JPH0567716A - Lead frame and manufacture thereof - Google Patents

Lead frame and manufacture thereof

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JPH0567716A
JPH0567716A JP25459591A JP25459591A JPH0567716A JP H0567716 A JPH0567716 A JP H0567716A JP 25459591 A JP25459591 A JP 25459591A JP 25459591 A JP25459591 A JP 25459591A JP H0567716 A JPH0567716 A JP H0567716A
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JP
Japan
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lead
lead frame
resin
island
recess
Prior art date
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JP25459591A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazutaka Shibata
和孝 柴田
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH0567716A publication Critical patent/JPH0567716A/en
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Priority to US08/383,573 priority patent/US5691241A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To form a section having different thickness easily to a lead frame. CONSTITUTION:An island 40, on which a semiconductor chip is mounted and which is molded with a resin at the time of resin seal, and inner leads 20 connected to the electrodes of the semiconductor chip mounted on the island 40 and molded with the resin at the time of resin seal are formed in size thinner than outer leads 30 continuously formed to the inner leads 20 and exposed from the resin to the outside. A plurality of sections corresponding to one semiconductor devices are formed so as to be adjoined regarding each of the inner leads 20 and the outer leads 30.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用のリードフ
レーム及びその製造方法に関するものである。更に詳し
くは、ICパッケージ等に用いるリードフレーム及びそ
の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame for a semiconductor device and a method for manufacturing the same. More specifically, the present invention relates to a lead frame used for an IC package and the like and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】ICパッケージ等の半導体装置は、ダイ
ボンディング(チップボンディング),ワイヤボンディン
グ,樹脂モールド等の工程処理を経て製造されるが、こ
れら一連の工程は金属薄板を打ち抜いて形成されるリー
ドフレームに対して行われる。
2. Description of the Related Art A semiconductor device such as an IC package is manufactured through processes such as die bonding (chip bonding), wire bonding, resin molding and the like. In these series of processes, a lead formed by punching a thin metal plate is used. It is done for frames.

【0003】図6は従来例の要部構成を示す平面図であ
り、Pは1個分のパッケージに対応する範囲を示してい
る。同図に示すように、リードフレーム10は、主とし
て、半導体チップが搭載されるアイランド40と,アイ
ランド40に搭載された半導体チップの電極に接続され
る複数のインナリード20(斜線)と,インナリード20
に連続形成され、基板等へ接続するためのアウタリード
30(斜線)と,位置合わせ用のガイド穴55等が設けら
れたガイドレール50とを備えて構成される。
FIG. 6 is a plan view showing the structure of a main part of a conventional example, and P indicates a range corresponding to one package. As shown in the figure, the lead frame 10 mainly includes an island 40 on which a semiconductor chip is mounted, a plurality of inner leads 20 (slanted lines) connected to the electrodes of the semiconductor chip mounted on the island 40, and inner leads. 20
And the guide rail 50 provided with the guide hole 55 for alignment and the like.

【0004】通常、上記リードフレーム10は、導電性
の金属薄板をパンチング金型を用いて打ち抜き形成さ
れ、又はエッチングの手法を利用して形成される。上記
リードフレーム10を用いて半導体装置を製造するに
は、先ず、チップボンディング工程において、リードフ
レーム10のアイランド40に半導体チップをボンディ
ングした後、ワイヤボンディング工程において、アイラ
ンド40に向かって延びるインナリード20の先端部と
半導体チップの電極とを金線等により結線する。その
後、アイランド40及びインナリード20を包み込むよ
うにしてこれらを樹脂によってモールドする樹脂モール
ド工程、上記モールドされた半導体装置をリードフレー
ムから切り離すリードカット工程等の工程処理を経て、
半導体装置が完成される。上記リードフレーム10は、
上記アイランド40にボンディングされる半導体チップ
の形状、端子数等の仕様に応じて、各半導体装置毎に製
造される。
Usually, the lead frame 10 is formed by punching a conductive thin metal plate using a punching die or by using an etching method. To manufacture a semiconductor device using the lead frame 10, first, in a chip bonding step, a semiconductor chip is bonded to the island 40 of the lead frame 10, and then in a wire bonding step, the inner leads 20 extending toward the island 40 are formed. The tip portion of the and the electrode of the semiconductor chip are connected by a gold wire or the like. After that, through a process such as a resin molding process of encapsulating the island 40 and the inner leads 20 with resin so as to wrap them, a lead cutting process of separating the molded semiconductor device from the lead frame, and the like,
The semiconductor device is completed. The lead frame 10 is
It is manufactured for each semiconductor device according to the specifications such as the shape of the semiconductor chip bonded to the island 40 and the number of terminals.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】一般にリードフレーム
は、フラットな金属板の打ち抜き等によって製造される
ため、インナリードやアウタリード等も同一の厚さで形
成されることになる。その板厚は、一般にDIP(Dual
In-Line Package)で0.25mm、SOP(Small Outline Package),QFP(Quad Flat Package)で0.
15mmである。
Generally, since the lead frame is manufactured by punching a flat metal plate or the like, the inner leads and the outer leads are also formed with the same thickness. The plate thickness is generally DIP (Dual
In-Line Package) is 0.25 mm, SOP (Small Outline Package), QFP (Quad Flat Package) is 0.
It is 15 mm.

