JPH0567554A - パターン形成方法 - Google Patents
パターン形成方法Info
- Publication number
- JPH0567554A JPH0567554A JP3226264A JP22626491A JPH0567554A JP H0567554 A JPH0567554 A JP H0567554A JP 3226264 A JP3226264 A JP 3226264A JP 22626491 A JP22626491 A JP 22626491A JP H0567554 A JPH0567554 A JP H0567554A
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- divided
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Projection-Type Copiers In General (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 パターン形成方法に関し，基板上に所望のパ
ターンを精度よく形成する方法の提供を目的とする。 【構成】 基板１上に所望のパターンを形成する際に，
そのパターンの分割パターンのマスク５を作成し，分割
パターンのマスク５を用いて基板１上に複数の露光を繰
り返し，分割パターンを基板１上に継ぎ合わすことによ
り所望のパターンを形成する方法において，基板１の分
割パターン露光領域２外に光が入ることを防止する基板
ブラインド３を基板１の前に設けて分割パターンを露光
するパターン形成方法により構成する。また，予めテス
トパターンのマスクを用いて基板１の分割パターン露光
領域２に形成さたテストパターンの幅の変化を測定し，
その結果に基づいてパターン幅を調整した分割パターン
のマスク５を作成し，基板１上に所望のパターンを形成
するパターン形成方法により構成する。
ターンを精度よく形成する方法の提供を目的とする。 【構成】 基板１上に所望のパターンを形成する際に，
そのパターンの分割パターンのマスク５を作成し，分割
パターンのマスク５を用いて基板１上に複数の露光を繰
り返し，分割パターンを基板１上に継ぎ合わすことによ
り所望のパターンを形成する方法において，基板１の分
割パターン露光領域２外に光が入ることを防止する基板
ブラインド３を基板１の前に設けて分割パターンを露光
するパターン形成方法により構成する。また，予めテス
トパターンのマスクを用いて基板１の分割パターン露光
領域２に形成さたテストパターンの幅の変化を測定し，
その結果に基づいてパターン幅を調整した分割パターン
のマスク５を作成し，基板１上に所望のパターンを形成
するパターン形成方法により構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はパターン形成方法に関す
る。半導体ウエハー上に複数のチップパターンを形成す
る際，あるいは，ディスプレイ等の基板上に大面積パタ
ーンを複数の分割パターンを継ぎ合わせて形成する際，
マスクを用いて半導体ウエハー上，あるいは，基板上に
複数の露光を繰り返してパターン形成を行う。
る。半導体ウエハー上に複数のチップパターンを形成す
る際，あるいは，ディスプレイ等の基板上に大面積パタ
ーンを複数の分割パターンを継ぎ合わせて形成する際，
マスクを用いて半導体ウエハー上，あるいは，基板上に
複数の露光を繰り返してパターン形成を行う。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子の駆動等に用いられる薄膜
トランジスタ（ＴＦＴ）マトリックスは，パターン形成
領域が大きいため，ステップアンドリピート露光によ
り，予め分割されたパターンを基板上に継ぎ合わせるこ
とにより所望のパターン形成を行っている。
トランジスタ（ＴＦＴ）マトリックスは，パターン形成
領域が大きいため，ステップアンドリピート露光によ
り，予め分割されたパターンを基板上に継ぎ合わせるこ
とにより所望のパターン形成を行っている。
【０００３】図２はパターン形成の従来法を説明するた
めの図で，１は基板，２は分割パターン露光領域，４は
レチクルブラインド，５はレチクルであって分割パター
ンのマスク，６は分割パターン，７は照明レンズ系，８
は投影レンズ系を表す。
めの図で，１は基板，２は分割パターン露光領域，４は
レチクルブラインド，５はレチクルであって分割パター
ンのマスク，６は分割パターン，７は照明レンズ系，８
は投影レンズ系を表す。
【０００４】レチクルブラインド４は，露光光がレチク
ル５に入る領域を分割パターン６の領域に制限するため
のものである。分割パターン６は投影レンズ系８によ
り，基板１上に例えば１対１で転写される。
