JPH02197158A - Manufacture of lead frame - Google Patents
Manufacture of lead frameInfo
- Publication number
- JPH02197158A JPH02197158A JP1498289A JP1498289A JPH02197158A JP H02197158 A JPH02197158 A JP H02197158A JP 1498289 A JP1498289 A JP 1498289A JP 1498289 A JP1498289 A JP 1498289A JP H02197158 A JPH02197158 A JP H02197158A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die pad
- plating process
- lead
- lead frame
- inner lead
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims abstract description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 230000000881 depressing effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N [Si].[Au] Chemical compound [Si].[Au] OFLYIWITHZJFLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007665 sagging Methods 0.000 description 1
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、リードフレームの製造方法に関するものであ
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a method for manufacturing a lead frame.
(従来の技術)
半導体素子を搭載したパッケージの中で、樹脂封止タイ
プは、約80%を占めており、そのほとんどのものにリ
ードフレームが用いられている。(Prior Art) Among packages mounted with semiconductor elements, resin-sealed types account for about 80%, and lead frames are used in most of them.
これらのリードフレームを用いたICノくツケージの製
造方法について第6図をもちいて説明すると。A method of manufacturing an IC chip cage using these lead frames will be explained with reference to FIG.
基材として鉄、鉄合金(例えば42合金)、銅。Iron, iron alloy (for example, 42 alloy), copper as a base material.
銅合金(例えばC19400,C50710)等が用し
Aられ。Copper alloys (eg C19400, C50710) etc. are used.
基材厚0.15〜0 、25mm程度の薄板をウニ・ノ
トエ・ノチングや、プレスを使用したスタンピングで外
枠部10(上下レール、サイトレール)1アウタ一リー
ド部比 インナーリード部13は吊りビン14を介して
上下レール10a、 10bに連結されている。このよ
うにして、パターンが形成されたのち、ワイヤボンデン
グの為のめっきがインナーリード12の先端に施され、
必要に応じてデイプレスや、インナーリードの変形を押
さえるためのテーピング加工が行われる。Outer frame part 10 (upper and lower rails, sight rails) 1 Outer to lead part ratio Inner lead part 13 is suspended by stamping a thin plate with a base material thickness of 0.15 to 0.25 mm using a stamping method or a press. It is connected to the upper and lower rails 10a and 10b via a bin 14. After the pattern is formed in this way, plating for wire bonding is applied to the tips of the inner leads 12.
If necessary, daypressing or taping is performed to prevent deformation of the inner lead.
半導体装置は、半導体素子をリードフレームのダイパッ
ド13にエポキシペーストや金−シリコン共晶でマウン
トし、半導体素子上のボンデングノ<ラドとインナーリ
ード12の先端のめつき部を金細線(例えばφ25uI
11)で接続する。いわゆるワイヤボンデングを行い、
エポキシ樹脂等を用いてトランスファーモールドする。In the semiconductor device, the semiconductor element is mounted on the die pad 13 of the lead frame with epoxy paste or gold-silicon eutectic, and the bonding layer on the semiconductor element and the plated part of the tip of the inner lead 12 are connected with a thin gold wire (for example, φ25uI).
11) Connect. Perform so-called wire bonding,
Transfer mold using epoxy resin or the like.
その後、吊りビン14.ダムバー15.そしてサイトレ
ール部とアラクーリード先端の接続部16を切り離し、
アウターリード11を所定の形状に折り曲げて製造され
る。After that, hanging bin 14. Dam Bar 15. Then, disconnect the connecting part 16 between the sight rail part and the tip of the Arakure lead,
It is manufactured by bending the outer lead 11 into a predetermined shape.
(発明が解決しようとする諜B)
上記の従来の技術においては、リードフレームをウェッ
トエツチングやスタンピングで加工したのちの取扱い、
めっき工程でのめっき治具や洗浄からの外圧により、イ
ンナーリードが変形してしまうことがあり、工程歩留り
を低下させるという問題があった。(Intelligence B to be solved by the invention) In the above-mentioned conventional technology, handling after processing the lead frame by wet etching or stamping,
There is a problem in that the inner lead may be deformed due to external pressure from the plating jig or cleaning during the plating process, reducing the process yield.
このインナーリードの変形は、最近の多ビン化傾向によ
り、さらに顕著になってきている。つまり。This deformation of the inner lead is becoming more noticeable due to the recent trend towards increasing the number of bins. In other words.
多ビン化になるとインナーリードの先端ピンチが狭くな
り、これを実現する一方法として基材厚を薄くしてきた
。As the number of bottles increases, the pinch at the tip of the inner lead becomes narrower, and one way to achieve this is to reduce the thickness of the base material.