【0006】一方、インナリード20でのファインピッ
チ化(微細加工)については、リードフレームの厚さによ
り支配的であるが、アウタリード(外装リード)30につ
いては、機械的強度が要求されるため、板厚を薄くする
ことに限界がある。また、ICパッケージ等の半導体装
置の厚さは、リードフレームとそのアイランド上の半導
体チップ,ボンディング用のワイヤ等により決まる。
On the other hand, the fine pitch (fine processing) of the inner leads 20 is dominated by the thickness of the lead frame, but the outer leads (exterior leads) 30 are required to have mechanical strength. There is a limit to reducing the plate thickness. The thickness of a semiconductor device such as an IC package is determined by the lead frame, the semiconductor chip on the island, the wire for bonding, and the like.

【0007】従って、リードフレームを薄くした場合、
アウタリードが強度不足となったり、熱伝導容量が低下
したりするといった問題があり、リードフレームを厚く
した場合、インナリードのファイン化に限界があり、半
導体装置の薄型化が図れないといった問題がある。
Therefore, when the lead frame is made thin,
There is a problem that the strength of the outer lead becomes insufficient and the heat conduction capacity decreases, and when the lead frame is thickened, there is a limit to the fineness of the inner lead and there is a problem that the semiconductor device cannot be thinned. ..

【0008】インナリード及びアイランドをアウタリー
ドよりも薄くすれば、これらの問題点を解決することは
できる。しかし、図6に示すように薄くすべき部分がア
ウタリードによって囲まれていると、1枚のリードフレ
ームに厚さの異なる2種類の部分を設けなければならな
い。そのためには、圧延,スタンピング,エッチング等
を行うための複雑な装置や方法を用いる必要がある。
These problems can be solved by making the inner lead and the island thinner than the outer lead. However, as shown in FIG. 6, when the portion to be thinned is surrounded by the outer leads, one lead frame must be provided with two types of portions having different thicknesses. For that purpose, it is necessary to use a complicated apparatus or method for performing rolling, stamping, etching and the like.

【0009】本発明はこれらの問題点に鑑みなされたも
のであって、リードフレームの厚さを一部薄くするとと
もに、その厚さの異なる部分が容易に形成されるように
構成された半導体装置用のリードフレーム及びそれを容
易に製造することができる製造方法を提供することを目
的とする。
The present invention has been made in view of these problems, and a semiconductor device configured such that the lead frame is partially thin and portions of different thickness are easily formed. It is an object of the present invention to provide a lead frame for a vehicle and a manufacturing method capable of easily manufacturing the same.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の半導体装置用のリードフレームは、半導体チッ
プが搭載され、樹脂封止時に樹脂によってモールドされ
るアイランドと,該アイランドに搭載された半導体チッ
プの電極に接続され、樹脂封止時に樹脂によってモール
ドされるインナリードと,該インナリードに連続形成さ
れ、前記樹脂から外に露出するアウタリードとを備えた
半導体装置用のリードフレームにおいて、前記アイラン
ド及びインナリードが前記アウタリードよりも薄く形成
されており、1個の半導体装置に相当する部分のインナ
リードとアウタリードが隣接する他の1個の半導体装置
に相当する部分のインナリードとアウタリードとにそれ
ぞれ対応隣接するようにして連続的に複数個設けられて
いることを特徴としている。
In order to achieve the above object, a lead frame for a semiconductor device according to the present invention is mounted with a semiconductor chip, an island molded with resin at the time of resin sealing, and the island. A lead frame for a semiconductor device, comprising an inner lead connected to an electrode of a semiconductor chip and molded by a resin at the time of resin sealing, and an outer lead continuously formed on the inner lead and exposed from the resin, The island and the inner lead are formed to be thinner than the outer lead, and the inner lead and the outer lead of a portion corresponding to one semiconductor device and the portion of the inner lead and the outer lead corresponding to another adjacent semiconductor device are adjacent to each other. It is characterized in that a plurality of pieces are continuously provided so as to correspond to each other. To have.