ル５に入る領域を分割パターン６の領域に制限するため
のものである。分割パターン６は投影レンズ系８によ
り，基板１上に例えば１対１で転写される。
【０００５】図３はステップアンドリピート露光を説明
するための図である。レチクルブラインド４は光通過領
域を自在に調整することができ，レチクル５に形成され
た分割パターンに応じて，露光光をそこだけに制限する
ように調整する。レチクル５には第１の分割パターン6
a, 第２の分割パターン6bといった複数の分割パターン
が例えばクロム（Ｃｒ）薄膜で形成されている。
するための図である。レチクルブラインド４は光通過領
域を自在に調整することができ，レチクル５に形成され
た分割パターンに応じて，露光光をそこだけに制限する
ように調整する。レチクル５には第１の分割パターン6
a, 第２の分割パターン6bといった複数の分割パターン
が例えばクロム（Ｃｒ）薄膜で形成されている。
【０００６】基板１上にパターンを形成する時，全面に
例えばポジレジスト膜を形成する。基板１上にまず第１
の分割パターン6aを転写するとき，レチクルブラインド
４の光通過領域を第１の分割パターン6aの領域に合わ
せ，基板１をＸーＹステージにより移動して，第１の分
割パターン露光領域2aをレチクル５の第１の分割パター
ン6aと位置合わせし露光を行う。
例えばポジレジスト膜を形成する。基板１上にまず第１
の分割パターン6aを転写するとき，レチクルブラインド
４の光通過領域を第１の分割パターン6aの領域に合わ
せ，基板１をＸーＹステージにより移動して，第１の分
割パターン露光領域2aをレチクル５の第１の分割パター
ン6aと位置合わせし露光を行う。
【０００７】次に，レチクルブラインド４の光通過領域
を第２の分割パターン6bの領域に合わせ，基板１をＸー
Ｙステージにより移動して，第２の分割パターン露光領
域2bをレチクル５の第２の分割パターン6bと位置合わせ
し露光を行う。
を第２の分割パターン6bの領域に合わせ，基板１をＸー
Ｙステージにより移動して，第２の分割パターン露光領
域2bをレチクル５の第２の分割パターン6bと位置合わせ
し露光を行う。
【０００８】１枚のレチクルに，必ずしも所望の分割パ
ターンが全て形成されているわけではないが，複数のレ
チクルを用いて所望のパターンを転写する。その後，現
像することにより，ポジレジストパターンが得られる。
ターンが全て形成されているわけではないが，複数のレ
チクルを用いて所望のパターンを転写する。その後，現
像することにより，ポジレジストパターンが得られる。
【０００９】ところで，基板１は方形であるため，レジ
スト膜厚はフリンジ等基板周辺部まで均一にすることは
困難で，基板周辺部の露光量はこの不均一性を保証する
ため，適正露光量より多くして，レジストパターンの補
正を行っている。
スト膜厚はフリンジ等基板周辺部まで均一にすることは
困難で，基板周辺部の露光量はこの不均一性を保証する
ため，適正露光量より多くして，レジストパターンの補
正を行っている。
【００１０】しかし，補正を行ってもさらに別の問題が
ある。分割パターンの露光は，本来の設計位置のみなら
ず，設計外の他の位置にも転写されて，本来その位置に
配置される分割パターンに不測の露光量ばらつきを生じ
ることがある。
ある。分割パターンの露光は，本来の設計位置のみなら
ず，設計外の他の位置にも転写されて，本来その位置に
配置される分割パターンに不測の露光量ばらつきを生じ
ることがある。
【００１１】その原因は図２に破線で示すように，レチ
クルブラインド４から入射する露光光が，レチクル５の
表面で反射したり，投影レンズ系８の界面で反射された
りして，その一部が投影レンズ系８を経由して基板上に
至り，本来転写されてはならない位置に迷光となって転
写される。
クルブラインド４から入射する露光光が，レチクル５の
表面で反射したり，投影レンズ系８の界面で反射された
りして，その一部が投影レンズ系８を経由して基板上に
至り，本来転写されてはならない位置に迷光となって転
写される。
【００１２】これらの光量は適正露光量に比較して小さ
な量であるが，パターン幅がμｍオーダーの微細パター
ンにおいては，パターン幅に問題となる程度のばらつき
を与えることがある。
な量であるが，パターン幅がμｍオーダーの微細パター
ンにおいては，パターン幅に問題となる程度のばらつき
を与えることがある。
【００１３】図４は基板上のパターン幅のばらつきの例
を示す図で，分割パターン６枚を継ぎ合わせて，幅５μ
ｍのパターンを150 mm×210 mmの基板１全面に形成し，
パターン幅の分布を調べた例である。
を示す図で，分割パターン６枚を継ぎ合わせて，幅５μ
ｍのパターンを150 mm×210 mmの基板１全面に形成し，
パターン幅の分布を調べた例である。
【００１４】基板中央部でのパターン幅は設計値通り5.
