が与えられる。これらの処理を
反復し、第２図ｃに示す５層のレジスト構造を形
成した場合の各レジスト層における蓄積エネルギ
ー量の様子を第３図に示す。
エネルギー量が照射されたとする。次に第２図ｂ
に示すように、第２層レジスト３２を形成し、再
びＰというエネルギー量を与えると、一層のレジ
ストあたりのエネルギー吸収を考え、透過率Ｔと
すれば、この時第２層レジストにはＰというエネ
ルギー量又、下層の第１層レジストにはＴ・Ｐと
いうエネルギー量が与えられる。これらの処理を
反復し、第２図ｃに示す５層のレジスト構造を形
成した場合の各レジスト層における蓄積エネルギ
ー量の様子を第３図に示す。
グラフ上透過率Ｔの100％，90％，75％の場合
を図示した。本発明の手法によれば、以上の様
に、前もつて、各レジスト層あたりのエネルギー
透過率Ｔを知つておけば、蓄積エネルギー量が予
想できる。また、以上の実施例では、各レジスト
層での照射エネルギー量は、一定のＰとしたがこ
の値を毎回変化させることにより、さらに多種の
蓄積エネルギー量の各層での分布が達成できる。
を図示した。本発明の手法によれば、以上の様
に、前もつて、各レジスト層あたりのエネルギー
透過率Ｔを知つておけば、蓄積エネルギー量が予
想できる。また、以上の実施例では、各レジスト
層での照射エネルギー量は、一定のＰとしたがこ
の値を毎回変化させることにより、さらに多種の
蓄積エネルギー量の各層での分布が達成できる。
また第３図に見るように、透過率が小さくなる
と、各層間の蓄積エネルギー量の変化が小さくな
るため、一層あたりの膜厚、照射エネルギー変化
に注意して設定することが有効である。
と、各層間の蓄積エネルギー量の変化が小さくな
るため、一層あたりの膜厚、照射エネルギー変化
に注意して設定することが有効である。
PMMA等のレジストでは、照射エネルギー量
に応じて分子量が低分子化するため、溶解速度が
増大し、第２図ｄに示す様に、パターン露光を行
つた現像後の断面形状において、リフトオフ法に
好都合な逆テーパー形状を形成でき、また形状の
最適化も可能である。
に応じて分子量が低分子化するため、溶解速度が
増大し、第２図ｄに示す様に、パターン露光を行
つた現像後の断面形状において、リフトオフ法に
好都合な逆テーパー形状を形成でき、また形状の
最適化も可能である。
以上説明したように本発明は、各層毎の照射エ
ネルギー量の制御により、広い範囲でのエネルギ
ー分布を変化可能であり、制御性を決定付ける要
因も材料自身の性質ではなく、エネルギー照射機
構が支配的であり、電気信号等により制御で容易
に高精度及び高信頼性を得ることができる効果が
ある。
ネルギー量の制御により、広い範囲でのエネルギ
ー分布を変化可能であり、制御性を決定付ける要
因も材料自身の性質ではなく、エネルギー照射機
構が支配的であり、電気信号等により制御で容易
に高精度及び高信頼性を得ることができる効果が
ある。
第１図は本発明のレジスト塗布装置の断面図、
第２図は本発明のレジスト塗布法の断面図、第３
図は、本発明のレジスト塗布法により得られた多
層レジスト構造での各層における蓄積エネルギー
量と、一層あたりのエネルギー透過率との関係を
示すグラフ。 １……回転装置、２……ウエハー、３……レジ
スト、４……レジスト滴下ノズル、５……赤外線
ヒーター、６……赤外線ヒーターカバー、７……
紫外線ランプ、８……紫外線ランプカバー、３１
……第１層レジスト、３２……第２層レジスト、
３３……第３層レジスト、３４……第４層レジス
ト、３５……第５層レジスト。
第２図は本発明のレジスト塗布法の断面図、第３
図は、本発明のレジスト塗布法により得られた多
層レジスト構造での各層における蓄積エネルギー
量と、一層あたりのエネルギー透過率との関係を
示すグラフ。 １……回転装置、２……ウエハー、３……レジ
スト、４……レジスト滴下ノズル、５……赤外線
ヒーター、６……赤外線ヒーターカバー、７……
紫外線ランプ、８……紫外線ランプカバー、３１
……第１層レジスト、３２……第２層レジスト、
３３……第３層レジスト、３４……第４層レジス
ト、３５……第５層レジスト。
Claims (1)
- １ 少くとも３層以上の多層レジスト構造であつ
て、塗布と光又は荷電粒子線等のエネルギー照射
とを組合わせ反復処理することにより同種レジス
トの塗布に対して溶解速度の異なる多層レジスト
構造を形成し、逆テーパー状の開口断面形状が得
られるように膜厚方向にレジスト感度を設計した
ことを特徴とするレジスト塗布法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12957886A JPS62285423A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | レジスト塗布法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12957886A JPS62285423A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | レジスト塗布法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62285423A JPS62285423A (ja) | 1987-12-11 |
| JPH0571168B2 true JPH0571168B2 (ja) | 1993-10-06 |
Family
ID=15012926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12957886A Granted JPS62285423A (ja) | 1986-06-03 | 1986-06-03 | レジスト塗布法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62285423A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5677603B2 (ja) * | 2012-11-26 | 2015-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100428A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-22 | Matsushita Electronics Corp | Method for photomechanical process |
| JPS62173722A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Hitachi Ltd | パタン形成方法 |
-
1986
- 1986-06-03 JP JP12957886A patent/JPS62285423A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57100428A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-22 | Matsushita Electronics Corp | Method for photomechanical process |
| JPS62173722A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Hitachi Ltd | パタン形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS62285423A (ja) | 1987-12-11 |
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