【0011】本発明の半導体装置用のリードフレームの
第1の製造方法は、リードフレーム用部材にローラの圧
延によって凹部を形成した後、該凹部にインナリード及
びアイランドを形成することを特徴としている。本発明
の半導体装置用のリードフレームの第2の製造方法は、
リードフレーム用部材にインナリード及びアイランドを
形成した後、該インナリード及びアイランドが形成され
た部分にローラの圧延によって凹部を形成することを特
徴としている。
A first method of manufacturing a lead frame for a semiconductor device according to the present invention is characterized in that after forming a recess in a lead frame member by rolling a roller, an inner lead and an island are formed in the recess. .. A second method of manufacturing a lead frame for a semiconductor device of the present invention is
It is characterized in that after forming the inner leads and the islands on the lead frame member, the recesses are formed by rolling the roller in the portions where the inner leads and the islands are formed.

【0012】[0012]

【作用】上記構成によれば、1個の半導体装置に相当す
る部分がインナリードとアウタリードとのそれぞれにつ
いて隣接するため、薄く形成されるインナリード及びア
ウタリードの部分が連続形成されることになる。従っ
て、薄くすべき部分は、例えば円板状の簡単な形状のロ
ーラで圧延することができる。
According to the above structure, since the portion corresponding to one semiconductor device is adjacent to each of the inner lead and the outer lead, the thinned inner lead and outer lead portions are continuously formed. Therefore, the portion to be thinned can be rolled by a roller having a simple disc shape, for example.

【0013】[0013]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。尚、従来例(図6)と同一部分には同一の符号を付
して詳しい説明を省略する。図2は、本実施例における
半導体装置としてのパッケージ1個分に相当する範囲を
示している。実際には図5に示すように、1個のパッケ
ージに相当する部分T1のインナリード20aとアウタ
リード30aが隣接する他の1個のパッケージに相当す
る部分T2,T3のインナリード20b,20cとアウ
タリード30b,30cとにそれぞれ対応隣接するよう
にして連続的に複数個設けられている。その上、凹部6
1はそのリードフレーム10の長手方向に沿って連続的
に形成されている。そして、ダイボンディング等の処理
は、所定の長さ単位(例えば、パッケージ10個分)やフ
ープ状(ロール状)でリール等に巻かれた状態において施
される。尚、図2の(a)は平面図、(b)はそのX−X’
線断面図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The same parts as those in the conventional example (FIG. 6) are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted. FIG. 2 shows a range corresponding to one package as a semiconductor device in this embodiment. Actually, as shown in FIG. 5, the inner lead 20a of the portion T1 corresponding to one package and the outer lead 30a are adjacent to the inner leads 20b, 20c of the portion T2 and T3 corresponding to another package, and the outer lead 30a. A plurality of units 30b and 30c are continuously provided so as to be adjacent to each other. Moreover, the recess 6
1 is continuously formed along the longitudinal direction of the lead frame 10. Then, a process such as die bonding is performed in a state of being wound on a reel or the like in a predetermined length unit (for example, 10 packages) or in a hoop shape (roll shape). 2A is a plan view and FIG. 2B is its XX 'line.
It is a line sectional view.

【0014】本実施例は、凹部61が設けられているほ
かは、前記従来例(図6)と同一の構成となっている。凹
部61は、樹脂によって封止される範囲であるモールド
部65(破線)よりも小さく形成されている。そして、リ
ードフレーム10は、従来例と同様に、半導体チップが
搭載され、樹脂封止時に樹脂によってモールドされるア
イランド40と,アイランド40に搭載された半導体チ
ップの電極に接続され、樹脂封止時に樹脂によってモー
ルドされるインナリード20と,インナリード20に連
続形成され、樹脂から外に露出するアウタリード30と
を備えている。従って、凹部61が形成されている範囲
にあるインナリード20,アイランド40等は、樹脂に
よって被覆されることになる。
The present embodiment has the same structure as the conventional example (FIG. 6) except that the recess 61 is provided. The concave portion 61 is formed smaller than the mold portion 65 (broken line), which is the range sealed by the resin. As in the conventional example, the lead frame 10 is connected to an island 40 on which a semiconductor chip is mounted and molded with resin at the time of resin sealing, and electrodes of the semiconductor chip mounted on the island 40, and at the time of resin sealing. An inner lead 20 molded by a resin and an outer lead 30 continuously formed on the inner lead 20 and exposed from the resin are provided. Therefore, the inner leads 20, the island 40, and the like in the area where the recess 61 is formed are covered with the resin.