0 μｍで均一性が高いが，左右周辺部が急激に細くな
り，4.4 〜4.5 μｍとなっている。
0 μｍで均一性が高いが，左右周辺部が急激に細くな
り，4.4 〜4.5 μｍとなっている。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記の問題に
鑑み，パターン幅を基板全面にわたり，所望の値とする
パターン形成方法を提供することを目的とする。
鑑み，パターン幅を基板全面にわたり，所望の値とする
パターン形成方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】図１は本発明の方法を説
明するための図である。上記課題は，基板１上に所望の
パターンを形成する際に，該パターンの分割パターンの
マスク５を作成し，該分割パターンのマスク５を用いて
該基板１上に複数の露光を繰り返し，該分割パターンを
該基板１上に継ぎ合わすことにより所望のパターンを形
成する方法において，該基板１の該分割パターン露光領
域２外に光が入ることを防止する基板ブラインド３を該
基板１の前に設けて該分割パターンを露光するパターン
形成方法によって解決される。
明するための図である。上記課題は，基板１上に所望の
パターンを形成する際に，該パターンの分割パターンの
マスク５を作成し，該分割パターンのマスク５を用いて
該基板１上に複数の露光を繰り返し，該分割パターンを
該基板１上に継ぎ合わすことにより所望のパターンを形
成する方法において，該基板１の該分割パターン露光領
域２外に光が入ることを防止する基板ブラインド３を該
基板１の前に設けて該分割パターンを露光するパターン
形成方法によって解決される。
【００１７】また，予めテストパターンのマスクを用い
て該基板１の該分割パターン露光領域２に形成さたテス
トパターンの幅の変化を測定し，その結果に基づいてパ
ターン幅を調整した分割パターンのマスク５を作成し，
該基板１上に所望のパターンを形成するパターン形成方
法によって解決される。
て該基板１の該分割パターン露光領域２に形成さたテス
トパターンの幅の変化を測定し，その結果に基づいてパ
ターン幅を調整した分割パターンのマスク５を作成し，
該基板１上に所望のパターンを形成するパターン形成方
法によって解決される。
【００１８】
【作用】本発明では，基板１の分割パターン露光領域２
外に光が入ることを防止する基板ブラインド３を基板１
の前に設けているから，分割パターンのマスク５や投影
レンズ系で反射された後，分割パターン露光領域２外の
基板１に向かう迷光は基板ブラインド３により遮蔽さ
れ，基板１には入射しない。したがって，基板全域にわ
たり，設計通りの露光を行うことができ，所望のパター
ンを精度よく形成することができる。
外に光が入ることを防止する基板ブラインド３を基板１
の前に設けているから，分割パターンのマスク５や投影
レンズ系で反射された後，分割パターン露光領域２外の
基板１に向かう迷光は基板ブラインド３により遮蔽さ
れ，基板１には入射しない。したがって，基板全域にわ
たり，設計通りの露光を行うことができ，所望のパター
ンを精度よく形成することができる。
【００１９】また，本発明では，予めテストパターンの
マスクを用いて基板１の分割パターン露光領域２に形成
さたテストパターンの幅の変化を測定し，その結果に基
づいてパターン幅を調整した分割パターンのマスク５を
作成する。したがって，例えば基板１の分割パターン露
光領域２に形成さたテストパターンの幅が設計値より小
さい場合は，その位置に対応する分割パターンの幅を太
くしたマスク５を形成するようにする。このようにし
て，基板上に所望のパターンを精度よく形成することが
できる。
マスクを用いて基板１の分割パターン露光領域２に形成
さたテストパターンの幅の変化を測定し，その結果に基
づいてパターン幅を調整した分割パターンのマスク５を
作成する。したがって，例えば基板１の分割パターン露
光領域２に形成さたテストパターンの幅が設計値より小
さい場合は，その位置に対応する分割パターンの幅を太
くしたマスク５を形成するようにする。このようにし
て，基板上に所望のパターンを精度よく形成することが
できる。
【００２０】
【実施例】図１は本発明の方法を説明するための図で，