このようなことからインナーリードは変形しやすく、少
しの変形でもすぐ隣のインナーリードに接触し、その為
、そのリードフレームは不良になってしまう。For this reason, the inner lead is easily deformed, and even a slight deformation causes it to come into contact with the adjacent inner lead, resulting in a defective lead frame.
又、従来の技術(特開昭62−115853.60−1
76260 )においては、ウェットエツチングにより
、ダイパッド部とインナーリードの先端部との隙間を先
に設け、後プレス加工する方法が採られており、加工後
のダイパッド部とインナーリードの先端部との間隔が大
きくなるという制限があった。これにより、後のアセン
ブリ工程において、モールド時ワイヤたれ、変形、ショ
ートがおこるという問題があった。Also, the conventional technology (Japanese Patent Application Laid-Open No. 115853.60-1
76260), a method is adopted in which a gap is first created between the die pad part and the tip of the inner lead by wet etching, and then press processing is performed, so that the gap between the die pad part and the tip of the inner lead after processing is There was a limit to how large the This causes problems such as wire sagging, deformation, and short-circuiting during molding in a later assembly process.
従って1本発明の目的は2以上の技術的課題を解決し、
めっき工程でのめっき治具や洗浄からの外圧による変形
や8後のアセンブリ工程におけるモールド時のワイヤた
れ、変形、ショートを効果的に防ぐことの可能なリード
フレームを捉供することにある。Therefore, one purpose of the present invention is to solve two or more technical problems,
It is an object of the present invention to provide a lead frame that can effectively prevent deformation due to external pressure from a plating jig or cleaning in a plating process, and wire sag, deformation, and short circuit during molding in a subsequent assembly process.
(課題を解決するための手段)
上記の問題点を解決すべく1種々研究の結果リードフレ
ームの製造方法は、導電性の金属薄板からなる基材をエ
ツチング法または1 ブレス法の加工により、吊りビン
を介してダイパッド部をアウターリード部からダイパッ
ド部の縁周に延設された複数のインナーリードの先端部
が連結されるよう形成した後、少なくとも、めっき工程
を経た後、ダイパッド縁周に連結されているインナーリ
ードの先端部を切り離すことを特徴とすることを見出し
て本発明を完成したものである。(Means for Solving the Problems) In order to solve the above problems, as a result of various researches, the manufacturing method of the lead frame is to suspend the base material made of conductive metal thin plate by etching method or 1-press method. After the die pad part is formed so that the tips of the plurality of inner leads extending from the outer lead part to the periphery of the die pad part are connected via the bottle, at least after a plating process, the die pad part is connected to the periphery of the die pad. The present invention was completed by discovering that the tip of the inner lead, which is attached to the inner lead, is characterized by being cut off.
即ち9本発明は、インナーリード部の先端が、ダイパッ
ドに連結された状態で、めっき工程の処理を行うことを
要旨とするものである。That is, the gist of the present invention is to perform the plating process while the tips of the inner lead portions are connected to the die pad.
(作用)
本発明のリードフレームのように、全てのインナーリー
ド部の先端が、ダイパッドに連結された状態で、めっき
工程の処理を行えば、インナーリード部は、めっき工程
でのめっき治具や洗浄からの外圧に極めて安定である。(Function) If the plating process is performed with the tips of all the inner lead parts connected to the die pad as in the lead frame of the present invention, the inner lead parts can be used in the plating jig or in the plating process. Extremely stable to external pressure from cleaning.
しかも2本発明では、ウェットエツチングにより。Moreover, in the present invention, wet etching is used.
ダイパッド部とインナーリードの先端部との隙間を先に
設けない為1プレス後のダイパッド部とインナーリード
の先端部との間隔を小さくすることができる。これによ
り、後のアセンブリ工程におけるモールド時のワイヤた
れ、変形、ショートを防止できる。Since a gap between the die pad section and the tip end of the inner lead is not provided in advance, the gap between the die pad section and the tip end section of the inner lead after one press can be reduced. This can prevent wire sag, deformation, and short circuit during molding in the subsequent assembly process.
(実施例)
上記の本発明について、以下に実施例を挙げて更に詳細
に説明する。(Example) The above-mentioned present invention will be described in more detail with reference to Examples below.
第1図1工は本発明のリードフレーム製造の製造途中の
ダイパッド近辺を示したものである。FIG. 1 shows the vicinity of the die pad during manufacture of the lead frame of the present invention.
先ず、金属薄板をエツチングにて第6図のように。First, a thin metal plate was etched as shown in Figure 6.
外枠部10.アウターリード部11.インナーリード部
12.そしてダイパッド部13を形成する。この時。Outer frame portion 10. Outer lead part 11. Inner lead part 12. Then, a die pad portion 13 is formed. At this time.