【0015】また、凹部61はリードフレーム10の片
面にのみ形成されており、他方の面は均一にフラットに
なっている。従って、凹部61が形成されている範囲に
あるインナリード20等は、凹部20外の範囲にあるア
ウタリード30等よりも薄くなっている。
The recess 61 is formed only on one surface of the lead frame 10, and the other surface is uniformly flat. Therefore, the inner leads 20 and the like in the range where the recess 61 is formed are thinner than the outer leads 30 and the like in the range outside the recess 20.

【0016】次に、リードフレーム10の製造方法につ
いて説明する。本実施例の製造方法は、リードフレーム
用部材のインナリード20及びアイランド40が形成さ
れる部分に凹部を形成した後、その凹部にインナリード
20及びアイランド40を形成する方法である。尚、リ
ードフレーム用部材とは、従来よりリードフレーム10
の材料として用いられているNi合金及び銅合金材等を
いう。
Next, a method of manufacturing the lead frame 10 will be described. The manufacturing method of this embodiment is a method of forming a recess in a portion of the lead frame member where the inner lead 20 and the island 40 are formed, and then forming the inner lead 20 and the island 40 in the recess. It should be noted that the lead frame member is conventionally referred to as the lead frame 10
Ni alloy and copper alloy materials used as the material of

【0017】先ず、上記リードフレーム用部材に凹部を
形成する。図1は、本実施例に用いる金属板5の要部を
示しており、(a)は平面図であり、(b)はそのA−A’
線断面図である。この金属板5は、従来よりリードフレ
ーム用部材として用いられているフラットな金属板に凹
部60を形成することによって得られる。尚、同図中、
Sは図2に示す1個分のパッケージに対応する範囲を示
しており、凹部60,アウタリード部分70及びガイド
レール部分80が、図2中の凹部61,アウタリード3
0及びガイドレール50にそれぞれ対応する。
First, a recess is formed in the lead frame member. FIG. 1 shows a main part of a metal plate 5 used in this embodiment, (a) is a plan view, and (b) is its AA ′.
It is a line sectional view. The metal plate 5 is obtained by forming the recess 60 in a flat metal plate that has been conventionally used as a lead frame member. In the figure,
S indicates a range corresponding to one package shown in FIG. 2, and the concave portion 60, the outer lead portion 70 and the guide rail portion 80 correspond to the concave portion 61, the outer lead 3 in FIG.
0 and guide rail 50 respectively.

【0018】凹部60の形成は、例えばプレス,金型等
によるスタンピング,エッチング液との接触によるエッ
チング等によって行うことも可能である。しかし、図1
に示すように、凹部60はガイドレール部分80に沿っ
て直線状に延びているので、本実施例ではフープ状にさ
れたフラットな金属板の薄くしたい部分(凹部60とな
る部分)をローラによる圧延で塑性変形させ薄くする。
The recess 60 can be formed by, for example, stamping with a press, a mold, etching by contact with an etching solution, or the like. However,
As shown in FIG. 3, since the recess 60 extends linearly along the guide rail portion 80, in this embodiment, the portion of the hoop-shaped flat metal plate to be thinned (the portion that becomes the recess 60) is formed by the roller. It is thinned by plastic deformation by rolling.

【0019】図4は、ローラ(圧延部材)110が前記金
属板5の圧延を行っている様子を模式的に示している。
ローラ110をフラットな金属板上で押圧しながら転が
すことによって、ローラ110の周面で図1及び図4に
示すような凹部60を形成することができる。
FIG. 4 schematically shows how the roller (rolling member) 110 rolls the metal plate 5.
By rolling the roller 110 while pressing it on a flat metal plate, it is possible to form a recess 60 as shown in FIGS. 1 and 4 on the circumferential surface of the roller 110.

【0020】次に、金属板5にインナリード20等のリ
ードパターンを形成する。リードパターンの形成はパン
チング,エッチング等により行うことができる。パンチ
ング,エッチング等の加工方法としては、従来より一般
に行われている方法を採用することができる。
Next, a lead pattern such as the inner leads 20 is formed on the metal plate 5. The lead pattern can be formed by punching, etching or the like. As a processing method such as punching, etching, or the like, a method generally used in the past can be adopted.