１は基板，２は分割パターン露光領域，３は基板ブライ
ンド，４はレチクルブラインド，５はレチクル，６は分
割パターン，７は照明レンズ系，８は投影レンズ系を表
す。
１は基板，２は分割パターン露光領域，３は基板ブライ
ンド，４はレチクルブラインド，５はレチクル，６は分
割パターン，７は照明レンズ系，８は投影レンズ系を表
す。
【００２１】レチクルブラインド４は，光通過領域の形
状と大きさを分割パターンに応じて自在に変化させるこ
とができる。レチクル５はたとえばガラス板に複数の分
割パターンが形成されたマスクで，分割パターンは例え
ば，クロム（Ｃｒ）薄膜で形成されている。
状と大きさを分割パターンに応じて自在に変化させるこ
とができる。レチクル５はたとえばガラス板に複数の分
割パターンが形成されたマスクで，分割パターンは例え
ば，クロム（Ｃｒ）薄膜で形成されている。
【００２２】基板ブラインド３は露光光が基板１に入射
する直前の位置に設けられ，露光光が基板１に入射する
位置とその形状および大きさを自在に区画し，分割パタ
ーンが転写される基板領域に露光が行われる際，それ以
外の基板領域には露光光が入射しないようにしている。
する直前の位置に設けられ，露光光が基板１に入射する
位置とその形状および大きさを自在に区画し，分割パタ
ーンが転写される基板領域に露光が行われる際，それ以
外の基板領域には露光光が入射しないようにしている。
【００２３】複数の分割パターンを露光する毎にレチク
ルブラインド４と基板ブラインド３の開口を調整し，基
板上の所望の領域外が迷光により露光されないようにす
る。このようにして露光を行った後，現像する。
ルブラインド４と基板ブラインド３の開口を調整し，基
板上の所望の領域外が迷光により露光されないようにす
る。このようにして露光を行った後，現像する。
【００２４】このようにして，基板上に所望のパターン
を精度よく形成することができる。次に，基板ブライン
ド３を用いずに，分割パターンのマスク形成の際，補正
を加える例について説明する。
を精度よく形成することができる。次に，基板ブライン
ド３を用いずに，分割パターンのマスク形成の際，補正
を加える例について説明する。
【００２５】予め，テストパターンのマスクを用いて露
光・現像し，基板上にパターンを形成する。テストパタ
ーンとしては所望の実パターンを形成してもよい。そし
て，基板全面にわたり，パターン幅の設計値からのずれ
を調べる。例えばその結果が図４に示したようなもので
あった場合，レチクル５に形成する分割パターンは，基
板中央部に形成する分割パターンの幅は補正を加えず，
基板中央部から左右にずれた位置に形成する分割パター
ンの幅は基板中央部から離れるにつれて0.1 〜0.6 μｍ
太くするように補正を加える。
光・現像し，基板上にパターンを形成する。テストパタ
ーンとしては所望の実パターンを形成してもよい。そし
て，基板全面にわたり，パターン幅の設計値からのずれ
を調べる。例えばその結果が図４に示したようなもので
あった場合，レチクル５に形成する分割パターンは，基
板中央部に形成する分割パターンの幅は補正を加えず，
基板中央部から左右にずれた位置に形成する分割パター
ンの幅は基板中央部から離れるにつれて0.1 〜0.6 μｍ
太くするように補正を加える。
【００２６】このようにして，基板上に所望のパターン
を精度よく形成することができる。
を精度よく形成することができる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように，本発明によれば，
基板上にレチクルや投影レンズ界面で反射した迷光によ
る本来の設計以外の転写が行われないため，分割パター
ン内の露光量のばらつきを縮小させ，微細パターンの線
幅の基板上でのばらつきを小さくすることができる。
基板上にレチクルや投影レンズ界面で反射した迷光によ
る本来の設計以外の転写が行われないため，分割パター
ン内の露光量のばらつきを縮小させ，微細パターンの線
幅の基板上でのばらつきを小さくすることができる。
【００２８】また，基板上にレチクルや投影レンズ界面
で反射した迷光による転写が行われたとしても，元々の
分割パターンの幅を迷光に応じて補正して設計するよう
にしているので，結果として基板上では微細パターンの