グイバンド部近傍は第1図のごとく、吊りビン14を介
して1ダイパッド部13が設けられ、この縁周にインナ
ーリード12aがアウターリードから延設され、かつ、
連結された状態に形成する。As shown in FIG. 1, a single die pad part 13 is provided in the vicinity of the guide band part via a hanging bottle 14, and an inner lead 12a is extended from the outer lead to the periphery of this part, and
Form into a connected state.
次に、グイボンディングやワイヤポンディング作業の為
にめっき17を行う。めっきは必要に応じダイパッド部
13にも行うことがある。Next, plating 17 is performed for wire bonding and wire bonding work. Plating may also be performed on the die pad portion 13 if necessary.
次いで、ダイパッド部縁周のインナーリードの先端連結
部18を第2図30のように切断する。Next, the end connecting portion 18 of the inner lead around the edge of the die pad portion is cut as shown in FIG. 230.
切断位置は、第3図40のように、グイバンドの縁周に
インナーリードの一部が残るようにしてもよい。また、
第4図5(lは、半導体素子を1グイボンデイングする
側と反対の側からみたリードフレームの平面図であるが
、切断が容易になるよう所定の箇所19a、 19bに
ハーフエッチでグループを入れてもよい。The cutting position may be such that a portion of the inner lead remains around the edge of the guide band, as shown in FIG. 340. Also,
FIG. 4 (l) is a plan view of the lead frame seen from the side opposite to the side on which the semiconductor element is bonded by one groove. Groups are half-etched at predetermined locations 19a and 19b to facilitate cutting. You can.
このように、インナーリードが、グイバンドと連結され
ている状態で切断すると、エツチングからめっき完成比
のハンドリングやめっき処理時の外圧によるインナーリ
ードの変形は、完全に防止できる。In this manner, when the inner lead is cut while connected to the guide band, deformation of the inner lead due to external pressure during handling from etching to plating completion ratio and plating process can be completely prevented.
上記の実施例では、めっき工程後1インナーリードの切
断をしたが1めっき工程後1デイプレス。In the above example, one inner lead was cut after the plating process, but one day pressing was performed after the first plating process.
テーピングを行いインナーリード先端を切断することも
ある。Sometimes taping is performed and the tip of the inner lead is cut.
(発明の効果)
上記の本発明によるリードフレームの製造においてイン
ナーリードをダイパッドに連結した状態にエツチングで
形成したので、シートから個々のリードフレームを分離
させる時の取扱いや、めっき工程及びその前後の洗浄処
理時、且つ又、デイプレスやテーピングを行う場合の作
業取扱いで発生するインナーリードの変形は、はぼ完全
に防止でき1歩留り向上と同時に作業性の向上にも役立
つ。(Effects of the Invention) In manufacturing the lead frame according to the present invention, the inner leads are formed by etching while connected to the die pad. Deformation of the inner lead that occurs during cleaning processing and during handling during daypressing and taping can be almost completely prevented, which is useful for improving yield and workability at the same time.
更に1本発明では、ウェットエツチングにより。Furthermore, in the present invention, wet etching is used.
ダイパッド部とインナーリードの先端部との隙間を先に
設けない為、プレス後のダイパッド部とインナーリード
の先端部との間隔を小さくすることができる。これによ
り、後のアセンブリ工程におけるモールド時のワイヤた
れ1変形、ショートを防止でき、半導体素子のポンディ
ングパッドとリードフレームの接続作業であるワイヤボ
ンディングの歩留り及び作業性向上とともに安定した信
頼性の確保が得られることが推定される。Since a gap between the die pad portion and the tip end of the inner lead is not provided in advance, the distance between the die pad portion and the tip end portion of the inner lead after pressing can be reduced. This prevents wire sag from deforming and shorting during molding in the later assembly process, improving the yield and workability of wire bonding, which is the connection work between the bonding pad of a semiconductor element and a lead frame, and ensuring stable reliability. is estimated to be obtained.