【0021】本実施例では、凹部60は金属板5の片面
にのみ形成されているが、図4に示すような部材をフラ
ットな金属板の両面から接触させて金属板の両面に凹部
を形成してもよい。よって、金属板の断面はコの字状に
限らない。また、本実施例では、図1(b)に示すように
金属板5が2種類の厚さを有しているが、複数の厚さを
有するものであってもよい。
In this embodiment, the recess 60 is formed only on one side of the metal plate 5, but a member as shown in FIG. 4 is contacted from both sides of the flat metal plate to form the recess on both sides of the metal plate. You may. Therefore, the cross section of the metal plate is not limited to the U-shape. Further, in this embodiment, the metal plate 5 has two kinds of thicknesses as shown in FIG. 1B, but it may have a plurality of thicknesses.

【0022】他の製造方法として、フラットなリードフ
レーム用部材にインナリード20,アイランド40等の
リードパターンを形成した後、そのリードパターンが形
成された部分に凹部を形成する方法を用いてもよい。こ
の方法は、凹部形成工程をリードパターン形成工程の後
に行うほかは前述の製造方法と同様に行うことができ
る。
As another manufacturing method, a method may be used in which a lead pattern such as the inner leads 20 and the island 40 is formed on a flat lead frame member, and then a recess is formed in the portion where the lead pattern is formed. .. This method can be performed in the same manner as the above-described manufacturing method, except that the recess forming step is performed after the lead pattern forming step.

【0023】図3は、本実施例のリードフレーム10が
適用されたパッケージ100の外観を示す斜視図であ
る。樹脂モールド90からはアウタリード30のみが露
出しており、インナリード20やアイランド40等の凹
部61の範囲にある部分は、樹脂モールド90によって
モールドされている。
FIG. 3 is a perspective view showing the appearance of a package 100 to which the lead frame 10 of this embodiment is applied. Only the outer leads 30 are exposed from the resin mold 90, and the inner leads 20, the island 40, and other portions within the recess 61 are molded by the resin mold 90.

【0024】以上、本発明のリードフレーム及びその製
造方法について説明したが、本発明はかかる実施例に限
らず、半導体製品に用いられる種々のフレームとしても
適用可能である。
Although the lead frame and the method for manufacturing the same according to the present invention have been described above, the present invention is not limited to this embodiment but can be applied to various frames used for semiconductor products.

【0025】[0025]

【発明の効果】以上説明した通り本発明によれば、半導
体チップが搭載され、樹脂封止時に樹脂によってモール
ドされるアイランドと,該アイランドに搭載された半導
体チップの電極に接続され、樹脂封止時に樹脂によって
モールドされるインナリードと,該インナリードに連続
形成され、前記樹脂から外に露出するアウタリードとを
備えた半導体装置用のリードフレームにおいて、前記ア
イランド及びインナリードが前記アウタリードよりも薄
く形成されているので、アウタリードの強度及び熱伝導
容量を低下させることなく、インナリードのファインピ
ッチ化及び半導体装置の薄型化を図りうる半導体装置用
のリードフレームを実現することができる。しかも、1
個の半導体装置に相当する部分のインナリードとアウタ
リードが隣接する他の1個の半導体装置に相当する部分
のインナリードとアウタリードとにそれぞれ対応隣接す
るようにして連続的に複数個設けられているので、厚さ
の異なる部分が容易に形成される。その結果、リードフ
レーム送り用のサイドレールやアウタリードの強度をよ
り向上させることも可能である。
As described above, according to the present invention, a semiconductor chip is mounted and is connected to the island which is molded by the resin at the time of resin sealing and the electrode of the semiconductor chip mounted on the island, and the resin sealing is performed. In a lead frame for a semiconductor device, which includes an inner lead that is sometimes molded with a resin and an outer lead that is continuously formed on the inner lead and is exposed from the resin, the island and the inner lead are formed to be thinner than the outer lead. Therefore, it is possible to realize a lead frame for a semiconductor device in which the fine pitch of the inner leads and the thickness of the semiconductor device can be reduced without lowering the strength and the heat conduction capacity of the outer lead. Moreover, 1
A plurality of inner leads and outer leads corresponding to one semiconductor device are continuously provided so as to be adjacent to another inner lead and outer lead corresponding to another semiconductor device, respectively. Therefore, portions having different thicknesses are easily formed. As a result, it is possible to further improve the strength of the side rails for feeding the lead frame and the outer leads.