線幅のばらつきを小さくすることができる。
で反射した迷光による転写が行われたとしても，元々の
分割パターンの幅を迷光に応じて補正して設計するよう
にしているので，結果として基板上では微細パターンの
線幅のばらつきを小さくすることができる。
【図１】本発明の方法を説明するための図である。
【図２】パターン形成の従来法を説明するための図であ
る。
る。
【図３】ステップアンドリピート露光を説明するための
図である。
図である。
【図４】基板上のパターン幅のばらつきの例を示す図で
ある。
ある。
１は基板であってガラス基板 ２は分割パターン露光領域 2aは第１の分割パターン露光領域 2bは第２の分割パターン露光領域 ３は基板ブラインド ４はレチクルブラインド 4aは開口であって光通過領域 ５はレチクルであって分割パターンのマスク ６は分割パターンであってＣｒパターン 6aは第１の分割パターン 6bは第２の分割パターン ７は照明レンズ系 ８は投影レンズ系
Claims (2)
- 【請求項１】 基板(1) 上に所望のパターンを形成する
際に，該パターンの分割パターンのマスク(5) を作成
し，該分割パターンのマスク(5) を用いて該基板(1) 上
に複数の露光を繰り返し，該分割パターンを該基板(1)
上に継ぎ合わすことにより所望のパターンを形成する方
法において， 該基板(1) の該分割パターン露光領域(2) 外に光が入る
ことを防止する基板ブラインド(3) を該基板(1) の前に
設けて該分割パターンを露光することを特徴とするパタ
ーン形成方法。 - 【請求項２】 基板(1) 上に所望のパターンを形成する
際に，該パターンの分割パターンのマスク(5) を作成
し，該分割パターンのマスク(5) を用いて該基板(1) 上
に複数の露光を繰り返し，該分割パターンを該基板(1)
上に継ぎ合わすことにより所望のパターンを形成する方
法において， 予めテストパターンのマスクを用いて該基板(1) の該分
割パターン露光領域(2) に形成さたテストパターンの幅
の変化を測定し，その結果に基づいてパターン幅を調整
した分割パターンのマスク(5) を作成し，該基板(1) 上
に所望のパターンを形成することを特徴とするパターン
形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3226264A JPH0567554A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3226264A JPH0567554A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | パターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0567554A true JPH0567554A (ja) | 1993-03-19 |
Family
ID=16842482
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3226264A Withdrawn JPH0567554A (ja) | 1991-09-06 | 1991-09-06 | パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0567554A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252092A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィシステムおよびデバイス製造方法 |
-
1991
- 1991-09-06 JP JP3226264A patent/JPH0567554A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008252092A (ja) * | 2007-03-29 | 2008-10-16 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィシステムおよびデバイス製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19981203 |