第1図は9本発明によるリードフレームの製造途中の要
点を示す平面図であり、第2図、第3図は1本発明に係
わるリードフレームの要部を示す平面図、第4図は1本
発明に係わるリードフレームの要部を裏面からみた平面
図であり、第5図は。
第4図の一部の断面図である。
第6図は、従来のリードフレームの例を示す平面図であ
る。
12a−−−インナーリード
13−−−ダイパッド部
14−一一吊りピン
17−−−めっき部
18−m−先端連結部FIG. 1 is a plan view showing important points in the process of manufacturing a lead frame according to the present invention, FIGS. 2 and 3 are plan views showing main parts of a lead frame according to the present invention, and FIG. FIG. 5 is a plan view of the main parts of the lead frame according to the present invention, seen from the back side. 5 is a cross-sectional view of a portion of FIG. 4. FIG. FIG. 6 is a plan view showing an example of a conventional lead frame. 12a---Inner lead 13---Die pad part 14-11 Hanging pin 17---Plating part 18-m-Tip connection part
Claims (1)
板からなる基材をエッチング法または、プレス法の加工
により吊りピンを介してダイパッド部をアウターリード
部からダイパッド部の縁周に延設された複数のインナー
リードの先端部が連結されるよう形成した後、少なくと
もめっき工程を経た後、ダイパッド縁周に連結されてい
るインナーリードの先端部を切り離すことを特徴とする
リードフレームの製造方法In a lead frame for a semiconductor device, a base material made of a conductive metal plate is processed using an etching method or a pressing method to attach a die pad section to a plurality of die pad sections extending from the outer lead section to the periphery of the die pad section via hanging pins. A method for manufacturing a lead frame, comprising: forming the inner leads so that their tips are connected to each other, and then cutting off the tips of the inner leads connected to the edge of the die pad after at least a plating process.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1498289A JPH02197158A (en) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | Manufacture of lead frame |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1498289A JPH02197158A (en) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | Manufacture of lead frame |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02197158A true JPH02197158A (en) | 1990-08-03 |
Family
ID=11876172
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1498289A Pending JPH02197158A (en) | 1989-01-26 | 1989-01-26 | Manufacture of lead frame |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02197158A (en) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02210854A (en) * | 1989-02-09 | 1990-08-22 | Mitsui High Tec Inc | Lead frame for semiconductor device and manufacture thereof |
EP0701280A3 (en) * | 1994-08-11 | 1997-03-12 | Shinko Electric Ind Co | Lead frame and process of producing it |
US5696029A (en) * | 1993-08-31 | 1997-12-09 | Texas Instruments Incorporated | Process for manufacturing a lead frame |
EP0887850A2 (en) * | 1997-06-23 | 1998-12-30 | STMicroelectronics, Inc. | Lead-frame forming for improved thermal performance |
-
1989
- 1989-01-26 JP JP1498289A patent/JPH02197158A/en active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02210854A (en) * | 1989-02-09 | 1990-08-22 | Mitsui High Tec Inc | Lead frame for semiconductor device and manufacture thereof |
JPH0783081B2 (en) * | 1989-02-09 | 1995-09-06 | 株式会社三井ハイテック | Method for manufacturing lead frame used in semiconductor device |
US5696029A (en) * | 1993-08-31 | 1997-12-09 | Texas Instruments Incorporated | Process for manufacturing a lead frame |
EP0701280A3 (en) * | 1994-08-11 | 1997-03-12 | Shinko Electric Ind Co | Lead frame and process of producing it |
EP0887850A2 (en) * | 1997-06-23 | 1998-12-30 | STMicroelectronics, Inc. | Lead-frame forming for improved thermal performance |
EP0887850A3 (en) * | 1997-06-23 | 2001-05-02 | STMicroelectronics, Inc. | Lead-frame forming for improved thermal performance |
US6586821B1 (en) | 1997-06-23 | 2003-07-01 | Stmicroelectronics, Inc. | Lead-frame forming for improved thermal performance |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8969138B2 (en) | Semiconductor device and a method of manufacturing the same and a mounting structure of a semiconductor device | |
US9059185B2 (en) | Copper leadframe finish for copper wire bonding | |
US20020089042A1 (en) | Semiconductor leadframe for staggered board attach | |
US20060097363A1 (en) | Semiconductor device having post-mold nickel/palladium/gold plated leads | |
KR950000205B1 (en) | Lead frame and semiconductor device using the same | |
JP2000294711A (en) | Lead frame | |
JP4243270B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JPH02197158A (en) | Manufacture of lead frame | |
JP2528192B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4747188B2 (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
JPH11145369A (en) | Lead frame and semiconductor device using the same, and its manufacture | |
JPH03123063A (en) | Semiconductor device lead frame and manufacture thereof | |
JPS63250849A (en) | Lead frame excellent in wire bonding property | |
KR100187718B1 (en) | Method of manufacturing semiconductor package lead frame to prevent back flash | |
JPH06350009A (en) | Manufacture of semiconductor device and lead frame | |
JP2707153B2 (en) | Lead frame manufacturing method | |
JPH02202046A (en) | Lead frame and manufacture of semiconductor device using same | |
JP3853235B2 (en) | Lead frame | |
JPS61216353A (en) | Manufacture of lead frame | |
JP3242176B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
JPH02139954A (en) | Lead frame and resin-sealed semiconductor device using same | |
JPS60176260A (en) | Manufacture of lead frame for semiconductor device | |
JP2522557B2 (en) | Forming method for leads for resin-sealed semiconductor devices | |
JPH06151681A (en) | Manufacture of semiconductor device and lead frame used therein | |
JP2000315763A (en) | Lead frame and manufacture thereof |