【0026】このようなリードフレームは、リードフレ
ーム用部材にローラの圧延によって凹部を形成した後、
該凹部にインナリード及びアイランドを形成したり、リ
ードフレーム用部材にインナリード及びアイランドを形
成した後、該インナリード及びアイランドが形成された
部分にローラの圧延によって凹部を形成することによっ
て容易に製造することができる。
In such a lead frame, after a recess is formed on the lead frame member by rolling a roller,
Manufactured easily by forming inner leads and islands in the recesses, forming inner leads and islands in the lead frame member, and then forming recesses by rolling a roller in the portions where the inner leads and islands are formed. can do.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に用いる金属板の要部を示す
図。
FIG. 1 is a diagram showing a main part of a metal plate used in an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例におけるパッケージ1個分に
相当する範囲を示す図。
FIG. 2 is a diagram showing a range corresponding to one package in one embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施例が適用されたパッケージの外観
を示す斜視図。
FIG. 3 is a perspective view showing an external appearance of a package to which an embodiment of the present invention is applied.

【図4】本発明の実施例に用いるローラによって凹部が
形成される様子を示す斜視図。
FIG. 4 is a perspective view showing how a recess is formed by a roller used in an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の一実施例の要部を示す平面図。FIG. 5 is a plan view showing a main part of an embodiment of the present invention.

【図6】従来例の要部を示す平面図。FIG. 6 is a plan view showing a main part of a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

5 …金属板 10 …リードフレーム 20 …インナリード 30 …アウタリード 40 …アイランド 50 …ガイドレール 55 …ガイド穴 60 …凹部 61 …凹部 65 …モールド部 70 …アウタリード部分 80 …ガイドレール部分 90 …樹脂モールド 100 …パッケージ 110 …ローラ(圧延部材) 5 ... Metal plate 10 ... Lead frame 20 ... Inner lead 30 ... Outer lead 40 ... Island 50 ... Guide rail 55 ... Guide hole 60 ... Recess 61 ... Recess 65 ... Mold part 70 ... Outer lead part 80 ... Guide rail part 90 ... Resin mold 100 … Package 110… Roller (rolling member)

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】半導体チップが搭載され、樹脂封止時に樹
脂によってモールドされるアイランドと,該アイランド
に搭載された半導体チップの電極に接続され、樹脂封止
時に樹脂によってモールドされるインナリードと,該イ
ンナリードに連続形成され、前記樹脂から外に露出する
アウタリードとを備えた半導体装置用のリードフレーム
において、 前記アイランド及びインナリードが前記アウタリードよ
りも薄く形成されており、1個の半導体装置に相当する
部分のインナリードとアウタリードが隣接する他の1個
の半導体装置に相当する部分のインナリードとアウタリ
ードとにそれぞれ対応隣接するようにして連続的に複数
個設けられていることを特徴とする半導体装置用のリー
ドフレーム。
1. An island on which a semiconductor chip is mounted and molded by resin at the time of resin sealing, and an inner lead which is connected to an electrode of the semiconductor chip mounted on the island and is molded by resin at the time of resin sealing. In a lead frame for a semiconductor device, which is continuously formed on the inner lead and has an outer lead exposed to the outside of the resin, the island and the inner lead are formed to be thinner than the outer lead. It is characterized in that a plurality of corresponding inner leads and outer leads are continuously provided so as to be respectively adjacent to an inner lead and an outer lead of a portion corresponding to another adjacent semiconductor device. Lead frame for semiconductor devices.
【請求項2】リードフレーム用部材にローラの圧延によ
って凹部を形成した後、該凹部にインナリード及びアイ
ランドを形成することを特徴とする半導体装置用のリー
ドフレームの製造方法。
2. A method of manufacturing a lead frame for a semiconductor device, which comprises forming a recess in a lead frame member by rolling a roller and then forming an inner lead and an island in the recess.
【請求項3】リードフレーム用部材にインナリード及び
アイランドを形成した後、該インナリード及びアイラン
ドが形成された部分にローラの圧延によって凹部を形成
することを特徴とする半導体装置用のリードフレームの
製造方法。
3. A lead frame for a semiconductor device, which comprises forming inner leads and islands on a lead frame member, and then forming a recess in the portion where the inner leads and islands are formed by rolling a roller. Production method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011088156A (en) * 2009-10-20 2011-05-06 Neomax Material:Kk Method of manufacturing bar having deformed cross section

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